JP4507420B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラットディスプレイや平面光源などに使用される有機エレクトロルミネッセンス（エレクトロルミネッセンスを以下単に、ＥＬともいう）素子に関するものであり、詳しくは発光効率、発光寿命が優れた有機ＥＬ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、無機ＥＬ素子は平面型光源として使用されてきたが該素子を発光素子として駆動させるためには交流の高電圧が必要である。一方、最近開発された有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子及び正孔を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能であり、また自己発光型であるために視野角依存性に富み、視認性が高く、更には薄膜型の完全固体素子であるために省スペースである等の観点から注目され、実用化研究への展開が開始されている。
【０００３】
これまで、様々な有機ＥＬ素子が報告されている。たとえば、米国特許第３，５３０，３２５号に記載の発光体として単結晶アントラセン等を用いたもの、特開昭５９−１９４３９３号に記載の正孔注入層と有機発光体層とを組み合わせたもの、特開昭６３−２９５６９５号に記載の正孔注入層と電子注入輸送層とを組み合わせたもの、Ｊｐｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｉｓｙｃｓ，ｖｏｌ１２７，Ｎｏ．２第２６９〜２７１頁に記載の正孔移動層と発光層と電子移動層とを組み合わせたもの等が開示されている。しかしながら、エネルギー変換効率、発光量子効率の更なる向上や、有機薄膜の経時での安定性の更なる向上など解決すべき問題があった。
【０００４】
また、有機ＥＬにおいて、電子は陰極から電子輸送層に使われる物質の最低空軌道（ＬＵＭＯ）に注入される。このため、陰極には仕事関数の小さいマグネシウム、アルカリ金属（特開平５−１９８３８０号参照）などの合金が使用されている。また、電子輸送層に使用する物質については、陰極からの電子注入障壁が低い物質を使用した方がより電子注入が容易となるため駆動電圧を下げることができる。
【０００５】
従来、低仕事関数の陰極に関する報告は数多くあるものの、電子輸送層に使用する物質については、Ａｌｑなどの８−ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体、オキサゾール誘導体が使用されおり、発光効率、発光寿命の点で必ずしも満足のいくものではなく、さらに発光効率、発光寿命が優れたの有機ＥＬ素子の開発が望まれていた。
【０００６】
最近では例えば特開平１０−７４５８６号に記載されているような電子輸送層と陰極の間にＬｉＦからなる電子注入層を設け発光効率、発光寿命の更なる改良への試み、また特開平１１−２３３２６２号に記載されているようなβ−ジケトン金属錯体を電子注入層として用いる試み等種々の試みがなされているが、必ずしも満足できるものではなく、発光効率、発光寿命が優れた有機エレクトロルミネッセンス素子の開発が望まれていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その第一の目的は、発光効率に優れ、高輝度に発光する有機エレクトロルミネッセンス素子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。本発明の第二の目的は発光劣化の少ない有機エレクトロルミネッセンス素子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。本発明の第三の目的は、電子注入層として従来のＬｉＦに代わり本発明の化合物を用いることにより、さらなる発光効率の向上、長期に亘り安定な発光特性の維持ができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、下記構成により達成される。
【０００９】
１．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（９）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
２．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１０）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
３．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１７）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
４．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１８）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
５．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１９）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
６．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２０）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
７．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２１）で表される金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
８．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２２）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
９．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２４）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２４）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
１０．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２６）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２７）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
１２．金属錯体の金属原子がホウ素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アルミニウム原子または亜鉛原子であることを特徴とする１〜６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１３．金属錯体の金属原子がホウ素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アルミニウム原子または亜鉛原子であることを特徴とする８〜１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１４．金属錯体のＭがリチウム原子であることを特徴とする１〜６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１５．金属錯体のＭがセシウム原子であることを特徴とする１〜６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１６．金属錯体の金属原子がリチウム原子であることを特徴とする８〜１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１７．金属錯体の金属原子がセシウム原子であることを特徴とする８〜１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１８．金属錯体を、発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする１、２、３、４、５、６または９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１９．金属錯体を、発光層と陰極との間に設けられた電子注入層に含有することを特徴とする１、２、３、４、５、６または９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００４０】
即ち、本発明の上記、第１、第２の目的は、本発明の請求項１〜１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子により達成される。特に請求項１〜１７に係る本発明の金属錯体を発光層と陰極との間に有する電子注入層に含むこと（請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子）により本発明の第３の目的が達成される。また、驚くべきことに上記請求項１〜１７に係る本発明の金属錯体について、例えば下記に示すように、配位子の配位する二つの原子を直線で結んだ１／２の距離の点と配位される金属原子を結んだ軸に対し、軸対称性が非対象な配位子を有する金属錯体を電子注入層に含むことで有機エレクトロルミネッセンス素子の高輝度、長寿命化が（第１、第２の目的が顕著に、第三の目的が特に顕著に）達成される。
また、以下の態様も本発明と同様に好ましい。
Ａ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（１）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｌ】
【化Ｍ】
【化Ｎ】
（上記式中、Ａ １ 、Ａ ２ はそれぞれ独立に一般式（２）〜（５）で表される一価の置換基を表し、Ｘ １ は構造式（６）、構造式（７）または一般式（８）で表される連結基を表し、Ｒ １ 〜Ｒ ６ はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ただし、Ａ １ とＡ ２ が同時に一般式（２）で表され、かつＸ １ が一般式（６）で表されることはない。また、Ａ １ とＡ ２ が同時に一般式（４）で表され、かつＸ １ が一般式（７）で表される時、Ｒ ３ がＣＦ ３ 基であることはない。）
Ｂ．金属錯体の金属原子がホウ素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アルミニウム原子または亜鉛原子であることを特徴とするＡ記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｃ．金属錯体の金属原子がリチウム原子またはセシウム原子であることを特徴とするＡ記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｄ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１１）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｏ】
（上記式中、Ｒ １０１ 、Ｒ １０２ 、Ｒ １０３ はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｍは金属原子を表す。ｍは１〜４の整数を表す。）
Ｅ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１２）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｐ】
（上記式中、Ｒ １０４ 、Ｒ １０５ はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｍは金属原子を表す。ｍは１〜４の整数を表す。Ｘは窒素原子またはＣ−Ｒａを表し、Ｒａは水素原子または置換基を表す。ただし、Ｒ １０４ 、Ｒ １０５ がトリフルオロメチル基であり、かつＸが窒素原子である時、Ｍはリチウム原子であることはない。）
Ｆ．前記一般式（１２）で表される化合物のＭがホウ素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アルミニウム原子または亜鉛原子である（ただし、Ｒ １０４ 、Ｒ １０５ がトリフルオロメチル基であり、かつＸが窒素原子である時、Ｍはリチウム原子であることはない）ことを特徴とするＥ記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｇ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１３）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｑ】
（上記式中、Ｒ １０６ 、Ｒ １０７ 、Ｒ １０８ はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｍは金属原子を表す。ｍは１〜４の整数をそれぞれ表す。）
Ｈ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１４）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｒ】
（上記式中、Ｒ １０９ 、Ｒ １１０ はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＭはＢｅ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ、ＳｎまたはＳｂを表す。ｍは１〜４の整数を表す。）
Ｉ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１５）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｓ】
（上記式中、Ｒ １１１ 、Ｒ １１２ はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。但しＲ １１１ とＲ １１２ が同時に同じ置換基であることはない。Ｍは金属原子を表す。ｍは１〜４の整数を表す。）
Ｊ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１６）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｔ】
（上記式中、Ｒ １１３ 、Ｒ １１４ はそれぞれ独立に、炭素数２以上のアルキル基、アリール基または複素環基を表す。）
Ｋ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（２３）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２３）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｕ】
（式中、Ｙ ４ 、Ｚ ４ はそれぞれ独立に硫黄原子またはＮ−Ｒ ４３ を表し、Ｒ ４１ 、Ｒ ４２ 、Ｒ ４３ はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｌ ４１ は二価の連結基を表し、ｎは０、１または２の整数を表す。）
Ｌ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（２５）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２５）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｖ】
（式中、Ｒ ４０１ 、Ｒ ４０２ はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｌ ４３ は二価の連結基を表し、ｎは０または２の整数を表す。）
【００４１】
【化２３】
【００４２】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の、一般式（９）、（１０）、（１７）〜（２２）、（２４）、（２６）、（２７）で表される化合物、一般式（２２）、（２４）、（２６）、（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体、一般式（９）〜（２１）で表される金属錯体（以下、本発明の化合物、本発明の金属錯体ともいう）は、少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層、陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子においてどの層に用いられてもよい。好ましくは正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、発光層、電子阻止層、電子輸送層、電子注入層であり、さらに好ましくは正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層であり、最も好ましくは電子注入層である。電子注入層に本発明の化合物、本発明の金属錯体を用いる場合、膜厚は好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下、最も好ましくは５ｎｍ以下である。
【００４３】
以下、本発明の化合物および本発明の金属錯体等について詳細に説明する。
前記一般式（１）で表される化合物、および一般式（１）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について詳細に説明する。
【００４４】
前記一般式（１）において、Ａ1、Ａ2はそれぞれ独立に一般式（２）〜（５）で表される一価の置換基を表し、Ｘ1は構造式（６）、構造式（７）または一般式（８）で表される連結基を表す。
【００４５】
一般式（２）〜（５）および（８）におけるＲ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロ−ｔ−ブチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えばベンジル基、２−フェネチル基等）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル基等）、ヘテロ環基（例えばフラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、フラザン、ピリジン等から導かれる基）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えばフェノキシ基等）、アシル基（例えばアセチル基、ベンゾイル基等）、カルボニル基（例えばカルボキシル基、カルバモイル基等）等が挙げられる。これらの基はさらに置換基で置換されていてもよく、該置換基としては例えば、ハロゲン原子、水素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジアリールアミノ基等が挙げられる。またこれら置換基は任意に複数個それぞれ独立に有されていてもよく、その複数の置換基が互いに結合してさらに環を形成してもよい。具体例としては以上のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
Ｒ1〜Ｒ6は好ましくはアルキル基、アリール基である。
ただし、Ａ1とＡ2が同時に一般式（２）で表され、かつＸ1が一般式（６）で表されることはない。また、Ａ1とＡ2が同時に一般式（４）で表され、かつＸ1が一般式（７）で表される時、Ｒ3がＣＦ3基であることはない。
【００４７】
また、Ａ1＝Ａ2の時、２個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は同じであっても、異なっていてもよい。
【００４８】
また、金属錯体の金属原子としては「周期表の化学」岩波書店 斎藤一夫著 ７１頁に記載の金属原子、すなわち半金属性原子Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｔ、Ｒｎを含む金属原子である。金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００４９】
また「一般式（１）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは、例えば下記反応式で例示するように、一般式（１）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離したアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体を意味する。
【００５０】
【化２４】
【００５１】
一般式（９）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（９）において、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。
【００５２】
Ｂ1、Ｂ2はそれぞれ独立に炭素原子または硫黄原子を表し、Ｍは金属原子を表すが、該金属原子とは「周期表の化学」岩波書店 斎藤一夫著 ７１頁に記載の金属原子、すなわち半金属性原子Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｔ、Ｒｎを含む金属原子である。ｍは１〜４の整数を表す。
【００５３】
Ｒ7、Ｒ8は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００５４】
一般式（１０）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１０）において、Ｒ９〜Ｒ１１はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。
【００５５】
Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の場合と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。
【００５６】
Ｒ9〜Ｒ11は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００５７】
一般式（１１）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１１）において、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。
【００５８】
Ｒ101、Ｒ102、Ｒ103は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００５９】
一般式（１２）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１２）において、Ｘは窒素原子もしくはＣ−Ｒａを表し、Ｒａは水素原子または置換基を表す。該置換基としてはアルキル基（例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロ−ｔ−ブチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えばベンジル基、２−フェネチル基等）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル基等）、ヘテロ環基（例えばフラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、フラザン、ピリジン等から導かれる基）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えばフェノキシ基等）、アシル基、カルボニル基等が挙げられる。これらの基はさらに置換されていてもよく、該置換基としては、ハロゲン原子、水素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジアリールアミノ基等が挙げられる。またこれらの置換基は任意に複数個それぞれ独立に有しされていてもよく、その複数の置換基が互いに結合してさらに環を形成してもよい。具体例としては以上のようなものであるが、これらに限定されない。
【００６０】
Ｒ104、Ｒ105はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ただし、Ｒ104、Ｒ105がトリフルオロメチル基であり、かつＸが窒素原子である時、Ｍはリチウム原子であることはない。ｍは１〜４の整数を表す。
【００６１】
Ｒ104、Ｒ105は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００６２】
一般式（１３）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１３）において、Ｒ１０６、Ｒ１０７、Ｒ１０８はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。
【００６３】
Ｒ106、Ｒ107、Ｒ108は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００６４】
一般式（１４）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１４）において、Ｒ１０９、Ｒ１１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。ＭはＢｅ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ、ＳｎまたはＳｂを表す。ｍは１〜４の整数を表す。
【００６５】
Ｒ109、Ｒ110は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはＢｅ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｂａ、ホウ素原子、アルミニウム原子、亜鉛原子であるが、更に好ましくはＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓである。
【００６６】
一般式（１５）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１５）において、Ｒ１１１、Ｒ１１２はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。但しＲ１１１とＲ１１２が同時に同じ置換基であることはない。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。
【００６７】
Ｒ111、Ｒ112は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００６８】
一般式（１６）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１６）において、Ｒ１１３、Ｒ１１４はそれぞれ独立に炭素数２以上のアルキル基、アリール基またはヘテロ環基をあらわす。ｍは１〜４の整数を表す。
【００６９】
一般式（１７）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１７）において、Ｒ１４、Ｒ１５はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。Ｂ５は炭素原子または硫黄原子を表す。Ｘは窒素原子またはＣ−Ｒｂを表し、Ｒｂは水素原子または置換基を表すが、該置換基としては一般式（１２）のＸで表されるＣ−ＲａのＲａで表される置換基と同様である。
【００７０】
Ｒ14、Ｒ15は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００７１】
一般式（１８）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１８）において、Ｒ１６〜Ｒ１９はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。Ｘは窒素原子またはＣ−Ｒｃを表し、Ｒｃは水素原子または置換基を表すが、該置換基としては一般式（１２）のＸで表されるＣ−ＲａのＲａで表される置換基と同様である。
【００７２】
Ｒ16〜Ｒ19は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００７３】
一般式（１９）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１９）において、Ｒ２０〜Ｒ２２はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。Ｘは窒素原子もしくはＣ−Ｒｄを表し、Ｒｄは水素原子または置換基を表すが、該置換基としては一般式（１２）のＸで表されるＣ−ＲａのＲａで表される置換基と同様である。
【００７４】
Ｒ20〜Ｒ22は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００７５】
一般式（２０）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（２０）において、Ｒ２３〜Ｒ２５はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。Ｘは窒素原子またはＣ−Ｒｅを表し、Ｒｅは水素原子または置換基を表すが、該置換基としては一般式（１２）のＸで表されるＣ−ＲａのＲａで表される置換基と同様である。
【００７６】
Ｒ23〜Ｒ25は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００７７】
一般式（２１）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（２１）において、Ｒ２６〜Ｒ２８はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。
【００７８】
Ｒ２６〜Ｒ２８は好ましくはアルキル基、アリール基である。
一般式（２２）で表される化合物、および一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【００７９】
前記一般式（２２）において、Ｒ31、Ｒ33はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【００８０】
Ｒ32は置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6の場合と同様である。Ｒ31、Ｒ33は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｒ32は好ましくはアルキル基である。
【００８１】
金属錯体の金属原子としては「周期表の化学」岩波書店 斎藤一夫著 ７１頁に記載の金属原子、すなわち半金属性原子Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｔ、Ｒｎを含む金属原子である。
【００８２】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００８３】
また「一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２２）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離したアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【００８４】
一般式（２３）で表される化合物、および一般式（２３）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【００８５】
前記一般式（２３）において、Ｙ4、Ｚ4はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、またはＮ−Ｒ43を表す。Ｌ41は二価の連結基を表すが、該連結基としては例えば、アルキレン、アリーレン、アルケニレン、アルキレンオキシド、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ44）−（Ｒ44は水素原子または置換基）等それぞれを単独又は組み合わせて構成される二価の連結基が挙げられる。Ｒ41〜Ｒ43はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ44は水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【００８６】
ｎは０、１または２を表す。
金属錯体の金属原子としては、一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の金属原子と同様である。
【００８７】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００８８】
また「一般式（２３）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２３）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離してアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【００８９】
一般式（２４）で表される化合物、および一般式（２４）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【００９０】
前記一般式（２４）において、Ｙ41は酸素原子、硫黄原子、またはＮ−Ｒ47を表す。Ｌ42は二価の連結基を表すが、該連結基としては例えば、アルキレン、アリーレン、アルケニレン、アルキレンオキシド、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ48）−（Ｒ48は水素原子または置換基）等のそれぞれを単独又は組み合わせて構成される二価の連結基が挙げられる。Ｒ45〜Ｒ47はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ48は水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【００９１】
ｎは０、１または２の整数を表す。
金属錯体の金属原子としては、一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の金属原子と同様である。
【００９２】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００９３】
また「一般式（２４）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２４）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離しアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【００９４】
一般式（２５）で表される化合物、および一般式（２５）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【００９５】
前記一般式（２５）において、Ｌ43は二価の連結基を表すが、該連結基としては例えば、アルキレン、アリーレン、アルケニレン、アルキレンオキシド、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ403）−（Ｒ403は水素原子または置換基）等のそれぞれを単独又は組み合わせて構成される二価の連結基が挙げられる。Ｒ401、Ｒ402はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ403は水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【００９６】
ｎは０または２を表す。
金属錯体の金属原子としては、一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の金属原子と同様である。
【００９７】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００９８】
また「一般式（２５）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２５）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離しアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【００９９】
一般式（２６）で表される化合物、および一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【０１００】
前記一般式（２６）において、Ｙ5はＮ−（Ｒ54）（Ｒ55）、Ｏ−Ｒ56またはＳ−Ｒ57を表す。Ｌ51は二価の連結基を表すが、該連結基としては例えば、アルキレン、アリーレン、アルケニレン、アルキレンオキシド、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ58）−（Ｒ58は水素原子または置換基）等のそれぞれを単独又は組み合わせて構成される二価の連結基が挙げられる。Ｒ51〜Ｒ57はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ58は水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【０１０１】
ｎは０、１または２を表す。
金属錯体の金属としては、一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の金属原子と同様である。
【０１０２】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【０１０３】
また「一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２６）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離しアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【０１０４】
一般式（２６）で表される化合物、および一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体において、好ましくはα―アミノ酸、β―アミノ酸、およびそれらの金属錯体である。
【０１０５】
一般式（２７）で表される化合物、および一般式（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【０１０６】
前記一般式（２７）において、Ｙ6はＯＨ、ＳＨまたはＮＨＲ62を表し、Ｚ6は酸素原子、硫黄原子またはＮ―Ｒ63を表し、Ｒ61〜Ｒ63はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【０１０７】
Ｗ1は芳香環を形成するのに必要な原子群を表し、形成される芳香環はさらに置換基を有してもよいが、該芳香環としては例えば、フェニル基、ナフチル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル基、フリル基、チオフェニル基、ピローリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、ピリジル基などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１０８】
好ましくはＷ1により形成される芳香環がベンゼン環のときであり、より好ましくはＷ1により形成される芳香環がベンゼン環であり、Ｙ6がカルボニル基でありＲ61がアルキル基のときである。
【０１０９】
金属錯体の金属原子としては、一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の金属原子と同様である。
【０１１０】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【０１１１】
また「一般式（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２７）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離しアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【０１１２】
但し、Ｗ1によって形成される芳香環が芳香族炭素環であり、Ｙ6がＯＨであり、かつＺ6が酸素原子の時、Ｒ61は炭素原子または窒素原子で結合する置換基を表す。また、Ｗ1によって形成される芳香環が芳香族炭素環であり、Ｙ6がＯＨであり、かつＺ6がＮ−Ｒ63の時、Ｒ61とＲ63は結合して芳香環を形成することは無い。
【０１１３】
以下に、本発明の化合物、および本発明の金属錯体等の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１４】
以下に、一般式（１）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１１５】
【化２５】
【０１１６】
【化２６】
【０１１７】
以下に、一般式（９）〜（２１）で表される金属錯体の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１１８】
【化２７】
【０１１９】
【化２８】
【０１２０】
【化２９】
【０１２１】
【化３０】
【０１２２】
【化３１】
【０１２３】
【化３２】
【０１２４】
以下に、本発明の一般式（２２）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１２５】
【化３３】
【０１２６】
以下に、本発明の一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１２７】
【化３４】
【０１２８】
以下に、一般式（２３）〜（２５）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１２９】
【化３５】
【０１３０】
以下に、一般式（２３）〜（２５）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１３１】
【化３６】
【０１３２】
以下に、本発明の一般式（２６）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１３３】
【化３７】
【０１３４】
【化３８】
【０１３５】
以下に、本発明の一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１３６】
【化３９】
【０１３７】
以下に、本発明の一般式（２７）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１３８】
【化４０】
【０１３９】
【化４１】
【０１４０】
以下に、本発明の一般式（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１４１】
【化４２】
【０１４２】
本発明において、有機ＥＬ素子の有機層の層構成は単層でも多層積層でもよく、例えば多層構成の場合には有機物以外の層（例えばフッ化リチウム層や無機金属塩の層、またはそれらを含有する層など）が任意の位置に配置されていてもよい。
【０１４３】
有機ＥＬ素子は、基本的には一対の電極の間に発光層を挾持し、必要に応じ正孔輸送層や電子輸送層を介在させた構造を有する。具体的な例を下記に示すがこれに限定されるものではない。
（ｉ）陽極／発光層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（iv）陽極／正孔注入層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／陰極上記発光層は（１）電界印加時に、陽極、正孔注入層又は、正孔輸送層により正孔を注入することができ、かつ陰極、電子輸送層又は電子注入層より電子を注入することができる注入機能、（２）注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、（３）電子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる発光機能などを有している。ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送機能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動させる機能を有するものが好ましい。この発光層に用いられる発光材料の種類については特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子における発光材料として公知のものを用いることができる。このような発光材料は主に有機化合物であり、所望の色調により、例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５巻１７頁から２６頁に記載の化合物が挙げられる。
【０１４４】
さらに、陽極と発光層または正孔注入層の間、および、陰極と発光層または電子輸送層との間には注入層（バッファー層、電極界面層）を存在させてもよい。
【０１４５】
注入層とは、駆動電圧低下や発光効率向上のために電極と有機層間に設けられる層のことであり、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日 エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（第１２３頁〜第１６６頁）に詳細に記載されており、陽極バッファー層（正孔注入層）と陰極バッファー層（電子注入層）とがある。
【０１４６】
陽極バッファー層（正孔注入層）については、特開平８−２８８０６９号、同９−４５４７９号、同９−２６００６２号等にもその詳細が記載されており、具体的には例えば、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【０１４７】
陰極バッファー層（電子注入層）については、特開平６−３２５８７１号、同９−１７５７４号、同１０−７４５８６号等にもその詳細が記載されており、具体的には例えば、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
【０１４８】
上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１〜１００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１４９】
さらに上記基本構成層の他に必要に応じてその他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開平１１−２０４２５８号、同１１−２０４３５９号、および「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日 エヌ・ティー・エス社発行）」の第２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層などのような機能層を有していてもよい。
【０１５０】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔阻止層、陰極バッファー層（電子注入層）および陽極バッファー層（正孔注入層）等から選ばれる少なくとも１つの層内に本発明の化合物の少なくとも１種を有するものである。
【０１５１】
本発明の有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（通常４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕなどの金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合には（通常１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極から発光を取り出す場合には、陽極の透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲である。
【０１５２】
一方、陰極としては、仕事関数の小さい（通常４ｅＶ以下）金属（以下、電子注入性金属ともいう）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウムなどが好適である。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。なお、発光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光効率が向上し好都合である。
【０１５３】
次に、必要に応じて設けられる正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入され、そのうえ、発光層に陰極、電子注入層又は電子輸送層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の優れた素子となる。この正孔注入層、正孔輸送層の材料（以下、正孔注入材料、正孔輸送材料ともいう）については、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１５４】
上記正孔注入材料、正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１５５】
上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノベンゼン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−メチルフェニル）−４，４′−ジアミノ−１，１′−ビフェニル（ＴＰＤ）；２，２−ビス〔４′−（Ｎ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル〕プロパン；１，１−ビス〔４′−（Ｎ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル〕シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス〔４′−（Ｎ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル〕−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４′−ジメチルアミノ−２′−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス〔４′−（Ｎ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル〕フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４″−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４″−（Ｎ′，Ｎ′−ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニル）ビニルベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば４，４′−ビス〔Ｎ−（１″−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３″−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）などが挙げられる。
【０１５６】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１５７】
また、ｐ型−Ｓｉ，ｐ型−ＳｉＣなどの無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０１５８】
正孔注入層、正孔輸送層は、上記正孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法，スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度である。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上を主体とする一層構造であってもよく、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【０１５９】
本発明において、さらに、必要に応じて用いられる電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１６０】
電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料ともいう）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンやペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１６１】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１６２】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）など、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として用いられるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１６３】
電子輸送層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。電子輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この電子輸送層は、これらの電子輸送材料の一種又は二種以上を主体とする一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【０１６４】
発光層は電極または電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【０１６５】
発光層に使用される材料（以下、発光材料ともいう）は、蛍光または燐光を発する有機化合物または錯体であることが好ましく、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１６６】
発光材料は発光性能の他に、前記の正孔輸送機能や電子輸送機能を併せ持っていてもよく、前記の正孔注入材料、正孔輸送材料や電子注入材料、電子輸送材料の殆どが発光材料としても使用できる。
【０１６７】
発光材料はｐ−ポリフェニレンビニレンやポリフルオレンのような高分子材料でもよく、さらに前記発光材料を高分子鎖に導入した、または前記発光材料を高分子の主鎖とした高分子材料を使用してもよい。
【０１６８】
また、発光層にはドーパント（ゲスト物質）を併用してもよく、ＥＬ素子のドーパントとして使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１６９】
ドーパントの具体例としては、例えばキナクリドン、クマリン誘導体、ローダミン、ルブレン、デカシクレン、ピラゾリン誘導体、スクアリリウム誘導体、ユーロピウム錯体等がその代表例として挙げられる。
【０１７０】
発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この発光層は、これらの発光材料の一種又は二種以上を主体とする一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【０１７１】
また、発光層は、特開昭５７−５１７８１号に記載されているように、樹脂などの結着材と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などにより薄膜化して形成することができる。このようにして形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲である。
【０１７２】
本発明の有機ＥＬ素子に好ましく用いられる基盤は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない。本発明の有機ＥＬ素子に好ましく用いられる基盤としては例えばガラス、石英、光透過性プラスチックフィルムを挙げることができる。
【０１７３】
光透過性プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
【０１７４】
次に、有機ＥＬ素子を作製する好適な例について説明する。例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層／電子注入層、正孔阻止層、陰極バッファー層または陽極バッファー層等の有機または無機の材料からなる薄膜を形成させる。
【０１７５】
有機薄膜層の薄膜化の方法としては、前記の如く真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、などがあるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に真空蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類、分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０-6〜１０-2Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが好ましい。
【０１７６】
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、通常１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば真空蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。但し、その際には作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
【０１７７】
また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた有機ＥＬ素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧を通常５〜４０Ｖ程度印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０１７８】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光物質等を含有した色変換層または色変換フィルターを素子の内部または外部に有していてもよく、また、カラーフィルター等の色相改良フィルターを有していてもよい。
【０１７９】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよい。特に、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。
【０１８０】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の態様はこれに限定されない。
【０１８１】
実施例１
ガラス基板上にＩＴＯ（インジウム−チン−オキサイド）を膜厚２００ｎｍに蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を形成した。この陽極上に、真空蒸着法によりＣｕＰｃ（下記化合物Ｓ−１）を膜厚１０ｎｍに蒸着して正孔注入層を形成した。次いで、トリフェニルビナフチルアミン（ＴＢＮＰＡ、下記化合物Ｈ−１）を膜厚８５ｎｍに蒸着して発光層を形成した。
【０１８２】
【化４３】
【０１８３】
さらに、本発明の金属錯体９−Ｍ−１を膜厚１ｎｍに蒸着して電子注入層を形成した。最後に、ＭｇとＡｇを共蒸着して膜厚２００ｎｍのＭｇＡｇ（１０：１）陰極を形成して有機ＥＬ素子Ｎｏ．１（本発明）を作製した。
【０１８４】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体９−Ｍ−２により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．２（本発明）を作製した。
【０１８５】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体１０−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．３（本発明）を作製した。
【０１８６】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体１７−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．４（本発明）を作製した。
【０１８７】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体１８−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．５（本発明）を作製した。
【０１８８】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体１９−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．６（本発明）を作製した。
【０１８９】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２０−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．７（本発明）を作製した。
【０１９０】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２１−Ｍ−４により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．８（本発明）を作製した。
【０１９１】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２２−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．９（本発明）を作製した。
【０１９２】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２２−Ｍ−２により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１０（本発明）を作製した。
【０１９３】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２４−Ｍ−２により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１１（本発明）を作製した。
【０１９４】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２６−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１２（本発明）を作製した。
【０１９５】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２６−Ｍ−３により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１３（本発明）を作製した。
【０１９６】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２７−Ｍ−３により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１４（本発明）を作製した。
【０１９７】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりにＬｉＦにより電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１５（比較）を作製した。
【０１９８】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに下記化合物Ｄ−１で示されるＬｉ（ａｃａｃ）により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１６（比較）を作製した。
【０１９９】
【化４４】
【０２００】
作製した有機ＥＬ素子の発光効率特性（１０Ｖ印加時の輝度（ｃｄ／ｍ2））、および発光寿命（窒素中、１０ｍＡ／ｃｍ2の一定電流で駆動したときに初期輝度が元の半分に低下するのに要した時間である半減寿命時間、即ち半減期）を、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１５（比較）の輝度、半減期をそれぞれ１００としたときの相対値としてそれぞれ表１に示す。
【０２０１】
【表１】
【０２０２】
表１からわかるように本発明の有機ＥＬ素子は非常に良好な発光輝度を示した。また、発光寿命も非常に向上することが確認された。
【０２０３】
実施例２
ガラス基板上にＩＴＯを膜厚２００ｎｍに蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を形成した。この陽極上に、真空蒸着法によりＣｕＰｃ（前記化合物Ｓ−１）を膜厚１０ｎｍに蒸着して正孔注入層を形成した。次いで、トリフェニルビナフチルアミン（ＴＢＮＰＡ、前記化合物Ｈ−１）を膜厚５０ｎｍに蒸着して発光層を形成した。
【０２０４】
さらに、本発明の金属錯体１８−Ｍ−４を膜厚５ｎｍに蒸着して正孔阻止層を形成した。さらに下記化合物Ｄ−２で示される化合物Ａｌｑ３を膜厚３０ｎｍに蒸着して電子輸送層とした。最後に、ＭｇとＡｇを共蒸着して膜厚２００ｎｍのＭｇＡｇ（１０：１）陰極を形成して有機ＥＬ素子Ｎｏ．１７を作製した。
【０２０５】
【化４５】
【０２０６】
本発明の金属錯体１８−Ｍ−４の代わりに本発明の金属錯体１９−Ｍ−３により正孔阻止層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１７と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１８（本発明）を作製した。
【０２０７】
本発明の金属錯体１８−Ｍ−４の代わりに本発明の金属錯体２７−Ｍ−４により正孔阻止層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１７と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１９（本発明）を作製した。
【０２０８】
本発明の金属錯体１８−Ｍ−４の代わりに下記化合物Ｓ−２で示されるバソフェナントロリンにより正孔阻止層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１７と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．２０（比較）を作製した。
【０２０９】
【化４６】
【０２１０】
作製した有機ＥＬ素子の発光効率特性（１０Ｖ印加時の輝度（ｃｄ／ｍ2）、および駆動安定性（窒素中、１０ｍＡ／ｃｍ2の一定電流で駆動したときに初期輝度が元の半分に低下するのに要した時間である半減寿命時間、即ち半減期））を、有機ＥＬ素子Ｎｏ．２０（比較）の輝度、半減期をそれぞれ１００としたときの相対値としてそれぞれ表２に示す。
【０２１１】
【表２】
【０２１２】
表２からわかるように本発明の有機ＥＬ素子は良好な発光輝度を示した。また、発光寿命も向上することが確認された。
【０２１３】
以上、実施例１、２で実証したように、本発明により、有機ＥＬ素子の少なくとも一層に本発明の化合物、金属錯体を用いることにより、発光輝度が大きく向上し、発光寿命に優れた有機ＥＬ素子を得ることができた。また、特には電子注入層に本発明の化合物、金属錯体を用いることにより、発光輝度が顕著に向上し、発光寿命が非常に優れた有機ＥＬ素子を得ることができた。
【０２１４】
このように、本発明の有機ＥＬ素子は発光輝度、発光寿命の向上を達成するものであるが、併せて使用される発光物質、発光補助材料、電荷輸送材料、高分子材料、電極材料、基板等、および素子作製方法は上記実施例により限定されるものではない。
【０２１５】
【発明の効果】
本発明により、発光効率に優れ、高輝度に発光する有機エレクトロルミネッセンス素子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できた。また、発光劣化の少ない有機エレクトロルミネッセンス素子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できた。特に、電子注入層として従来のＬｉＦに代わり本発明の化合物を用いることにより、さらなる発光効率の向上、長期に渡り安定な発光特性の維持ができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できた。
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラットディスプレイや平面光源などに使用される有機エレクトロルミネッセンス（エレクトロルミネッセンスを以下単に、ＥＬともいう）素子に関するものであり、詳しくは発光効率、発光寿命が優れた有機ＥＬ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、無機ＥＬ素子は平面型光源として使用されてきたが該素子を発光素子として駆動させるためには交流の高電圧が必要である。一方、最近開発された有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子及び正孔を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能であり、また自己発光型であるために視野角依存性に富み、視認性が高く、更には薄膜型の完全固体素子であるために省スペースである等の観点から注目され、実用化研究への展開が開始されている。
【０００３】
これまで、様々な有機ＥＬ素子が報告されている。たとえば、米国特許第３，５３０，３２５号に記載の発光体として単結晶アントラセン等を用いたもの、特開昭５９−１９４３９３号に記載の正孔注入層と有機発光体層とを組み合わせたもの、特開昭６３−２９５６９５号に記載の正孔注入層と電子注入輸送層とを組み合わせたもの、Ｊｐｎ．Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｉｓｙｃｓ，ｖｏｌ１２７，Ｎｏ．２第２６９〜２７１頁に記載の正孔移動層と発光層と電子移動層とを組み合わせたもの等が開示されている。しかしながら、エネルギー変換効率、発光量子効率の更なる向上や、有機薄膜の経時での安定性の更なる向上など解決すべき問題があった。
【０００４】
また、有機ＥＬにおいて、電子は陰極から電子輸送層に使われる物質の最低空軌道（ＬＵＭＯ）に注入される。このため、陰極には仕事関数の小さいマグネシウム、アルカリ金属（特開平５−１９８３８０号参照）などの合金が使用されている。また、電子輸送層に使用する物質については、陰極からの電子注入障壁が低い物質を使用した方がより電子注入が容易となるため駆動電圧を下げることができる。
【０００５】
従来、低仕事関数の陰極に関する報告は数多くあるものの、電子輸送層に使用する物質については、Ａｌｑなどの８−ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯体、オキサゾール誘導体が使用されおり、発光効率、発光寿命の点で必ずしも満足のいくものではなく、さらに発光効率、発光寿命が優れたの有機ＥＬ素子の開発が望まれていた。
【０００６】
最近では例えば特開平１０−７４５８６号に記載されているような電子輸送層と陰極の間にＬｉＦからなる電子注入層を設け発光効率、発光寿命の更なる改良への試み、また特開平１１−２３３２６２号に記載されているようなβ−ジケトン金属錯体を電子注入層として用いる試み等種々の試みがなされているが、必ずしも満足できるものではなく、発光効率、発光寿命が優れた有機エレクトロルミネッセンス素子の開発が望まれていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その第一の目的は、発光効率に優れ、高輝度に発光する有機エレクトロルミネッセンス素子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。本発明の第二の目的は発光劣化の少ない有機エレクトロルミネッセンス素子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。本発明の第三の目的は、電子注入層として従来のＬｉＦに代わり本発明の化合物を用いることにより、さらなる発光効率の向上、長期に亘り安定な発光特性の維持ができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、下記構成により達成される。
【０００９】
１．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（９）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
２．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１０）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
３．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１７）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
４．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１８）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
５．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（１９）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
６．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２０）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
７．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２１）で表される金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
８．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２２）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
９．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２４）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２４）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
１０．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２６）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記一般式（２７）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
１２．金属錯体の金属原子がホウ素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アルミニウム原子または亜鉛原子であることを特徴とする１〜６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１３．金属錯体の金属原子がホウ素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アルミニウム原子または亜鉛原子であることを特徴とする８〜１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１４．金属錯体のＭがリチウム原子であることを特徴とする１〜６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１５．金属錯体のＭがセシウム原子であることを特徴とする１〜６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１６．金属錯体の金属原子がリチウム原子であることを特徴とする８〜１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１７．金属錯体の金属原子がセシウム原子であることを特徴とする８〜１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１８．金属錯体を、発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする１、２、３、４、５、６または９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１９．金属錯体を、発光層と陰極との間に設けられた電子注入層に含有することを特徴とする１、２、３、４、５、６または９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００４０】
即ち、本発明の上記、第１、第２の目的は、本発明の請求項１〜１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子により達成される。特に請求項１〜１７に係る本発明の金属錯体を発光層と陰極との間に有する電子注入層に含むこと（請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子）により本発明の第３の目的が達成される。また、驚くべきことに上記請求項１〜１７に係る本発明の金属錯体について、例えば下記に示すように、配位子の配位する二つの原子を直線で結んだ１／２の距離の点と配位される金属原子を結んだ軸に対し、軸対称性が非対象な配位子を有する金属錯体を電子注入層に含むことで有機エレクトロルミネッセンス素子の高輝度、長寿命化が（第１、第２の目的が顕著に、第三の目的が特に顕著に）達成される。
また、以下の態様も本発明と同様に好ましい。
Ａ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（１）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｌ】
Ｂ．金属錯体の金属原子がホウ素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アルミニウム原子または亜鉛原子であることを特徴とするＡ記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｃ．金属錯体の金属原子がリチウム原子またはセシウム原子であることを特徴とするＡ記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｄ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１１）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｏ】
Ｅ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１２）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｐ】
Ｆ．前記一般式（１２）で表される化合物のＭがホウ素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アルミニウム原子または亜鉛原子である（ただし、Ｒ １０４ 、Ｒ １０５ がトリフルオロメチル基であり、かつＸが窒素原子である時、Ｍはリチウム原子であることはない）ことを特徴とするＥ記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ｇ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１３）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｑ】
Ｈ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１４）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｒ】
Ｉ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１５）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｓ】
Ｊ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１６）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｔ】
Ｋ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（２３）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２３）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｕ】
Ｌ．少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（２５）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２５）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化Ｖ】
【００４１】
【化２３】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の、一般式（９）、（１０）、（１７）〜（２２）、（２４）、（２６）、（２７）で表される化合物、一般式（２２）、（２４）、（２６）、（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体、一般式（９）〜（２１）で表される金属錯体（以下、本発明の化合物、本発明の金属錯体ともいう）は、少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層、陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子においてどの層に用いられてもよい。好ましくは正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、発光層、電子阻止層、電子輸送層、電子注入層であり、さらに好ましくは正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層であり、最も好ましくは電子注入層である。電子注入層に本発明の化合物、本発明の金属錯体を用いる場合、膜厚は好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以下、最も好ましくは５ｎｍ以下である。
【００４３】
以下、本発明の化合物および本発明の金属錯体等について詳細に説明する。
前記一般式（１）で表される化合物、および一般式（１）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について詳細に説明する。
【００４４】
前記一般式（１）において、Ａ1、Ａ2はそれぞれ独立に一般式（２）〜（５）で表される一価の置換基を表し、Ｘ1は構造式（６）、構造式（７）または一般式（８）で表される連結基を表す。
【００４５】
一般式（２）〜（５）および（８）におけるＲ1〜Ｒ6はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロ−ｔ−ブチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えばベンジル基、２−フェネチル基等）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル基等）、ヘテロ環基（例えばフラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、フラザン、ピリジン等から導かれる基）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えばフェノキシ基等）、アシル基（例えばアセチル基、ベンゾイル基等）、カルボニル基（例えばカルボキシル基、カルバモイル基等）等が挙げられる。これらの基はさらに置換基で置換されていてもよく、該置換基としては例えば、ハロゲン原子、水素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジアリールアミノ基等が挙げられる。またこれら置換基は任意に複数個それぞれ独立に有されていてもよく、その複数の置換基が互いに結合してさらに環を形成してもよい。具体例としては以上のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
Ｒ1〜Ｒ6は好ましくはアルキル基、アリール基である。
ただし、Ａ1とＡ2が同時に一般式（２）で表され、かつＸ1が一般式（６）で表されることはない。また、Ａ1とＡ2が同時に一般式（４）で表され、かつＸ1が一般式（７）で表される時、Ｒ3がＣＦ3基であることはない。
【００４７】
また、Ａ1＝Ａ2の時、２個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は同じであっても、異なっていてもよい。
【００４８】
また、金属錯体の金属原子としては「周期表の化学」岩波書店 斎藤一夫著 ７１頁に記載の金属原子、すなわち半金属性原子Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｔ、Ｒｎを含む金属原子である。金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００４９】
また「一般式（１）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは、例えば下記反応式で例示するように、一般式（１）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離したアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体を意味する。
【００５０】
【化２４】
一般式（９）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（９）において、Ｒ７、Ｒ８はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。
【００５２】
Ｂ1、Ｂ2はそれぞれ独立に炭素原子または硫黄原子を表し、Ｍは金属原子を表すが、該金属原子とは「周期表の化学」岩波書店 斎藤一夫著 ７１頁に記載の金属原子、すなわち半金属性原子Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｔ、Ｒｎを含む金属原子である。ｍは１〜４の整数を表す。
【００５３】
Ｒ7、Ｒ8は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００５４】
一般式（１０）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１０）において、Ｒ９〜Ｒ１１はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。
【００５５】
Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の場合と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。
【００５６】
Ｒ9〜Ｒ11は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００５７】
一般式（１１）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１１）において、Ｒ１０１、Ｒ１０２、Ｒ１０３はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。
【００５８】
Ｒ101、Ｒ102、Ｒ103は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００５９】
一般式（１２）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１２）において、Ｘは窒素原子もしくはＣ−Ｒａを表し、Ｒａは水素原子または置換基を表す。該置換基としてはアルキル基（例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ヒドロキシエチル基、メトキシメチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロ−ｔ−ブチル基、ｔ−ブチル基等）、シクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アラルキル基（例えばベンジル基、２−フェネチル基等）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル基等）、ヘテロ環基（例えばフラン、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、１，２，４−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、フラザン、ピリジン等から導かれる基）、アルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等）、アリールオキシ基（例えばフェノキシ基等）、アシル基、カルボニル基等が挙げられる。これらの基はさらに置換されていてもよく、該置換基としては、ハロゲン原子、水素原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、ジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジアリールアミノ基等が挙げられる。またこれらの置換基は任意に複数個それぞれ独立に有しされていてもよく、その複数の置換基が互いに結合してさらに環を形成してもよい。具体例としては以上のようなものであるが、これらに限定されない。
【００６０】
Ｒ104、Ｒ105はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ただし、Ｒ104、Ｒ105がトリフルオロメチル基であり、かつＸが窒素原子である時、Ｍはリチウム原子であることはない。ｍは１〜４の整数を表す。
【００６１】
Ｒ104、Ｒ105は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００６２】
一般式（１３）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１３）において、Ｒ１０６、Ｒ１０７、Ｒ１０８はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。
【００６３】
Ｒ106、Ｒ107、Ｒ108は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００６４】
一般式（１４）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１４）において、Ｒ１０９、Ｒ１１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。ＭはＢｅ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｇｅ、ＳｎまたはＳｂを表す。ｍは１〜４の整数を表す。
【００６５】
Ｒ109、Ｒ110は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはＢｅ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓ、Ｂａ、ホウ素原子、アルミニウム原子、亜鉛原子であるが、更に好ましくはＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｓである。
【００６６】
一般式（１５）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１５）において、Ｒ１１１、Ｒ１１２はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。但しＲ１１１とＲ１１２が同時に同じ置換基であることはない。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。
【００６７】
Ｒ111、Ｒ112は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００６８】
一般式（１６）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１６）において、Ｒ１１３、Ｒ１１４はそれぞれ独立に炭素数２以上のアルキル基、アリール基またはヘテロ環基をあらわす。ｍは１〜４の整数を表す。
【００６９】
一般式（１７）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１７）において、Ｒ１４、Ｒ１５はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。Ｂ５は炭素原子または硫黄原子を表す。Ｘは窒素原子またはＣ−Ｒｂを表し、Ｒｂは水素原子または置換基を表すが、該置換基としては一般式（１２）のＸで表されるＣ−ＲａのＲａで表される置換基と同様である。
【００７０】
Ｒ14、Ｒ15は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００７１】
一般式（１８）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１８）において、Ｒ１６〜Ｒ１９はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。Ｘは窒素原子またはＣ−Ｒｃを表し、Ｒｃは水素原子または置換基を表すが、該置換基としては一般式（１２）のＸで表されるＣ−ＲａのＲａで表される置換基と同様である。
【００７２】
Ｒ16〜Ｒ19は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００７３】
一般式（１９）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（１９）において、Ｒ２０〜Ｒ２２はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。Ｘは窒素原子もしくはＣ−Ｒｄを表し、Ｒｄは水素原子または置換基を表すが、該置換基としては一般式（１２）のＸで表されるＣ−ＲａのＲａで表される置換基と同様である。
【００７４】
Ｒ20〜Ｒ22は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００７５】
一般式（２０）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（２０）において、Ｒ２３〜Ｒ２５はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。Ｍは金属原子を表すが、金属原子とは一般式（９）の時と同様である。ｍは１〜４の整数を表す。Ｘは窒素原子またはＣ−Ｒｅを表し、Ｒｅは水素原子または置換基を表すが、該置換基としては一般式（１２）のＸで表されるＣ−ＲａのＲａで表される置換基と同様である。
【００７６】
Ｒ23〜Ｒ25は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｍは好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００７７】
一般式（２１）で表される金属錯体について説明する。
前記一般式（２１）において、Ｒ２６〜Ｒ２８はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ１〜Ｒ６で表される置換基と同義である。
【００７８】
Ｒ２６〜Ｒ２８は好ましくはアルキル基、アリール基である。
一般式（２２）で表される化合物、および一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【００７９】
前記一般式（２２）において、Ｒ31、Ｒ33はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【００８０】
Ｒ32は置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6の場合と同様である。Ｒ31、Ｒ33は好ましくはアルキル基、アリール基であり、Ｒ32は好ましくはアルキル基である。
【００８１】
金属錯体の金属原子としては「周期表の化学」岩波書店 斎藤一夫著 ７１頁に記載の金属原子、すなわち半金属性原子Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ａｔ、Ｒｎを含む金属原子である。
【００８２】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００８３】
また「一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２２）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離したアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【００８４】
一般式（２３）で表される化合物、および一般式（２３）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【００８５】
前記一般式（２３）において、Ｙ4、Ｚ4はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、またはＮ−Ｒ43を表す。Ｌ41は二価の連結基を表すが、該連結基としては例えば、アルキレン、アリーレン、アルケニレン、アルキレンオキシド、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ44）−（Ｒ44は水素原子または置換基）等それぞれを単独又は組み合わせて構成される二価の連結基が挙げられる。Ｒ41〜Ｒ43はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ44は水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【００８６】
ｎは０、１または２を表す。
金属錯体の金属原子としては、一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の金属原子と同様である。
【００８７】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００８８】
また「一般式（２３）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２３）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離してアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【００８９】
一般式（２４）で表される化合物、および一般式（２４）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【００９０】
前記一般式（２４）において、Ｙ41は酸素原子、硫黄原子、またはＮ−Ｒ47を表す。Ｌ42は二価の連結基を表すが、該連結基としては例えば、アルキレン、アリーレン、アルケニレン、アルキレンオキシド、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ48）−（Ｒ48は水素原子または置換基）等のそれぞれを単独又は組み合わせて構成される二価の連結基が挙げられる。Ｒ45〜Ｒ47はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ48は水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【００９１】
ｎは０、１または２の整数を表す。
金属錯体の金属原子としては、一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の金属原子と同様である。
【００９２】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００９３】
また「一般式（２４）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２４）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離しアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【００９４】
一般式（２５）で表される化合物、および一般式（２５）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【００９５】
前記一般式（２５）において、Ｌ43は二価の連結基を表すが、該連結基としては例えば、アルキレン、アリーレン、アルケニレン、アルキレンオキシド、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ403）−（Ｒ403は水素原子または置換基）等のそれぞれを単独又は組み合わせて構成される二価の連結基が挙げられる。Ｒ401、Ｒ402はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ403は水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【００９６】
ｎは０または２を表す。
金属錯体の金属原子としては、一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の金属原子と同様である。
【００９７】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【００９８】
また「一般式（２５）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２５）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離しアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【００９９】
一般式（２６）で表される化合物、および一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【０１００】
前記一般式（２６）において、Ｙ5はＮ−（Ｒ54）（Ｒ55）、Ｏ−Ｒ56またはＳ−Ｒ57を表す。Ｌ51は二価の連結基を表すが、該連結基としては例えば、アルキレン、アリーレン、アルケニレン、アルキレンオキシド、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ58）−（Ｒ58は水素原子または置換基）等のそれぞれを単独又は組み合わせて構成される二価の連結基が挙げられる。Ｒ51〜Ｒ57はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、Ｒ58は水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【０１０１】
ｎは０、１または２を表す。
金属錯体の金属としては、一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の金属原子と同様である。
【０１０２】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【０１０３】
また「一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２６）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離しアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【０１０４】
一般式（２６）で表される化合物、および一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体において、好ましくはα―アミノ酸、β―アミノ酸、およびそれらの金属錯体である。
【０１０５】
一般式（２７）で表される化合物、および一般式（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体について説明する。
【０１０６】
前記一般式（２７）において、Ｙ6はＯＨ、ＳＨまたはＮＨＲ62を表し、Ｚ6は酸素原子、硫黄原子またはＮ―Ｒ63を表し、Ｒ61〜Ｒ63はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表すが、該置換基としては前記Ｒ1〜Ｒ6で表される置換基と同義である。
【０１０７】
Ｗ1は芳香環を形成するのに必要な原子群を表し、形成される芳香環はさらに置換基を有してもよいが、該芳香環としては例えば、フェニル基、ナフチル基、ｐ−トリル基、ｐ−クロロフェニル基、フリル基、チオフェニル基、ピローリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、１，２，４−トリアゾリル基、１，２，３−トリアゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、ピリジル基などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１０８】
好ましくはＷ1により形成される芳香環がベンゼン環のときであり、より好ましくはＷ1により形成される芳香環がベンゼン環であり、Ｙ6がカルボニル基でありＲ61がアルキル基のときである。
【０１０９】
金属錯体の金属原子としては、一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の金属原子と同様である。
【０１１０】
金属原子は好ましくはアルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、ホウ素原子、アルミニウム原子および亜鉛原子であるが、更に好ましくはリチウム原子、セシウム原子である。
【０１１１】
また「一般式（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体」とは一般式（２７）で表される化合物に塩基性物質を加えることにより、該化合物のプロトンが一つもしくは複数個脱離しアニオンが生成する。このアニオンを配位子とする金属錯体のことであり詳しくは前記一般式（１）の時と同様である。
【０１１２】
但し、Ｗ1によって形成される芳香環が芳香族炭素環であり、Ｙ6がＯＨであり、かつＺ6が酸素原子の時、Ｒ61は炭素原子または窒素原子で結合する置換基を表す。また、Ｗ1によって形成される芳香環が芳香族炭素環であり、Ｙ6がＯＨであり、かつＺ6がＮ−Ｒ63の時、Ｒ61とＲ63は結合して芳香環を形成することは無い。
【０１１３】
以下に、本発明の化合物、および本発明の金属錯体等の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１４】
以下に、一般式（１）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１１５】
【化２５】
【化２６】
以下に、一般式（９）〜（２１）で表される金属錯体の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１１８】
【化２７】
【化２８】
【化２９】
【化３０】
【化３１】
【化３２】
以下に、本発明の一般式（２２）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１２５】
【化３３】
以下に、本発明の一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１２７】
【化３４】
以下に、一般式（２３）〜（２５）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１２９】
【化３５】
以下に、一般式（２３）〜（２５）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１３１】
【化３６】
以下に、本発明の一般式（２６）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１３３】
【化３７】
【化３８】
以下に、本発明の一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１３６】
【化３９】
以下に、本発明の一般式（２７）で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１３８】
【化４０】
【化４１】
以下に、本発明の一般式（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
【０１４１】
【化４２】
本発明において、有機ＥＬ素子の有機層の層構成は単層でも多層積層でもよく、例えば多層構成の場合には有機物以外の層（例えばフッ化リチウム層や無機金属塩の層、またはそれらを含有する層など）が任意の位置に配置されていてもよい。
【０１４３】
有機ＥＬ素子は、基本的には一対の電極の間に発光層を挾持し、必要に応じ正孔輸送層や電子輸送層を介在させた構造を有する。具体的な例を下記に示すがこれに限定されるものではない。
（ｉ）陽極／発光層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（iv）陽極／正孔注入層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／陰極上記発光層は（１）電界印加時に、陽極、正孔注入層又は、正孔輸送層により正孔を注入することができ、かつ陰極、電子輸送層又は電子注入層より電子を注入することができる注入機能、（２）注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、（３）電子と正孔の再結合の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる発光機能などを有している。ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また、正孔と電子の移動度で表される輸送機能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動させる機能を有するものが好ましい。この発光層に用いられる発光材料の種類については特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子における発光材料として公知のものを用いることができる。このような発光材料は主に有機化合物であり、所望の色調により、例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５巻１７頁から２６頁に記載の化合物が挙げられる。
【０１４４】
さらに、陽極と発光層または正孔注入層の間、および、陰極と発光層または電子輸送層との間には注入層（バッファー層、電極界面層）を存在させてもよい。
【０１４５】
注入層とは、駆動電圧低下や発光効率向上のために電極と有機層間に設けられる層のことであり、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日 エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（第１２３頁〜第１６６頁）に詳細に記載されており、陽極バッファー層（正孔注入層）と陰極バッファー層（電子注入層）とがある。
【０１４６】
陽極バッファー層（正孔注入層）については、特開平８−２８８０６９号、同９−４５４７９号、同９−２６００６２号等にもその詳細が記載されており、具体的には例えば、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【０１４７】
陰極バッファー層（電子注入層）については、特開平６−３２５８７１号、同９−１７５７４号、同１０−７４５８６号等にもその詳細が記載されており、具体的には例えば、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。
【０１４８】
上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は０．１〜１００ｎｍの範囲が好ましい。
【０１４９】
さらに上記基本構成層の他に必要に応じてその他の機能を有する層を積層してもよく、例えば特開平１１−２０４２５８号、同１１−２０４３５９号、および「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日 エヌ・ティー・エス社発行）」の第２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層などのような機能層を有していてもよい。
【０１５０】
本発明の有機ＥＬ素子は、上記発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔阻止層、陰極バッファー層（電子注入層）および陽極バッファー層（正孔注入層）等から選ばれる少なくとも１つの層内に本発明の化合物の少なくとも１種を有するものである。
【０１５１】
本発明の有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（通常４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕなどの金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯなどの導電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合には（通常１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極から発光を取り出す場合には、陽極の透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲である。
【０１５２】
一方、陰極としては、仕事関数の小さい（通常４ｅＶ以下）金属（以下、電子注入性金属ともいう）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属などが挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化などに対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウムなどが好適である。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。なお、発光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光効率が向上し好都合である。
【０１５３】
次に、必要に応じて設けられる正孔注入層、正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、この正孔注入層、正孔輸送層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入され、そのうえ、発光層に陰極、電子注入層又は電子輸送層より注入された電子は、発光層と正孔注入層もしくは正孔輸送層の界面に存在する電子の障壁により、発光層内の界面に累積され発光効率が向上するなど発光性能の優れた素子となる。この正孔注入層、正孔輸送層の材料（以下、正孔注入材料、正孔輸送材料ともいう）については、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１５４】
上記正孔注入材料、正孔輸送材料は、正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。この正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１５５】
上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノベンゼン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−メチルフェニル）−４，４′−ジアミノ−１，１′−ビフェニル（ＴＰＤ）；２，２−ビス〔４′−（Ｎ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル〕プロパン；１，１−ビス〔４′−（Ｎ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル〕シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス〔４′−（Ｎ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル〕−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４′−ジメチルアミノ−２′−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス〔４′−（Ｎ，Ｎ′−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル〕フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４″−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４″−（Ｎ′，Ｎ′−ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニル）ビニルベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば４，４′−ビス〔Ｎ−（１″−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３″−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）などが挙げられる。
【０１５６】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１５７】
また、ｐ型−Ｓｉ，ｐ型−ＳｉＣなどの無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０１５８】
正孔注入層、正孔輸送層は、上記正孔注入材料、正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法，スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度である。この正孔注入層、正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上を主体とする一層構造であってもよく、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【０１５９】
本発明において、さらに、必要に応じて用いられる電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１６０】
電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料ともいう）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンやペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１６１】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１６２】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）など、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として用いられるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１６３】
電子輸送層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。電子輸送層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この電子輸送層は、これらの電子輸送材料の一種又は二種以上を主体とする一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【０１６４】
発光層は電極または電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【０１６５】
発光層に使用される材料（以下、発光材料ともいう）は、蛍光または燐光を発する有機化合物または錯体であることが好ましく、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１６６】
発光材料は発光性能の他に、前記の正孔輸送機能や電子輸送機能を併せ持っていてもよく、前記の正孔注入材料、正孔輸送材料や電子注入材料、電子輸送材料の殆どが発光材料としても使用できる。
【０１６７】
発光材料はｐ−ポリフェニレンビニレンやポリフルオレンのような高分子材料でもよく、さらに前記発光材料を高分子鎖に導入した、または前記発光材料を高分子の主鎖とした高分子材料を使用してもよい。
【０１６８】
また、発光層にはドーパント（ゲスト物質）を併用してもよく、ＥＬ素子のドーパントとして使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１６９】
ドーパントの具体例としては、例えばキナクリドン、クマリン誘導体、ローダミン、ルブレン、デカシクレン、ピラゾリン誘導体、スクアリリウム誘導体、ユーロピウム錯体等がその代表例として挙げられる。
【０１７０】
発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法などの公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲で選ばれる。この発光層は、これらの発光材料の一種又は二種以上を主体とする一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。
【０１７１】
また、発光層は、特開昭５７−５１７８１号に記載されているように、樹脂などの結着材と共に上記発光材料を溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などにより薄膜化して形成することができる。このようにして形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、状況に応じて適宜選択することができるが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲である。
【０１７２】
本発明の有機ＥＬ素子に好ましく用いられる基盤は、ガラス、プラスチックなどの種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はない。本発明の有機ＥＬ素子に好ましく用いられる基盤としては例えばガラス、石英、光透過性プラスチックフィルムを挙げることができる。
【０１７３】
光透過性プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
【０１７４】
次に、有機ＥＬ素子を作製する好適な例について説明する。例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層／電子注入層、正孔阻止層、陰極バッファー層または陽極バッファー層等の有機または無機の材料からなる薄膜を形成させる。
【０１７５】
有機薄膜層の薄膜化の方法としては、前記の如く真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、などがあるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくいなどの点から、真空蒸着法またはスピンコート法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に真空蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類、分子堆積膜の目的とする結晶構造、会合構造などにより異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０-6〜１０-2Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選ぶことが好ましい。
【０１７６】
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、通常１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば真空蒸着やスパッタリングなどの方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。この有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。但し、その際には作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
【０１７７】
また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた有機ＥＬ素子に、直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧を通常５〜４０Ｖ程度印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０１７８】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光物質等を含有した色変換層または色変換フィルターを素子の内部または外部に有していてもよく、また、カラーフィルター等の色相改良フィルターを有していてもよい。
【０１７９】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよい。特に、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス（パッシブマトリックス）方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。
【０１８０】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の態様はこれに限定されない。
【０１８１】
実施例１
ガラス基板上にＩＴＯ（インジウム−チン−オキサイド）を膜厚２００ｎｍに蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を形成した。この陽極上に、真空蒸着法によりＣｕＰｃ（下記化合物Ｓ−１）を膜厚１０ｎｍに蒸着して正孔注入層を形成した。次いで、トリフェニルビナフチルアミン（ＴＢＮＰＡ、下記化合物Ｈ−１）を膜厚８５ｎｍに蒸着して発光層を形成した。
【０１８２】
【化４３】
さらに、本発明の金属錯体９−Ｍ−１を膜厚１ｎｍに蒸着して電子注入層を形成した。最後に、ＭｇとＡｇを共蒸着して膜厚２００ｎｍのＭｇＡｇ（１０：１）陰極を形成して有機ＥＬ素子Ｎｏ．１（本発明）を作製した。
【０１８４】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体９−Ｍ−２により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．２（本発明）を作製した。
【０１８５】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体１０−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．３（本発明）を作製した。
【０１８６】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体１７−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．４（本発明）を作製した。
【０１８７】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体１８−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．５（本発明）を作製した。
【０１８８】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体１９−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．６（本発明）を作製した。
【０１８９】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２０−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．７（本発明）を作製した。
【０１９０】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２１−Ｍ−４により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．８（本発明）を作製した。
【０１９１】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２２−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．９（本発明）を作製した。
【０１９２】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２２−Ｍ−２により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１０（本発明）を作製した。
【０１９３】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２４−Ｍ−２により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１１（本発明）を作製した。
【０１９４】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２６−Ｍ−１により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１２（本発明）を作製した。
【０１９５】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２６−Ｍ−３により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１３（本発明）を作製した。
【０１９６】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに本発明の金属錯体２７−Ｍ−３により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１４（本発明）を作製した。
【０１９７】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりにＬｉＦにより電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１５（比較）を作製した。
【０１９８】
本発明の金属錯体９−Ｍ−１の代わりに下記化合物Ｄ−１で示されるＬｉ（ａｃａｃ）により電子注入層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１６（比較）を作製した。
【０１９９】
【化４４】
作製した有機ＥＬ素子の発光効率特性（１０Ｖ印加時の輝度（ｃｄ／ｍ2））、および発光寿命（窒素中、１０ｍＡ／ｃｍ2の一定電流で駆動したときに初期輝度が元の半分に低下するのに要した時間である半減寿命時間、即ち半減期）を、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１５（比較）の輝度、半減期をそれぞれ１００としたときの相対値としてそれぞれ表１に示す。
【０２０１】
【表１】
表１からわかるように本発明の有機ＥＬ素子は非常に良好な発光輝度を示した。また、発光寿命も非常に向上することが確認された。
【０２０３】
実施例２
ガラス基板上にＩＴＯを膜厚２００ｎｍに蒸着して陽極（シート抵抗３０Ω／□）を形成した。この陽極上に、真空蒸着法によりＣｕＰｃ（前記化合物Ｓ−１）を膜厚１０ｎｍに蒸着して正孔注入層を形成した。次いで、トリフェニルビナフチルアミン（ＴＢＮＰＡ、前記化合物Ｈ−１）を膜厚５０ｎｍに蒸着して発光層を形成した。
【０２０４】
さらに、本発明の金属錯体１８−Ｍ−４を膜厚５ｎｍに蒸着して正孔阻止層を形成した。さらに下記化合物Ｄ−２で示される化合物Ａｌｑ３を膜厚３０ｎｍに蒸着して電子輸送層とした。最後に、ＭｇとＡｇを共蒸着して膜厚２００ｎｍのＭｇＡｇ（１０：１）陰極を形成して有機ＥＬ素子Ｎｏ．１７を作製した。
【０２０５】
【化４５】
本発明の金属錯体１８−Ｍ−４の代わりに本発明の金属錯体１９−Ｍ−３により正孔阻止層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１７と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１８（本発明）を作製した。
【０２０７】
本発明の金属錯体１８−Ｍ−４の代わりに本発明の金属錯体２７−Ｍ−４により正孔阻止層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１７と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．１９（本発明）を作製した。
【０２０８】
本発明の金属錯体１８−Ｍ−４の代わりに下記化合物Ｓ−２で示されるバソフェナントロリンにより正孔阻止層を形成した他は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１７と同様にして有機ＥＬ素子Ｎｏ．２０（比較）を作製した。
【０２０９】
【化４６】
作製した有機ＥＬ素子の発光効率特性（１０Ｖ印加時の輝度（ｃｄ／ｍ2）、および駆動安定性（窒素中、１０ｍＡ／ｃｍ2の一定電流で駆動したときに初期輝度が元の半分に低下するのに要した時間である半減寿命時間、即ち半減期））を、有機ＥＬ素子Ｎｏ．２０（比較）の輝度、半減期をそれぞれ１００としたときの相対値としてそれぞれ表２に示す。
【０２１１】
【表２】
表２からわかるように本発明の有機ＥＬ素子は良好な発光輝度を示した。また、発光寿命も向上することが確認された。
【０２１３】
以上、実施例１、２で実証したように、本発明により、有機ＥＬ素子の少なくとも一層に本発明の化合物、金属錯体を用いることにより、発光輝度が大きく向上し、発光寿命に優れた有機ＥＬ素子を得ることができた。また、特には電子注入層に本発明の化合物、金属錯体を用いることにより、発光輝度が顕著に向上し、発光寿命が非常に優れた有機ＥＬ素子を得ることができた。
【０２１４】
このように、本発明の有機ＥＬ素子は発光輝度、発光寿命の向上を達成するものであるが、併せて使用される発光物質、発光補助材料、電荷輸送材料、高分子材料、電極材料、基板等、および素子作製方法は上記実施例により限定されるものではない。
【０２１５】
【発明の効果】
本発明により、発光効率に優れ、高輝度に発光する有機エレクトロルミネッセンス素子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できた。また、発光劣化の少ない有機エレクトロルミネッセンス素子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できた。特に、電子注入層として従来のＬｉＦに代わり本発明の化合物を用いることにより、さらなる発光効率の向上、長期に渡り安定な発光特性の維持ができる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できた。
Claims (19)
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（９）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１０）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１７）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１８）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（１９）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（２０）で表される金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（２１）で表される金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（２２）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２２）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（２４）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２４）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（２６）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２６）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくとも陽極、有機発光性物質を含む発光層および陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、下記一般式（２７）で表される化合物を配位子とする金属錯体、または一般式（２７）で表される化合物の脱プロトン化したアニオンを配位子とする金属錯体を発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 金属錯体の金属原子がホウ素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アルミニウム原子または亜鉛原子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 金属錯体の金属原子がホウ素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子、アルミニウム原子または亜鉛原子であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 金属錯体のＭがリチウム原子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 金属錯体のＭがセシウム原子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 金属錯体の金属原子がリチウム原子であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 金属錯体の金属原子がセシウム原子であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 金属錯体を、発光層と陰極との間に設けられた正孔阻止層に含有することを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６または９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 金属錯体を、発光層と陰極との間に設けられた電子注入層に含有することを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６または９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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