JP2002313583A - 発光装置 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 486
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 103
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 103
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 133
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 103
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 81
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 50
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 19
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims description 14
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 13
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 11
- -1 phthalocyanine compound Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 6
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 4
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 claims 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 claims 3
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 claims 2
- MZWDAEVXPZRJTQ-WUXMJOGZSA-N 4-[(e)-(4-fluorophenyl)methylideneamino]-3-methyl-1h-1,2,4-triazole-5-thione Chemical compound CC1=NNC(=S)N1\N=C\C1=CC=C(F)C=C1 MZWDAEVXPZRJTQ-WUXMJOGZSA-N 0.000 claims 1
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 35
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 306
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 66
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 56
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 53
- 230000006870 function Effects 0.000 description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 37
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 35
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 32
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 29
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 27
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 20
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 14
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 14
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 13
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 5
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 4
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 3
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 3
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 3
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZLZJGZGJHZQAU-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(CC)=CC=C1N1C(C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 PZLZJGZGJHZQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000718541 Tetragastris balsamifera Species 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- GWDUZCIBPDVBJM-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(2-hydroxyphenyl)-3h-1,3-benzothiazole-2-carboxylate Chemical compound [Zn+2].OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)SC2=CC=CC=C2N1.OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)SC2=CC=CC=C2N1 GWDUZCIBPDVBJM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(2-hydroxyphenyl)-3h-1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound [Zn+2].OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1.OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1 QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
気器具を提供する。 【解決手段】 正孔注入材料811および正孔輸送材料812
からなる正孔輸送性混合層803、あるいは、正孔輸送材
料812および電子輸送材料813からなるバイポーラー性混
合層804、あるいは、電子輸送材料813および電子注入材
料814からなる電子輸送性混合層805、を適用し、さらに
はグラフ810のような濃度勾配を形成することによっ
て、有機発光素子における層間のキャリア注入性を高め
る。この手法により、消費電力が低く寿命の長い有機発
光素子を提供し、前記有機発光素子を用いて発光装置お
よび電気器具を作製する。
Description
を加えることで発光が得られる有機化合物を含む膜(以
下、「有機化合物層」と記す)と、を有する有機発光素
子を用いた発光装置に関する。本発明では特に、従来よ
りも駆動電圧が低く、なおかつ素子の寿命が長い有機発
光素子を用いた発光装置に関する。なお、本明細書中に
おける発光装置とは、発光素子として有機発光素子を用
いた画像表示デバイスもしくは発光デバイスを指す。ま
た、有機発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィ
ルム(FPC:Flexible printed circuit)もしくはTAB
(Tape Automated Bonding)テープもしくはTCP(Tape
Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテ
ープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュー
ル、または有機発光素子にCOG(Chip On Glass)方式に
よりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て
発光装置に含むものとする。
り発光する素子である。その発光機構は、電極間に有機
化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から
注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化
合物層中の発光中心で再結合して励起状態の分子(以
下、「分子励起子」と記す)を形成し、その分子励起子
が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光すると
言われている。
種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能
であるが、本明細書中ではどちらの励起状態が発光に寄
与する場合も含むこととする。
有機化合物層は1μmを下回るほどの薄膜で形成される。
また、有機発光素子は、有機化合物層そのものが光を放
出する自発光型の素子であるため、従来の液晶ディスプ
レイに用いられているようなバックライトも必要ない。
したがって、有機発光素子は極めて薄型軽量に作製でき
ることが大きな利点である。
層において、キャリアを注入してから再結合に至るまで
の時間は、有機化合物層のキャリア移動度を考えると数
十ナノ秒程度であり、キャリアの再結合から発光までの
過程を含めてもマイクロ秒以内のオーダーで発光に至
る。したがって、非常に応答速度が速いことも特長の一
つである。
発光素子であるため、直流電圧での駆動が可能であり、
ノイズが生じにくい。駆動電圧に関しては、まず有機化
合物層の厚みを100nm程度の均一な超薄膜とし、また、
有機化合物層に対するキャリア注入障壁を小さくするよ
うな電極材料を選択し、さらにはシングルヘテロ構造
(二層構造)を導入することによって、5.5Vで100cd/m2
の十分な輝度が達成された(文献1:C. W. Tang and
S. A. VanSlyke, "Organic electroluminescent diode
s", Applied Physics Letters, vol. 51, No.12, 913-9
15 (1987))。
電圧駆動などの特性から、有機発光素子は次世代のフラ
ットパネルディスプレイ素子として注目されている。ま
た、自発光型であり視野角が広いことから、視認性も比
較的良好であり、携帯機器の表示画面に用いる素子とし
て有効と考えられている。
光素子の構成であるが、まず、有機化合物層に対するキ
ャリア注入障壁を小さくする方法として、仕事関数が低
い上に比較的安定なMg:Ag合金を陰極に用い、電子の注
入性を高めている。このことにより、有機化合物層に大
量のキャリアを注入することを可能としている。
物からなる正孔輸送層とトリス(8−キノリノラト)ア
ルミニウム(略称;Alq3)からなる電子輸送性発光層と
を積層するという、シングルヘテロ構造を適用すること
により、キャリアの再結合効率を飛躍的に向上させてい
る。このことは、以下のように説明される。
子の場合では、Alq3が電子輸送性であるため、陰極から
注入された電子のほとんどは正孔と再結合せずに陽極に
達してしまい、発光の効率は極めて悪い。すなわち、単
層の有機発光素子を効率よく発光させる(あるいは低電
圧で駆動する)ためには、電子および正孔の両方をバラ
ンスよく輸送できる材料(以下、「バイポーラー材料」
と記す)を用いる必要があり、Alq3はその条件を満たし
ていない。
造を適用すれば、陰極から注入された電子は正孔輸送層
と電子輸送性発光層との界面でブロックされ、電子輸送
性発光層中へ閉じこめられる。したがって、キャリアの
再結合が効率よく電子輸送性発光層で行われ、効率のよ
い発光に至るのである。
概念を発展させると、キャリアの再結合領域を制御する
ことも可能となる。その例として、正孔をブロックでき
る層(正孔ブロッキング層)を正孔輸送層と電子輸送層
との間に挿入することにより、正孔を正孔輸送層内に閉
じこめ、正孔輸送層の方を発光させることに成功した報
告がある。(文献2:Yasunori KIJIMA, Nobutoshi ASA
I and Shin-ichiro TAMURA, "A Blue Organic Light Em
itting Diode", Japanese Journal of AppliedPhysics,
Vol. 38, 5274-5277(1999))。
わば正孔の輸送は正孔輸送層が行い、電子の輸送および
発光は電子輸送性発光層が行うという、機能分離の発想
であるとも言える。この機能分離の概念はさらに、正孔
輸送層と電子輸送層の間に発光層を挟むというダブルへ
テロ構造(三層構造)の構想へと発展した(文献3:Ch
ihaya ADACHI, Shizuo TOKITO, Tetsuo TSUTSUI and Sh
ogo SAITO, "Electroluminescence in Organic Films w
ith Three-Layered Structure", Japanese Journal of
Applied Physics, Vol. 27, No. 2, L269-L271(198
8))。
分離することによって一種類の有機材料に様々な機能
(発光性、キャリア輸送性、電極からのキャリア注入性
など)を同時に持たせる必要がなくなり、分子設計等に
幅広い自由度を持たせることができる点にある(例え
ば、無理にバイポーラー材料を探索する必要がなくな
る)。つまり、発光特性のいい材料、キャリア輸送性が
優れる材料などを、各々組み合わせることで、容易に高
発光効率が達成できるということである。
層構造の概念(キャリアブロッキング機能あるいは機能
分離)自体は、現在に至るまで広く利用されている。
述べたような積層構造は異種物質間の(特に絶縁体同士
の)接合であるため、その界面には必ずエネルギー障壁
が生じることになる。エネルギー障壁が存在すれば、そ
の界面においてキャリアの移動は妨げられるため、以下
に述べるような二つの問題点が提起される。
けての障害になるという点である。実際、現在の有機発
光素子において、駆動電圧に関しては共役ポリマーを用
いた単層構造の素子の方が優れており、パワー効率(単
位:[lm/W])でのトップデータ(ただし、一重項励起状
態からの発光を比較)を保持していると報告されている
(文献4:筒井哲夫、「応用物理学会有機分子・バイオ
エレクトロニクス分科会会誌」、Vol. 11、No. 1、P.8
(2000))。
ーはバイポーラー材料であり、キャリアの再結合効率に
関しては積層構造と同等なレベルが達成できる。したが
って、バイポーラー材料を用いるなどの方法で、積層構
造を用いることなくキャリアの再結合効率さえ同等にで
きるのであれば、界面の少ない単層構造の方が実際は駆
動電圧が低くなることを示している。
間の界面(例えば正孔輸送層と発光層との間のことであ
り、以下、「有機界面」と記す)においてキャリアの移
動が妨げられ、より高い駆動電圧が必要になってしまっ
たと説明できる。
ては、エネルギー障壁を緩和するような材料を挿入し、
キャリアの注入性を高めて駆動電圧を低減する方法があ
る(文献5:Takeo Wakimoto, Yoshinori Fukuda, Keni
chi Nagayama, Akira Yokoi,Hitoshi Nakada, and Masa
mi Tsuchida, "Organic EL Cells Using Alkaline Meta
l Compounds as Electron Injection Materials", IEEE
TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 44, NO. 8,
1245-1248(1997))。文献5では、電子注入層としてLi
2Oを用いることにより、駆動電圧の低減に成功してい
る。
に関してはいまだ未解決の分野であり、バイポーラー材
料を用いた単層構造の低駆動電圧に追いつくための重要
なポイントであると考えられる。
つの問題点として、有機発光素子の素子寿命に対する影
響が考えられる。すなわち、キャリアの移動が妨げら
れ、チャージが蓄積することによる輝度の低下である。
は確立されていないが、陽極と正孔輸送層との間に正孔
注入層を挿入し、さらにdc駆動ではなく矩形波のac駆動
にすることによって、輝度の低下を抑えることができる
という報告がある(文献6:S. A. VanSlyke, C. H. Ch
en, and C. W. Tang, "Organic electroluminescentdev
ices with improved stability", Applied Physics Let
ters, Vol. 69, No.15, 2160-2162(1996))。このこと
は、正孔注入層の挿入およびac駆動によって、チャージ
の蓄積を排除することにより、輝度の低下を抑えること
ができたという実験的な裏付けと言える。
アの再結合効率を高めることができ、なおかつ機能分離
の観点から材料の選択幅を広くできるというメリットを
持つ一方で、有機界面を多数作り出すことによって(特
にキャリアをブロックしてキャリアを再結合させるため
の有機界面を作り出すことによって)キャリアの移動を
妨げ、駆動電圧や輝度の低下に影響を及ぼしていると言
える。
層構造の利点(機能分離)を活かしつつ、なおかつ有機
化合物層中に存在するエネルギー障壁を緩和することに
よってキャリアの移動性を高め、従来よりも駆動電圧が
低い上に素子の寿命が長い有機発光素子を提供すること
を課題とする。
してキャリアを再結合させるという従来用いられている
積層構造とは、異なる概念の素子を作製することによ
り、有機化合物層中に存在する有機界面を削除してキャ
リアの移動性を高めると同時に、なおかつ積層構造の機
能分離と同様に各種複数の材料の機能を発現させる(以
下、「機能発現」と記す)ことを課題とする。それによ
り、従来よりも駆動電圧が低い上に素子の寿命が長い有
機発光素子を提供することを課題とする。
ことにより、従来よりも駆動電圧が低く、なおかつ寿命
の長い発光装置を提供することを課題とする。さらに、
前記発光装置を用いて電気器具を作製することにより、
従来よりも低消費電力で、なおかつ長保ちする電気器具
を提供することを課題とする。
ギー障壁の緩和に関しては、文献5に見られるようなキ
ャリア注入層の挿入という技術に顕著に見られる。正孔
注入層を例として、エネルギーバンドダイアグラムを用
いた説明を図1に示す。
接接合しているが、この場合、陽極101と正孔輸送層102
のエネルギー障壁104は大きい。しかしながら、陽極の
イオン化ポテンシャル(金属の場合、仕事関数と同義で
ある)と正孔輸送層の最高被占分子軌道(以下、「HOM
O」と記す)準位との中間に位置するHOMO準位を有する
材料を、正孔注入層103として挿入することにより、エ
ネルギー障壁を階段状に設計することができる(図1
(b))。
を設計することにより、電極からのキャリア注入性を高
め、確かに駆動電圧をある程度までは下げることができ
る。しかしながら問題点は、層の数を増やすことによっ
て、有機界面の数は逆に増加することである。このこと
が、文献4で示されているように、単層構造の方が駆動
電圧・パワー効率のトップデータを保持している原因で
あると考えられる。
り、積層構造のメリット(様々な材料を組み合わせるこ
とができ、複雑な分子設計が必要ない)を活かしつつ、
なおかつ単層構造の駆動電圧・パワー効率に追いつくこ
とができる。
を増やすことなく、有機化合物層中のエネルギー障壁を
緩和し、キャリアの移動を妨げないようにすることがで
きればよい。本発明者は、以下に示すような方法でこの
構想を実現できる素子構造を考案した。
する手法であるが、HOMO準位の高い(イオン化ポテンシ
ャルの小さい)正孔注入材料と、正孔移動度の高い正孔
輸送材料とを混合した層(以下、「正孔輸送性混合層」
と記す)を設ければよい。この手法によって、陽極側か
らの正孔の受け取りを正孔注入材料が、正孔の輸送を正
孔輸送材料が、それぞれ正孔輸送性混合層内で役割を果
たし、従来の正孔注入層と正孔輸送層という二層の機能
を一層で実現できる。
度勾配を形成することが好ましい。すなわち、図2に示
すように、陽極に近い側は正孔注入材料の割合が多く、
陽極から離れるにしたがって正孔輸送材料の割合が多く
なっていくものである。このような濃度勾配を形成する
ことによって、陽極側からの正孔の受け取りから輸送ま
でが、大きなエネルギー障壁を形成することなく潤滑に
行われ、駆動電圧の低下および長寿命化に貢献する。
線を用いて図示したが、必ずしも直線となる必要はな
く、増加ないしは減少の勾配が形成されていればよいも
のとする。実際、制御する際には曲線となる場合が多い
と考えられる。本明細書で述べる他の濃度勾配について
も、同様とする。
する手法であるが、最低空分子軌道(以下、「LUMO」と
記す)準位の低い(電子親和力の大きい)電子注入材料
と、電子移動度の高い電子輸送材料とを混合した層(以
下、「電子輸送性混合層」と記す)を設ければよい。こ
の手法によって、陰極側からの電子の受け取りを電子注
入材料が、電子の輸送を電子輸送材料が、それぞれ電子
輸送性混合層内で役割を果たし、従来の電子注入層と電
子輸送層という二層の機能を一層で実現できる。
度勾配を形成することが好ましい。すなわち、図3に示
すように、陰極に近い側は電子注入材料の割合が多く、
陰極から離れるにしたがって電子輸送材料の割合が多く
なっていくものである。このような濃度勾配を形成する
ことによって、陰極側からの電子の受け取りから輸送ま
でが、大きなエネルギー障壁を形成することなく潤滑に
行われ、駆動電圧の低下および長寿命化に貢献する。
緩和する手法もある。すなわち、正孔移動度の高い正孔
輸送材料と、電子移動度の高い電子輸送材料とを混合し
てバイポーラー性とした層(以下、「バイポーラー性混
合層」と記す)を、発光層として設ければよい。この場
合、発光層の両端の界面におけるキャリアブロッキング
機能は小さくなるが、電子輸送層−バイポーラ性混合層
間のキャリア移動度差、および正孔輸送層−バイポーラ
性混合層間のキャリア移動度差によって、キャリアはバ
イポーラ性混合層で再結合しやすくなる。
に、濃度勾配を形成することが好ましい。すなわち、図
4に示すように、陽極に近い側は正孔輸送材料の割合が
多く、陰極に近づくにしたがって電子輸送材料の割合が
多くなっていくものである。このような濃度勾配を形成
することによって、正孔および電子の輸送から再結合に
到るまでが、大きなエネルギー障壁を形成することなく
潤滑に行われ、駆動電圧の低下および長寿命化に貢献す
る。
ルギーの低い材料の方が発光すると考えられる。本明細
書中における励起エネルギーとは、HOMOとLUMOとのエネ
ルギー差のことを指す。HOMOに関しては、光電子分光法
により測定可能であり、イオン化ポテンシャルと同義と
考えてよい。また、励起エネルギーを便宜的に吸収スペ
クトル末端と定義することで、その励起エネルギーとHO
MO準位の値からLUMOを算出できる。
に、発光材料をドープして発光させる手法もある。この
場合ドーパントである発光材料は、バイポーラー性混合
層に含まれる正孔輸送材料および電子輸送材料よりも、
低い励起エネルギーを有する必要がある。特に、キャリ
アトラップ型のドーパント(例;ルブレン)を用いる
と、キャリアの再結合効率がさらに高まるため好まし
い。
されたが、このような層は一般にブロッキング材料で構
成される。ブロッキング材料とは、発光層の材料よりも
大きな励起エネルギーを有するものが一般的であり(す
なわち、分子励起子の拡散を防ぐことができ)、さらに
キャリアもブロックできる材料のことである。主に正孔
をブロックする場合が多い。
の材料(あるいは発光層のホスト材料)とを混合した層
(以下、「ブロッキング性混合層」と記す)を形成する
手法についても考案した。この場合、ブロッキング性混
合層は発光層としても機能することもでき、層内部で効
率よくキャリアおよび分子励起子をブロックできる発光
層という見方もできる。
度勾配を形成することが好ましい。なぜならば、発光層
から離れるに従い徐々にブロッキング材料の濃度を高く
することにより、ブロッキングしない方のキャリア(正
孔ブロッキング材料であれば電子)の移動を潤滑にでき
るからである。
態に戻る際に放出されるエネルギー(以下、「三重項励
起エネルギー」と記す)を発光に変換できる有機発光素
子が相次いで発表され、その発光効率の高さが注目され
ている(文献7:D. F. O'Brien, M. A. Baldo, M. E.
Thompson and S. R. Forrest, "Improved energy trans
fer in electrophosphorescent devices", Applied Phy
sics Letters, vol. 74, No. 3, 442-444 (1999))(文
献8:Tetsuo TSUTSUI, Moon-Jae YANG, Masayuki YAHI
RO, Kenji NAKAMURA, Teruichi WATANABE, Taishi TSUJ
I, Yoshinori FUKUDA, Takeo WAKIMOTO and Satoshi MI
YAGUCHI, "High Quantum Efficiency inOrganic Light-
Emitting Devices with Iridium-Complex as a Triplet
Emissive Center", Japanese Journal of Applied Phy
sics, Vol. 38, L1502-L1504 (1999))。
を、文献8ではイリジウムを中心金属とする金属錯体を
用いている。これらの三重項励起エネルギーを発光に変
換できる有機発光素子(以下、「三重項発光素子」と記
す)は、従来よりも高輝度発光・高発光効率を達成する
ことができる。
初期輝度を500cd/m2に設定した場合の輝度の半減期は17
0時間程度であり、素子寿命に問題がある。そこで、本
発明を三重項発光素子に適用することにより、三重項励
起状態からの発光による高輝度発光・高発光効率に加
え、素子の寿命も長いという非常に高機能な発光素子が
可能となる。
ア輸送層や発光層を混合層とすることによって界面の数
を減少させ(あるいはエネルギー障壁を緩和させ)、キ
ャリアの移動を潤滑にするという本発明の概念を、三重
項発光素子に適用したものも本発明に含めるものとす
る。
の移動が妨げられるモデルとして、本発明者は以下に述
べるような二つの機構を考えている。
ォロジーから生じるものが考えられる。有機発光素子に
おける有機化合物層は通常、アモルファス状態の膜であ
り、これは有機化合物の分子同士が、双極子相互作用を
主とした分子間力で凝集することにより形成されてい
る。ところが、このような分子の凝集体を用いてヘテロ
構造(積層構造)を形成すると、分子のサイズや形状の
違いがヘテロ構造の界面(すなわち有機界面)に大きな
影響を及ぼす可能性がある。
用いてヘテロ構造を形成した場合、その有機界面におけ
る接合の整合性が悪くなると考えられる。その概念図を
図21に示す。図21では、小さい分子2101からなる第
一の層2111と、大きい分子2102からなる第二の層2112を
積層している。この場合、形成される有機界面2113にお
いて、整合性の悪い領域2114が発生してしまう。
キャリアの移動を妨げるバリア(あるいはエネルギー障
壁)となる可能性があるため、駆動電圧のさらなる低減
へ向けての障害になることが示唆される。また、エネル
ギー障壁を越えられないキャリアはチャージとして蓄積
してしまい、先に述べたような輝度の低下を誘起してし
まう可能性がある。
る(すなわち有機界面を形成する)工程から生じるもの
が考えられる。積層構造の有機発光素子は、キャリアの
ブロッキングおよび機能分離の観点から、各層を形成す
る際のコンタミネーションを避けるため、通常、図22
に示すようなマルチチャンバー方式(インライン方式)
の蒸着装置を用いて作製する。
・電子輸送層の三層構造(ダブルへテロ構造)を形成す
るための蒸着装置の概念図である。まず、搬入室に陽極
(インジウム錫酸化物(以下、「ITO」と記す)など)
を有する基板を搬入し、まず紫外線照射室において真空
雰囲気中で紫外線を照射することにより、陽極表面をク
リーニングする。特に陽極がITOのような酸化物である
場合、前処理室にて酸化処理を行う。さらに、積層構造
の各層を形成するため、蒸着室2201で正孔輸送層を、蒸
着室2202〜2204で発光層(図22では、赤、緑、青の三
色)を、蒸着室2205で電子輸送層を成膜し、蒸着室2206
で陰極を蒸着する。最後に、封止室にて封止を行い、搬
出室から取り出して有機発光素子を得る。
色としては、各層の蒸着を、それぞれ異なる蒸着室2201
〜2205において蒸着していることである。つまり、各層
の材料がほとんど互いに混入しないような装置構成とな
っている。
10-5パスカル程度に減圧されているものの、極微量の
気体成分(酸素や水など)は存在している。そして、こ
の程度の真空度の場合、それら極微量の気体成分でも、
数秒もあれば容易に単分子レイヤー程度の吸着層を形成
してしまうと言われている。
積層構造の有機発光素子を作製する場合、各層を形成す
る間に大きなインターバルが生じてしまうことが問題な
のである。つまり、各層を形成する間のインターバル、
特に第二搬送室を経由して搬送する際などに、極微量の
気体成分による吸着層(以下、「不純物層」と記す)を
形成してしまう懸念がある。
一の有機化合物2301からなる第一の層2311と、第二の有
機化合物2302からなる第二の層2312とを積層する際に、
その層間に微量の不純物2303(水や酸素など)からなる
不純物層2313が形成されている様子である。
面)に形成されてしまう不純物層は、有機発光素子の完
成後、キャリアをトラップする不純物領域となってキャ
リアの移動を妨げるため、やはり駆動電圧を上昇させて
しまう。さらに、キャリアをトラップする不純物領域が
存在すると、そこにはチャージが蓄積することになるた
め、先に述べたような輝度の低下を誘起してしまう可能
性がある。
たような有機界面で生じる問題点(有機界面のモルフォ
ロジー悪化および不純物層の形成)を克服するために
は、素子構造・作製工程共に、従来の積層構造素子から
脱する必要がある。例えば、有機界面を完全に排除した
有機発光素子の例として、正孔輸送材料と電子輸送材料
とを混合しただけの単層(以下、「混合単層」と記す)
のみを、両電極間に設けた有機発光素子の報告がある
(文献9:Shigeki NAKA, Kazuhisa SHINNO, Hiroyuki
OKADA, Hiroshi ONNAGAWA and Kazuo MIYASHITA, "Orga
nic Electroluminescent Devices Using a Mixed Singl
e Layer", Japanese Journal of Applied Physics, Vo
l. 33, No. 12B, L1772-L1774(1994))。
ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル−ア
ミノ]−ビフェニル(以下、「TPD」と記す)と、電子
輸送性であるAlq3とを、1:4の割合で混合することに
よって単層構造を形成している。しかしながら、積層構
造(すなわち、TPDおよびAlq3からなる有機界面を形成
するヘテロ構造)との比較をすると、発光効率の点では
積層構造に比べて劣っていることが示されている。
ら注入された正孔および陰極から注入された電子が、再
結合することなくそのまま対極へ抜けてしまうことが多
くなるためと考えられる。積層構造はキャリアのブロッ
キング機能があるので、そのような問題は生じていない
のである。
は、機能発現が行われていないことが原因と言い換える
ことができる。すなわち、有機化合物層内において、陽
極に近い領域は正孔輸送という機能を示し、陰極に近い
領域は電子輸送という機能を示し、両電極から離れた部
分に発光領域(すなわちキャリアが再結合する領域)を
設けるという、各機能を発現できる領域を設けなけれ
ば、たとえ有機界面をなくしたとしても効率のよい発光
には至らないのである。また、有機化合物層内が全て発
光層として機能するので、実際はキャリアの再結合が電
極の近くで行われる可能性があり、電極材料にエネルギ
ー移動して消光することがある。
できないことを考慮し、本発明者は特に、図4における
バイポーラー性混合層を発光領域として形成する際に、
有機界面を排除し、なおかつ文献7とは異なり機能発現
が可能な有機発光素子を実現する手法を考案した。その
概念図を図24に示す。
材料の2種類からなる有機化合物層2403において、正孔
輸送材料からなる正孔輸送領域2405、電子輸送材料から
なる電子輸送領域2406、および正孔輸送材料と電子輸送
材料とが混合された混合領域2407を設けてある。ここで
は基板2401上に陽極2402を設けてあるが、陰極2404の方
を基板上に設ける逆の構造をとってもよい。なお、この
ような素子の場合、正孔輸送層などの明確な層構造は形
成していないので、各機能を示す「領域」という表現を
用いている。
は正孔輸送材料が正孔を受け取り輸送し、一方陰極側で
は電子輸送材料が電子を受け取り輸送することができ
る。さらに、混合領域2407はバイポーラー性であるた
め、正孔および電子は双方とも混合領域2407を移動する
ことができ、この混合領域2407においてキャリアは再結
合し発光に至る。すなわち、文献9の混合単層とは異な
り、各機能を発現できる領域が有機化合物層2403内に存
在していることになる。
発現を可能にしながら、なおかつ従来の積層構造のよう
な有機界面は存在しない。したがって、上述の有機界面
で生じる問題点(有機界面のモルフォロジー悪化および
不純物層の形成)を解決することができる。なお、発光
に至る混合領域が両電極から離れることにより、電極に
エネルギー移動することによる消光を防ぐこともでき
る。
決について、図25を用いて説明する。図25は、小さ
い分子2501からなる領域2511と、大きい分子2502からな
る領域2512と、小さい分子2501および大きい分子2502の
両方を含む混合領域2513と、からなる、図24に代表さ
れる有機発光素子である。図25から明らかなように、
図21で存在していたような有機界面2113は存在せず、
整合性の悪い領域2114も存在しない。
れは単純明快である。図24のような有機発光素子を作
製する場合、陽極上に正孔輸送材料を蒸着し、途中から
それに加えて電子輸送材料を共蒸着の形で蒸着すること
で混合領域を形成し、混合領域を形成後は正孔輸送材料
の蒸着を止めることで電子輸送材料を蒸着すればよい。
したがって、図22のような蒸着装置を用いて有機発光
素子を作製する際に生じる、インターバルが存在しな
い。つまり、不純物層を形成する隙を与えることがない
のである。
機界面を形成することがないためキャリアの移動が潤滑
であり、駆動電圧および素子の寿命に悪影響を及ぼすこ
とがなくなる。さらに、積層構造と同様に機能分離され
ているため、発光効率の点でも問題はない。
る接合(hetero-junction)であるのに対し、本発明の
構造はいわば混合接合(mixed-junction)であり、新し
い概念に基づく有機発光素子であると言える。
前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層
と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前
記有機化合物層は、電子移動度よりも正孔移動度の高い
正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、正孔移動度より
も電子移動度の高い電子輸送材料からなる電子輸送領域
と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域は前記電子輸送領
域よりも前記陽極側に位置し、なおかつ、前記正孔輸送
領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料お
よび前記電子輸送材料の両方を含む混合領域が設けられ
ていることを特徴とする。
層との間に、正孔の注入性を高める材料(以下、「正孔
注入材料」と記す)からなる正孔注入領域を挿入しても
よい。また、陰極と有機化合物層との間に、電子の注入
性を高める材料(以下、「電子注入材料」と記す)から
なる電子注入領域を挿入してもよい。さらに、正孔注入
領域と電子注入領域の両方を組み込んでもよい。
料は、電極から有機化合物層へのキャリア注入障壁を小
さくするための材料であるため、電極から有機化合物層
へのキャリアの移動を潤滑にし、チャージの蓄積を排除
できる効果がある。ただし、先に述べたような不純物層
の形成を避ける観点から、各注入材料と有機化合物層と
の間は、インターバルをおかずに成膜することが好まし
い。
料の両方を含む混合領域内において、陽極から陰極への
方向に対し、正孔輸送材料の濃度は徐々に減少し、か
つ、電子輸送材料の濃度は徐々に増加するような濃度勾
配を形成することが、キャリアバランス制御の観点から
好ましい。また、本発明において、混合領域はキャリア
の再結合領域でもあるため、10nm以上の厚みがあること
が望ましい。
物層2603において、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域
2605、電子輸送材料からなる電子輸送領域2606、および
正孔輸送材料と電子輸送材料とが混合された混合領域26
07を設け、さらに混合領域2607に対し、ドーパントとし
て発光を呈する発光材料2608を添加する構造も本発明に
含むこととする。なお、ここでは基板2601上に陽極2602
を設けてあるが、陰極2604の方を基板上に設ける逆の構
造をとってもよい。また、正孔注入領域や電子注入領域
を、電極と有機化合物層との間に設けていてもよい。
と、発光材料2608がキャリアをトラップするため再結合
率が向上し、高い発光効率が期待できる。発光色を発光
材料2608により制御できることも利点の一つと言える。
ただしこの場合、発光材料2608における励起エネルギー
は、混合領域2607に含まれる化合物の中で最も小さいこ
とが好ましい。
ことで、電極材料にエネルギー移動することによる消光
(以下、「クエンチ」と記す)を防ぐことができる。し
たがって、発光材料をドープする領域は、混合領域内の
全域ではなく、一部(特に中央部)であってもよい。
合物層2603において、正孔輸送材料からなる正孔輸送領
域2605、電子輸送材料からなる電子輸送領域2606、およ
び正孔輸送材料と電子輸送材料とが混合された混合領域
2607を設け、さらに混合領域2607に対し、ブロッキング
材料2609を添加する構造も本発明に含むこととする。な
お、ここでは基板2601上に陽極2602を設けてあるが、陰
極2604の方を基板上に設ける逆の構造をとってもよい。
また、正孔注入領域や電子注入領域を、電極と有機化合
物層との間に設けていてもよい。
ープすると、混合領域2607におけるキャリアの再結合率
が向上し、分子励起子の拡散も防げるため、高い発光効
率が期待できる。ただしこの場合、ブロッキング材料に
おける励起エネルギーレベルは、混合領域2607に含まれ
る材料の中で最も大きいことが好ましい。
電子の片方をブロックする機能を有する場合が多いた
め、混合領域内全域にドープしてしまうと、混合領域内
のキャリアバランスを崩すこともある。したがって、ブ
ロッキング材料をドープする領域は、混合領域内の全域
ではなく、一部(特に端部)であってもよい。
しい例として、発光材料2608も添加している。すなわ
ち、図26(a)と併合した形態である。ブロッキング材
料2609が正孔ブロッキング性を有する場合は、図26
(b)のように、発光材料2608を添加している領域よりも
陰極側に正孔ブロッキング材料を添加すれば、発光材料
が効率よく発光することになる。
ことにより、三重項励起状態からの発光による高輝度発
光・高発光効率に加え、文献8に比べて素子の寿命も長
いという非常に高機能な発光素子が可能となる。
重項の分子励起子に比べて大きいため、ブロッキング材
料が混合領域に含まれていることが好ましい。すなわ
ち、図26(b)を用いて説明すると、発光材料2608とし
て三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料(以
下、「三重項発光材料」と記す)を用い、ブロッキング
材料2609も同時に添加することが望ましい。
光材料を添加する形態において、より作製に適したな例
を述べる。その素子構造を図27に示す。
子輸送材料を含む有機化合物層2703において、正孔輸送
材料からなる正孔輸送領域2705、電子輸送材料からなる
電子輸送領域2706、および正孔輸送材料と電子輸送材料
とが一定の割合にて混合された混合領域2707を設けてお
り、さらに混合領域2707には、発光を呈する発光材料27
08を添加することにより発光領域を形成してある。ここ
では基板2701上に陽極2702を設けてあるが、陰極2704の
方を基板上に設ける逆の構造をとってもよい。
子輸送材料との濃度比をx:yとした場合の濃度プロフ
ァイルは、図28のようになる。
は正孔輸送材料が正孔を受け取り輸送し、一方陰極側で
は電子輸送材料が電子を受け取り輸送することができ
る。さらに、混合領域2707はバイポーラー性であるた
め、正孔および電子は双方とも混合領域2707を移動する
ことができる。また、混合領域2707は一定の割合x:yと
しているため、作製が容易である。
て、発光材料を含む発光領域が形成されていることであ
る。つまり、発光材料を混合領域2707に添加すること
で、混合領域内をキャリアが再結合せずに素通りしてし
まうことを防ぐと同時に、発光領域を電極から遠ざけ、
電極による消光(以下、「クエンチ」と記す)をも防止
しているのである。
前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層
と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前
記有機化合物層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域
と、電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、か
つ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前
記正孔輸送材料および前記電子輸送材料を一定の割合に
て含む混合領域が形成されており、なおかつ、前記混合
領域内に、発光を呈する発光材料が添加された発光領域
を設けたことを特徴とする。
子輸送材料に比べて、励起エネルギーが小さいことが好
ましい。これは、分子励起子のエネルギー移動を防ぐた
めである。
層との間に、正孔の注入性を高める材料(以下、「正孔
注入材料」と記す)からなる正孔注入領域を挿入しても
よい。また、陰極と有機化合物層との間に、電子の注入
性を高める材料(以下、「電子注入材料」と記す)から
なる電子注入領域を挿入してもよい。さらに、正孔注入
領域と電子注入領域の両方を組み込んでもよい。
料は、電極から有機化合物層へのキャリア注入障壁を小
さくするための材料であるため、電極から有機化合物層
へのキャリアの移動を潤滑にし、チャージの蓄積を排除
できる効果がある。ただし、先に述べたような不純物層
の形成を避ける観点から、各注入材料と有機化合物層と
の間は、インターバルをおかずに成膜することが好まし
い。
よってキャリアの再結合部はほぼ決まってくる(バイポ
ーラー性になればなるほど、ほぼ中央になる)。したが
って、発光材料を混合領域内の全域に添加してもよい
(図29(a))が、一部に添加してもよい(図29
(b))。なお、図29では、図27の符号を引用してい
る。
合物層2703において、正孔輸送材料からなる正孔輸送領
域2705、電子輸送材料からなる電子輸送領域2706、およ
び正孔輸送材料と電子輸送材料とが混合され、発光材料
も添加された混合領域2707を設け、さらに混合領域2707
に対し、ブロッキング材料2709を添加する構造も本発明
に含むこととする。なお、ここでは基板2701上に陽極27
02を設けてあるが、陰極2704の方を基板上に設ける逆の
構造をとってもよい。また、正孔注入領域や電子注入領
域を、電極と有機化合物層との間に設けていてもよい。
励起エネルギーレベルが混合領域2707に含まれる材料の
中で最も大きく、キャリアをブロックする機能ないしは
分子励起子の拡散を防ぐ機能を有する材料が好ましい。
ブロッキング材料2709を混合領域2707に添加すると、混
合領域2707におけるキャリアの再結合率が向上し、分子
励起子の拡散も防げるため、高い発光効率が期待でき
る。ただし、ブロッキング材料は、正孔ないしは電子の
片方をブロックする機能を有する場合が多いため、混合
領域内全域に添加してしまうと、混合領域内のキャリア
バランスを崩すこともある。したがって、ブロッキング
材料を添加する領域は、混合領域内の全域ではなく、一
部とする。
が低い、すなわち正孔をブロッキングできる材料が有効
である。したがって図30(b)に示すように、発光材料2
708を添加している領域よりも陰極側にブロッキング材
料を添加する手法が有用である。
光材料としてを三重項発光材料を適用することにより、
三重項励起状態からの発光による高輝度発光・高発光効
率に加え、素子の寿命も長いという非常に高機能な発光
素子が可能となる。なお、三重項の分子励起子は、拡散
長が一重項の分子励起子に比べて大きいため、ブロッキ
ング材料が混合領域に含まれていることが好ましい。
料および電子輸送材料からなる混合領域は、バイポーラ
ー性である必要があるため、混合領域において、正孔輸
送材料と電子輸送材料との合計質量に対する正孔輸送材
料の質量の百分率は、10パーセント以上90パーセン
ト以下であることが好ましい。ただし、この比率は材料
の組み合わせによって大きく変動すると考えられる。
らなる混合領域は発光領域、すなわちキャリアの再結合
領域を含んでいるため、キャリアが素通りしないようあ
る程度の厚みが必要となる。したがって前記混合領域
は、10nm以上の厚みがあることが望ましい。また、バイ
ポーラーになる領域の抵抗が高いことを考えると、100n
m以下が望ましい。
従来よりも駆動電圧が低く、なおかつ寿命の長い発光装
置を提供することができる。さらに、前記発光装置を用
いて電気器具を作製することにより、従来よりも低消費
電力で、なおかつ長保ちする電気器具を提供することが
できる。
形態について述べる。なお、有機発光素子は、発光を取
り出すために少なくとも陽極または陰極の一方が透明で
あればよいが、本実施の形態では、基板上に透明な陽極
を形成し、陽極から光を取り出す素子構造で記述する。
実際は、陰極から光を取り出す構造や、基板とは逆側か
ら光を取り出す構造も適用可能である。
光素子の実施の形態を、図5を用いて説明する。図5で
は、陽極502を有する基板501上に、正孔輸送性混合層50
3、発光層504、電子輸送層505、陰極506を積層した構造
を示した。なお、発光層504を挿入せず、正孔輸送性混
合層503ないしは電子輸送層505に発光を担わせることも
可能である。正孔輸送性混合層503は、正孔注入材料お
よび正孔輸送材料の両方が混合されて形成されている。
したように、正孔注入材料と正孔輸送材料からなる濃度
勾配が形成されていてもよい。この場合、正孔注入材料
として酸化アルミニウムのような絶縁性が高い材料を用
いる時は、正孔注入材料の濃度勾配は急峻である(陽極
から離れるにつれてすぐに減衰する)ことが好ましい。
光素子の実施の形態を、図6を用いて説明する。図6で
は、陽極602を有する基板601上に、正孔輸送層603、発
光層604、電子輸送性混合層605、陰極606を積層した構
造を示した。なお、発光層604を挿入せず、電子輸送性
混合層605ないしは正孔輸送層603に発光を担わせること
も可能である。電子輸送性混合層605は、電子注入材料
および電子輸送材料の両方が混合されて形成されてい
る。
したように、電子注入材料と電子輸送材料からなる濃度
勾配が形成されていてもよい。この場合、電子注入材料
としてフッ化リチウムのような絶縁性が高い材料を用い
る時は、電子注入材料の濃度勾配は急峻である(すぐに
減衰する)ことが好ましい。
機発光素子の実施の形態を、図7を用いて説明する。図
7では、陽極702を有する基板701上に、正孔注入層70
3、バイポーラー性混合層704、電子注入層705、陰極706
を積層した構造を示した。バイポーラー性混合層704
は、正孔輸送材料および電子輸送材料の両方が混合され
て形成されている。
に示したように、正孔輸送材料と電子輸送材料とからな
る濃度勾配が形成されていてもよい。
に含まれる正孔輸送材料として正孔輸送領域2405の構成
材料を用い、混合領域2407に含まれる電子輸送材料とし
て電子輸送領域2406の構成材料を用いることによって、
混合領域2407と、正孔輸送領域2405および電子輸送領域
2406とを、連続的に接合してもよい。この場合、2種類
の化合物(正孔輸送材料および電子輸送材料)で、正孔
輸送領域、発光領域、電子輸送領域という、従来であれ
ば3層の役割を果たすことができる利点がある。なお、
図24では示していないが、陽極2402と正孔輸送領域24
05との間に正孔注入層を、陰極2404と電子輸送領域2406
との間に電子注入層を挿入してもよい。
て、不純物層の形成を防ぐことができるが、この場合、
有機発光素子を作製する製造工程が重要になる。そこ
で、このような素子構造の製造方法について適した例を
述べる。
1(a)はその上面図であるが、蒸着室として一つの真空
槽3110を設置し、その真空槽内に複数の蒸着源を設けて
ある、シングルチャンバー方式である。そして、正孔注
入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、
ブロッキング材料、発光材料、陰極の構成材料など、各
種機能の異なる材料が、それぞれ前記複数の蒸着源に別
々に収納されている。
ては、まず、搬入室に陽極(ITOなど)を有する基板を
搬入し、陽極がITOのような酸化物である場合、前処理
室にて酸化処理を行う(なお、図31(a)では図示して
いないが、陽極表面をクリーニングするために紫外線照
射室を設置することも可能である)。さらに、有機発光
素子を形成する全ての材料は、真空槽3110内において蒸
着される。ただし陰極は、この真空槽3110内で形成して
もよいし、別に蒸着室を設けてそこで陰極を形成しても
よい。要は、陰極を形成するまでの間を、一つの真空槽
3110内で蒸着すればよい。最後に、封止室にて封止を行
い、搬送室を経由して搬出室から取り出して有機発光素
子を得る。
装置を用いて本発明の有機発光素子を作製する手順を、
図31(b)(真空槽3110の断面図)を用いて説明する。
図31(b)では、図面簡略化のため、二つの蒸着源(有
機化合物蒸着源a3118および有機化合物蒸着源b3119)を
有する真空槽3110を用い、正孔輸送材料3116および電子
輸送材料3117からなる有機化合物層を形成する過程を示
す。
基板3101を搬入し、固定台3111にて固定する(蒸着時に
は通常、基板は回転させる)。次に、真空槽3110内を減
圧(10-4パスカル以下が好ましい)した後、容器a311
2を加熱し、正孔輸送材料3116を蒸発させ、所定の蒸着
レート(単位:[Å/s])に達してからシャッターa3114
を開け、蒸着を開始する。この時、シャッターb3115を
閉じたまま、容器b3113も加熱しておく。
シャッターb3115を開けることによって、電子輸送材料3
117を共蒸着し(図31(b)で示した状態)、正孔輸送領
域3103の後に混合領域3104を形成する。この操作によ
り、正孔輸送領域3103と混合領域3104との間には、不純
物層が混入しない。
ッターb3115を開けたままシャッターa3114を閉じ、容器
a3112の加熱を終了する。この操作により、混合領域310
4と電子輸送領域との間には、不純物層が形成されな
い。
に、発光材料をドープして発光させる手法もある。この
場合ドーパントである発光材料は、混合領域2607に含ま
れる正孔輸送材料および電子輸送材料よりも、低い励起
エネルギーを有する必要がある。
不純物層の形成を防ぐため、有機発光素子を作製する製
造工程が重要になる。以下では、その製造方法について
述べる。
が、蒸着室として一つの真空槽3210を設置し、その真空
槽内に複数の蒸着源を設けてある、シングルチャンバー
方式である。そして、正孔注入材料、正孔輸送材料、電
子輸送材料、電子注入材料、ブロッキング材料、発光材
料、陰極の構成材料など、各種機能の異なる材料が、そ
れぞれ前記複数の蒸着源に別々に収納されている。
ては、まず、搬入室に陽極(ITOなど)を有する基板を
搬入し、陽極がITOのような酸化物である場合、前処理
室にて酸化処理を行う(なお、図32(a)では図示して
いないが、陽極表面をクリーニングするために紫外線照
射室を設置することも可能である)。さらに、有機発光
素子を形成する全ての材料は、真空槽3210内において蒸
着される。ただし陰極は、この真空槽3210内で形成して
もよいし、別に蒸着室を設けてそこで陰極を形成しても
よい。要は、陰極を形成するまでの間を、一つの真空槽
3210内で蒸着すればよい。最後に、封止室にて封止を行
い、搬送室を経由して搬出室から取り出して有機発光素
子を得る。
装置を用いて本発明の有機発光素子を作製する手順を、
図32(b)(真空槽3210の断面図)を用いて説明する。
図32(b)では、最も簡単な例として、三つの蒸着源
(有機化合物蒸着源a3216、有機化合物蒸着源b3217およ
び有機化合物蒸着源c3218)を有する真空槽3210を用
い、正孔輸送材料3221、電子輸送材料3222および発光材
料3223を含む有機化合物層を形成する過程を示す。
基板3201を搬入し、固定台3211にて固定する(蒸着時に
は通常、基板は回転させる)。次に、真空槽3210内を減
圧(10-4パスカル以下が好ましい)した後、容器a321
2を加熱し、正孔輸送材料3221を蒸発させ、所定の蒸着
レート(単位:[nm/s])に達してからシャッターa3214
を開け、蒸着を開始する。この時、シャッターb3215を
閉じたまま、容器b3213も加熱しておく。
シャッターb3215を開けることによって、電子輸送材料3
222を共蒸着し、正孔輸送領域3203の後に混合領域3204
を形成する。この操作により、正孔輸送領域3203と混合
領域3204との間には、不純物層が混入しない。ここで、
この混合領域904形成の際、微量の発光材料3223も途中
で添加しておく(図32(b)で示した状態)。
ッターb3215を開けたままシャッターa3214を閉じ、容器
a3212の加熱を終了する。この操作により、混合領域320
4と電子輸送領域との間には、不純物層が形成されな
い。
めの手段で述べた有機発光素子は、全て作製可能であ
る。例えば、混合領域3204にブロッキング材料を添加す
る場合は、図32(b)にそのブロッキング材料を蒸着す
るための蒸着源を設置し、混合領域の形成中に蒸発させ
ればよい。
形成する場合でも、各注入材料の蒸着源を同一の真空槽
3210内に設置すればよい。例えば図32(b)において、
陽極3202と正孔輸送領域3203との間に正孔注入領域を蒸
着にて設ける場合は、陽極3202上に正孔注入材料を蒸着
した後、インターバルをおかずにすぐ正孔輸送材料3221
を蒸発させることで、不純物層の形成を避けることがで
きる。
を形成することもできるので、ここで濃度勾配の形成手
法の例について言及しておく。ここでは、抵抗加熱によ
る真空蒸着で成膜できる場合について述べる。濃度勾配
の形成手法に関しては、材料の蒸発温度と蒸着レート
(通常、単位はnm/s)との相関がとれている場合、温
度制御により蒸着レートを制御することも可能である。
しかしながら、特に通常粉末形状で用いる有機材料の熱
伝導性は悪く、温度による制御はむらを生じやすい。し
たがって、濃度勾配を形成する2種類の材料をそれぞれ
別の蒸着源に用意し、シャッターを利用した蒸着レート
制御(膜厚は水晶振動子によってモニターする)で行う
ことが好ましい。その形態を図11に示す。
に、濃度勾配の形成手法を説明する。したがって、図1
1中では図24で用いた符号を引用する。まず、成膜室
1110内に、陽極1102を有する基板1101を搬入し、固定台
1111にて固定する(蒸着時には通常、基板は回転させ
る)。
a1112を加熱し、シャッターa1114を開けることにより、
正孔輸送材料1116からなる正孔輸送領域2405を成膜す
る。この時、電子輸送材料1117を設置した試料室b1113
も同時に加熱しておくが、シャッターb1115は閉じてお
く。
と、シャッターa1114を徐々に閉じると同時に、シャッ
ターb1115を徐々に開いていく。この時の開閉速度によ
り、混合領域2407の濃度勾配を形成する。その開閉速度
は、シャッターa1114が完全に閉じる頃に、混合領域240
7が所定の膜厚に達するように、かつ、電子輸送材料111
7が所定の蒸着レート(電子輸送領域2406を蒸着する際
のレート)に達するように、設定すればよい。その後
は、シャッターb1115を開けたまま電子輸送領域2406を
形成して、図24の素子構造において濃度勾配を形成し
た素子が可能になる。
おいて、濃度勾配を形成する場合も全て適用可能であ
る。また、バイポーラー性混合層あるいは混合領域に発
光材料をドープするような場合は、図11の蒸着源をさ
らに一つ増やし、ドープする時間帯のみドーパントの蒸
着源のシャッターを開ければよい。
手法のみに限らない。
施の形態は、複合して用いることも可能である。例え
ば、正孔輸送性混合層、電子輸送性混合層、バイポーラ
ー性混合層を組み合わせて適用する手法である。その一
例を図8に示す。
基板801上に、正孔注入材料811および正孔輸送材料812
からなる正孔輸送性混合層803、正孔輸送材料812および
電子輸送材料813からなるバイポーラー性混合層804、電
子輸送材料813および電子注入材料814からなる電子輸送
性混合層805、そして陰極806を積層したものである。
ラー性混合層804内部に、発光材料815を少量ドープした
発光領域807が設けてある。また、各層においては、グ
ラフ810に示したような濃度勾配を形成した。なお、こ
のような濃度勾配を形成した場合の、予想されるバンド
ダイアグラムの模式図を図19に示す。
層・正孔輸送層・電子輸送層・電子注入層という四層構
造(図19(a))が、三層構造(図19(b))に収まるこ
とになる。しかも、図19(b)に示されるとおり、各混
合層内はなだらかなエネルギー障壁しかなく、また、各
混合層間は正孔輸送材料812および電子輸送材料813によ
って連続的に接合されており、キャリアの移動に有利で
ある。
るという素子を、三重項発光素子に適用した場合の実施
の形態を説明する。通常、三重項発光素子の基本構造
は、文献8に示されるとおり図9のような素子構造であ
る。すなわち、基板901、陽極902、正孔輸送層903、ホ
スト材料に三重項発光材料をドープして形成される発光
層904、ブロッキング層905、電子輸送層906、そして陰
極907である。ブロッキング層905はブロッキング材料か
らなり、正孔をブロックして発光層904におけるキャリ
アの再結合効率を高めると同時に、発光層904において
発生した分子励起子の拡散を防ぐ役割も果たす。また、
電子輸送性の材料でもある。
注入層を設けることにより、さらに発光効率を高めるこ
とができる。しかしながら、ただでさえ図9に示すよう
な5層構造である上に、さらに層を増やすことによっ
て、界面の数はさらに増加してしまう。そこで、本発明
を適用する。
を正孔注入材料と正孔輸送材料とからなる正孔輸送性混
合層とする、発光層904を正孔輸送材料と発光層のホス
ト材料とからなるバイポーラー性混合層とする、電子輸
送層906を電子輸送材料と電子注入材料とからなる電子
輸送性混合層とする、などの手法である。三重項発光材
料は、発光層のホスト材料が存在する部分にドープすれ
ばよい。また、図2〜図4に示したように、各混合層に
濃度勾配を形成することも有効である。
5は単独の層として用いているが、本発明を実施する場
合、発光層のホスト材料と混合してもよい(すなわち、
ブロッキング性混合層を形成してもよい)。ただし、分
子励起子の拡散を防ぐ観点から、陰極側においてブロッ
キング材料が高濃度となるように、濃度勾配を形成する
ことが好ましい。
いう素子を三重項発光素子に適用した実施の形態の一例
を図10に示す。すなわち、陽極1002を有する基板1001
上に、正孔注入材料1011および正孔輸送材料1012からな
る正孔輸送性混合層1003、正孔輸送材料1012およびホス
ト材料1013からなるバイポーラー性混合層1004、ホスト
材料1013およびブロッキング材料1014からなるブロッキ
ング性混合層1005、ブロッキング材料1014(この場合、
電子輸送材料も兼ねている)および電子注入材料1015か
らなる電子輸送性混合層1006、そして陰極1007を積層し
たものである。各層には、グラフ1010に示すような濃度
勾配を形成した。
るため、三重項発光材料1016を少量ドープした発光領域
1008が設けてある。発光領域1008は、図10で示されて
いるようにホスト材料1013の濃度が高い領域に設置する
ことが好ましい。また、グラフ1010に示したような濃度
勾配を形成した場合の、予想されるバンドダイアグラム
の模式図を図20(b)に示す。
層・正孔輸送層・発光層・ブロッキング層(電子輸送層
を兼ねる)・電子注入層という五層構造(図20(a))
が、四層構造(図20(b))に収まることになる。しか
も、図20(b)に示されるとおり、各混合層内はなだら
かなエネルギー障壁しかなく、また、各混合層間は正孔
輸送材料1012、ホスト材料1013、およびブロッキング材
料1014(電子輸送材料を兼ねている)によって連続的に
接合されており、キャリアの移動に有利である。
子輸送材料、電子注入材料、ブロッキング材料、発光材
料、陰極の構成材料などに好適な材料を以下に列挙す
る。ただし、本発明の有機発光素子に用いる材料は、こ
れらに限定されない。
ばポルフィリン系の化合物が有効であり、フタロシアニ
ン(略称;H2Pc)、銅フタロシアニン(略称;CuPc)な
どがある。導電性高分子化合物に化学ドーピングを施し
た材料もあり、ポリスチレンスルホン酸(略称;PSS)
をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン(略称;
PEDOT)や、ポリアニリン(略称;PAni)、ポリビニル
カルバゾール(略称;PVK)などが挙げられる。また、
絶縁体の高分子化合物も陽極の平坦化の点で有効であ
り、ポリイミド(略称;PI)がよく用いられる。さら
に、無機化合物も用いられ、金や白金などの金属薄膜の
他、酸化アルミニウム(アルミナ)の超薄膜などがあ
る。
るのは、芳香族アミン系(すなわち、ベンゼン環−窒素
の結合を有するもの)の化合物である。広く用いられて
いる材料として、先に述べたTPDの他、その誘導体であ
る4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニ
ル−アミノ]−ビフェニル(略称;α−NPD)や、4,
4',4''−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)−
トリフェニルアミン(略称;TDATA)、4,4',4''−
トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル−
アミノ]−トリフェニルアミン(略称;MTDATA)などの
スターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。
いられ、先に述べたAlq3の他、トリス(4−メチル−8
−キノリノラト)アルミニウム(略称;Al(mq3))、ビ
ス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリ
リウム(略称;Be(Bq)2)などのキノリン骨格またはベ
ンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、混合配位子錯体
であるビス(2−メチル−8−キノリノラト)−(4−
フェニルフェノラト)−アルミニウム(略称;BAlq)な
どがある。また、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニ
ル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称;Zn(BOX)2)、
ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾ
ラト]亜鉛(略称;Zn(BTZ)2)などのオキサゾール系、
チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、
金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−
(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジ
アゾール(略称;PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert
−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−
2−イル]ベンゼン(略称;OXD−7)などのオキサジア
ゾール誘導体、5−(4−ビフェニリル)−3−(4−
tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−1,2,4−
トリアゾール(略称;TAZ)、5−(4−ビフェニリ
ル)−3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−
エチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称;
p-EtTAZ)などのトリアゾール誘導体、バソフェナント
ロリン(略称;BPhen)・バソキュプロイン(略称;BC
P」と記す)などのフェナントロリン誘導体が電子輸送
性を有する。
送材料を用いることができる。その他に、フッ化リチウ
ムなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、酸化リチウムな
どのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の、超薄膜がよ
く用いられる。また、リチウムアセチルアセトネート
(略称;Li(acac))や8−キノリノラト−リチウム(略
称;Liq)などのアルカリ金属錯体も有効である。
lq、OXD−7、TAZ、p-EtTAZ、BPhen、BCPなどが、励起エ
ネルギーレベルが高いため有効である。
含む)としては、先に述べたAlq3、Al(mq)3、Be(Bq)2、
BAlq、Zn(BOX)2、Zn(BTZ)2などの金属錯体の他、各種蛍
光色素が有効である。また、三重項発光材料も可能であ
り、白金ないしはイリジウムを中心金属とする錯体が主
体である。三重項発光材料としては、トリス(2−フェ
ニルピリジン)イリジウム(略称;Ir(ppy)3)、2,
3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−
21H,23H−ポルフィリン−白金(略称;PtOEP)
などが知られている。
を、各々組み合わせ、本発明の有機発光素子に適用する
ことにより、従来よりも駆動電圧が低い上に素子の寿命
が長い有機発光素子を作製することができる。
態において図5で示したような、正孔輸送性混合層を適
用した素子を具体的に例示する。
化物(以下、「ITO」と記す)をスパッタリングによっ
て100nm程度成膜し、陽極502とする。次に、正孔注入材
料であるCuPcと正孔輸送材料であるα−NPDを1:1の
蒸着レート比で共蒸着することにより、正孔輸送性混合
層503を形成する。膜厚は50nmとする。
を5wt%ドープした層を10nm積層する。最後に、電子輸送
層505としてAlq3を40nm、陰極506としてAl:Li合金(Li
は質量比で0.5wt%)を150nm程度成膜することにより、
ルブレンに由来する黄色発光の有機発光素子を作製でき
る。
形態において図6で示したような、電子輸送性混合層を
適用した素子を具体的に例示する。
ングによって100nm程度成膜し、陽極602とする。次に、
正孔輸送材料であるα−NPDを50nm成膜することによ
り、正孔輸送層603を形成する。
積層したあと、電子輸送材料であるBPhenと電子注入材
料であるAlq3を1:1の蒸着レート比で共蒸着すること
により、電子輸送性混合層605を形成する。膜厚は40nm
とする。最後に、陰極606としてAl:Li合金(Liは重量比
で0.5wt%)を150nm程度成膜することにより、ペリレン
に由来する青色発光の有機発光素子を作製できる。
た有機発光素子において、陽極2402と有機化合物層2403
との間に正孔注入材料からなる正孔注入領域を挿入した
有機発光素子を、具体的に例示する。
程度成膜し、陽極2402を形成したガラス基板2401を用意
する。この陽極2402を有するガラス基板2401を、図31
において示したような真空槽内に搬入する。本実施例で
は、4種類の材料(3種類は有機化合物であり、1種類
は陰極となる金属)を蒸着するため、4つの蒸着源が必
要となる。
するが、20nmに達してCuPcの蒸着を終えると同時に、イ
ンターバルをおかずに、正孔輸送材料であるα−NPDの
蒸着を0.3nm/sの蒸着レートで開始する。インターバル
をおかない理由は、先に述べたように、不純物層の形成
を防ぐためである。
0nm形成した後、α−NPDの蒸着レートは0.3nm/sに固定
したまま、電子輸送材料であるAlq3の蒸着も0.3nm/sに
て開始する。すなわち、α−NPDと Alq3のレート比率が
1:1となるような混合領域2407を、共蒸着にて形成す
ることになる。
の方は蒸着を終了し、Alq3のみ引き続き蒸着し続けるこ
とで、電子輸送領域2406を形成する。厚さは40nmとす
る。最後に、陰極としてAl:Li合金を150nm程度蒸着する
ことにより、Alq3に由来する緑色発光の有機発光素子を
得る。
示した有機発光素子において、陽極2702と有機化合物層
2703との間に正孔注入材料からなる正孔注入領域を挿入
した有機発光素子を、具体的に例示する。
程度成膜し、陽極2702を形成したガラス基板2701を用意
する。この陽極2702を有するガラス基板2701を、図32
において示したような真空槽内に搬入する。本実施例で
は、5種類の材料(4種類は有機化合物であり、1種類
は陰極となる金属)を蒸着するため、5つの蒸着源が必
要となる。
するが、20nmに達してCuPcの蒸着を終えると同時に、イ
ンターバルをおかずに、正孔輸送材料であるα−NPDの
蒸着を0.3nm/sの蒸着レートで開始する。インターバル
をおかない理由は、先に述べたように、不純物層の形成
を防ぐためである。
0nm形成した後、α−NPDの蒸着レートは0.3nm/sに固定
したまま、電子輸送材料であるAlq3の蒸着も0.3nm/sに
て開始する。すなわち、α−NPDと Alq3のレート比率が
1:1となるような混合領域2707を、共蒸着にて形成す
ることになる。同時に、蛍光色素である4−(ジシアノ
メチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノス
チリル)−4H−ピラン(略称;DCM)を、発光材料270
8として添加しておく。割合は、重量比率にして、Al
q3:DCM=50:1となるように蒸着レートを制御す
る。
およびDCMは蒸着を終了し、Alq3のみ引き続き蒸着し続
けることで、電子輸送領域2706を形成する。厚さは40nm
とする。最後に、陰極としてAl:Li合金を150nm程度蒸着
することにより、DCMに由来する赤色発光の有機発光素
子を得る。
示した有機発光素子を、具体的に例示する。
程度成膜し、陽極2702を形成したガラス基板2701を用意
する。この陽極2702を有するガラス基板2701を、図32
において示したような真空槽内に搬入する。本実施例で
は、4種類の材料(3種類は有機化合物であり、1種類
は陰極となる金属)を蒸着するため、4つの蒸着源が必
要となる。
らなる正孔輸送領域2705を40nm形成した後、α−NPDの
蒸着レートは0.3nm/sに固定したまま、電子輸送材料で
あるAlq3の蒸着も0.3nm/sにて開始する。すなわち、α
−NPDと Alq3のレート比率が1:1となるような混合領
域2707を、共蒸着にて形成することになる。
混合領域2707における中間の10nm(つまり、混合領域30
nmのうち、10nm〜20nmの間)は、蛍光色素である4−
(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチ
ルアミノスチリル)−4H−ピラン(以下、「DCM」と
記す)を、発光材料2708として約1wt%程度の割合でドー
プしておく。
は蒸着を終了し、Alq3のみ引き続き蒸着し続けること
で、電子輸送領域2706を形成する。厚さは40nmとする。
最後に、陰極としてAl:Li合金を150nm程度蒸着すること
により、DCMに由来する赤色発光の有機発光素子を得
る。
形態において図26(a)で示したような混合領域を適用
した素子に対し、濃度勾配を施したものを具体的に例示
する。なお、濃度勾配を形成するため、図11で示した
ような装置を用いて素子を作製する。本実施例の場合
は、正孔輸送材料、電子輸送材料、および発光材料の3
種類の蒸着源を必要とする。
リングによって100nm程度成膜し、陽極2602とする。次
に、正孔輸送材料であるα−NPDを40nm成膜することに
より、正孔輸送領域2605を形成する。
たように、正孔輸送材料(α−NPD)の蒸着源のシャッ
ターを徐々に閉じると同時に、電子輸送材料(本実施例
ではAlq3を用いる)の蒸着源のシャッターを徐々に開け
ていくことにより、α−NPDとAlq3とからなる濃度勾配
を有する混合領域2607を20nm成膜する。この時、混合領
域2607の厚み20nmの中間に位置する10nmの領域に、発光
材料2608としてルブレンを約5wt%程度の割合でドープす
る。
料(Alq3)の蒸着源のシャッターのみを開けた状態で、
Alq3で構成される電子輸送領域2606を形成する。最後
に、陰極2604としてAl:Li合金(Liは重量比で0.5wt%)
を150nm程度成膜することにより、ルブレンに由来する
黄色発光の有機発光素子を作製できる。
示した有機発光素子において、陽極2602と有機化合物層
2603との間に正孔注入材料からなる正孔注入領域を挿入
し、陰極2604と有機化合物層2603との間に電子注入材料
からなる電子注入領域を挿入した有機発光素子を、具体
的に例示する。
程度成膜し、陽極2602を形成したガラス基板2601を用意
する。この陽極2602を有するガラス基板2601を、図31
において示したような真空槽内に搬入する。本実施例で
は、7種類の材料(6種類は有機化合物であり、1種類
は陰極となる金属)を蒸着するため、7つの蒸着源が必
要となる。
するが、20nmに達してCuPcの蒸着を終えると同時に、イ
ンターバルをおかずに、正孔輸送材料であるTPDの蒸着
を0.2nm/sの蒸着レートで開始する。インターバルをお
かない理由は、先に述べたように、不純物層の形成を防
ぐためである。
形成した後、TPDの蒸着レートは0.2nm/sに固定したま
ま、電子輸送材料であるBeBq2の蒸着も0.8nm/sにて開始
する。すなわち、TPDとBeBq2のレート比率が1:4とな
るような混合領域2607を、共蒸着にて形成することにな
る。
混合領域2607における中間の10nm(つまり、混合領域30
nmのうち、10nm〜20nmの間)は、蛍光色素であるルブレ
ンを、発光材料2608として約5wt%の割合でドープしてお
く。また、混合領域2607における最後の10nm(つまり、
混合領域30nmのうち、20nm〜30nmの間)は、ブロッキン
グ材料2609として、BCPをドープしておく。BCPドープ時
の各材料の蒸着レート比は、TPD:BeBq2:BCP=1:
4:3とする。
びBCPの方は蒸着を終了し、BeBq2のみ引き続き蒸着し続
けることで、電子輸送領域2606を形成する。厚さは40nm
とする。BeBq2の蒸着を終了すると同時に、インターバ
ルをおかずに、電子注入材料であるLi(acac)の蒸着を開
始して2nm程度蒸着する。インターバルをおかない理由
は、先に述べたように、不純物層の形成を防ぐためであ
る。
程度蒸着することにより、ルブレンに由来する黄色発光
の有機発光素子を得る。
示した有機発光素子を、具体的に例示する。
程度成膜し、陽極2702を形成したガラス基板2701を用意
する。この陽極2702を有するガラス基板2701を、図32
において示したような真空槽内に搬入する。本実施例で
は、5種類の材料(4種類は有機化合物であり、1種類
は陰極となる金属)を蒸着するため、5つの蒸着源が必
要となる。
なる正孔輸送領域2705を40nm形成した後、MTDATAの蒸着
レートは0.3nm/sに固定したまま、電子輸送材料であるP
BDの蒸着も0.3nm/sにて開始する。すなわち、MTDATAと
PBDの比率が1:1となるような混合領域2707を、共蒸
着にて形成することになる。
混合領域2707における中間の10nm(つまり、混合領域30
nmのうち、10nm〜20nmの間)は、蛍光色素であるペリレ
ンを発光材料2708として添加するが、その割合は、MTDA
TA:PBD:ペリレン=4:16:1となるように蒸着レ
ートを制御する。また、混合領域2707における最後の10
nm(つまり、混合領域30nmのうち、20nm〜30nmの間)
は、ブロッキング材料2709としてBCPを添加するが、そ
のレート比率は、MTDATA:PBD:BCP=1:4:5とす
る。
BCPの方は蒸着を終了し、PBDのみ引き続き蒸着し続ける
ことで、電子輸送領域2706を形成する。厚さは40nmとす
る。最後に、陰極としてAl:Li合金を150nm程度蒸着する
ことにより、ペリレンに由来する青色発光の有機発光素
子を得る。
形態において図8で示したような、正孔輸送性混合層・
バイポーラー性混合層・電子輸送性混合層を複合して適
用した素子を具体的に例示する。なお、本実施例では濃
度勾配(図8中のグラフ810)を形成するため、実施例
3と同様、図11にて示したようなシャッター付きの蒸
着源を用いる。
ングによって100nm程度成膜し、陽極802とする。次に、
正孔注入材料811であるCuPcと正孔輸送材料812であるα
−NPDとからなる正孔輸送性混合層803を、40nm成膜す
る。この時、シャッターの開閉によりグラフ810のよう
な濃度勾配を形成する。
徐々に閉じると同時に、電子輸送材料813であるAlq3の
蒸着源のシャッターを徐々に開けていくことにより、濃
度勾配を有するバイポーラー性混合層804を20nm成膜す
る。この時、バイポーラー性混合層804の厚み20nmの中
間に位置する10nmの領域807は、発光材料815である4−
(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチル
アミノスチリル)−4H−ピラン(以下、「DCM」と記
す)を1wt%の割合でドープする。
あと、Alq3のシャッターのみを開けた状態でAlq3を35nm
蒸着する。最後の5nmの領域において、Alq3の蒸着源の
シャッターを徐々に閉じると同時に、電子注入材料814
であるLi(acac)の蒸着源のシャッターを徐々に開けてい
くことにより、合計40nmの電子輸送性混合層805を形成
する。すなわち、Li(acac)の濃度勾配を急峻に設定する
ことになる(グラフ810では電子注入材料814の傾きが一
定であるような図示であるが、本実施例では最後の方だ
け急激に立ち上がることになる)。
することにより、DCMに由来する赤色発光の有機発光素
子を作製できる。
で示した有機発光素子において、陽極2702と有機化合物
層2703との間に正孔注入材料からなる正孔注入領域を、
陰極2704と有機化合物層との間に電子注入材料からなる
電子注入領域を、それぞれ挿入し、かつ、発光材料とし
て三重項発光材料を適用した有機発光素子の例を、具体
的に例示する。その素子構造を図33に示す。
程度成膜し、ITO(陽極)を形成したガラス基板を用意
する。このITOを有するガラス基板を、図32において
示したような真空槽内に搬入する。本実施例では、7種
類の材料(5種類は有機化合物であり、2種類は陰極と
なる無機材料)を蒸着するため、7つの蒸着源が必要と
なる。
するが、20nmに達してCuPcの蒸着を終えると同時に、イ
ンターバルをおかずに、正孔輸送材料であるα−NPDの
蒸着を0.3nm/sの蒸着レートで開始する。インターバル
をおかない理由は、先に述べたように、不純物層の形成
を防ぐためである。
形成した後、α−NPDの蒸着レートは0.3nm/sに固定した
まま、電子輸送材料であるBAlqの蒸着も0.3nm/sにて開
始する。すなわち、α−NPDとBAlqのレート比率が1:
1となるような混合領域(α−NPD+BAlq)を、共蒸着
にて形成することになる。
領域における中間の10nm(つまり、混合領域20nmのう
ち、5nm〜15nmの間)は、三重項発光材料であるIr(ppy)
3を、発光材料として添加しておく。その割合は、重量
比率にして、BAlq:Ir(ppy)3=50:7とする。
びIr(ppy)3の方は蒸着を終了し、BAlqのみ引き続き蒸着
し続けることで、電子輸送領域を形成する。厚さは20nm
とする。BAlqの蒸着を終了すると同時に、インターバル
をおかずに、電子注入材料であるAlq3の蒸着を開始して
30nm程度蒸着する。インターバルをおかない理由は、先
に述べたように、不純物層の形成を防ぐためである。
0nm程度蒸着することにより、陰極を形成し、Ir(ppy)3
に由来する緑色発光の三重項発光素子を得る。
の形態において図9で示したような三重項発光素子に、
本発明を適用した素子を具体的に例示する。その素子構
造を図10に示す。なお、本実施例では濃度勾配(図1
0中のグラフ1010)を形成するため、図11にて示した
ようなシャッター付きの蒸着源を用いる。
リングによって100nm程度成膜し、陽極1002とする。次
に、正孔注入材料1011であるCuPcと正孔輸送材料1012で
あるα−NPDとからなる正孔輸送性混合層1003を、40nm
成膜する。この時、シャッターの開閉によりグラフ1010
のような濃度勾配を形成する。
減少しつつ、三重項発光材料のホスト材料1013である4,
4'−N, N'−ジカルバゾール−ビフェニル(以下、「CB
P」と記す)の蒸着レートを上げていくことにより、α
−NPDとCBPとからなる濃度勾配を有するバイポーラー性
混合層1004を20nm形成する。今度は、CBPの蒸着レート
を減少させつつ、ブロッキング材料1014であるBCPの蒸
着レートを上げていくことにより、CBPとBCPとからなる
濃度勾配を有するブロッキング性混合層1005を形成す
る。膜厚は10nmとする。
イポーラー性混合層1004およびブロッキング性混合層10
05を形成する間に、三重項発光材料1016であるトリス
(2−フェニルピリジン)イリジウム(以下、「Ir(ppy)
3」と記す)をドープする。そのドープ領域1008は、ホ
スト材料であるCBPの濃度が高い領域、すなわち、バイ
ポーラー性混合層1004とブロッキング性混合層1005との
境界付近が最も適している。本実施例では、前記境界の
±5nm、合計10nmをドープ領域1008とし、6wt%ドープす
る。
送能力の高いBCPおよびAlq3から構成する。BCPの濃度は
陽極から離れるに従い小さくなり、Alq3の濃度は逆に大
きくなるように濃度勾配を形成する。すなわちこの場
合、BCPはブロッキング材料かつ電子輸送材料、Alq3は
電子注入材料1015の役割を果たしている。電子輸送性混
合層1006の膜厚は40nmとする。
重量比で0.5wt%)を150nm程度成膜することにより、Ir
(ppy)3に由来する緑色の三重項発光を呈する有機発光素
子を作製できる。
示した有機発光素子を含む発光装置について説明する。
図12(a)は本発明の有機発光素子を用いたアクティブ
マトリクス型発光装置の断面図である。なお、能動素子
としてここでは薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記
す)を用いているが、MOSトランジスタを用いてもよ
い。
的にはプレーナ型TFT)を例示するが、ボトムゲート型T
FT(典型的には逆スタガ型TFT)を用いることもでき
る。
ここでは可視光を透過する基板を用いる。具体的には、
ガラス基板、石英基板、結晶化ガラス基板もしくはプラ
スチック基板(プラスチックフィルムを含む)を用いれ
ばよい。なお、基板1201とは、表面に設けた絶縁膜も含
めるものとする。
路1212が設けられている。まず、画素部1211について説
明する。
基板上には複数の画素が存在し、各画素には有機発光素
子に流れる電流を制御するためのTFT(以下、「電流制
御TFT」と記す)1202、画素電極(陽極)1203、有機化
合物層1204および陰極1205が設けられている。なお、図
12(a)では電流制御TFTしか図示していないが、電流制
御TFTのゲートに加わる電圧を制御するためのTFT(以
下、「スイッチングTFT」と記す)を設けている。
TFTを用いることが好ましい。nチャネル型TFTとするこ
とも可能であるが、図12(a)のように有機発光素子の
陽極に電流制御TFTを接続する場合は、pチャネル型TFT
の方が消費電力を押さえることができる。ただし、スイ
ッチングTFTはnチャネル型TFTでもpチャネル型TFTでも
よい。
素電極1203が電気的に接続されている。本実施例では、
画素電極1203の材料として仕事関数が4.5〜5.5eVの導電
性材料を用いるため、画素電極1203は有機発光素子の陽
極として機能する。画素電極1203として代表的には、酸
化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛もしくはこれらの化合
物(ITOなど)を用いればよい。画素電極1203の上には
有機化合物層1204が設けられている。
05が設けられている。陰極1205の材料としては、仕事関
数が2.5〜3.5eVの導電性材料を用いることが望ましい。
陰極1205として代表的には、アルカリ金属元素もしくは
アルカリ度類金属元素を含む導電膜、アルミニウムを含
む導電膜、あるいはその導電膜にアルミニウムや銀など
を積層したもの、を用いればよい。
および陰極1205からなる層は、保護膜1206で覆われてい
る。保護膜1206は、有機発光素子を酸素および水から保
護するために設けられている。保護膜1206の材料として
は、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化
タンタル、もしくは炭素(具体的にはダイヤモンドライ
クカーボン)を用いる。
動回路1212は画素部1211に伝送される信号(ゲート信号
およびデータ信号)のタイミングを制御する領域であ
り、シフトレジスタ、バッファ、ラッチ、アナログスイ
ッチ(トランスファゲート)もしくはレベルシフタが設
けられている。図12(a)では、これらの回路の基本単
位としてnチャネル型TFT1207およびpチャネル型TFT1208
からなるCMOS回路を示している。
チ、アナログスイッチ(トランスファゲート)もしくは
レベルシフタの回路構成は、公知のものでよい。また図
12(a)では、同一の基板上に画素部1211および駆動回
路1212を設けているが、駆動回路1212を設けずにICやLS
Iを電気的に接続することもできる。
素電極(陽極)1203が電気的に接続されているが、陰極
が電流制御TFTに接続された構造をとることもできる。
その場合、画素電極を陰極1205と同様の材料で形成し、
陰極を画素電極(陽極)1203と同様の材料で形成すれば
よい。その場合、電流制御TFTはnチャネル型TFTとする
ことが好ましい。
は、画素電極1203を形成した後に配線1209を形成する工
程で作製されたものを示してあるが、この場合、画素電
極1203が表面荒れを起こす可能性がある。有機発光素子
は電流駆動型の素子であるため、画素電極1203の表面荒
れにより、特性が悪くなることも考えられる。
9を形成した後に画素電極1203を形成する発光装置も考
えられる。この場合、図12(a)の構造に比べて、画素
電極1203からの電流の注入性が向上すると考えられる。
土手状構造1210によって、画素部1211に設置されている
各画素を分離している。この土手状構造を、例えば逆テ
ーパー型のような構造にすることにより、土手状構造が
画素電極に接しない構造をとることもできる。その一例
を図34に示す。
た、配線および分離部3410を設けた。図34で示される
ような配線および分離部3410の形状(ひさしのある構
造)は、配線を構成する金属と、前記金属よりもエッチ
レートの低い材料(例えば金属窒化物)とを積層し、エ
ッチングすることにより形成することができる。この形
状により、画素電極3403や配線と、陰極3405とが、ショ
ートすることを防ぐことができる。なお、図34におい
ては、通常のアクティブマトリクス型の発光装置と異な
り、画素上の陰極3405をストライプ状(パッシブマトリ
クスの陰極と同様)にする構造になる。
トリクス型発光装置の外観を図13に示す。なお、図1
3(a)には上面図を示し、図13(b)には図13(a)をP−
P'で切断した時の断面図を示す。また、図12の符号を
引用する。
はゲート信号側駆動回路、1303はデータ信号側駆動回路
である。また、ゲート信号側駆動回路1302およびデータ
信号側駆動回路1303に伝送される信号は、入力配線1304
を介してTAB(Tape Automated Bonding)テープ1305か
ら入力される。なお、図示しないが、TABテープ1305の
代わりに、TABテープにIC(集積回路)を設けたTCP(Ta
pe Carrier Package)を接続してもよい。
発光素子の上方に設けられるカバー材であり、樹脂から
なるシール材1307により接着されている。カバー材1306
は酸素および水を透過しない材質であれば、いかなるも
のを用いてもよい。本実施例では、カバー材1306は図1
3(b)に示すように、プラスチック材1306aと、前記プラ
スチック材1306aの表面および裏面に設けられた炭素膜
(具体的にはダイヤモンドライクカーボン膜)1306b、1
306cからなる。
材1307は樹脂からなる封止材1308で覆われ、有機発光素
子を完全に密閉空間1309に封入するようになっている。
密閉空間1309は不活性ガス(代表的には窒素ガスや希ガ
ス)、樹脂または不活性液体(例えばパーフルオロアル
カンに代表される液状のフッ素化炭素)を充填しておけ
ばよい。さらに、吸湿剤や脱酸素剤を設けることも有効
である。
(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。この
偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者
が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的に
は、円偏光板が用いられている。ただし、有機化合物層
から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ること
を防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造と
することが好ましい。
発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれ
を用いてもよい。
示した有機発光素子を含む発光装置の例として、アクテ
ィブマトリクス型発光装置を例示するが、実施例12と
は異なり、能動素子が形成されている基板とは反対側か
ら光を取り出す構造(以下、「上方出射」と記す)の発
光装置を示す。図35にその断面図を示す。
ジスタ(以下、「TFT」と記す)を用いているが、MOSト
ランジスタを用いてもよい。また、TFTとしてトップゲ
ート型TFT(具体的にはプレーナ型TFT)を例示するが、
ボトムゲート型TFT(典型的には逆スタガ型TFT)を用い
ることもできる。
成された電流制御TFT3502、および駆動回路3512に関し
ては、実施例12と同様の構成でよい。
いる第一電極3503であるが、本実施例では陽極として用
いるため、仕事関数がより大きい導電性材料を用いるこ
とが好ましい。その代表例として、ニッケル、パラジウ
ム、タングステン、金、銀などの金属が挙げられる。本
実施例では、第一電極3503は光を透過しないことが好ま
しいが、それに加えて、光の反射性の高い材料を用いる
ことがさらに好ましい。
設けられている。さらに、有機化合物層3504の上には第
二電極3505が設けられており、本実施例では陰極とす
る。その場合、第二電極3505の材料としては、仕事関数
が2.5〜3.5eVの導電性材料を用いることが望ましい。代
表的には、アルカリ金属元素もしくはアルカリ度類金属
元素を含む導電膜、アルミニウムを含む導電膜、あるい
はその導電膜にアルミニウムや銀などを積層したもの、
を用いればよい。ただし、本実施例は上方出射であるた
め、第二電極3505が光透過性であることが大前提であ
る。したがって、これらの金属を用いる場合は、20nm程
度の超薄膜であることが好ましい。
および第二電極3505からなる層は、保護膜3506で覆われ
ている。保護膜3506は、有機発光素子を酸素および水か
ら保護するために設けられている。本実施例では、光を
透過するものであればいかなるものを用いてもよい。
電極(陽極)3503が電気的に接続されているが、陰極が
電流制御TFTに接続された構造をとることもできる。そ
の場合、第一電極を陰極の材料で形成し、第二電極を陽
極の材料で形成すればよい。このとき、電流制御TFTはn
チャネル型TFTとすることが好ましい。
なるシール材3508により接着されている。カバー材3507
は酸素および水を透過しない材質で、かつ、光を透過す
る材質であればいかなるものを用いてもよい。本実施例
ではガラスを用いる。密閉空間3509は不活性ガス(代表
的には窒素ガスや希ガス)、樹脂または不活性液体(例
えばパーフルオロアルカンに代表される液状のフッ素化
炭素)を充填しておけばよい。さらに、吸湿剤や脱酸素
剤を設けることも有効である。
信号側駆動回路に伝送される信号は、入力配線3513を介
してTAB(Tape Automated Bonding)テープ3514から入
力される。なお、図示しないが、TABテープ3514の代わ
りに、TABテープにIC(集積回路)を設けたTCP(Tape C
arrier Package)を接続してもよい。
(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。この
偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者
が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的に
は、円偏光板が用いられている。ただし、有機化合物層
から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ること
を防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造と
することが好ましい。
発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれ
を用いてもよい。 [実施例14]
素子を含む発光装置の例として、パッシブマトリクス型
発光装置を例示する。図14(a)にはその上面図を示
し、図14(b)には図14(a)をP−P'で切断した時の断
面図を示す。
ここではプラスチック材を用いる。プラスチック材とし
ては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキ
シ樹脂、PES(ポリエチレンサルファイル)、PC(ポリ
カーボネート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)
もしくはPEN(ポリエチレンナフタレート)を板状、も
しくはフィルム上にしたものが使用できる。
であり、本実施例では酸化亜鉛に酸化ガリウムを添加し
た酸化物導電膜を用いる。また、1403は金属膜からなる
データ線(陰極)であり、本実施例ではビスマス膜を用
いる。また、1404はアクリル樹脂からなるバンクであ
り、データ線1403を分断するための隔壁として機能す
る。走査線1402とデータ線1403は両方とも、ストライプ
状に複数形成されており、互いに直交するように設けら
れている。なお、図14(a)では図示していないが、走
査線1402とデータ線1403の間には有機化合物層が挟まれ
ており、交差部1405が画素となる。
TABテープ1407を介して外部の駆動回路に接続される。
なお、1408は走査線1402が集合してなる配線群を表して
おり、1409はデータ線1403に接続された接続配線1406の
集合からなる配線群を表す。また、図示していないが、
TABテープ1407の代わりに、TABテープにICを設けたTCP
を接続してもよい。
材、1411はシール材1410によりプラスチック材1401に貼
り合わされたカバー材である。シール材1410としては光
硬化樹脂を用いていればよく、脱ガスが少なく、吸湿性
の低い材料が望ましい。カバー材としては基板1401と同
一の材料が好ましく、ガラス(石英ガラスを含む)もし
くはプラスチックを用いることができる。ここではプラ
スチック材を用いる。
(c)に示す。1413は有機化合物層である。なお、図14
(c)に示すように、バンク1404は下層の幅が上層の幅よ
りも狭い形状になっており、データ線1403を物理的に分
断できる。また、シール材1410で囲まれた画素部1414
は、樹脂からなる封止材1415により外気から遮断され、
有機化合物層の劣化を防ぐ構造となっている。
置は、画素部1414が走査線1402、データ線1403、バンク
1404および有機化合物層1413で形成されるため、非常に
簡単なプロセスで作製することができる。
(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。この
偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者
が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。一般的に
は、円偏光板が用いられている。ただし、有機化合物層
から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ること
を防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造と
することが好ましい。
発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれ
を用いてもよい。
で示した発光装置にプリント配線板を設けてモジュール
化した例を示す。
(ここでは、画素部1502、配線1503a、 1503bを含む)
にTABテープ1504が取り付けられ、前記TABテープ1504を
介してプリント配線板1505が取り付けられている。
ク図を図15(b)に示す。プリント配線板1505の内部に
は少なくともI/Oポート(入力もしくは出力部)1506、
1509、データ信号側駆動回路1507およびゲート信号側回
路1508として機能するICが設けられている。
基板にTABテープが取り付けられ、そのTABテープを介し
て駆動回路としての機能を有するプリント配線版が取り
付けられた構成のモジュールを、本明細書では特に駆動
回路外付け型モジュールと呼ぶことにする。
発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれ
を用いてもよい。
もしくは実施例13もしくは実施例14に示した発光装
置にプリント配線板を設けてモジュール化した例を示
す。
(ここでは、画素部1602、データ信号側駆動回路1603、
ゲート信号側駆動回路1604、配線1603a、 1604aを含
む)にTABテープ1605が取り付けられ、そのTABテープ16
05を介してプリント配線板1606が取り付けられている。
プリント配線板1606の機能ブロック図を図16(b)に示
す。
606の内部には少なくともI/Oポート1607、 1610、コン
トロール部1608として機能するICが設けられている。な
お、ここではメモリ部1609を設けてあるが、必ずしも必
要ではない。またコントロール部1608は、駆動回路の制
御、映像データの補正などをコントロールするための機
能を有した部位である。
板にコントローラーとしての機能を有するプリント配線
板が取り付けられた構成のモジュールを、本明細書では
特にコントローラー外付け型モジュールと呼ぶことにす
る。
発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれ
を用いてもよい。
および11で示したような三重項発光素子を、デジタル
時間階調表示により駆動する発光装置の例を示す。本実
施例の発光装置は、三重項励起状態からの発光を利用す
ることによって高い発光効率を達成できると同時に、デ
ジタル時間階調表示により均一な像を得ることができ、
非常に有用である。
図36(a)に示す。Trはトランジスタ、Csはストレージ
キャパシタを表す。図36(a)中の回路構成では、ソー
ス線はトランジスタTr1のソース側に、ゲート線はトラ
ンジスタTr1のゲートに接続されている。また、電源供
給線はストレージキャパシタCs、およびトランジスタTr
2のソース側に接続されている。トランジスタTr2のドレ
イン側には本発明の有機発光素子の陽極が接続されてい
るため、有機発光素子を挟んでトランジスタTr2の反対
側は、陰極となっている。
ると、電流がソース線からTr1に流れ、その信号に対応
する電圧がCsに蓄積される。そして、Tr2のゲートおよ
びソース間の電圧(Vgs)により制御される電流が、Tr2
および有機発光素子に流れることになる。
なり、Csの電圧(Vgs)が保持される。したがって、Vgs
に依存するだけの電流を流し続けることができる。
により駆動するチャートを図36(b)に示す。すなわ
ち、1フレームを複数のサブフレームに分割するわけだ
が、図36(b)では、1フレームを6つのサブフレーム
(SF1〜SF6)に分割する6ビット階調とした。TAは書き
込み時間である。この場合、それぞれのサブフレーム発
光期間の割合は、図に示したように32:16:8:
4:2:1となる。
要を図36(c)に示す。図36(c)中の基板構成では、本
発明の有機発光素子を各画素とした画素部に対し、図3
6(a)で示したような電源供給線および陰極が接続され
ている。また、シフトレジスタは、シフトレジスタ→ラ
ッチ1→ラッチ2→画素部の順で、画素部に接続されて
いる。ラッチ1にはデジタル信号が入力され、ラッチ2
に入力されるラッチパルスによって画像データを画素部
に送り込むことができる。
じ基板上に設けられている。本実施例では、画素回路お
よびドライバは、デジタル駆動するように設計されてい
るため、TFT特性のばらつきの影響を受けることなく、
均一な像を得ることができる。
示した有機発光素子に一定の電流を流すことにより駆動
する、アクティブマトリクス型の定電流駆動回路の例を
示す。その回路構成を図37に示す。
i、第1走査線Gj、第2走査線Pjおよび電源線Vi
を有している。また画素3710は、Tr1、Tr2、
Tr3、Tr4、混合接合型の有機発光素子3711、
および保持容量3712を有している。
線Gjに接続されている。Tr3のソースとドレイン
は、一方は信号線Siに、もう一方はTr2のソースに
接続されている。またTr4のソースとドレインは、一
方はTr2のソースに、もう一方はTr1のゲートに接
続されている。つまり、Tr3のソースとドレインのい
ずれか一方と、Tr4のソースとドレインのいずれか一
方とは、接続されている。
はTr2のソースに接続されている。Tr2のゲートは
第2走査線Pjに接続されている。そしてTr2のドレ
インは有機発光素子3711が有する画素電極に接続さ
れている。有機発光素子3711は、画素電極と、対向
電極と、画素電極と対向電極の間に設けられた有機化合
物層とを有している。有機発光素子3711の対向電極
は発光パネルの外部に設けられた電源によって一定の電
圧が与えられている。
FTとpチャネル型TFTのどちらでも良い。ただし、
Tr3とTr4の極性は同じである。また、Tr1はn
チャネル型TFTとpチャネル型TFTのどちらでも良
い。Tr2は、nチャネル型TFTとpチャネル型TF
Tのどちらでも良い。有機発光素子の画素電極と対向電
極は、一方が陽極であり、他方が陰極である。Tr2が
pチャネル型TFTの場合、陽極を画素電極として用
い、陰極を対向電極として用いるのが望ましい。逆に、
Tr2がnチャネル型TFTの場合、陰極を画素電極と
して用い、陽極を対向電極として用いるのが望ましい。
スとの間に形成されている。保持容量3712はTr1
のゲートとソースの間の電圧(Vgs)をより確実に維持
するために設けられているが、必ずしも設ける必要はな
い。
給される電流を信号線駆動回路が有する電流源において
制御されている。
り、有機発光素子に一定の電流を流して輝度を一定に保
とうとする定電流駆動が可能となる。本発明で開示した
混合領域を有する有機発光素子は従来の有機発光素子に
比べて寿命が長いが、上記のような定電流駆動を実施す
ることでさらに長寿命化を図ることができるため、有効
である。
発光装置は、低消費電力で寿命が長いという利点を有す
る。したがって、前記発光装置が表示部等として含まれ
る電気器具は、従来よりも低い消費電力で動作可能であ
り、なおかつ長保ちする電気器具となる。特に電源とし
てバッテリーを使用する携帯機器のような電気器具に関
しては、低消費電力化が便利さに直結する(電池切れが
起こりにくい)ため、極めて有用である。
とから液晶表示装置のようなバックライトは必要なく、
有機化合物層の厚みも1μmに満たないため、薄型軽量
化が可能である。したがって、前記発光装置が表示部等
として含まれる電気器具は、従来よりも薄型軽量な電気
器具となる。このことも、特に携帯機器のような電気器
具に関して、便利さ(持ち運びの際の軽さやコンパクト
さ)に直結するため、極めて有用である。さらに、電気
器具全般においても、薄型である(かさばらない)こと
は運送面(大量輸送が可能)、設置面(部屋などのスペ
ース確保)からみても有用であることは疑いない。
に、液晶表示装置に比べて明るい場所での視認性に優
れ、しかも視野角が広いという特徴を持つ。したがっ
て、前記発光装置を表示部として有する電気器具は、表
示の見やすさの点でも大きなメリットがある。
器具は、薄型軽量・高視認性といった従来の有機発光素
子の長所に加え、低消費電力・長寿命という特長も保有
しており、極めて有用である。
として含む電気器具を例示する。その具体例を図17お
よび図18に示す。なお、本実施例の電気器具に含まれ
る有機発光素子には、本発明で開示した金属錯体のいず
れを用いても良い。また、本実施例の電気器具に含まれ
る発光装置の形態は、図12〜図16および図34〜図
37のいずれの形態を用いても良い。
プレイ装置であり、筐体1701a、支持台1702a、表示部17
03aを含む。本発明の発光装置を表示部1703aとして用い
たディスプレイを作製することにより、薄く軽量で、長
保ちするディスプレイを実現できる。よって、輸送が簡
便になり、設置の際の省スペースが可能となる上に、寿
命も長い。
1b、表示部1702b、音声入力部1703b、操作スイッチ1704
b、バッテリー1705b、受像部1706bを含む。本発明の発
光装置を表示部1702bとして用いたビデオカメラを作製
することにより、消費電力が少なく、軽量なビデオカメ
ラを実現できる。よって、電池の消費量が少なくなり、
持ち運びも簡便になる。
701c、表示部1702c、接眼部1703c、操作スイッチ1704c
を含む。本発明の発光装置を表示部1702cとして用いた
デジタルカメラを作製することにより、消費電力が少な
く、軽量なデジタルカメラを実現できる。よって、電池
の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。
置であり、本体1701d、記録媒体(CD、LD、またはDVDな
ど)1702d、操作スイッチ1703d、表示部(A)1704d、表示
部(B)1705dを含む。表示部(A)1704dは主として画像情報
を表示し、表示部(B)1705dは主として文字情報を表示す
る。本発明の発光装置をこれら表示部(A)1704dや表示部
(B)1705dとして用いた前記画像再生装置を作製すること
により、消費電力が少なく軽量な上に、長保ちする前記
画像再生装置を実現できる。なお、この記録媒体を備え
た画像再生装置には、CD再生装置、ゲーム機器なども含
む。
ータであり、本体1701e、表示部1702e、受像部1703e、
操作スイッチ1704e、メモリスロット1705eを含む。本発
明の発光装置を表示部1702eとして用いた携帯型コンピ
ュータを作製することにより、消費電力が少なく、薄型
軽量な携帯型コンピュータを実現できる。よって、電池
の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。なお、
この携帯型コンピュータはフラッシュメモリや不揮発性
メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり、それ
を再生したりすることができる。
り、本体1701f、筐体1702f、表示部1703f、キーボード1
704fを含む。本発明の発光装置を表示部1703fとして用
いたパーソナルコンピュータを作製することにより、消
費電力が少なく、薄型軽量なパーソナルコンピュータを
実現できる。特に、ノートパソコンのように持ち歩く用
途が必要な場合、電池の消費量や軽さの点で大きなメリ
ットとなる。
の電子通信回線や電波などの無線通信を通じて配信され
る情報を表示することが多くなってきており、特に動画
情報を表示する機会が増えている。有機発光素子の応答
速度は非常に速く、そのような動画表示に好適である。
801a、音声出力部1802a、音声入力部1803a、表示部1804
a、操作スイッチ1805a、アンテナ1806aを含む。本発明
の発光装置を表示部1804aとして用いた携帯電話を作製
することにより、消費電力が少なく、薄型軽量な携帯電
話を実現できる。よって、電池の消費量が少なくなり、
持ち運びも楽になる上にコンパクトな本体にできる。
オーディオ)であり、本体1801b、表示部1802b、操作ス
イッチ1803b、1804bを含む。本発明の発光装置を表示部
1802bとして用いた音響機器を作製することにより、消
費電力が少なく、軽量な音響機器を実現できる。また、
本実施例では車載用オーディオを例として示すが、家庭
用オーディオに用いても良い。
器具において、さらに光センサを内蔵させ、使用環境の
明るさを検知する手段を設けることで、使用環境の明る
さに応じて発光輝度を変調させるような機能を持たせる
ことは有効である。使用者は、使用環境の明るさに比べ
てコントラスト比で100〜150の明るさを確保できれば、
問題なく画像もしくは文字情報を認識できる。すなわ
ち、使用環境が明るい場合は画像の輝度を上げて見やす
くし、使用環境が暗い場合は画像の輝度を抑えて消費電
力を抑えるといったことが可能となる。
た様々な電気器具も、低消費電力での動作や薄型軽量化
が可能であるため、非常に有用と言える。代表的には、
液晶表示装置のバックライトもしくはフロントライトと
いった光源、または照明機器の光源として本発明の発光
装置を含む電気器具は、低消費電力の実現や薄型軽量化
が可能である。
18の電気器具の表示部を、全て液晶ディスプレイにす
る場合においても、その液晶ディスプレイのバックライ
トもしくはフロントライトとして本発明の発光装置を用
いた電気器具を作製することにより、消費電力が少な
く、薄くて軽量な電気器具が達成できる。
ない上に、寿命も優れた発光装置を得ることができる。
さらに、そのような発光装置を光源もしくは表示部に用
いることで、明るく消費電力が少ない上に、長保ちする
電気器具を得ることができる。
図。
図。
Claims (46)
- 【請求項1】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極
の間に設けられた正孔輸送層と、を含む有機発光素子を
有する発光装置において、前記正孔輸送層は第一の化合
物および第二の化合物を含む層であり、前記第一の化合
物は前記第二の化合物よりもイオン化ポテンシャルが小
さく、かつ、前記第二の化合物は前記第一の化合物より
も正孔移動度が大きいことを特徴とする発光装置。 - 【請求項2】請求項1に記載の発光装置において、前記
正孔輸送層は、前記陽極から前記陰極への方向に対し
て、前記第一の化合物の濃度が減少し前記第二の化合物
の濃度が増加する濃度勾配が形成されていることを特徴
とする発光装置。 - 【請求項3】請求項1または請求項2に記載の発光装置
において、前記第一の化合物がフタロシアニン化合物で
あることを特徴とする発光装置。 - 【請求項4】請求項1または請求項2に記載の発光装置
において、前記第二の化合物が芳香族アミン化合物であ
ることを特徴とする発光装置。 - 【請求項5】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極
の間に設けられた電子輸送層と、を含む有機発光素子を
有する発光装置において、前記電子輸送層は第一の化合
物および第二の化合物を含む層であり、前記第一の化合
物は前記第二の化合物よりも電子親和力が大きく、か
つ、前記第二の化合物は前記第一の化合物よりも電子移
動度が大きいことを特徴とする発光装置。 - 【請求項6】請求項5に記載の発光装置において、前記
電子輸送層は、前記陽極から前記陰極への方向に対し
て、前記第一の化合物の濃度が増加し前記第二の化合物
の濃度が減少する濃度勾配が形成されていることを特徴
とする発光装置。 - 【請求項7】請求項5または請求項6に記載の発光装置
において、前記第一の化合物が、アルカリ金属錯体、ま
たはキノリン骨格を含む金属錯体、またはベンゾキノリ
ン骨格を含む金属錯体、またはオキサジアゾール誘導
体、またはトリアゾール誘導体、であることを特徴とす
る発光装置。 - 【請求項8】請求項5または請求項6に記載の発光装置
において、前記第二の化合物が、キノリン骨格を含む金
属錯体、またはベンゾキノリン骨格を含む金属錯体、ま
たはオキサジアゾール誘導体、またはトリアゾール誘導
体、またはフェナントロリン誘導体、であることを特徴
とする発光装置。 - 【請求項9】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極
の間に設けられた発光層と、を含む有機発光素子を有す
る発光装置において、前記発光層は第一の化合物および
第二の化合物を含む層であり、前記第一の化合物は前記
第二の化合物よりも正孔移動度が大きく、かつ、前記第
二の化合物は前記第一の化合物よりも電子移動度が大き
いことを特徴とする発光装置。 - 【請求項10】請求項9に記載の発光装置において、前
記発光層は、前記陽極から前記陰極への方向に対して、
前記第一の化合物の濃度が減少し前記第二の化合物の濃
度が増加する濃度勾配が形成されていることを特徴とす
る発光装置。 - 【請求項11】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極の間に設けられた発光層と、を含む有機発光素子を有
する発光装置において、前記発光層は第一の化合物、第
二の化合物、および第三の化合物を含む層であり、前記
第一の化合物は前記第二の化合物よりも正孔移動度が大
きく、かつ、前記第二の化合物は前記第一の化合物より
も電子移動度が大きく、かつ、前記第三の化合物におけ
る最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差
は、前記第一の化合物および前記第二の化合物の双方に
おける最高被占分子軌道と最低空軌道とのエネルギー差
よりも小さい発光材料であることを特徴とする発光装
置。 - 【請求項12】請求項11に記載の発光装置において、
前記発光層は、前記陽極から前記陰極への方向に対し
て、前記第一の化合物の濃度が減少し前記第二の化合物
の濃度が増加する濃度勾配が形成されていることを特徴
とする発光装置。 - 【請求項13】請求項9乃至請求項12に記載の発光装
置において、前記第一の化合物が芳香族アミン化合物で
あることを特徴とする発光装置。 - 【請求項14】請求項9乃至請求項12に記載の発光装
置において、前記第二の化合物が、キノリン骨格を含む
金属錯体、またはベンゾキノリン骨格を含む金属錯体、
またはオキサジアゾール誘導体、またはトリアゾール誘
導体、またはフェナントロリン誘導体、であることを特
徴とする発光装置。 - 【請求項15】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極の間に設けられた発光層と、前記発光層に接して設け
られたブロッキング層と、を含む有機発光素子を用いた
発光装置において、前記ブロッキング層は、前記発光層
に含まれる材料とブロッキング材料とを含み、前記ブロ
ッキング材料における最高被占分子軌道と最低空分子軌
道とのエネルギー差は、前記発光層に含まれる材料にお
ける最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー
差よりも大きいことを特徴とする発光装置。 - 【請求項16】請求項15に記載の発光装置において、
前記ブロッキング層は、前記陽極から前記陰極への方向
に対して、前記発光層に含まれる材料の濃度が減少し前
記ブロッキング材料の濃度が増加する濃度勾配が形成さ
れていることを特徴とする発光装置。 - 【請求項17】請求項15または請求項16に記載の発
光装置において、前記ブロッキング材料が、オキサジア
ゾール誘導体、またはトリアゾール誘導体、またはフェ
ナントロリン誘導体、であることを特徴とする発光装
置。 - 【請求項18】請求項1乃至請求項17のいずれか一項
に記載の発光装置において、前記有機発光素子は、三重
項励起状態からの発光を呈することを特徴とする発光装
置。 - 【請求項19】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光
素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正
孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料から
なる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域
は前記電子輸送領域よりも前記陽極側に位置し、なおか
つ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前
記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の両方を含む混
合領域が設けられていることを特徴とする発光装置。 - 【請求項20】陽極と、陰極と、前記陽極に接して設け
られた正孔注入領域と、前記正孔注入領域および前記陰
極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光
素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正
孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料から
なる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域
は前記電子輸送領域よりも前記陽極側に位置し、なおか
つ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前
記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の両方を含む混
合領域が設けられていることを特徴とする発光装置。 - 【請求項21】陽極と、陰極と、前記陰極に接して設け
られた電子注入領域と、前記陽極および前記電子注入領
域の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光
素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正
孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料から
なる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域
は前記電子輸送領域よりも前記陽極側に位置し、なおか
つ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前
記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の両方を含む混
合領域が設けられていることを特徴とする発光装置。 - 【請求項22】陽極と、陰極と、前記陽極に接して設け
られた正孔注入領域と、前記陰極に接して設けられた電
子注入領域と、前記正孔注入領域および前記電子注入領
域の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光
素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正
孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料から
なる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域
は前記電子輸送領域よりも前記陽極側に位置し、なおか
つ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前
記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の両方を含む混
合領域が設けられていることを特徴とする発光装置。 - 【請求項23】請求項19乃至請求項22のいずれか一
項に記載の発光装置において、前記陽極から前記陰極へ
の方向に対し、前記混合領域内の前記正孔輸送材料の濃
度は減少し、前記混合領域内の前記電子輸送材料の濃度
は増加していることを特徴とする発光装置。 - 【請求項24】請求項19乃至請求項23のいずれか一
項に記載の発光装置において、発光を呈する発光材料
が、前記混合領域内に添加されていることを特徴とする
発光装置。 - 【請求項25】請求項19乃至請求項23のいずれか一
項に記載の発光装置において、発光を呈する発光材料
が、前記混合領域内の一部に添加されていることを特徴
とする発光装置。 - 【請求項26】請求項19乃至請求項23のいずれか一
項に記載の発光装置において、前記正孔輸送材料および
前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分
子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、
前記混合領域内に添加されていることを特徴とする発光
装置。 - 【請求項27】請求項19乃至請求項23のいずれか一
項に記載の発光装置において、前記正孔輸送材料および
前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分
子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、
前記混合領域内の一部に添加されていることを特徴とす
る発光装置。 - 【請求項28】請求項19乃至請求項23のいずれか一
項に記載の発光装置において、発光を呈する発光材料
と、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料に比べて
最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が
大きいブロッキング材料と、の両方が、前記混合領域内
に添加されていることを特徴とする発光装置。 - 【請求項29】請求項28に記載の発光装置において、
前記発光材料が添加されている領域は、前記ブロッキン
グ材料が添加されている領域よりも前記陽極側に位置す
ることを特徴とする発光装置。 - 【請求項30】請求項24乃至請求項25または請求項
28乃至請求項29のいずれか一項に記載の発光装置に
おいて、前記発光材料は、三重項励起状態からの発光を
呈することを特徴とする発光装置。 - 【請求項31】陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰
極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光
素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正
孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料から
なる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域
と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および
前記電子輸送材料を一定の割合にて含む混合領域が形成
されており、なおかつ、前記混合領域内に、発光を呈す
る発光材料が添加された発光領域を設けたことを特徴と
する発光装置。 - 【請求項32】陽極と、陰極と、前記陽極に接して設け
られた正孔注入領域と、前記正孔注入領域および前記陰
極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光
素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正
孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料から
なる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域
と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および
前記電子輸送材料を一定の割合にて含む混合領域が形成
されており、なおかつ、前記混合領域内に、発光を呈す
る発光材料が添加された発光領域を設けたことを特徴と
する発光装置。 - 【請求項33】陽極と、陰極と、前記陰極に接して設け
られた電子注入領域と、前記陽極および前記電子注入領
域の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光
素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正
孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料から
なる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域
と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および
前記電子輸送材料を一定の割合にて含む混合領域が形成
されており、なおかつ、前記混合領域内に、発光を呈す
る発光材料が添加された発光領域を設けたことを特徴と
する発光装置。 - 【請求項34】陽極と、陰極と、前記陽極に接して設け
られた正孔注入領域と、前記陰極に接して設けられた電
子注入領域と、前記正孔注入領域および前記電子注入領
域の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光
素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正
孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料から
なる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域
と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および
前記電子輸送材料を一定の割合にて含む混合領域が形成
されており、なおかつ、前記混合領域内に、発光を呈す
る発光材料が添加された発光領域を設けたことを特徴と
する発光装置。 - 【請求項35】請求項31乃至請求項34のいずれか一
項に記載の発光装置において、前記発光材料が添加され
た発光領域は、前記混合領域内の一部であることを特徴
とする発光装置。 - 【請求項36】請求項31乃至請求項35のいずれか一
項に記載の発光装置において、前記正孔輸送材料および
前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分
子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、
前記混合領域内の一部に添加されていることを特徴とす
る発光装置。 - 【請求項37】請求項35に記載の発光装置において、
前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料に比べて最高
被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大き
いブロッキング材料が、前記混合領域内の一部に添加さ
れており、かつ、前記発光材料が添加された発光領域
は、前記ブロッキング材料が添加されている領域よりも
前記陽極側に位置することを特徴とする発光装置。 - 【請求項38】請求項31乃至請求項37のいずれか一
項に記載の発光装置において、前記発光材料は、三重項
励起状態からの発光を呈することを特徴とする発光装
置。 - 【請求項39】請求項19乃至請求項38のいずれか一
項に記載の発光装置において、前記混合領域内に関し、
前記正孔輸送材料と前記電子輸送材料との合計質量に対
する前記正孔輸送材料の質量の百分率は、10パーセン
ト以上90パーセント以下であることを特徴とする発光
装置。 - 【請求項40】請求項19乃至請求項38のいずれか一
項に記載の発光装置において、前記混合領域は、10ナ
ノメートル以上、100ナノメートル以下の厚さである
ことを特徴とする発光装置。 - 【請求項41】陽極と、陰極と、前記陽極に接して設け
られた第一の混合領域と、前記第一の混合領域に接して
設けられた第二の混合領域と、前記第二の混合領域と陰
極との間に設けられた第三の混合領域と、からなる有機
発光素子を用いた発光装置において、前記第一の混合領
域は正孔注入材料および正孔輸送材料を含み、前記第二
の混合領域は前記正孔輸送材料および電子輸送材料を含
み、前記第三の混合領域は前記電子輸送材料および電子
注入材料を含むことを特徴とする発光装置。 - 【請求項42】請求項41に記載の発光装置において、
前記第二の混合領域に発光材料が添加されていることを
特徴とする発光装置。 - 【請求項43】請求項42に記載の発光装置おいて、前
記発光材料は三重項励起状態からの発光を呈することを
特徴とする発光装置。 - 【請求項44】陽極と、陰極と、前記陽極に接して設け
られた第一の混合領域と、前記第一の混合領域に接して
設けられた第二の混合領域と、前記第二の混合領域に接
して設けられた第三の混合領域と、前記第三の混合領域
と陰極との間に設けられた第四の混合領域と、からなる
有機発光素子を用いた発光装置において、前記第一の混
合領域は正孔注入材料および正孔輸送材料を含み、前記
第二の混合領域は前記正孔輸送材料およびホスト材料お
よびゲスト材料を含み、前記第三の混合領域は前記ホス
ト材料およびブロッキング材料を含み、前記第四の混合
領域は前記ブロッキング材料および電子注入材料を含む
ことを特徴とする発光装置。 - 【請求項45】請求項44に記載の発光装置おいて、前
記ゲスト材料は三重項励起状態からの発光を呈すること
を特徴とする発光装置。 - 【請求項46】請求項1乃至請求項45のいずれか一項
に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001399072A JP4076769B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | 発光装置及び電気器具 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000400953 | 2000-12-28 | ||
JP2000-400953 | 2000-12-28 | ||
JP2001020817 | 2001-01-29 | ||
JP2001-32406 | 2001-02-08 | ||
JP2001032406 | 2001-02-08 | ||
JP2001-20817 | 2001-02-08 | ||
JP2001399072A JP4076769B2 (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-28 | 発光装置及び電気器具 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007169359A Division JP4722884B2 (ja) | 2000-12-28 | 2007-06-27 | 発光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002313583A true JP2002313583A (ja) | 2002-10-25 |
JP2002313583A5 JP2002313583A5 (ja) | 2005-08-04 |
JP4076769B2 JP4076769B2 (ja) | 2008-04-16 |
Family
ID=27481945
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP4076769B2 (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4076769B2 (ja) | 2008-04-16 |
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Legal Events
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |