CN1155115C - 有机场致发光器件 - Google Patents

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CN1155115C CNB981166164A CN98116616A CN1155115C CN 1155115 C CN1155115 C CN 1155115C CN B981166164 A CNB981166164 A CN B981166164A CN 98116616 A CN98116616 A CN 98116616A CN 1155115 C CN1155115 C CN 1155115C
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Abstract

本发明公开了一种改善长期稳定性的有机电场致发光器件，在EL多层和阴极之间包括有层I和层II的双层或这两层的混合层，层I由至少一种碱金属、碱土金属或其化合物组成，层II由至少一种选自具有下列化学式I的材料组成。

Description

有机场致发光器件
                    技术领域
本发明涉及显示器，更具体地说，涉及有机场致发光(EL)器件。
                    背景技术
有机EL器件也称为有机发光二极管(LEDs)，因其能在平盘显示器(FPDs)上使用而深受人们的欢迎。它们极薄，在通常低于15伏的较低电压下是矩阵可寻址的和可操作的。此外，它们具有其它特征，适合于继之生产FPDs，尤其是，例如对视野角的依赖性较小，并且在挠性基体上具有良好的器件模塑性。有机LEDs与传统的无机LEDs有着根本的区别。尽管在无机LEDs中的电荷转移呈带状性质，并且电子-空穴重组合引起光的带间发射，而有机膜的特征通常是激活跳跃迁移的迁移率低，发射是受激性的。有机EL器件基本上也与传统的无机EL器件不同，尤其是有机EL器件可在低DC电压下操作。
参见图1，典型的有机EL器件配有在透明基体1上形成的阳极2，在阳极2上形成的空穴注入层(HIL)3和空穴迁移层(HTL)4，在HTL4上形成的发光层5，在发光层5上形成的电子迁移层(ETL)6和电子注入层(EIL)7，和在EIL7上形成的阴极8。HIL、HTL、EIL和ETL中的任一层或多层都可以省去，这要取决于所采用的器件结构。
电子和空穴通过阴极8和阳极2分别注入到发光层中，再结合以放射性衰变。对于大多数有机EL器件来说，对电子的电荷注入阻挡层要比对空穴的高。众所周知，电子注入阻挡层可通过使用用于阴极的低工作功能材料来降低。但是，低工作功能材料是化学反应性材料，这使得它们难以用作电极。因此，这种材料在用一种更稳定的材料(例如实施例中所示的Mg∶Ag和Al∶Li)合金化后，用作为阴极。但是，与铝相比，合金的阴极仍不稳定，形成它们的费用较高，更难以在均匀的膜上沉积。采用Mg∶Ag或Al∶Li合金的阴极经常会带来更严重的问题，在象素之间会频繁地发生串音或漏电，使得Mg或Li离子透过有机层。如果选择铝作为阴极材料，那么会大大缓解这个问题，但是，需要寻找一种方法来提高其低劣的电子注入能力。在铝电极和发光层之间或在铝电极和ETL之间插入一种非常薄的诸如LiF、MgF2或Li2O的电绝缘材料层(通常为0.3-1.0nm)会显著地提高高功函(work function)阴极例如铝的电子注入能力[《IEEE电子器件学报》，第44卷，第8期，第1245-1248(1997)]。Li2O是一种特别令人感兴趣的材料，它是一种功函极低的电绝缘材料。碱金属本身的功函是极低的，它们甚至在氧化时会变得更低：例如Cs的功函从2.1eV降低到Cs2O的约1eV。已有报道用各种碱金属化合物以形成绝缘缓冲层，目的是降低电子注入阻挡层：可提及的化合物是Li2O、LiBO2、NaCl、KCl、K2SiO3、RbCl和Cs2O。尽管进行了所述的改进，但是引入绝缘缓冲层的结果又带来了新的问题：破坏了EL多层和铝之间的粘附力，继而缩短了使用寿命。试验结果表明在缓冲层/铝界面处或在EL多层/缓冲层界面处有粘附力变差的迹象，当考虑到所用材料的不同特性后，这就不太令人惊奇。总之，有关的技术存在粘附力差和使用寿命短的缺点。
                      发明内容
因此，本发明的目的是提供一种有机场致发光器件，它基本上消除了由于有关技术的限制和存在的缺点所带来的一个或多个问题。
本发明的另一个目的是提供一种有机EL器件，它具有长的使用寿命并且高效。
本发明的其它特征和优点将在下文描述，并通过描述部分特征和优点是显而易见的，或者通过实施本发明而熟悉。本发明的目的和其它优点将通过书面描述中具体指出的结构和权利要求及其附图来实现和达到。
为了实现这些和其它优点，根据本发明的目的，正如示例性地和大致描述的，有机场致发光器件包括由至少一种碱金属、碱土金属或其化合物形成的层I，它们位于EL多层和由金属或合金形成的阴极之间，和位于层I和EL多层之间形成的层II。这里，EL多层是指含有发光层和通常HIL、HTL、ETL和EIL的全部或部分的多个层。
根据本发明的一个方面，提供一种有机场致发光(EL)器件，包含：基板；在基板上形成的阳极；在阳极上形成的有机发光层，其中所述有机发光层包含至少一层有机膜；在有机发光层上形成的缓冲层，其中所述缓冲层由至少一种卟啉化合物形成；以及在缓冲层上形成的阴极。
在本发明优选的实施方案中，至少一种卟啉化合物形成层II，该层II所起的作用主要是增强层I和EL多层之间的粘附力，同时保持良好的电子迁移能力。优选的卟啉化合物是下面所示的结构式I的化合物：
化学式I
Figure C9811661600101
式中
A各自独立地表示-N＝或-C(R)＝；
R表示氢、烷基、烷氧基、芳烷基、烷芳基、芳基或杂环基团；
M表示选自元素周期表中第IA、IIA、IIIA和IVA族、第三、第四、第五和第六周期的元素；
Y表示选自烷氧基、苯氧基、烷基胺、芳基胺、烷基膦、芳基膦、烷基硫和芳基硫的基团，和选自元素周期表中第VIA和VIIA族的元素；
n表示0，1或2的整数；和
B(B1-B8)各自独立地表示氢、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟烷基、芳烷基、烷氨基、芳氨基、硫代烷基(alkylthiol)、硫代芳基(arylthiol)、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、胺基、氰基(cyanyl)、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团、或一起组成的未饱和或饱和的五元、六元或七元环，它们可包括有取代基，例如烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟基烷基、芳烷基、烷基氨基、芳基氨基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、胺基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团。优选的五元、六元或七元环是那些由碳、硫、氧和氮环原子形成的环。
更优选的有用的卟啉化合物的实例是酞菁。优选的酞菁是下面列出的结构式II和III：
化学式II                                                                         化学式III
Figure C9811661600111
式中
A各自独立地表示-N＝或-C(R)＝；
R表示氢、烷基、烷氧基、芳烷基、烷芳基、芳基或杂环基团；
M表示选自元素周期表中第IA、IIA、IIIA和IVA族、第三、第四、第五和第六周期的元素；
Y表示选自烷氧基、苯氧基、烷基胺、芳基胺、烷基膦、芳基膦、烷基硫和芳基硫的基团，和选自元素周期表中第VIA和VIIA族的元素；
n表示0，1或2的整数；和
X(X1-X8)各自独立地表示氢、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟基烷基、芳烷基、烷基氨基、芳基氨基、硫代烷基、硫代芳基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、胺基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团、或一起组成的未饱和或饱和的五元、六元或七元环，它们可包括有取代基，例如烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟基烷基、芳烷基、烷基氨基、芳基氨基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、胺基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团。优选的五元、六元或七元环是那些由碳、硫、氧和氮环原子形成的环。
更优选的酞菁实例是下面列出的结构式IV和V的那些化合物：
化学式IV                                                                       化学式V
式中
M表示选自Co、AlCl、Cu、2Li、Fe、Pb、Mg、SiCl2、2Na、Sn、Zn、Ni、Mn、VO、2Ag、MnCl和SnCl2的元素。
本发明另一方面是在EL多层和阴极之间插入一层层I和层II的混合层，代替层I和层II的双层来改善使用寿命和提高电子注入能力。混合层由(1)至少一种碱金属、碱土金属或它们的化合物和(2)至少一种卟啉化合物的共沉积所形成。两种材料之间的混合比可以固定，也可以根据其的位置的功能而改变。
应该清楚上述的大致描述和下面的详细描述是一种示例和说明并且对权利要求中所限定的进一步说明本发明。
                   附图说明
所附的附图用来进一步理解本发明，并加入本文和构成说明书的一部分，说明本发明具体方案并与说明书一起解说本发明的原理：
在附图中：
图1表示背景技术有机EL器件的横截面图；和
图2表示本发明优选实施方式的有机EL器件的横截面图。
                  具体实施方式
现在，参照附图中示出的一个实施方式详述本发明的优选实施方式。图2示意性地表示了本发明优选实施方式的有机EL器件的剖视图。
参照图2，本发明优选实施方式的有机EL器件包括层压结构，由透明基体21、阳极22、EL多层(典型地由HIL、HTL、发光层和ETL构成)23、阴极24和保护膜25组成。在EL多层和阴极之间插入的是层I(27)和层II(26)，它们主要的作用分别是改善电子注入和增强粘附力。在本发明优选的实施方式中，至少一种卟啉化合物形成层II，所起的主要作用是增强层I和EL多层之间的粘附力，同时保持良好的电子迁移能力。优选的卟啉化合物是下面所示的结构式I中的那些化合物：
化学式I
式中
A各自独立地表示-N＝或-C(R)＝；
R表示氢、烷基、烷氧基、芳烷基、烷芳基、芳基或杂环基团；
M表示选自元素周期表中第IA、IIA、IIIA和IVA族、第三、第四、第五和第六周期的元素；
Y表示选自烷氧基、苯氧基、烷基胺、芳基胺、烷基膦、芳基膦、烷基硫和芳基硫的基团，和选自元素周期表中第VIA和VIIA族的元素；
n表示0，1或2的整数；和
B(B1-B8)各自独立地表示氢、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟基烷基、芳烷基、烷基氨基、芳基氨基、硫代烷基、硫代芳基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、氨基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团、或一起组成的未饱和或饱和的五元、六元或七元环，它们可包括有取代基，例如烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟烷基、芳烷基、烷氨基、芳氨基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、氨基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团。优选的五元、六元或七元环是那些由碳、硫、氧和氮环原子形成的环。
更优选的有用卟啉化合物的实例是酞菁。优选的酞菁实例是下面列出的结构式II和III的那些：
化学式II                                                                        化学式III
Figure C9811661600141
式中
A各自独立地表示-N＝或-C(R)＝；
R表示氢、烷基、烷氧基、芳烷基、烷芳基、芳基或杂环基团；
M表示选自元素周期表中第IA、IIA、IIIA和IVA族、第三、第四、第五和第六周期的元素；
Y表示选自烷氧基、苯氧基、烷基胺、芳基胺、烷基膦、芳基膦、烷基硫和芳基硫的基团，和选自元素周期表中第VIA和VIIA族的元素；
n表示0，1或2的整数；和
X(X1-X8)各自独立地表示氢、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟基烷基、芳烷基、烷基氨基、芳基氨基、硫代烷基、硫代芳基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、胺基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团、或一起组成的未饱和或饱和的五元、六元或七元环，它们可包括有取代基，例如烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟基烷基、芳烷基、烷基氨基、芳基氨基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、胺基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团。优选的五元、六元或七元环是那些由碳、硫、氧和氮环原子形成的环。
优选地，所述的化学式I-III中的M可以选自2Li、2Na、Mg、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Pt、Cu、2Ag、Zn、Al、Ga、In、Si、Sn、Pb和2H，而所述的化学式I-III中的Y可以选自氧、氟、氯、溴、烷氧基(烷基部分具有1-10个碳原子)和苯氧基。
最优选的酞菁的实例是下面列出的结构式IV和V的那些化合物：
化学式IV                                                                 化学式V
式中
M表示选自Co、AlCl、Cu、2Li、Fe、Pb、Mg、SiCl2、2Na、Sn、Zn、Ni、Mn、VO、2Ag、MnCl和SnCl2的元素。
设置的层I(27)，目的是提高电子注入能力，它由至少一种碱金属、碱土金属或其化合物组成。优选材料的实例是Li、Cs、Li2O和LiF。阴极24由金属或其合金组成，而铝是最优选的。
在EL多层23和阴极24之间叠加有层I(27)和层II(26)的本发明的有机EL器件的使用寿命基本延长并具有高的发光度。层I(27)和层II(26)可以按相对的顺序叠加，但是，这种叠加的结果是会降低发光度，缩短寿命。层I(27)和层II(26)具有的厚度分别约为0.2-3nm和0.5-50nm。
按照本发明制备器件并将其性能与现有技术的器件进行对比：两种器件A和B是现有技术的器件，而另外两种器件C和D是本发明的器件。用于绿色发射的基本器件结构的构成为：(1)厚度为150nm的氧化铟锡(ITO)，(2)厚度通常为10-20nm的铜酞菁(CuPc)缓冲层，(3)厚度通常为30-50nm的N，N′-二苯基-N，N′-双(3-甲基苯基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(TPD)的空穴迁移层和(4)厚度为40-60nm的三(8-羟基喹啉(quinolate))铝(Alq3)。器件A具有直接在EL多层上形成的铝阴极(器件结构：ITO/CuPc/TPD/Alq3/Al)，而器件B在EL多层和阴极之间有一层1nm厚的Li2O(ITO/CuPc/TPD/Alq3/Li2O(1nm)/Al)。器件C的结构是ITO/CuPc/TPD/Alq3/CuPc(2nm)/Li2O(1nm)/Al，而器件D的结构是ITO/CuPc/TPD/Alq3/Li2O(1nm)/CuPc(2nm)/Al。总之，对器件C和D而言，Li2O(1nm)和CuPc(2nm)层的形成顺序是相反的。最后，将全部器件置于惰性气氛中。
下面的表I列出了试样在恒电流强度为3mA/cm2时，在阳极和阴极之间测定的电压，其发光度和使用寿命。
                    表1
  电压(V) 发光度(cd/m2)     寿命
    器件A     6     50   短(少于1小时)
    器件B     6     100   短(少于1小时)
    器件C     6     150 长(大于2000小时)
    器件D     8     130 中等(大约100小时)
上表所示的寿命表示各个器件的发光度降低到初始值的一半时的时间。显而易见，在表1中，本发明器件C和D的长期稳定性要比现有技术器件A和B的优越，对此可作如下的解释。Li2O与Alq3和铝的粘附性都差。另外，1nm厚的Li2O层不能形成完整和均匀层，而是形成一种岛状结构。显然，部分CuPc层通过Li2O层的开口空间直接与铝接触，从而显著地增强了有机/金属界面的粘附力，因而延长了器件的使用寿命。CuPc中的Cu离子可能是造成CuPc和铝之间比较强结合的主要原因。与器件C相比，器件D具有较高的驱动电压，原因是由于在Li2O和铝之间有CuPc存在，而使电子注入阻挡层升高，但由于电应力和热应力增加而使寿命缩短。
本发明另一方面是在EL多层和阴极之间插入一层层I(27)和层II(26)的混合层，代替层I(27)和层II(26)的双层来改善使用寿命和提高电子注入能力。混合层由(1)至少一种碱金属、碱土金属或它们的化合物和(2)至少一种卟啉化合物的共沉积形成。使用混合层增强了粘附力，但是稍微降低了电子注入。两种材料之间的混合比可以固定，也可以按其位置的功能而改变，当(1)使选自碱金属、碱土金属和其化合物的材料的相对浓度在与EL多层的界面处为零，在与阴极的界面处达到1，而在两者之间逐渐改变，和(2)使卟啉化合物的相对浓度在与EL多层的界面处达到1，在与阴极的界面处为零，而在两者之间逐渐改变时，则能使性能达到最佳。混合层的厚度为0.5-10nm。
本发明有机EL器件具有如下的优点。
在EL多层和阴极之间插入层I和层II的双层或者两层的混合层有助于显著地改善长期稳定性和发光度，其中的层II是由至少一种选自化学式I的材料组成，层I由至少一种碱金属、碱土金属或其化合物组成。
对于本领域熟练的技术人员来说，在不违背本发明精神和范围的前提下，对本发明有机场致发光器件所作的各种改进和改变都是显而易见的。因此，本发明包括了所附的权利要求和其等同物所提供的本发明的改进和改变。

Claims (28)

1.一种有机场致发光器件，包含：
基板；
在基板上形成的阳极；
在阳极上形成的有机发光层，其中所述有机发光层包含至少一层有机膜；
在有机发光层上形成的缓冲层，其中所述缓冲层由至少一种卟啉化合物形成；以及
在缓冲层上形成的阴极。
2.根据权利要求1的器件，其中所述的卟啉化合物是下面所示的化学式I结构的化合物：
化学式I
式中
A各自独立地表示-N＝或-C(R)＝；
R表示氢、烷基、烷氧基、芳烷基、烷芳基、芳基或杂环基团；
M表示选自元素周期表中第IA、IIA、IIIA和IVA族、第三、第四、第五和第六周期的元素；
Y表示选自烷氧基、苯氧基、烷基胺、芳基胺、烷基膦、芳基膦、烷基硫和芳基硫的基团，和选自元素周期表中第VIA和VIIA族的元素；
n表示0，1或2的整数；和
B(B1-B8)各自独立地表示氢、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟烷基、芳烷基、烷氨基、芳氨基、烷硫基、芳硫基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、氨基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团、或一起组成的未饱和或饱和的五元、六元或七元环，它们可包括有取代基，选自烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟烷基、芳烷基、烷氨基、芳氨基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、胺基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团。
3.根据权利要求2的器件，其中所述的五元、六元或七元环是那些由碳、硫、氧和氮环原子形成的环。
4.根据权利要求2或3的器件，其中所述的化学式I中的M是2Li、2Na、Mg、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Pt、Cu、2Ag、Zn、Pd、Al、Ga、In、Si、Sn、Pb、和2H中的任一种。
5.根据权利要求2或3的器件，其中所述的化学式I中的Y是氧、氟、氯、溴、烷基部分具有1-10个碳原子的烷氧基和苯氧基中的任一种。
6.根据权利要求1的器件，其中缓冲层是由层I和层II构成的双层；其中层I由碱金属、碱土金属或其化合物中的至少一种形成，而层II由至少一种卟啉化合物形成。
7.根据权利要求6的器件，其中所述的化学式I中的M是2Li、2Na、Mg、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Pt、Cu、2Ag、Zn、Al、Ga、In、Si、Sn、Pb和2H中的任一种。
8.根据权利要求6的器件，其中所述的化学式I中的Y是氧、氟、氯、溴、烷基部分具有1-10个碳原子的烷氧基和苯氧基中的任一种。
9.根据权利要求6的器件，其中所述层I的厚度为0.2-3nm，和层II的厚度为0.5-50nm。
10.根据权利要求6的器件，其中所述的阴极由铝制成。
11.根据权利要求6的器件，其中层I由Li2O组成。
12.根据权利要求6的器件，其中层II由至少一种选自具有下列化学式II和III的材料组成：
化学式II                                                                            化学式III
式中
A各自独立地表示-N＝或-C(R)＝；
R表示氢、烷基、烷氧基、芳烷基、烷芳基、芳基或杂环基团；
M表示选自元素周期表中第IA、IIA、IIIA和IVA族、第三、第四、第五和第六周期的元素；
Y表示选自烷氧基、苯氧基、烷基胺、芳基胺、烷基膦、芳基膦、烷基硫和芳基硫的基团，和选自元素周期表中第VIA和VIIA族的元素；
n表示0，1或2的整数；和
X(X1-X8)各自独立地表示氢、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟烷基、芳烷基、烷氨基、芳氨基、烷硫基、芳硫基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、氨基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团、或一起组成的未饱和或饱和的五元、六元或七元环，它们可包括有取代基，选自烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟烷基、芳烷基、烷氨基、芳氨基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、氨基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团。
13.根据权利要求12的器件，其中所述的五元、六元或七元环是那些由碳、硫、氧和氮环原子形成的环。
14.根据权利要求12或13的器件，其中化学式II和III中的M是2Li、2Na、Mg、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Pt、Cu、2Ag、Zn、Pd、Al、Ga、In、Si、Sn、Pb和2H中的任一种。
15.根据权利要求12或13的器件，其中所述的化学式II和III中的Y是氧、氟、氯、溴、烷基部分具有1-10个碳原子的烷氧基和苯氧基中的任一种。
16.根据权利要求12或13的器件，其中所述的层II由至少一种选自具有下列化学式IV和V的材料组成：
化学式IV                                                                       化学式V
式中：
M是选自Co、AlCl、Cu、2Li、Fe、Pb、Mg、SiCl2、2Na、Sn、Zn、Ni、Mn、VO、2Ag、MnCl和SnCl2的一种元素。
17.权利要求1的器件，其中缓冲层通过共沉积层I和层II而混合，其中层I由碱金属、碱土金属或其化合物中的一种形成，而层II由至少一种卟啉化合物形成。
18.根据权利要求17的器件，其中所述的化学式I中的M是2Li、2Na、Mg、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Pt、Cu、2Ag、Zn、Pd、Al、Ga、In、Si、Sn、Pb、和2H中的任一种。
19.根据权利要求17的器件，其中所述的化学式I中的Y是氧、氟、氯、溴、烷基部分具有1-10个碳原子的烷氧基和苯氧基中的任一种。
20.根据权利要求17的器件，其中所述层I的材料和层II的材料的混合比可以固定或按其位置的功能而改变。
21.根据权利要求17的器件，其中混合层的厚度为0.5-10nm。
22.根据权利要求17的器件，其中阴极由铝组成。
23.根据权利要求17的器件，其中层I的材料是Li2O。
24.根据权利要求17的器件，其中层II的材料由至少一种选自具有下列化学式II和III的材料组成：
化学式II                                                                           化学式III
式中
A各自独立地表示-N＝或-C(R)＝；
R表示氢、烷基、烷氧基、芳烷基、烷芳基、芳基或杂环基团；
M表示选自元素周期表中第IA、IIA、IIIA和IVA族、第三、第四、第五和第六周期的元素；
Y表示选自烷氧基、苯氧基、烷基胺、芳基胺、烷基膦、芳基膦、烷基硫和芳基硫的基团，和选自元素周期表中第VIA和VIIA族的元素；
n表示0，1或2的整数；和
X(X1-X8)各自独立地表示氢、烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟基烷基、芳烷基、烷氨基、芳氨基、烷硫基、芳硫基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、氨基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团、或一起组成的未饱和或饱和的五元、六元或七元环，它们可包括有取代基，选自烷基、芳基、烷氧基、芳氧基烷基、羟基、羟烷基、芳烷基、烷氨基、芳氨基、硝基烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、苯基、氨基、氰基、萘基、烷芳基、卤素或杂环基团。
25.根据权利要求24的器件，其中所述五元、六元或七元环是那些由碳、硫、氧和氮环原子形成的环。
26.根据权利要求24或25的器件，其中所述化学式II和III中的M是2Li、2Na、Mg、Ca、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Pt、Cu、2Ag、Zn、Pd、Al、Ga、In、Si、Sn、Pb和2H中的任一种。
27.根据权利要求24或25的器件，其中所述的化学式II和III中的Y是氧、氟、氯、溴、烷基部分具有1-10个碳原子的烷氧基和苯氧基中的任一种。
28.根据权利要求24或25的器件，其中所述的层II的材料由至少一种选自具有下列化学式IV和V的材料组成：
化学式IV                                                                          化学式V
Figure C9811661600071
式中：
M是选自Co、AlCl、Cu、2Li、Fe、Pb、Mg、SiCl2、2Na、Sn、Zn、Ni、Mn、VO、2Ag、MnCl和SnCl2的一种。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6172459B1 (en) * 1998-07-28 2001-01-09 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer
JP2000068060A (ja) * 1998-08-13 2000-03-03 Tdk Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US6339290B1 (en) 1998-08-21 2002-01-15 Tdk Corporation Organic electroluminescent device and making method
JP2000091078A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Minolta Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子
TW465119B (en) 1999-07-23 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device and a method of manufacturing the same
US6483236B1 (en) * 2000-05-24 2002-11-19 Eastman Kodak Company Low-voltage organic light-emitting device
US6579629B1 (en) * 2000-08-11 2003-06-17 Eastman Kodak Company Cathode layer in organic light-emitting diode devices
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
GB0120746D0 (en) * 2001-08-25 2001-10-17 Cambridge Display Technology Electroluminescent device
AU2003230308A1 (en) 2002-05-07 2003-11-11 Lg Chem, Ltd. New organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same
JP4216572B2 (ja) * 2002-11-20 2009-01-28 株式会社東芝 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置
US7094625B2 (en) 2003-03-31 2006-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor and method of producing the same
US20060163562A1 (en) * 2003-07-07 2006-07-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multifluorinated conductor material for leds for improving the light outcoupling
JP2005129279A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Canon Inc 有機発光素子
WO2006080315A1 (ja) * 2005-01-26 2006-08-03 Sharp Kabushiki Kaisha 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
KR100806812B1 (ko) 2005-07-25 2008-02-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
KR100672535B1 (ko) 2005-07-25 2007-01-24 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
CN104218185A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及该有机电致发光器件的制备方法
KR102490893B1 (ko) 2017-09-29 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함한 장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2846503B2 (ja) * 1990-06-14 1999-01-13 出光興産株式会社 素子用薄膜電極及びそれを有するエレクトロルミネッセンス素子並びにそれらの製造方法
US5364654A (en) * 1990-06-14 1994-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Process for production of a thin film electrode and an electroluminescence device
JP3303526B2 (ja) * 1994-06-10 2002-07-22 東洋インキ製造株式会社 正孔輸送材料およびその用途
JPH0890832A (ja) * 1994-09-27 1996-04-09 Oki Electric Ind Co Ltd 発光素子アレイおよび光学ヘッド
JPH08199161A (ja) * 1995-01-26 1996-08-06 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JP3529543B2 (ja) * 1995-04-27 2004-05-24 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3633038B2 (ja) * 1995-06-23 2005-03-30 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US5719467A (en) * 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
JPH09199278A (ja) * 1996-01-18 1997-07-31 Toray Ind Inc 発光素子
JP3511825B2 (ja) * 1996-01-29 2004-03-29 東洋インキ製造株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
US5677572A (en) * 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
JPH10335066A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Sony Corp 有機電界発光素子およびこれを用いたフラットパネルディスプレイ

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