JP2000091078A - 有機エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
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Abstract
り返し使用時での安定性に優れた有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を提供すること。 【解決手段】 少なくとも陽極、発光層、電子注入層お
よび陰極を設けた有機エレクトロルミネセンス素子にお
いて、電子注入層がアルカリ金属もしくはアルカリ土類
金属の有機塩または有機金属錯体からなることを特徴と
する有機エレクトロルミネセンス素子。
Description
ンス素子に関する。
気信号に応じて発光しかつ発光物質として有機化合物を
用いて構成された素子である。
的には有機発光層および該層をはさんだ一対の対向電極
より構成されている。発光は電極の一方から電子が注入
され、もう一方の電極から正孔が注入されることによ
り、発光層中の発光体がより高いエネルギー準位に励起
され、励起された発光体が元の基底状態に戻る際に、そ
の余分なエネルギーを光として放出する現象である。
本的構成に加え、正孔を注入する電極にはさらにホール
注入層を設けたり、電子を注入する電極には電子輸送層
を設けたりする構成が取られている。
ては、発光体として単結晶アントラセンなどが用いられ
たものが米国特許第3530325号公報に記載されて
いる。
は正孔注入層と有機発光体層を組み合わせたものが提案
されている。
質正孔注入輸送層、有機質電子注入輸送層を組み合わせ
たものが提案されている。
光体と電荷輸送性の有機物(電荷輸送材)および電極を
積層した構造となっており、それぞれの電極より注入さ
れた正孔と電子が電荷輸送材中を移動して、それらが再
結合することによって発光する。有機蛍光体としては、
8−キノリノールアルミニウム錯体やクマリン化合物な
ど蛍光を発する有機色素などが用いられている。また、
電荷輸送材としては、例えばN,N’−ジ(m−トリ
ル)N,N’−ジフェニルベンジジンや、1,1−ビス
[N,N−ジ(p−トリル)アミノフェニル]シクロヘ
キサンといったジアミノ化合物や、4−(N,N−ジフ
ェニル)アミノベンズアルデヒド−N,N−ジフェニル
ヒドラゾン化合物等があげられる。さらに、銅フタロシ
アニンのようなポルフィリン化合物も提案されている。
子は、高い発光特性を有しているが、発光時の安定性や
保存安定性の点で充分ではなく、実用化には至っていな
い。素子の発光時の安定性、保存安定性における問題点
の一つとして、電荷輸送材の安定性が指摘されている。
電界発光素子の有機物で形成される層は数十〜数百ナノ
メーターと非常に薄く、単位厚さ当りに加えられる電圧
は非常に高い。また、発光や通電による発熱もあり、従
って電荷輸送材には電気的、熱的あるいは化学的な安定
性が要求される。
始電圧低減のため陰極にアルミニウム以外のものを使用
したものが特開平2−15595号公報、特開平3−3
7994号公報、特開平4−132191号公報、特開
平5−121172号公報等に記載されている。また、
電子注入層として金属酸化物を用いたものがAppl.
Phys.Lett.70(2)152〜154に記載
されている。
ニウム以外の金属を使用したものは、成膜条件が難し
く、酸化しやすい等の問題がある。また、金属酸化物を
用いる場合においても成膜条件が難しく、膜厚を非常に
薄くする必要があった。したがって、発光強度が大き
く、繰り返し使用しても安定した性能を発揮する有機エ
レクトロルミネセンス素子を得ることが困難であった。
たもので、その目的とするところは、発光強度が大き
く、繰り返し使用しても安定した性能を発揮する有機エ
レクトロルミネセンス素子を提供することにある。
極、発光層、電子注入層および陰極を設けた有機エレク
トロルミネセンス素子において、電子注入層がアルカリ
金属もしくはアルカリ土類金属の有機塩または有機金属
錯体からなることを特徴とする有機エレクトロルミネセ
ンス素子に関する。
設けられていてもよい。発光層と電子注入層との間に電
子輸送層が設けられていてもよい。電子注入層がアルカ
リ金属もしくはアルカリ土類金属の有機塩または有機金
属錯体と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属との混
合膜であってもよい。
ンス素子は、電極間に少なくとも発光層および電子注入
層を備えたものであり、その電子注入層がアルカリ金属
もしくはアルカリ土類金属の有機塩または有機金属錯体
であることを基本的な特徴にしている。以下、本発明の
好ましい実施形態について図を用いて説明する。
である有機エレクトロルミネセンス素子を模式的に示し
た。
上に、正孔注入輸送層(2)と有機発光層(3)、電子
注入層(4)および陰極(5)が順次積層された構成を
とっており、この電子注入層がアルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属の有機塩または有機金属錯体からなる。
上に、正孔注入輸送層(2)、有機発光層(3)、電子
輸送層(6)および電子注入層(4)、陰極(5)が順
次積層された構成をとっており、この電子注入層(4)
がアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の有機塩また
は有機金属錯体からなる。
上に、正孔注入層(7)と正孔輸送層(8)、有機発光
層(3)、電子輸送層(6)、電子注入層(4)および
陰極(5)が順次積層された構成をとっており、この電
子注入層(4)がアルカリ金属もしくはアルカリ土類金
属の有機塩または有機金属錯体からなる。
上に、正孔注入層(7)、正孔輸送層(8)と有機発光
層(3)、電子注入層(4)および陰極(5)、保護膜
(9)が順次積層された構成をとっており、この電子注
入層(4)がアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の
有機塩または有機金属錯体からなる。
極(5)に電圧を印加することにより有機発光層(3)
が発光する。
土類金属の有機塩または有機金属錯体を使用することで
電子の注入性が向上し、また膜厚を0.1〜20nmと
薄くすることにより、電界強度を大きくすることで非常
に電子の流れがスムーズになり、本実施形態の有機エレ
クトロルミネセンス素子を発光させるために必要な発光
開始電圧は低くてよく、そのために安定して長時間の発
光を可能ならしめていると考えられる。
して使用される導電性物質としては4.5eVよりも大
きい仕事関数をもつものがよく、炭素、バナジウム、
鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、タングステン、
銀、錫、金などおよびそれらの合金、酸化錫、酸化イン
ジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム
などの導電性金属化合物が用いられる。
りも小さい仕事関数を持つものがよく、アルミニウム、
インジウム、マグネシウム、カルシウム、チタニウム、
イットリウム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウ
ム、ルテニウム、マンガンおよびそれらの合金が用いら
れる。
は、発光が見られるように、少なくとも陽極)あるいは
陰極は透明電極にする必要がある。この際、陰極に透明
電極を使用すると、透明性が損なわれやすいので、陽極
を透明電極にすることが好ましい。
上記したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタリン
グ等の手段やゾルゲル法あるいは樹脂等に分散させて塗
布する等の手段を用いて所望の透光性と導電性が確保さ
れるように形成すればよい。
機エレクトロルミネセンス素子の作製時、蒸着等による
熱に悪影響を受けず、透明なものであれば特に限定され
ないが、係るものを例示すると、ガラス基板、透明な樹
脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテ
ルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン等を使用する
ことも可能である。ガラス基板上に透明電極が形成され
たものとしてはITO、NESA等の市販品が知られて
いるがこれらを使用してもよい。
の構成および作製方法を説明する。
送層(2)を形成する。正孔注入輸送層(2)は、化合
物を蒸着して形成してもよいし、該化合物を溶解した溶
液や適当な樹脂とともに溶解した液をディップコートや
スピンコートして形成してもよい。
その厚さは、通常1〜300nmであり、塗布法で形成
する場合は、1〜500nm程度に形成すればよい。
印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪く有機エレ
クトロルミネセンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚
が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしや
すくなり有機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短く
なる。
材としては、公知のものが使用可能で、例えばN,N’
−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)
−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン、N,
N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−メチルフェニ
ル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン、
N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフチ
ル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン、
N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(2−ナフチ
ル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン、
N,N’−テトラ(4−メチルフェニル)−1,1’−
ジフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−テトラ
(4−メチルフェニル)−1,1’−ビス(3−メチル
フェニル)−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニ
ル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’
−ビス(3−メチルフェニル)−4,4’−ジアミン、
N,N’−ビス(N−カルバゾリル)−1,1’−ジフ
ェニル−4,4’−ジアミン、4,4’,4”−トリス
(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン、N,N’,
N”−トリフェニル−N,N’,N”−トリス(3−メ
チルフェニル)−1,3,5−トリ(4−アミノフェニ
ル)ベンゼン、4,4’,4”−トリス[N,N’,
N”−トリフェニル−N,N’,N”−トリス(3−メ
チルフェニル)]トリフェニルアミンなどを挙げること
ができる。これらを2種以上混合して使用してもよい。
光層(3)を形成する。有機発光層に用いられる有機発
光体としては、公知のものを使用可能で、例えばエピド
リジン、2,5−ビス[5,7−ジ−t−ペンチル−2
−ベンゾオキサゾリル]チオフェン、2,2’−(1,
4−フェニレンジビニレン)ビスベンゾチアゾール、
2,2’−(4,4’−ビフェニレン)ビスベンゾチア
ゾール、5−メチル−2−{2−[4−(5−メチル−
2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル}ベンゾオ
キサゾール、2,5−ビス(5−メチル−2−ベンゾオ
キサゾリル)チオフェン、アントラセン、ナフタレン、
フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ペリノ
ン、1,4−ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブ
タジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、2−
(4−ビフェニル)−6−フェニルベンゾオキサゾー
ル、アルミニウムトリスオキシン、マグネシウムビスオ
キシン、ビス(ベンゾ−8−キノリノール)亜鉛、ビス
(2−メチル−8−キノリノラート)アルミニウムオキ
サイド、インジウムトリスオキシン、アルミニウムトリ
ス(5−メチルオキシン)、リチウムオキシン、ガリウ
ムトリスオキシン、カルシウムビス(5−クロロオキシ
ン)、ポリ亜鉛−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリノ
リル)メタン、ジリチウムエピンドリジオン、亜鉛ビス
オキシン、1,2−フタロペリノン、1,2−ナフタロ
ペリノンなどを挙げることができる。
リン染料、螢光ペリレン染料、螢光ピラン染料、螢光チ
オピラン染料、螢光ポリメチン染料、螢光メシアニン染
料、螢光イミダゾール染料等も、使用できる。このう
ち、特に、好ましいものとしては、キレート化オキシノ
イド化合物が挙げられる。
でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整する
ために、多層構成としてもよい。また、2種以上の発光
物質を混合したり発光層にドープしてもよい。
の方法で形成することができる。蒸着法で形成する場
合、その厚さは、通常1〜200nmであり、塗布法で
形成する場合は、5〜500nm程度に形成すればよ
い。
印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪く有機エレ
クトロルミネセンス素子の劣化を招きやすい。また膜厚
が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしや
すくなり有機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短く
なる。
層(4)としてアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属
の有機塩または有機金属錯体とする。
くはアルカリ土類金属の有機塩または有機金属錯体の具
体例としては、下記の化学式で表される化合物が挙げら
れる。
り、市販の材料から容易に合成することができる。ま
た、電子輸送層として用いられる有機塩または有機金属
錯体に含まれる金属は、上記具体例に開示されるもの以
外でも、周期律表のアルカリ金属またはアルカリ土類金
属に分類されるものであればよく、それらの有機塩また
は有機金属錯体も同様に使用可能である。
系錯体は、成膜性が良く発光特性も良好である。
金属としては、リチウム、カリウム、マグネシウム、ス
トロンチウム、カルシウム、セシウム、バリウム等が良
好な電子注入性を示すため好適に用いられる。中でも、
リチウム、カリウム、セシウムは特に発光特性が特に好
ましい金属である。これらの化合物を2種以上混合した
膜であっても良い。
はアルカリ土類金属の有機塩または有機金属錯体と、ア
ルカリ金属やアルカリ土類金属との混合膜であってもよ
い。アルカリ金属またはアルカリ土類金属との混合膜と
することによってさらに特性を向上させることができ
る。
ム、ストロンチウム、カルシウム、セシウム、バリウム
等が良好な電子注入性を示すため好ましい。中でも、リ
チウム、カルシウムは特に好ましい金属である。
厚さは、0.1〜20nmである。形成する膜厚が厚い
ほど発光させるための印加電圧を高くする必要があり発
光効率が悪く有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を
招きやすい。また膜厚が薄くなると均一に成膜すること
が難しく欠陥を生じやすくなり、発光効率も悪くなり有
機エレクトロルミネセンス素子の寿命が短くなる。
有機塩または有機金属錯体を用いた電子注入層は、通常
の抵抗加熱法やスパッタリング法、EB蒸着法、イオン
プレーティング法、イオン化蒸着法等公知の色々な蒸着
法で成膜することができる。
有機金属錯体を用いるため、アルカリ金属またはアルカ
リ土類金属やその金属酸化物を用いた場合に比較して非
常に成膜し易く、良好な特性を得易いという利点を有す
る。
陰極(5)を設けて有機エレクトロルミネセンス素子と
する。
(2)、有機発光層(3)、電子輸送層(6)、電子注
入層(4)、および陰極(5)を順次積層した有機エレ
クトロルミネセンス素子を作製する場合について説明し
たが、図2および図3に示すように、有機発光層(3)
と電子注入層(4)との間に電子輸送層(6)を設けて
もよい。
ては、ニトロ置換フルオレノン誘導体、アントラキノジ
メタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、チオピランジオ
キシド誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、チアジアゾール誘導体、クマリン誘導体、キレ
ート化オキシノイド化合物等を挙げることができる。こ
れらの内でも耐熱性の点からキレート化オキシノイド化
合物が特に良好である。
の方法で形成することができる。蒸着法で形成する場合
は厚さを5〜200nm程度とし、塗布法で形成する場
合は厚さを10〜1000nm程度とすればよい。
を設けてもよい。保護膜は、酸化ケイ素、酸化亜鉛、フ
ッ化マグネシウム、酸化マグネシウム等の化合物を用
い、真空蒸着等によって薄膜を形成することによって設
けることができる。厚さは5〜1000nm程度とすれ
ばよい。
孔輸送機能とを分離して、図3および図4に示すよう
に、正孔輸送層と正孔注入層との2層構成としてもよ
い。
だけでなく、陰極(5)上に各層を順次形成するように
しても構わない。
ニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当なリード線
(10)を接続し、有機エレクトロルミネセンス素子は
両電極に適当な電圧(Vs)を印加することにより発光
する。
ネセンス素子は、各種の表示装置、あるいはディスプレ
イ装置等に適用可能である。
説明する。
ラスの基板上に正孔注入輸送層としてN,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,
1’−ジフェニル−4,4’−ジアミンを蒸着により、
厚さ60nmの薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により60nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
抵抗加熱による蒸着法にて1nmの厚さになるように薄
膜を形成した。
より200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
ラスの基板上に正孔注入輸送層としてN,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,
1’−ジフェニル−4,4’−ジアミンを蒸着により、
厚さ60nmの薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により60nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
抵抗加熱による蒸着法にて2nmの厚さになるように薄
膜を形成した。
より200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
ラスの基板上に正孔注入輸送層としてN,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,
1’−ジフェニル−4,4’−ジアミンを蒸着により、
厚さ60nmの薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により60nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
抵抗加熱による蒸着法にて0.5nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
より200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
ラスの基板上に正孔注入輸送層としてN,N’−ジフェ
ニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,
1’−ジフェニル−4,4’−ジアミンを蒸着により、
厚さ60nmの薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により60nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
抵抗加熱による蒸着法にて1.5nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
より200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
層を設けないこと以外は実施例1と全く同様にして有機
エレクトロルミネセンス素子を作製した。
層を兼ねた発光層として化合物(3)を蒸着により60n
mの厚さに設けたこと以外は実施例1と全く同様にして
有機エレクトロルミネセンス素子を作製した。
ラスの基板上に正孔注入輸送層として、N,N’−ジフ
ェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−1,1’−
ジフェニル−4,4’−ジアミンを蒸着により、厚さ5
5nmの薄膜を形成した。
トリスオキシンにルブレンを5重量%ドープさせたもの
を共蒸着により10nmの厚さになるように薄膜を形成
した。
リスオキシンを蒸着により45nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
を抵抗加熱による蒸着法にて2nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
より200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
層を設けないこと以外は実施例5と全く同様にして有機
エレクトロルミネセンス素子を作製した。
ラスの基板上に正孔注入層として銅フタロシアニンを蒸
着により厚さ15nmの薄膜を形成した。
−ジフェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−1,
1’−ジフェニル−4,4’−ジアミンを蒸着により、
厚さ55nmの薄膜を形成した。
トリスオキシンにルブレンを5重量%ドープさせたもの
を共蒸着により10nmの厚さになるように薄膜を形成
した。
リスオキシンを蒸着により45nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
を抵抗加熱による蒸着法にて5nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
り200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
ラスの基板上に正孔注入層として、4,4’,4”−ト
リス[N,N’,N”−トリフェニル−N,N’,N”
−トリス(3−メチルフェニル)]トリフェニルアミン
を蒸着により厚さ15nmの薄膜を形成した。
N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−メチルフ
ェニル)−1,1’−ビス(3−メチルフェニル)−
4,4’−ジアミンにルブレンを5重量%ドープさせた
ものを共蒸着により、厚さ45nmの薄膜を形成した。
トリスオキシンを蒸着により60nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
を抵抗加熱による蒸着法にて2nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
り200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
ラスの基板上に正孔注入輸送層として、N,N’−ジフ
ェニル−N,N’−ビス(1−ナフチル)−1,1’−
ジフェニル−4,4’−ジアミンを蒸着により、厚さ5
5nmの薄膜を形成した。
トリスオキシンにルブレンを5重量%ドープさせたもの
を共蒸着により10nmの厚さになるように薄膜を形成
した。
リスオキシンを蒸着により45nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
を抵抗加熱による蒸着法にて2nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
より200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
ラスの基板上に正孔注入層として、銅フタロシアニン顔
料を蒸着により、厚さ15nmの薄膜を形成した。次に
正孔輸送層として、N,N’−ジェニル−N,N’−ビ
ス(1−ナフチル)−1,1’−ジフェニル−4,4’
−ジアミンを蒸着により、厚さ45nmの薄膜を形成し
た。 その上に有機発光層として、アルミニウムトリス
オキシンにルブレンを5重量%ドープさせたものを共蒸
着により20nmの厚さになるように薄膜を形成した。
次に、電子輸送層として、アルミニウムトリスオキシ
ンを蒸着により35nmの厚さになるように薄膜を形成
した。
を抵抗加熱による蒸着法にて5nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
り200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
ガラスの基板上に正孔注入層として、銅フタロシアニン
顔料を蒸着により、厚さ15nmの薄膜を形成した。次
に正孔輸送層として、N,N’−ジェニル−N,N’−
ビス(1−ナフチル)−1,1’−ジフェニル−4,
4’−ジアミンを蒸着により、厚さ45nmの薄膜を形
成した。 その上に有機発光層として、アルミニウムト
リスオキシンにルブレンを5重量%ドープさせたものを
共蒸着により20nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。 次に、電子輸送層として、アルミニウムトリスオ
キシンを蒸着により40nmの厚さになるように薄膜を
形成した。 その上に電子注入層として、化合物(55)
を抵抗加熱による蒸着法にて1nmの厚さになるように
薄膜を形成した。 最後に陰極として、アルミニウムを
蒸着により200nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。
ンス素子を作製した。
ガラスの基板上に正孔注入層として、ポリアニリンをス
ピンコートにより、厚さ15nmの薄膜を形成した。次
に正孔輸送層として、N,N’−ジェニル−N,N’−
ビス(1−ナフチル)−1,1’−ジフェニル−4,
4’−ジアミンを蒸着により、厚さ45nmの薄膜を形
成した。 その上に有機発光層として、アルミニウムト
リスオキシンにルブレンを5重量%ドープさせたものを
共蒸着により20nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。
リスオキシンを蒸着により40nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
を抵抗加熱による蒸着法にて2nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
ガラスの基板上に正孔注入層として、銅フタロシアニン
顔料を蒸着により、厚さ15nmの薄膜を形成した。次
に正孔輸送層として、N,N’−ジェニル−N,N’−
ビス(1−ナフチル)−1,1’−ジフェニル−4,
4’−ジアミンを蒸着により、厚さ45nmの薄膜を形
成した。 その上に有機発光層として、アルミニウムト
リスオキシンにルブレンを5重量%ドープさせたものを
共蒸着により20nmの厚さになるように薄膜を形成し
た。
リスオキシンを蒸着により40nmの厚さになるように
薄膜を形成した。
と金属リチウムを抵抗加熱による共蒸着法にて金属リチ
ウムを2重量%混合した薄膜を2nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
より200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
ガラスの基板上に正孔注入輸送層としてN,N’−ジフ
ェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,
1’−ジフェニル−4,4’−ジアミンを蒸着により、
厚さ60nmの薄膜を形成した。
トリスオキシンにルブレンを5重量%ドープさせたもの
を共蒸着により20nmの厚さになるように薄膜を形成
した。
トリスオキシンを蒸着により35nmの厚さになるよう
に薄膜を形成した。
と金属カルシウムを抵抗加熱による共蒸着法にて金属カ
ルシウムを5重量%混合した薄膜を3nmの厚さになる
ように薄膜を形成した。
より200nmの厚さになるように薄膜を形成した。
ンス素子を作製した。
3で得られた有機EL素子を、そのガラス電極を陽極と
して、直流電圧を除々に電圧を印加した時に発光を開始
する電圧(V)および、5Vの直流電圧をかけた時の発
光輝度(cd/m2)、10Vの直流電圧をかけた時の
発光輝度(cd/m2)を測定した。
作動させた時の初期出力の維持率(%)[5時間後の出
力(mW/cm2)/初期出力(mW/cm2)×10
0]を求めた。
L素子は低電位で発光を開始し、良好な発光輝度を示し
た。また、本実施例の有機EL素子は出力低下が少な
く、寿命の長い安定な発光を観測することができた。
ネセンス素子は発光効率、発光輝度の向上と長寿命化を
達成するものであり、併せて使用される発光物質、発光
補助材料、電荷輸送材料、増感剤、樹脂、電極材料等お
よび素子作製方法に限定されるものではない。
有機エレクトロルミネセンス素子の電子注入層にアルカ
リ金属もしくはアルカリ土類金属の有機塩または有機金
属錯体を含有させることにより、発光強度が大きく発光
開始電圧が低い耐久性に優れた有機エレクトロルミネセ
ンス素子を得ることができる。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
を示す断面図である。
Claims (13)
- 【請求項1】 少なくとも陽極、発光層、電子注入層お
よび陰極を設けた有機エレクトロルミネセンス素子にお
いて、該電子注入層がアルカリ金属もしくはアルカリ土
類金属の有機塩または有機金属錯体からなることを特徴
とする有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項2】 少なくとも陽極、正孔注入輸送層、発光
層、電子注入層および陰極を設けた有機エレクトロルミ
ネセンス素子において、該電子注入層がアルカリ金属も
しくはアルカリ土類金属の有機塩または有機金属錯体か
らなることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素
子。 - 【請求項3】 少なくとも陽極、発光層、電子輸送層、
電子注入層および陰極を設けた有機エレクトロルミネセ
ンス素子において、該電子注入層がアルカリ金属もしく
はアルカリ土類金属の有機塩または有機金属錯体からな
ることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項4】 前記電子注入層の膜厚が0.1〜20n
mである請求項1に記載の有機エレクトロルミネセンス
素子。 - 【請求項5】 前記電子注入層の膜厚が0.1〜20n
mである請求項2に記載の有機エレクトロルミネセンス
素子。 - 【請求項6】 前記電子注入層の膜厚が0.1〜20n
mである請求項3に記載の有機エレクトロルミネセンス
素子。 - 【請求項7】 前記電子注入層が有機リチウム塩または
有機リチウム錯体からなる請求項1に記載の有機エレク
トロルミネセンス素子。 - 【請求項8】 前記電子注入層が有機カリウム塩または
有機カリウム錯体からなる請求項1に記載の有機エレク
トロルミネセンス素子。 - 【請求項9】 前記電子注入層が有機セシウム塩または
有機セシウム錯体からなる請求項1に記載の有機エレク
トロルミネセンス素子。 - 【請求項10】 少なくとも陽極、発光層、電子注入層
および陰極を設けた有機エレクトロルミネセンス素子に
おいて、該電子注入層がアルカリ金属もしくはアルカリ
土類金属の有機塩または有機金属錯体と、アルカリ金属
またはアルカリ土類金属との混合膜からなることを特徴
とする有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項11】 少なくとも陽極、発光層、電子注入層
および陰極を設けた有機エレクトロルミネセンス素子に
おいて、該電子注入層がアルカリ金属もしくはアルカリ
土類金属の有機塩または有機金属錯体と、リチウムとの
混合膜からなることを特徴とする有機エレクトロルミネ
センス素子。 - 【請求項12】 少なくとも陽極、発光層、電子注入層
および陰極を設けた有機エレクトロルミネセンス素子に
おいて、該電子注入層がアルカリ金属もしくはアルカリ
土類金属の有機塩または有機金属錯体と、カルシウムと
の混合膜からなることを特徴とする有機エレクトロルミ
ネセンス素子。 - 【請求項13】 少なくとも陽極、発光層、電子注入層
および陰極を設けた有機エレクトロルミネセンス素子に
おいて、該電子注入層がアルカリ金属またはアルカリ土
類金属のアセチルアセトネート系錯体からなることを特
徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
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