JP2007036175A - 有機el素子及びその製造方法 - Google Patents
有機el素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007036175A JP2007036175A JP2005356387A JP2005356387A JP2007036175A JP 2007036175 A JP2007036175 A JP 2007036175A JP 2005356387 A JP2005356387 A JP 2005356387A JP 2005356387 A JP2005356387 A JP 2005356387A JP 2007036175 A JP2007036175 A JP 2007036175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- electron transport
- substance
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 94
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 64
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 36
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 556
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 138
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 57
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 57
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 37
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 15
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 12
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 7
- -1 2-hydroxyphenyl Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HXQQNYSFSLBXQJ-UHFFFAOYSA-N COC1=C(NC(CO)C(O)=O)CC(O)(CO)CC1=NCC(O)=O Chemical compound COC1=C(NC(CO)C(O)=O)CC(O)(CO)CC1=NCC(O)=O HXQQNYSFSLBXQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 claims description 4
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M rubidium chloride Chemical compound [Cl-].[Rb+] FGDZQCVHDSGLHJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-M 4-phenylphenolate Chemical compound C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 YXVFYQXJAXKLAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 3
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000005045 1,10-phenanthrolines Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 claims description 2
- 150000004325 8-hydroxyquinolines Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 235000006481 Colocasia esculenta Nutrition 0.000 claims description 2
- 240000004270 Colocasia esculenta var. antiquorum Species 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910013184 LiBO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001278 Sr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 claims description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002601 lanthanoid compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 claims description 2
- 150000002979 perylenes Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 claims description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940125807 compound 37 Drugs 0.000 claims 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 206
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine copper Chemical compound [Cu].C12=CC=CC=C2C(N=C2NC(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2N1 VVOPUZNLRVJDJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 9
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- 229910018071 Li 2 O 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K aluminum;2-carboxyquinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 XEPMXWGXLQIFJN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 125000000332 coumarinyl group Chemical group O1C(=O)C(=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229920003240 metallophthalocyanine polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
- H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/19—Tandem OLEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
Abstract
【解決手段】陽極と陰極との間に発光層、電子輸送層を含む積層構造を有し、前記電子輸送層は、少なくとも2以上の物質が混合された混合物からなり、前記発光層に隣接した第1層と、少なくとも2以上の物質が混合された混合物からなり、前記陰極に隣接した第2層とを含み、前記少なくとも2以上の物質が混合された混合物は、1つの有機化合物と1以上の他の有機化合物、1つの金属または無機化合物と1以上の他の金属または無機化合物、または、1以上の有機化合物と1以上の金属または無機化合物の混合物からなる。
【選択図】図5
Description
すなわち、内部量子効率(nint)ηint=γ ηr ηfとなる。
第1及び第2実施例に係る有機EL素子は、基板(Substrate)と、陽極(Anode)と、正孔注入層(HIL)及び/又は正孔輸送層(HTL)と、発光層(emitting layer)と、電子輸送層(ETL)と、電子注入層(EIL)と、陰極(Cathode)とを備えている。
本発明は、図5及び図6に示すように、電子輸送層(ETL)は、発光層に隣接した第1層(first layer)と、陰極(Cahode)に隣接した第2層(Second layer)とからなり、第1層と第2層との間には、1以上のサブ層(Sublayer)を有する第3層(Third layer)が形成されている。ここで、第3層は省いても良い。
基板(Substrate)は、透明基板とすることができる。透明基板としては、ガラス基板を使用することができる。
図7は、第3実施例に係る有機EL素子の構造を示す図である。本実施例に係る有機EL素子は、複数の発光層として、第1発光層(First emitting layer)、第2発光層(Second emitting layer)、・・第N発光層(Nth emitting layer)を備える。ここで、Nは、2以上の自然数である。
1)まず、透明基板上にITOの陽極を形成し、陽極上に、フタロシアニン銅(CuPc)からなる正孔注入層を約25nm被覆する。
2)その上に、正孔輸送層として4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(NPD)を約35nm被覆する。
3)正孔輸送層上に、緑色発光層を作るために、8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)にCo6を約1%ドーピングして25nm程度被覆する。
4)次に、発光層上に、電子輸送層(ETL)としてAlq3(素子A)またはBalq(素子B)を35nm程度被覆する。
5)電子輸送層上に、電子注入層(EIL)としてLiFを0.5nm程度被覆する。
6)電子注入層上に、陰極としてAlを150nm被覆する。
図11は、本発明の特性を説明するための実施例である。
1)まず、透明基板上にITOの陽極を形成し、陽極上に、フタロシアニン銅(CuPc)からなる正孔注入層を約25nm被覆する。
2)その上に、正孔輸送層として4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(NPD)を約35nm被覆する。
3)正孔輸送層上に、緑色発光層を作るために、8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)にC545Tを約1%ドーピングして25nm程度被覆する。
4)発光層上に、電子輸送層(ETL)として電子移動度(electronmobility)の良好なAlq3と正孔ブロック能力に優れたBalqを、Balq:Alq3=3:7(素子C)、Balq:Alq3=5:5(素子D)またはBalq:Alq3=7:3(素子E)vol%の割合として35nm程度被覆する。
5)電子輸送層上に、電子注入層(EIL)としてLiFを0.5nm程度被覆する。
6)電子注入層上に、陰極としてAlを150nm被覆する。
次に、本発明で使用された電子輸送層の他の例について説明する。
電子を輸送する物質をBeBq2とし、正孔を抑制する物質をBalqとして素子を製作した。
ここで、BeBq2は、上記の例で使用されたAlq3よりも電子輸送能力に優れているため、素子の性能がより高められた。
図14は、本発明の特性を説明するための実施例である。
1)まず、透明基板上にITOの陽極を形成し、陽極上に、フタロシアニン銅(CuPc)からなる正孔注入層を約25nm被覆する。
2)その上に、正孔輸送層として4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(NPD)を約35nm被覆する。
3)正孔輸送層上に、緑色発光層を作るために、8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)にC545Tを約1%ドーピングして25nm程度被覆する。
4)発光層上に、電子輸送層(ETL)として電子移動度(electron mobility)が良好なBeBq2と正孔ブロック能力に優れたBalqを、Balq:BeBq2=5:5(素子F)vol%の割合として35nm程度被覆する。
5)電子輸送層上に、電子注入層(EIL)としてLiFを0.5nm程度被覆する。
6)電子注入層上に、陰極としてAlを150nm被覆する。
図15を参照すると、同輝度5000nit(L/L0=100%)で、素子Fの寿命が素子Aに比べて顕著に向上したことがわかる。
図16及び図17は、本発明の特性を説明するための実施例である。
1)まず、透明基板上に、ITOの陽極を形成し、陽極上に、フタロシアニン銅(CuPc)からなる正孔注入層を約25nm被覆する。
2)その上に、正孔輸送層として4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(NPD)を約35nm被覆する。
3)正孔輸送層上に、リン光緑色発光層を作るために、4,48-N,N8-dicarbazole-1,18-biphenyl(CBP)にtris(2-phenylpyridine)iridium[Ir(ppy)3]を約8%ドーピングして約25nm程度被覆する。
4)続いて、三重項エキシトンを抑制する物質として、2,9-dimethyl-4,7-diphenyl 1,10-phenanthroline(BCP)を10nm程度被覆し、電子輸送層(ETL)としてAlq3を25nm程度被覆する。
すなわち、
CBP+Ir(ppy)3(8%)[25nm]/BCP[10nm]/Alq3[25nm]………素子G
とする。
または、本発明で使用された電子輸送層として、電子移動度(electron mobility)が良好なBeBq2と正孔ブロック能力に優れたBalqをそれぞれvol%で5:5の割合として35nm程度被覆する。
すなわち、
CBP+Ir(ppy)3(8%)[25nm]/Balq:BeBq2=5:5[35nm]………素子H
とする。
5)電子輸送層上に、電子注入層(EIL)としてLiFを0.5nm程度被覆する。
6)電子注入層上に、陰極としてAlを150nm被覆する。
すなわち、電子輸送層は各素子に対して下記のように蒸着される。
Greenリン光素子:CBP+Ir(ppy)3/BCP(10nm)/Alq3(25nm)
Red蛍光素子:Alq3+dcjtb/Alq3(35nm)
Blue蛍光素子:DPVBi/Alq3(35nm)
となる。
Greenリン光素子:CBP+Ir(ppy)3/Balq:BeBq2=5:5、35nm
Red蛍光素子:Alq3+dcjtb/Balq:BeBq2=5:5、35nm
Blue蛍光素子:DPVBi/Balq:BeBq2=5:5、35nm
となる。
1)まず、透明基板上に、ITOの陽極を形成し、陽極上に、フタロシアニン銅(CuPc)からなる正孔注入層を約25nm被覆する。
2)その上に、正孔輸送層として4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(NPD)を約35nm被覆する。
3)正孔輸送層上に、緑色発光層を作るために、8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)にC545Tを約1%ドーピングし、これを25nm程度被覆する。
4)発光層上に、電子輸送層(ETL)の第1層としてAlq3を約25nm被覆する。
5)電子輸送層の第1層上に、電子輸送層の第2層をBeBq2:LiF=1:1(素子I)vol%の割合として約35nm被覆する。
ここで、電子輸送層の第2層は、電子注入層(EIL:electron injection layer)の機能をも兼ねる。
6)電子輸送層の第2層上に、陰極としてAlを150nm程度被覆する。
例6は、例3における電子輸送層と例5における電子輸送層の第2層を同時に適用したものである。
1)まず、透明基板上に、ITOの陽極を形成し、陽極上に、フタロシアニン銅(CuPc)からなる正孔注入層を約25nm被覆する。
2)その上に、正孔輸送層として4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(NPD)を約35nm被覆する。
3)正孔輸送層上に、緑色発光層を作るために、8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)にC545Tを約1%ドーピングし、これを25nm程度被覆する。
4)発光層上に、電子輸送層(ETL)の第1層を形成する。
電子輸送層の第1層は、正孔ブロック性質を有する物質(HBM:Hole Blocking Materials)であるBalqと発光層(Emitting Layer)への電子輸送を促す物質であるAlq3とを5:5vol%の割合として共蒸着して約25nmとした。
5)電子輸送層の第1層上に、電子輸送層の第2層を形成する。
電子輸送層の第2層は、電子輸送を促す物質であるBeBq2と電子注入を促す物質であるLiFを1:1vol%の割合として共蒸着して約10nmとした。
すなわち、電子輸送層の第1層/電子輸送層の第2層は、
Balq:Alq3(5:5)[25nm]/BeBq2:LiF(1:1)[10nm]………素子J
とする。
6)電子輸送層の第2層上に、陰極としてAlを150nm程度被覆する。
例7は、例3における電子輸送層と例5における電子輸送層の第2層を同時に適用した例6の変形例である。
1)まず、透明基板上にITOの陽極を形成し、陽極上に、フタロシアニン銅(CuPc)からなる正孔注入層を約25nm被覆する。
2)その上に、正孔輸送層として、4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(NPD)を約35nm被覆する。
3)正孔輸送層上に、緑色発光層を作るために、8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)にC545Tを約1%ドーピングし、これを25nm程度被覆する。
4)発光層上に、電子輸送層(ETL)の第1層を形成する。
電子輸送層の第1層は、正孔ブロック性質を有する物質(HBM)であるBalqと発光層への電子輸送を促す物質であるBeBq2を5:5vol%の割合として共蒸着(co-deposition)して約25nmとした。
5)次に、電子輸送層の第1層上に、電子輸送層の第2層を形成する。
電子輸送層の第2層は、電子輸送を促す物質であるBeBq2と電子注入を促す物質であるLiFを1:1vol%の割合として共蒸着して約10nmとした。
すなわち、電子輸送層の第1層/電子輸送層の第2層は、
Balq:BeBq2(5:5)[25nm]/BeBq2:LiF(1:1)[10nm]………素子K
とする。
6)電子輸送層の第2層上に、陰極としてAlを150nm程度被覆する。
例8は、例3における電子輸送層と例5における電子輸送層の第2層を同時に適用した例6の他の変形例である。
1)まず、透明基板上にITOの陽極を形成し、陽極上に、フタロシアニン銅(CuPc)からなる正孔注入層を約25nm被覆する。
2)その上に、正孔輸送層として4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(NPD)を約35nm被覆する。
3)正孔輸送層上に、緑色発光層を作るために、8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)にC545Tを約1%ドーピングし、これを25nm程度被覆する。
4)発光層上に、電子輸送層(ETL)の第1層を形成する。
電子輸送層の第1層は、正孔ブロック性質を有する物質(HBM:Hole Blocking Materials)であるBCPと発光層(EmittingLayer)への電子輸送を促す物質であるBeBq2を5:5vol%の割合として共蒸着(co-deposition)して約25nmとした。
5)電子輸送層の第1層上に、電子輸送層の第2層を形成する。
電子輸送層の第2層は、電子輸送を促す物質であるBeBq2と電子注入を促す物質であるLiFを1:1vol%割合として共蒸着して約10nmとした。
すなわち、電子輸送層の第1層/電子輸送層の第2層は、
BCP:BeBq2(5:5)[25nm]/BeBq2:LiF(1:1)[10nm]………素子L
とする。
6)次に、電子輸送層の第2層上に、陰極としてAlを150nm程度被覆する。
例9は、電子輸送層の第1層を単一物質とし、電子輸送層の第2層を混合物質としたものである。
1)まず、透明基板上にITOの陽極を形成し、陽極上に、フタロシアニン銅(CuPc)からなる正孔注入層を約25nm被覆する。
2)その上に、正孔輸送層として4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl(NPD)を約35nm被覆する。
3)正孔輸送層上に、緑色発光層を作るために、8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)にC545Tを約1%ドーピングし、これを25nm程度被覆する。
4)発光層上に、電子輸送層(ETL)の第1層を形成する。
電子輸送層の第1層は、正孔ブロック性質を有する物質(HBM)であるBalqを約10nmとして形成する。
5)電子輸送層の第1層上に、電子輸送層の第2層を形成する。
電子輸送層の第2層は、電子輸送を促す物質であるBeBq2と電子注入を促す物質であるLiFを1:1vol%の割合として共蒸して約25nmとした。
すなわち、電子輸送層の第1層/電子輸送層の第2層は、
Balq[10nm]/BeBq2:LiF(1:1)[25nm]………素子M
6)電子輸送層の第2層上に、陰極としてAlを150nm程度被覆する。
ETL 電子輸送層
HTL 正孔輸送層
HIL 正孔注入層
EF フェルミエネルギー
LUMO 最低非占有分子軌道
HOMO 最高占有分子軌道
Claims (38)
- 陽極と陰極との間に、発光層、電子輸送層を含む積層構造を有する有機EL素子であって、
前記電子輸送層は、
少なくとも2以上の物質が混合された混合物からなり、前記発光層に隣接した第1層と、
少なくとも2以上の物質が混合された混合物からなり、前記陰極に隣接した第2層と、を含み、
前記少なくとも2以上の物質が混合された混合物は、1つの有機化合物と1以上の他の有機化合物、1つの金属または無機化合物と1以上の他の金属または無機化合物、または、1以上の有機化合物と1以上の金属または無機化合物の混合物からなることを特徴とする有機EL素子。 - 前記電子輸送層の第1層または第2層の厚さは、0.1〜200nmであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送層の第1層または第2層は、第1物質と第2物質とが混合された混合物からなり、前記第1物質と第2物質の組成比は、第1物質X:第2物質Y=1〜100:1、または第1物質X:第2物質Y=1:1〜100であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送層の第1層または第2層は、第1物質と2以上の複数物質とが混合された混合物からなり、前記第1物質と複数物質の組成比は、第1物質X:複数物質Y=1〜100:1、または第1物質X:複数物質Y=1:1〜100であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送層の第1層は、少なくとも1つの正孔ブロック(hole block)性質を有する物質と、少なくとも1つの電子輸送(electron transport)性質を有する物質とを含み、前記電子輸送層の第2層は、少なくとも1つの電子輸送性質を有する物質と、少なくとも1つの電子注入または輸送を容易にする性質を有する物質とを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記正孔ブロック性質を有する物質は、酸化ポテンシャル(Oxidation Potential)が0.4Vよりも大きく、最高占有分子軌道(HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital))の絶対値が5.2eV以上であることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
- 前記正孔ブロック性質を有する物質は、置換または非置換の8-ヒドロキシキノリン(hydroxyquinoline)を含む金属錯物であり、前記金属は、アルミニウム(Al)、亜鉛(Zn)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)から選ばれることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
- 前記正孔ブロック性質を有する物質は、置換または非置換の1,10-フェナントロリン(phenanthroline)誘導体、または置換または非置換のカルバゾール(Carbazole)誘導体であることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
- 前記正孔ブロック性質を有する物質は、Balq(aluminum(III)bis(2-methyl-8-quinolinato)4-phenylphenolate)、BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、CBP[4,48-N,N8-diCarbazole-1,18-biphenyl]、CF−X、CF−Yから選ばれることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送性質を有する物質は、モビリティ(mobility)が1.0*10−6cm2/Vs以上であることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送性質を有する物質は、置換または非置換のAlコンプレックス(complex)、置換または非置換のBeコンプレックス、置換または非置換のZnコンプレックス、置換または非置換のオキシジアゾール(oxidiazole)誘導体、置換または非置換のトリアゾール(triazole)誘導体、置換または非置換のチオフェン(thiophene)誘導体、置換または非置換のピロール(pyrrole)誘導体、置換または非置換のシラシクロペンタジエン(sila-cyclopentadiene)誘導体、置換または非置換のアントラセン(anthracene)誘導体、置換または非置換のピレン(pyrene)誘導体、置換または非置換のペリレン(perylene)誘導体から選ばれることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送性質を有する物質は、Alq3[Tris-(8-hydroxyquinolinolato)-aluminium]、BeBq2[bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium]、Zn(oxz)2[Bis(2-(2-hydroxyphenyl)-benz-1,3-oxadiazolato)zinc]、PBD[2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butyl-phenyl)-1,3,4-oxadiazole]、TAZ[3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole]、Liq[8-Quinolinolato Lithium]、Mgq2[Bis(8-Quinolinolato)Magnesium]、Znq2[Bis(8-Quinolinolato)Zinc]から選ばれることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
- 前記電子注入または輸送を容易にする性質を有する物質は、無機化合物または金属であることを特徴とする請求項5に記載の有機EL素子。
- 前記無機化合物は、アルカリ金属化合物、アルカリ土金属化合物、土金属化合物、ランタニド化合物から選ばれることを特徴とする請求項13に記載の有機EL素子。
- 前記無機化合物は、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、FrClのハライド化合物と、Li2O、Li2O2、Na2O、K2O、Rb2O、Rb2O2、Cs2O、Cs2O2、LiAlO2、LiBO2、LiTaO3、LiNbO3、LiWO4、Li2CO、NaWO4、KAlO2、K2SiO3、B2O5、Al2O3、SiO2の酸化物から選ばれることを特徴とする請求項13に記載の有機EL素子。
- 前記金属は、アルカリ金属、アルカリ土金属、土金属、希土類金属及びこれらの合金から選ばれることを特徴とする請求項13に記載の有機EL素子。
- 前記金属は、Li、Na、K、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Sm、Gd、Eb、Yb、Al:Li合金、Mg:Sr合金、In:Li合金から選ばれることを特徴とする請求項13に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送層の第2層は、少なくとも1以上の有機化合物または少なくとも1以上の有機金属化合物からなり、前記有機または有機金属化合物は、フタロシアン(phthalocyanine)誘導体及び金属フタロシアン(metallophthalocyanine)誘導体であって、金属成分は、Co、AlCl、Cu、Li2、Fe、Pb、Mg、Na2、Sn、Zn、Ni、Mn、VO、Ag2、MnCl、SiCl2、SnCl2のいずれか一つからなり、または、ポルフィリン(porphyrin)誘導体及び金属ポルフィリン(metalloporphyrin)誘導体であって、金属成分は、Co、AlCl、Cu、Li2、Fe、Pb、Mg、Na2、Sn、Zn、Ni、Mn、VO、Ag2、MnCl、SiCl2、SnCl2のいずれか一つからなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送層の第1層と第2層との間には、第3層がさらに形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記第3層は、少なくとも1以上のサブ層から構成されることを特徴とする請求項19に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送層の第3層は、有機化合物、金属化合物、無機化合物から選ばれた少なくとも2物質が混合された混合物であるか、または、有機化合物、金属化合物、無機化合物から選ばれた単一物質であることを特徴とする請求項19に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送層の第3層は、前記電子輸送層の第1及び第2層と同じ物質または異なる物質からなることを特徴とする請求項19に記載の有機EL素子。
- 前記陽極と発光層との間には、正孔注入層、正孔輸送層のうち少なくとも1層が形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記陰極と電子輸送層との間には、電子注入層が形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記発光層は、1以上であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記発光層は、リン光物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記第1及び第2電極のうち少なくともいずれか一つは、透明な物質からなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 陽極と陰極間とのに、発光層、電子輸送層を含む積層構造を有するフルカラー有機EL素子であって、
前記発光層は、少なくとも1つのリン光物質を含み、
前記電子輸送層は、
少なくとも1つの正孔ブロック(hole block)性質を有する物質と、少なくとも1つの電子輸送(electron transport)性質を有する物質とが混合された混合物からなり、前記発光層に隣接した第1層と、
少なくとも1つの電子輸送性質を有する物質と、少なくとも1つの電子注入または輸送を容易にする性質を有する物質とが混合された混合物からなり、前記陰極に隣接した第2層と、を含むことを特徴とする有機EL素子。 - 前記電子輸送層の第1層と第2層との間には、少なくとも1以上のサブ層から構成される第3層がさらに形成され、前記第3層の各サブ層は、有機化合物、金属化合物、無機化合物から選ばれた少なくとも2物質が混合された混合物であるか、または、有機化合物、金属化合物、無機化合物から選ばれた単一物質であることを特徴とする請求項28に記載の有機EL素子。
- 陽極と陰極との間に、発光層、電子輸送層を含む発光ユニットを複数個有する有機EL素子であって、
前記相互に隣接している発光ユニットは、界面層により分離され、
前記電子輸送層は、
少なくとも1つの正孔ブロック(hole block)性質を有する物質と、少なくとも1つの電子輸送(electron transport)性質を有する物質とが混合された混合物からなり、前記発光層に隣接した第1層と、
少なくとも1つの電子輸送性質を有する物質と、少なくとも1つの電子注入または輸送を容易にする性質を有する物質とが混合された混合物からなり、前記陰極に隣接した第2層と、を含むことを特徴とする有機EL素子。 - 前記各発光ユニットは、互いに同じ積層構造からなるか、または、それぞれ異なる積層構造からなることを特徴とする請求項30に記載の有機EL素子。
- 前記電子輸送層の第1層と第2層との間には、少なくとも1以上のサブ層から構成される第3層がさらに形成され、前記第3層の各サブ層は、有機化合物、金属化合物、無機化合物から選ばれた少なくとも2物質が混合された混合物であるか、または、有機化合物、金属化合物、無機化合物から選ばれた単一物質であることを特徴とする請求項30に記載の有機EL素子。
- 基板上に第1電極を形成する段階と、
前記第1電極上に、少なくとも1つのリン光物質を含む発光層を形成する段階と、
前記発光層の全体上に共通して少なくとも1つの正孔ブロック(hole block)性質を有する物質と、少なくとも1つの電子輸送(electron transport)性質を有する物質とが混合された混合物からなる第1層と、少なくとも1つの電子輸送性質を有する物質と少なくとも1つの電子注入または輸送を容易にする性質を有する物質とが混合された混合物からなる第2層と、から構成された電子輸送層を形成する段階と、
前記電子輸送層上に、第2電極を形成する段階と、
を備えてなることを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記第1電極は陽極であり、前記第2電極は陰極であることを特徴とする請求項33に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記第1電極と発光層との間に、正孔注入層、正孔輸送層のうち少なくともいずれか一つを形成する段階をさらに備えることを特徴とする請求項33に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記電子輸送層を形成する段階は、
前記発光層上に少なくとも1つの正孔ブロック(hole block)性質を有する物質と、少なくとも1つの電子輸送(electron transport)性質を有する物質とが混合された混合物からなる第1層を形成する段階と、
前記第2層上に少なくとも1つの電子輸送性質を有する物質と、少なくとも1つの電子注入または輸送を容易にする性質を有する物質とが混合された混合物からなる第2層を形成する段階と、からなることを特徴とする請求項33に記載の有機EL素子の製造方法。 - 前記第1層上に少なくとも1以上のサブ層から構成され、有機化合物、金属化合物、無機化合物から選ばれた少なくとも2物質が混合された混合物からなるか、または、有機化合物、金属化合物、無機化合物から選ばれた単一物質からなる第3層を形成する段階をさらに備えることを特徴とする請求項36に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記第2電極と電子輸送層との間に、電子注入層を形成する段階をさらに備えることを特徴とする請求項33に記載の有機EL素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050067300A KR100806812B1 (ko) | 2005-07-25 | 2005-07-25 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007036175A true JP2007036175A (ja) | 2007-02-08 |
JP4478101B2 JP4478101B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=37177846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005356387A Active JP4478101B2 (ja) | 2005-07-25 | 2005-12-09 | 有機el素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8563143B2 (ja) |
EP (1) | EP1748505B1 (ja) |
JP (1) | JP4478101B2 (ja) |
KR (1) | KR100806812B1 (ja) |
CN (1) | CN100576600C (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009124138A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子 |
JP2009206512A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
US8142910B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-03-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US8274212B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting device including first hole injection layer and second hole injection layer |
US8557398B2 (en) | 2007-12-24 | 2013-10-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
WO2013161639A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、透明電極の製造方法、電子デバイス、および有機電界発光素子 |
WO2015141144A1 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | 株式会社Joled | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
JP2018513548A (ja) * | 2015-03-16 | 2018-05-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子 |
CN111183709A (zh) * | 2017-09-12 | 2020-05-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
US10818863B2 (en) | 2017-10-27 | 2020-10-27 | Joled Inc. | Organic electroluminescent element, organic electroluminescent unit, and electronic apparatus |
JP2020184569A (ja) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子、それを有する表示装置、撮像装置、照明装置、移動体 |
US11508928B2 (en) | 2019-11-29 | 2022-11-22 | Joled Inc. | Self-luminous element and self-luminous display panel |
US11758749B2 (en) | 2018-10-26 | 2023-09-12 | Joled Inc. | Organic EL element having one functional layer with NaF and the other functional layer with Yb |
Families Citing this family (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100672535B1 (ko) * | 2005-07-25 | 2007-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
KR101384785B1 (ko) | 2006-06-01 | 2014-04-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광소자, 발광장치 및 전자기기 |
US9397308B2 (en) * | 2006-12-04 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
KR20080051572A (ko) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 주성엔지니어링(주) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR100879476B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2009-01-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR100879477B1 (ko) * | 2007-10-11 | 2009-01-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
TWI479712B (zh) | 2007-10-19 | 2015-04-01 | Semiconductor Energy Lab | 發光裝置 |
KR20090048299A (ko) * | 2007-11-08 | 2009-05-13 | 주식회사 엘지화학 | 새로운 유기 발광 소자 재료 및 이를 이용한 유기 발광소자 |
US8080937B2 (en) * | 2007-11-12 | 2011-12-20 | Universal Display Corporation | OLED having a charge transport enhancement layer |
KR100922755B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR101320107B1 (ko) * | 2007-12-31 | 2013-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
KR100922760B1 (ko) * | 2008-03-03 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
WO2009116605A1 (en) | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
WO2009116547A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
BRPI0906245A2 (pt) | 2008-03-24 | 2015-06-30 | Medivation Technologies Inc | Composto, método para tratar um distúrbio cognitivo, psicótico, mediado por neurotransmissor ou um distúrbio neuronal em indivíduo, uso de um composto, composição farmacêutica e kit |
WO2009123763A2 (en) | 2008-04-03 | 2009-10-08 | Qd Vision, Inc. | Light-emitting device including quantum dots |
US9525148B2 (en) | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
KR100924144B1 (ko) | 2008-06-05 | 2009-10-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법 |
EP2345096B1 (en) * | 2008-10-28 | 2018-10-17 | The Regents of the University of Michigan | Stacked white oled having separate red, green and blue sub-elements |
JP5759669B2 (ja) | 2008-12-01 | 2015-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
JP5690482B2 (ja) | 2008-12-01 | 2015-03-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置および照明装置 |
EP2200407B1 (en) | 2008-12-17 | 2017-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-Emitting element, light emitting device, and electronic device |
KR100994118B1 (ko) * | 2009-01-13 | 2010-11-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
TWI528862B (zh) * | 2009-01-21 | 2016-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件,發光裝置以及電子裝置 |
US8206842B2 (en) * | 2009-04-06 | 2012-06-26 | Global Oled Technology Llc | Organic element for electroluminescent devices |
US8389979B2 (en) * | 2009-05-29 | 2013-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
DE102009041289A1 (de) * | 2009-09-16 | 2011-03-17 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtung |
JP5851683B2 (ja) | 2009-10-14 | 2016-02-03 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 有機発光素子及びその製造方法 |
EP2365556B1 (en) * | 2010-03-08 | 2014-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
EP2367215A1 (en) * | 2010-03-15 | 2011-09-21 | Novaled AG | An organic photoactive device |
CN102201541B (zh) | 2010-03-23 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
JP5801579B2 (ja) | 2010-03-31 | 2015-10-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 |
TWI506121B (zh) | 2010-03-31 | 2015-11-01 | Semiconductor Energy Lab | 發光元件,發光裝置,電子裝置以及照明裝置 |
KR20120010438A (ko) | 2010-07-26 | 2012-02-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 소자 |
DE102010041331A1 (de) * | 2010-09-24 | 2012-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Ladungsträgermodulation zur Farb- und Helligkeitsabstimmung in organischen Leuchtdioden |
US20140021857A1 (en) * | 2011-04-12 | 2014-01-23 | Koninklijke Philips N.V. | luminescent converter for a phosphor enhanced light source |
US9520573B2 (en) | 2011-05-16 | 2016-12-13 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots and method for making same |
KR20120128483A (ko) | 2011-05-17 | 2012-11-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 |
KR20130022986A (ko) * | 2011-08-26 | 2013-03-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 |
KR101671343B1 (ko) * | 2012-05-22 | 2016-11-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 |
US10374187B2 (en) | 2012-05-22 | 2019-08-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device and method of producing the same |
KR102014168B1 (ko) * | 2012-10-12 | 2019-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 물질층 형성 방법 |
KR102017745B1 (ko) * | 2012-10-12 | 2019-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN103078061B (zh) * | 2013-01-23 | 2014-07-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种二极管及显示面板 |
KR102079254B1 (ko) | 2013-06-24 | 2020-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
US9257672B2 (en) | 2013-09-09 | 2016-02-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
CN103700775B (zh) * | 2013-12-31 | 2017-08-25 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
KR102142620B1 (ko) * | 2014-02-19 | 2020-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR102255197B1 (ko) | 2014-05-02 | 2021-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
KR102389564B1 (ko) * | 2014-12-08 | 2022-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
JP6510223B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2019-05-08 | 株式会社Joled | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
JP6661272B2 (ja) * | 2015-02-03 | 2020-03-11 | 住友化学株式会社 | 有機el素子 |
KR102423171B1 (ko) * | 2015-03-16 | 2022-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR101774900B1 (ko) | 2015-03-25 | 2017-09-05 | (주)부흥산업사 | 유기 전계발광 소자용 방향족 트리아진 유도체의 제조방법 |
KR102494453B1 (ko) * | 2015-10-05 | 2023-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102562894B1 (ko) * | 2015-12-28 | 2023-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
CN105679958B (zh) * | 2016-04-20 | 2018-03-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
CN106711651B (zh) * | 2016-11-30 | 2019-04-12 | 维沃移动通信有限公司 | 一种usb接口模组及移动终端 |
KR102452648B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2022-10-06 | 삼성전자주식회사 | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN108717956B (zh) * | 2018-05-31 | 2020-04-03 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其显示装置 |
CN111384279B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-06-22 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管 |
US11893149B2 (en) * | 2019-04-03 | 2024-02-06 | The Johns Hopkins University | Flexible transparent membrane light emitting diode array and systems containing the same |
CN112542555B (zh) * | 2019-09-20 | 2023-02-03 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种复合物及其制备方法与量子点发光二极管 |
CN112331787B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-07-12 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 金属四苯基卟啉复合物在电子传输材料中的应用、量子点发光器件及其制备方法和发光装置 |
CN111864093B (zh) * | 2020-07-15 | 2022-07-19 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 一种用于电子传输层的组合物、电子传输层及光电器件 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002313583A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2003272860A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2004207000A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP2004311231A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP2004319424A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光ディスプレイ装置 |
JP2005123094A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法 |
JP2005183213A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el素子及びその形成方法 |
JP2005190998A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子およびそれを用いた発光装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2937015B2 (ja) * | 1993-07-28 | 1999-08-23 | 住友電気工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH1167450A (ja) | 1997-08-12 | 1999-03-09 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
US6420031B1 (en) * | 1997-11-03 | 2002-07-16 | The Trustees Of Princeton University | Highly transparent non-metallic cathodes |
CN1155115C (zh) | 1997-11-17 | 2004-06-23 | Lg电子株式会社 | 有机场致发光器件 |
US6064151A (en) * | 1997-12-08 | 2000-05-16 | Motorola, Inc. | Organic electroluminescent device with enhanced performance |
JP3370011B2 (ja) | 1998-05-19 | 2003-01-27 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR100277639B1 (ko) | 1998-11-12 | 2001-01-15 | 김순택 | 유기 전자발광소자 |
JP4068279B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2008-03-26 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP3889564B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2007-03-07 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
SG2009086778A (en) * | 2000-12-28 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Luminescent device |
TW545080B (en) | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
SG118110A1 (en) | 2001-02-01 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting element and display device using the element |
US6627333B2 (en) * | 2001-08-15 | 2003-09-30 | Eastman Kodak Company | White organic light-emitting devices with improved efficiency |
US6750608B2 (en) * | 2001-11-09 | 2004-06-15 | Konica Corporation | Organic electroluminescence element and display |
US6872472B2 (en) | 2002-02-15 | 2005-03-29 | Eastman Kodak Company | Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units |
JP4165692B2 (ja) * | 2002-08-05 | 2008-10-15 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
US6717358B1 (en) * | 2002-10-09 | 2004-04-06 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability |
US20040142207A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-07-22 | Wen-Chun Wang | Organic electoluminescent device with improved performance |
JP4357854B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2009-11-04 | 大日本印刷株式会社 | 光学フィルターおよびこれを用いた有機elディスプレイ |
US6991859B2 (en) * | 2003-03-18 | 2006-01-31 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent devices |
US7179543B2 (en) * | 2003-10-06 | 2007-02-20 | The Trustees Of Princeton University | Doping of organic opto-electronic devices to extend reliability |
US7605534B2 (en) * | 2003-12-02 | 2009-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element having metal oxide and light-emitting device using the same |
KR100992727B1 (ko) | 2003-12-27 | 2010-11-05 | 엘지전자 주식회사 | 다중경로 검색기의 최적 파라미터 도출방법 |
KR100672535B1 (ko) * | 2005-07-25 | 2007-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-07-25 KR KR1020050067300A patent/KR100806812B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-09 JP JP2005356387A patent/JP4478101B2/ja active Active
-
2006
- 2006-02-22 US US11/357,945 patent/US8563143B2/en active Active
- 2006-02-22 EP EP06003606.8A patent/EP1748505B1/en active Active
- 2006-03-15 CN CN200610059144A patent/CN100576600C/zh active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002313583A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2003272860A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-09-26 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP2004207000A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP2004311231A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Denso Corp | 有機el素子 |
JP2004319424A (ja) * | 2003-04-17 | 2004-11-11 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光ディスプレイ装置 |
JP2005123094A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法 |
JP2005190998A (ja) * | 2003-12-02 | 2005-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2005183213A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el素子及びその形成方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7973467B2 (en) | 2007-11-15 | 2011-07-05 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
JP2009124138A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光素子 |
US8557398B2 (en) | 2007-12-24 | 2013-10-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
US8274212B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting device including first hole injection layer and second hole injection layer |
JP2009206512A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子 |
US8142910B2 (en) | 2008-03-04 | 2012-03-27 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
US9287521B2 (en) | 2012-04-23 | 2016-03-15 | Konica Minolta, Inc. | Transparent electrode, method for manufacturing transparent electrode, electronic device, and organic electroluminescence element |
WO2013161639A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、透明電極の製造方法、電子デバイス、および有機電界発光素子 |
JPWO2013161639A1 (ja) * | 2012-04-23 | 2015-12-24 | コニカミノルタ株式会社 | 透明電極、透明電極の製造方法、電子デバイス、および有機電界発光素子 |
JPWO2015141144A1 (ja) * | 2014-03-18 | 2017-04-06 | 株式会社Joled | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
WO2015141144A1 (ja) * | 2014-03-18 | 2015-09-24 | 株式会社Joled | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
US10181582B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-15 | Joled Inc. | Organic EL element comprising first and second interlayers of specified materials and thicknesses, and method for manufacturing thereof |
JP2018513548A (ja) * | 2015-03-16 | 2018-05-24 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子 |
US10686150B2 (en) | 2015-03-16 | 2020-06-16 | Lg Chem, Ltd. | Organic light emitting device |
CN111183709A (zh) * | 2017-09-12 | 2020-05-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
JPWO2019053559A1 (ja) * | 2017-09-12 | 2020-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
CN111183709B (zh) * | 2017-09-12 | 2023-12-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
US10818863B2 (en) | 2017-10-27 | 2020-10-27 | Joled Inc. | Organic electroluminescent element, organic electroluminescent unit, and electronic apparatus |
US11758749B2 (en) | 2018-10-26 | 2023-09-12 | Joled Inc. | Organic EL element having one functional layer with NaF and the other functional layer with Yb |
JP2020184569A (ja) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子、それを有する表示装置、撮像装置、照明装置、移動体 |
JP7263104B2 (ja) | 2019-05-07 | 2023-04-24 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子、それを有する表示装置、撮像装置、照明装置、移動体 |
US11508928B2 (en) | 2019-11-29 | 2022-11-22 | Joled Inc. | Self-luminous element and self-luminous display panel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070020483A1 (en) | 2007-01-25 |
EP1748505A3 (en) | 2011-10-05 |
CN100576600C (zh) | 2009-12-30 |
KR100806812B1 (ko) | 2008-02-25 |
CN1905235A (zh) | 2007-01-31 |
US8563143B2 (en) | 2013-10-22 |
JP4478101B2 (ja) | 2010-06-09 |
EP1748505B1 (en) | 2017-01-04 |
EP1748505A2 (en) | 2007-01-31 |
KR20070013002A (ko) | 2007-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4925088B2 (ja) | 有機el素子 | |
JP4478101B2 (ja) | 有機el素子及びその製造方法 | |
US8945722B2 (en) | Materials and architectures for efficient harvesting of singlet and triplet excitons for white light emitting OLEDs | |
US8420228B2 (en) | Organic electroluminescence display with intermediate layer and method for fabricating the same | |
US7474048B2 (en) | Fluorescent filtered electrophosphorescence | |
US7683536B2 (en) | OLEDs utilizing direct injection to the triplet state | |
KR101026514B1 (ko) | 유기발광장치 | |
TWI413287B (zh) | 用於高效率磷光OLEDs之電子阻抗層 | |
JP4889765B2 (ja) | 有機電界発光素子及び有機電界発光素子の製造方法 | |
KR100698300B1 (ko) | 유기 el 소자 및 그 제조방법 | |
US7453204B2 (en) | Light emitting element with light-emitting material in different concentrations | |
US20080238300A1 (en) | Organic electroluminescence device and method for fabricating the same | |
KR100990451B1 (ko) | 샌드위치 혼합된 이중 발광호스트를 이용한 고효율 인광유기발광다이오드 및 그의 제조 방법 | |
JP4782791B2 (ja) | 三原色光を利用する白色有機電界発光素子 | |
TWI249368B (en) | White organic light emitting device using three emissive layer | |
KR20160043891A (ko) | 유기전계발광소자 | |
CN114267803B (zh) | 显示面板及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090317 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090617 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090811 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091211 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100309 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100312 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4478101 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |