JP2000223277A - 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 全体が透光性を有し、高輝度で発光効率がよ
く、製作容易である有機エレクトロルミネッセンス素子
を提供する。 【解決手段】 陽極２、有機発光膜（３、４、５）、電
子注入層６、陰極７を有する有機エレクトロルミネッセ
ンス表示素子であり、陽極２及び陰極７はともに透光性
を有するように形成されており、電子注入層６は、アル
カリ金属若しくはアルカリ土類金属の有機金属錯体、又
はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の有機金属塩
からなり、或いはアルカリ金属若しくはアルカリ土類金
属の酸化物、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金
属のハロゲン化物からなり、透光性を有するものである
有機エレクトロルミネッセンス表示素子。
く、製作容易である有機エレクトロルミネッセンス素子
を提供する。 【解決手段】 陽極２、有機発光膜（３、４、５）、電
子注入層６、陰極７を有する有機エレクトロルミネッセ
ンス表示素子であり、陽極２及び陰極７はともに透光性
を有するように形成されており、電子注入層６は、アル
カリ金属若しくはアルカリ土類金属の有機金属錯体、又
はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の有機金属塩
からなり、或いはアルカリ金属若しくはアルカリ土類金
属の酸化物、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金
属のハロゲン化物からなり、透光性を有するものである
有機エレクトロルミネッセンス表示素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極と、該
電極間の有機発光層を含む有機化合物からなる膜（有機
発光膜）を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示素
子に関する。
電極間の有機発光層を含む有機化合物からなる膜（有機
発光膜）を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化に伴って、ＣＲ
Ｔより低消費電力で薄型の平面表示素子のニーズが高ま
っている。このような平面表示素子としては液晶表示素
子、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等があるが、特
に、最近は自己発光型で、表示が鮮明で視野角の広いエ
レクトロルミネッセンス素子が注目されている。エレク
トロルミネッセンス素子はそれを構成する材料により無
機エレクトロルミネッセンス素子と有機エレクトロルミ
ネッセンス素子に大別することができ、無機エレクトロ
ルミネッセンス素子は既に実用化され商品として市販さ
れている。
Ｔより低消費電力で薄型の平面表示素子のニーズが高ま
っている。このような平面表示素子としては液晶表示素
子、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等があるが、特
に、最近は自己発光型で、表示が鮮明で視野角の広いエ
レクトロルミネッセンス素子が注目されている。エレク
トロルミネッセンス素子はそれを構成する材料により無
機エレクトロルミネッセンス素子と有機エレクトロルミ
ネッセンス素子に大別することができ、無機エレクトロ
ルミネッセンス素子は既に実用化され商品として市販さ
れている。
【０００３】しかしながら、無機エレクトロルミネッセ
ンス素子の発光は、高電界の印加によって加速された電
子を発光中心に衝突させて発光させるという、いわゆる
衝突型励起発光であるため、該素子の駆動には１００Ｖ
以上の高電圧の印加が要求される。このため、周辺機器
の高コスト化を招くという問題がある。また、青色発光
の良好な発光体がないためフルカラーの表示ができない
という問題もある。
ンス素子の発光は、高電界の印加によって加速された電
子を発光中心に衝突させて発光させるという、いわゆる
衝突型励起発光であるため、該素子の駆動には１００Ｖ
以上の高電圧の印加が要求される。このため、周辺機器
の高コスト化を招くという問題がある。また、青色発光
の良好な発光体がないためフルカラーの表示ができない
という問題もある。
【０００４】これに対して、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子は、陽極及び陰極の両電極から注入された電荷
（正孔及び電子）が発光体中で再結合して励起子を生成
し、それが発光材料の分子を励起して発光するという、
いわゆる注入型発光素子であるため低電圧で駆動するこ
とができる。しかも、発光材料は有機化合物であるため
発光材料の分子構造を容易に変更することができ、それ
により任意の発光色を得ることができる。従って、有機
エレクトロルミネッセンス素子はこれからの表示素子と
して非常に有望である。
ンス素子は、陽極及び陰極の両電極から注入された電荷
（正孔及び電子）が発光体中で再結合して励起子を生成
し、それが発光材料の分子を励起して発光するという、
いわゆる注入型発光素子であるため低電圧で駆動するこ
とができる。しかも、発光材料は有機化合物であるため
発光材料の分子構造を容易に変更することができ、それ
により任意の発光色を得ることができる。従って、有機
エレクトロルミネッセンス素子はこれからの表示素子と
して非常に有望である。
【０００５】有機エレクトロルミネッセンス素子の原形
は、正孔輸送層と電子輸送層の２層を備えた２層構造の
素子であり、タン（Tang）とバンスライク（VanSlyke）
によって提案された［ C. W. Tang and S. A. VanSlyk
e; Appl. Phys. Lett., 51 (1987) 913 ］。この素子
は、ガラス基板上に積層形成した陽極、正孔輸送層、電
子輸送性発光層及び陰極からなる。
は、正孔輸送層と電子輸送層の２層を備えた２層構造の
素子であり、タン（Tang）とバンスライク（VanSlyke）
によって提案された［ C. W. Tang and S. A. VanSlyk
e; Appl. Phys. Lett., 51 (1987) 913 ］。この素子
は、ガラス基板上に積層形成した陽極、正孔輸送層、電
子輸送性発光層及び陰極からなる。
【０００６】かかる素子では、正孔輸送層が、陽極から
電子輸送性発光層へ正孔を注入する働きをするととも
に、陰極から注入された電子が正孔と再結合することな
く陽極へ逃げるのを防ぎ、電子輸送性発光層内に電子を
封じ込める役割をも果たしている。このため、この正孔
輸送層による電子の封じ込め効果により、単層発光体構
造の素子に比べてより効率よく電子と正孔の再結合が起
こり、駆動電圧の大幅な低下が可能になった。
電子輸送性発光層へ正孔を注入する働きをするととも
に、陰極から注入された電子が正孔と再結合することな
く陽極へ逃げるのを防ぎ、電子輸送性発光層内に電子を
封じ込める役割をも果たしている。このため、この正孔
輸送層による電子の封じ込め効果により、単層発光体構
造の素子に比べてより効率よく電子と正孔の再結合が起
こり、駆動電圧の大幅な低下が可能になった。
【０００７】また、斎藤らは、２層構造の素子におい
て、電子輸送層だけでなく正孔輸送層も発光層となり得
ることを示した［ C. Adachi, T. Tsutsui and S. Sait
o; Appl. Phys. Lett., 55 (1989) 1489 ］。
て、電子輸送層だけでなく正孔輸送層も発光層となり得
ることを示した［ C. Adachi, T. Tsutsui and S. Sait
o; Appl. Phys. Lett., 55 (1989) 1489 ］。
【０００８】斎藤らは、２層構造素子の改良として正孔
輸送層と電子輸送層の間に発光層が挟まれた３層構造の
素子を提案した［C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui a
nd S. Saito; Jpn. J. Appl. Phys., 27 (1988) L269
］。これは、ガラス基板上に積層形成した陽極、正孔
輸送層、発光層、電子輸送層、陰極からなり、正孔輸送
層が電子を発光層に封じ込める働きをするとともに、電
子輸送層が正孔を発光層に封じ込める働きをするため発
光効率がさらに向上している。
輸送層と電子輸送層の間に発光層が挟まれた３層構造の
素子を提案した［C. Adachi, S. Tokito, T. Tsutsui a
nd S. Saito; Jpn. J. Appl. Phys., 27 (1988) L269
］。これは、ガラス基板上に積層形成した陽極、正孔
輸送層、発光層、電子輸送層、陰極からなり、正孔輸送
層が電子を発光層に封じ込める働きをするとともに、電
子輸送層が正孔を発光層に封じ込める働きをするため発
光効率がさらに向上している。
【０００９】ところで有機エレクトロルミネッセンス素
子の陰極は一般的に仕事関数の小さな金属を有機層の上
に１００ｎｍ程度の膜厚に蒸着して形成されており、不
透明である。有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て陽極とともに陰極も透光性を有する電極を用いた場合
には透光性の自発光素子となり、応用範囲が広がる。
子の陰極は一般的に仕事関数の小さな金属を有機層の上
に１００ｎｍ程度の膜厚に蒸着して形成されており、不
透明である。有機エレクトロルミネッセンス素子におい
て陽極とともに陰極も透光性を有する電極を用いた場合
には透光性の自発光素子となり、応用範囲が広がる。
【００１０】この点、透明な有機エレクトロルミネッセ
ンス素子については、特開平８−１８５９８４号公報に
開示されている。同公報が教える素子は、電子輸送層、
発光層及び正孔輸送層からなる有機発光膜と透明導電層
の間に低仕事関数の金属又はその合金の、透光性を有す
る数ｎｍの薄層を形成し、その上にインジウムスズ酸化
物（ＩＴＯ）からなる透明導電層（陰極）を形成する一
方、正孔輸送層側にはＩＴＯからなる透明導電層（陽
極）を設けたものである。陰極に透明導電層を電極とし
て用いた場合、陰極と電子輸送層のエネルギーギャップ
が大きくなりすぎ有機発光膜への電子注入性が低下し発
光効率は悪くなるが、有機発光膜と透明導電層の間に低
仕事関数の金属又はその合金の数ｎｍの薄層を挿入する
ことでこれを解決しようとするものである。
ンス素子については、特開平８−１８５９８４号公報に
開示されている。同公報が教える素子は、電子輸送層、
発光層及び正孔輸送層からなる有機発光膜と透明導電層
の間に低仕事関数の金属又はその合金の、透光性を有す
る数ｎｍの薄層を形成し、その上にインジウムスズ酸化
物（ＩＴＯ）からなる透明導電層（陰極）を形成する一
方、正孔輸送層側にはＩＴＯからなる透明導電層（陽
極）を設けたものである。陰極に透明導電層を電極とし
て用いた場合、陰極と電子輸送層のエネルギーギャップ
が大きくなりすぎ有機発光膜への電子注入性が低下し発
光効率は悪くなるが、有機発光膜と透明導電層の間に低
仕事関数の金属又はその合金の数ｎｍの薄層を挿入する
ことでこれを解決しようとするものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−１８５９８４号公報に記載の構造の素子を作製する
場合、仕事関数の低い金属の薄層を採用する故に次の問
題がある。すなわち、仕事関数の低い金属の薄膜を形成
することは難しく、薄膜が形成できたとしても薄膜の状
態では酸化等が起きやすく非常に不安定であるため、か
かる低仕事関数金属の薄膜上に透明導電層を形成するの
は非常に困難である。
８−１８５９８４号公報に記載の構造の素子を作製する
場合、仕事関数の低い金属の薄層を採用する故に次の問
題がある。すなわち、仕事関数の低い金属の薄膜を形成
することは難しく、薄膜が形成できたとしても薄膜の状
態では酸化等が起きやすく非常に不安定であるため、か
かる低仕事関数金属の薄膜上に透明導電層を形成するの
は非常に困難である。
【００１２】そこで、本発明は、全体が透光性を有し、
高輝度で発光効率がよく、製作容易である有機エレクト
ロルミネッセンス表示素子を提供することを課題とす
る。
高輝度で発光効率がよく、製作容易である有機エレクト
ロルミネッセンス表示素子を提供することを課題とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決するために研究を重ねた結果、有機発光層を含む有
機発光膜と陰極との間に、アルカリ金属若しくはアルカ
リ土類金属の有機金属錯体又はアルカリ金属若しくはア
ルカリ土類金属の有機金属塩からなる電子注入層、又は
アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物又はア
ルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物か
らなる電子注入層を設けることにより、発光効率の良い
素子が容易に、安定的に得られることを見出した。
解決するために研究を重ねた結果、有機発光層を含む有
機発光膜と陰極との間に、アルカリ金属若しくはアルカ
リ土類金属の有機金属錯体又はアルカリ金属若しくはア
ルカリ土類金属の有機金属塩からなる電子注入層、又は
アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物又はア
ルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物か
らなる電子注入層を設けることにより、発光効率の良い
素子が容易に、安定的に得られることを見出した。
【００１４】前記知見に基づき本発明は、次の（１）か
ら（４）の四つのタイプの有機エレクトロルミネッセン
ス表示素子を提供する。 （１）第１タイプの表示素子 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入層及び陰極を有
する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、
前記陽極及び陰極がそれぞれ透明導電性膜からなり、前
記電子注入層がアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
の有機金属錯体、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属の有機金属塩の透光性を有する薄膜からなってい
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示
素子。 （２）第２タイプの表示素子 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入層及び陰極を有
する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、
前記陽極及び陰極がそれぞれ透明導電性膜からなり、前
記電子注入層がアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
の酸化物、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
のハロゲン化物の透光性を有する薄膜からなっているこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素
子。 （３）第３タイプの表示素子 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入層及び陰極を有
する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、
前記陽極が透明導電性膜からなり、前記陰極が仕事関数
４ｅＶ以下の金属を含有する透光性の金属薄膜からな
り、前記電子注入層がアルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属の有機金属錯体、又はアルカリ金属若しくはアル
カリ土類金属の有機金属塩の透光性を有する薄膜からな
っていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス表示素子。 （４）第４タイプの表示素子 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入層及び陰極を有
する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、
前記陽極が透明導電性膜からなり、前記陰極が仕事関数
４ｅＶ以下の金属を含有する透光性の金属薄膜からな
り、前記電子注入層がアルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属の酸化物、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属のハロゲン化物の透光性を有する薄膜からなって
いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表
示素子。
ら（４）の四つのタイプの有機エレクトロルミネッセン
ス表示素子を提供する。 （１）第１タイプの表示素子 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入層及び陰極を有
する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、
前記陽極及び陰極がそれぞれ透明導電性膜からなり、前
記電子注入層がアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
の有機金属錯体、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属の有機金属塩の透光性を有する薄膜からなってい
ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示
素子。 （２）第２タイプの表示素子 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入層及び陰極を有
する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、
前記陽極及び陰極がそれぞれ透明導電性膜からなり、前
記電子注入層がアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
の酸化物、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
のハロゲン化物の透光性を有する薄膜からなっているこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示素
子。 （３）第３タイプの表示素子 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入層及び陰極を有
する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、
前記陽極が透明導電性膜からなり、前記陰極が仕事関数
４ｅＶ以下の金属を含有する透光性の金属薄膜からな
り、前記電子注入層がアルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属の有機金属錯体、又はアルカリ金属若しくはアル
カリ土類金属の有機金属塩の透光性を有する薄膜からな
っていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセン
ス表示素子。 （４）第４タイプの表示素子 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入層及び陰極を有
する有機エレクトロルミネッセンス表示素子において、
前記陽極が透明導電性膜からなり、前記陰極が仕事関数
４ｅＶ以下の金属を含有する透光性の金属薄膜からな
り、前記電子注入層がアルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属の酸化物、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属のハロゲン化物の透光性を有する薄膜からなって
いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表
示素子。
【００１５】本発明の前記（１）〜（４）の有機エレク
トロルミネッセンス表示素子によると、アルカリ金属若
しくはアルカリ土類金属の有機金属錯体又はアルカリ金
属若しくはアルカリ土類金属の有機金属塩からなる電子
注入層、或いはアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
の酸化物又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の
ハロゲン化物からなる電子注入層は、前記特開平８−１
８５９８４号公報に記載の低仕事関数の金属からなる薄
膜の電子注入層に比べて安定であり、該電子注入層上に
陰極として透明導電性膜や透光性の金属薄膜を容易に安
定的に形成することができる。なお、これらの材料は蒸
着等により、容易に薄膜化できる。また、この電子注入
層の存在により、有機発光膜と陰極である透明導電層等
との間のエネルギーギャップを埋めることができ、高輝
度で発光効率の良い素子が得られる。また、陰極、陽極
及び電子注入層のいずれも透光性を有するものであるた
め、全体として透明な素子が得られる。
トロルミネッセンス表示素子によると、アルカリ金属若
しくはアルカリ土類金属の有機金属錯体又はアルカリ金
属若しくはアルカリ土類金属の有機金属塩からなる電子
注入層、或いはアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
の酸化物又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の
ハロゲン化物からなる電子注入層は、前記特開平８−１
８５９８４号公報に記載の低仕事関数の金属からなる薄
膜の電子注入層に比べて安定であり、該電子注入層上に
陰極として透明導電性膜や透光性の金属薄膜を容易に安
定的に形成することができる。なお、これらの材料は蒸
着等により、容易に薄膜化できる。また、この電子注入
層の存在により、有機発光膜と陰極である透明導電層等
との間のエネルギーギャップを埋めることができ、高輝
度で発光効率の良い素子が得られる。また、陰極、陽極
及び電子注入層のいずれも透光性を有するものであるた
め、全体として透明な素子が得られる。
【００１６】かくして本発明に係る有機エレクトロルミ
ネッセンス表示素子は、カメラ、顕微鏡、望遠鏡等のイ
ンファインダー用ディスプレイ、時計の文字盤の照明、
窓ガラス、水槽など透明な板面に組み込んだディスプレ
イや照明、自動車、鉄道車両等のヘッドアップディスプ
レイ、自動車等の車両のバックミラー、ルームミラーに
組み込んだディスプレイ、他の表示画面に重ねて使用す
るオーバーレイディスプレイ、トレースタブレットに組
み込んだディスプレイ、 蛍光表示玩具など、幅広い分
野に適用できる。
ネッセンス表示素子は、カメラ、顕微鏡、望遠鏡等のイ
ンファインダー用ディスプレイ、時計の文字盤の照明、
窓ガラス、水槽など透明な板面に組み込んだディスプレ
イや照明、自動車、鉄道車両等のヘッドアップディスプ
レイ、自動車等の車両のバックミラー、ルームミラーに
組み込んだディスプレイ、他の表示画面に重ねて使用す
るオーバーレイディスプレイ、トレースタブレットに組
み込んだディスプレイ、 蛍光表示玩具など、幅広い分
野に適用できる。
【００１７】前記（１）〜（４）の各タイプの有機エレ
クトロルミネッセンス表示素子における前記「有機発光
膜」としては、次のものを例示できる。 陽極側から陰極側へ、正孔輸送層（或いは正孔注入
輸送層）及び有機発光層を積層した構成のもの、 陽極側から陰極側へ、正孔輸送層（或いは正孔注入
輸送層）、有機発光層及び電子輸送層を順次積層した構
成のもの、 陽極側から陰極側へ、正孔注入層、正孔輸送層、有
機発光層、電子輸送層を順次積層した構成のもの、 陽極側から陰極側へ、有機発光層及び電子輸送層を
積層したもの、 有機発光層については、例えば正孔輸送層若しくは正孔
注入輸送層又は電子輸送層の全部又は一部に蛍光物質を
ドープすることで、これらの層の全部又は一部を発光層
とすることができる。
クトロルミネッセンス表示素子における前記「有機発光
膜」としては、次のものを例示できる。 陽極側から陰極側へ、正孔輸送層（或いは正孔注入
輸送層）及び有機発光層を積層した構成のもの、 陽極側から陰極側へ、正孔輸送層（或いは正孔注入
輸送層）、有機発光層及び電子輸送層を順次積層した構
成のもの、 陽極側から陰極側へ、正孔注入層、正孔輸送層、有
機発光層、電子輸送層を順次積層した構成のもの、 陽極側から陰極側へ、有機発光層及び電子輸送層を
積層したもの、 有機発光層については、例えば正孔輸送層若しくは正孔
注入輸送層又は電子輸送層の全部又は一部に蛍光物質を
ドープすることで、これらの層の全部又は一部を発光層
とすることができる。
【００１８】前記の本発明に係る有機エレクトロルミネ
ッセンス表示素子のいずれについても、次の表示素子と
することができる。 ・前記陽極・陰極間部分の厚さが２０ｎｍ〜２００ｎｍ
である表示素子。このような素子の膜厚は、素子のブレ
イクダウンを防ぎつつ、駆動電圧を低くする上で都合が
よい。 ・前記有機発光膜における発光層は蛍光色素がドープさ
れた層である表示素子。ドープする蛍光色素を選択で
き、発光波長の選択、発光効率、素子寿命の点で有利で
ある。 ・素子の表示観察に供される部分の可視光線（例えば波
長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍ程度）の光透過率が７０％以
上、より好ましくは８０％以上である表示素子。このよ
うな表示素子は、該表示素子を透して得られる透過像と
重ねて表示する際も、その透過像が暗くならないので好
ましいものである 。 ・前記陽極及び陰極が表示素子を単純マトリクス駆動さ
せるように設けられており、単純マトリクス駆動させ得
る表示素子。この素子は構造が簡単で製作し易く、ま
た、表示画面全体の透過率を上げることができる。
ッセンス表示素子のいずれについても、次の表示素子と
することができる。 ・前記陽極・陰極間部分の厚さが２０ｎｍ〜２００ｎｍ
である表示素子。このような素子の膜厚は、素子のブレ
イクダウンを防ぎつつ、駆動電圧を低くする上で都合が
よい。 ・前記有機発光膜における発光層は蛍光色素がドープさ
れた層である表示素子。ドープする蛍光色素を選択で
き、発光波長の選択、発光効率、素子寿命の点で有利で
ある。 ・素子の表示観察に供される部分の可視光線（例えば波
長４５０ｎｍ〜６５０ｎｍ程度）の光透過率が７０％以
上、より好ましくは８０％以上である表示素子。このよ
うな表示素子は、該表示素子を透して得られる透過像と
重ねて表示する際も、その透過像が暗くならないので好
ましいものである 。 ・前記陽極及び陰極が表示素子を単純マトリクス駆動さ
せるように設けられており、単純マトリクス駆動させ得
る表示素子。この素子は構造が簡単で製作し易く、ま
た、表示画面全体の透過率を上げることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態である有
機エレクトロルミネッセンス表示素子は、陽極、有機発
光膜、電子注入層及び陰極を有する。該陽極及び陰極は
ともに透光性を有するように形成されている。また、該
電子注入層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
の有機金属錯体、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属の有機金属塩からなり、透光性を有するものであ
る。或いは該電子注入層は、アルカリ金属若しくはアル
カリ土類金属の酸化物、又はアルカリ金属若しくはアル
カリ土類金属のハロゲン化物からなり透光性を有するも
のである。
機エレクトロルミネッセンス表示素子は、陽極、有機発
光膜、電子注入層及び陰極を有する。該陽極及び陰極は
ともに透光性を有するように形成されている。また、該
電子注入層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属
の有機金属錯体、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属の有機金属塩からなり、透光性を有するものであ
る。或いは該電子注入層は、アルカリ金属若しくはアル
カリ土類金属の酸化物、又はアルカリ金属若しくはアル
カリ土類金属のハロゲン化物からなり透光性を有するも
のである。
【００２０】本発明の第１の実施形態の有機エレクトロ
ルミネッセンス表示素子の１例を図１に示す。この素子
は、透明基板１、陽極２、正孔注入輸送層３、有機発光
層４、電子輸送層５、電子注入層６及び陰極７が、この
順に積層形成されたものである。この素子では、正孔注
入輸送層３、有機発光層４及び電子輸送層５の３層で有
機発光膜Ｌ１を構成している。
ルミネッセンス表示素子の１例を図１に示す。この素子
は、透明基板１、陽極２、正孔注入輸送層３、有機発光
層４、電子輸送層５、電子注入層６及び陰極７が、この
順に積層形成されたものである。この素子では、正孔注
入輸送層３、有機発光層４及び電子輸送層５の３層で有
機発光膜Ｌ１を構成している。
【００２１】この有機エレクトロルミネッセンス表示素
子は、例えば次のようにして作製することができる。透
明基板１は、適度の強度を有し、素子作製にあたり蒸着
時等の熱により悪影響を受けず、透明なものであれば特
に限定されない。透明基板１の材料として、例えばガラ
スや透明な樹脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケト
ン等の材料を用いることができる。第１実施形態の表示
素子だけでなく、本発明に係る表示素子の陽極、有機発
光膜、電子注入層及び陰極は、前記の透明基板上に順次
積層することにより形成できる。
子は、例えば次のようにして作製することができる。透
明基板１は、適度の強度を有し、素子作製にあたり蒸着
時等の熱により悪影響を受けず、透明なものであれば特
に限定されない。透明基板１の材料として、例えばガラ
スや透明な樹脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケト
ン等の材料を用いることができる。第１実施形態の表示
素子だけでなく、本発明に係る表示素子の陽極、有機発
光膜、電子注入層及び陰極は、前記の透明基板上に順次
積層することにより形成できる。
【００２２】この第１実施形態の表示素子だけでなく、
本発明に係る表示素子全般に言えることであるが、図示
の陽極２を含め、陽極は透明導電性膜で構成する。かか
る陽極膜の材料としては、４ｅＶ程度より大きい仕事関
数を持つ導電性物質を用いることが好ましい。かかる物
質として、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅、亜鉛、タングステン、銀、錫、金
等及びこれらの合金のような金属のほか、酸化錫、酸化
インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコニ
ウム等の金属酸化物及びそれらの固溶体や混合体などの
導電性金属化合物のような導電性化合物を例示できる。
本発明に係る表示素子全般に言えることであるが、図示
の陽極２を含め、陽極は透明導電性膜で構成する。かか
る陽極膜の材料としては、４ｅＶ程度より大きい仕事関
数を持つ導電性物質を用いることが好ましい。かかる物
質として、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅、亜鉛、タングステン、銀、錫、金
等及びこれらの合金のような金属のほか、酸化錫、酸化
インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコニ
ウム等の金属酸化物及びそれらの固溶体や混合体などの
導電性金属化合物のような導電性化合物を例示できる。
【００２３】陽極を形成する場合、透明基板上に、前記
したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタリング等
の手法やゾル―ゲル法或いはかかる物質を樹脂等に分散
させて塗布する等の手法を用いて所望の透光性と導電性
が確保されるように形成すればよい。陽極の膜厚は、透
光性を得るために、金属製陽極の場合、１ｎｍ〜１０ｎ
ｍ程度が好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜８ｎｍ程度
である。また、導電性金属酸化物等の導電性金属化合物
のような導電性化合物の陽極の場合は１０ｎｍ〜３００
ｎｍ程度が好ましい。
したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタリング等
の手法やゾル―ゲル法或いはかかる物質を樹脂等に分散
させて塗布する等の手法を用いて所望の透光性と導電性
が確保されるように形成すればよい。陽極の膜厚は、透
光性を得るために、金属製陽極の場合、１ｎｍ〜１０ｎ
ｍ程度が好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜８ｎｍ程度
である。また、導電性金属酸化物等の導電性金属化合物
のような導電性化合物の陽極の場合は１０ｎｍ〜３００
ｎｍ程度が好ましい。
【００２４】透明基板及び陽極として、ガラス基板上に
透明電極が形成されたもの、例えばガラス基板上にＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極を設けたも
の、ＮＥＳＡガラスと通称されているコーニング社製
の、透明電極をガラス基板上に形成したもの等を利用し
てもよい。
透明電極が形成されたもの、例えばガラス基板上にＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）からなる透明電極を設けたも
の、ＮＥＳＡガラスと通称されているコーニング社製
の、透明電極をガラス基板上に形成したもの等を利用し
てもよい。
【００２５】次に、陽極２の上に正孔注入輸送層３を形
成する。図示の正孔注入輸送層３を含め、本発明に係る
表示素子において正孔注入輸送層の形成のために用いる
ことができる正孔輸送材料としては、公知のものを使用
できる。例えばＮ，Ｎ' ―ジフェニル―Ｎ，Ｎ' ―ビス
（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビス（３―メチル
フェニル）―４，４' ―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニ
ル―Ｎ，Ｎ' ―ビス（３―メチルフェニル）―１，１'
―ジフェニル―４，４'―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―ジフェ
ニル―Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，
１' ―ジフェニル―４，４' ―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―ジ
フェニル―Ｎ，Ｎ'―ビス（１―ナフチル）―１，１'
―ジフェニル―４，４' ―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―ジフェ
ニル―Ｎ，Ｎ' ―ビス（２―ナフチル）―１，１' ―ジ
フェニル―４，４' ―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―テトラ（４
―メチルフェニル）―１，１' ―ビス（３―メチルフェ
ニル）―４，４' ―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（３―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン、Ｎ，
Ｎ' ―ビス（Ｎ―カルバゾリル）―１，１' ―ジフェニ
ル―４，４' ―ジアミン、４，４' ，４" ―トリス（Ｎ
―カルバゾリル）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ' ，Ｎ"
―トリフェニル―Ｎ，Ｎ' ，Ｎ" ―トリス（３―メチル
フェニル）―１，３，５―トリ（４―アミノフェニル）
ベンゼン、４，４' ，４" ―トリス［Ｎ，Ｎ' ，Ｎ" ―
トリフェニル―Ｎ，Ｎ' ，Ｎ" ―トリス（３―メチルフ
ェニル）］トリフェニルアミン等が挙げられ、これらを
単独で又は２以上を混合して用いることができる。
成する。図示の正孔注入輸送層３を含め、本発明に係る
表示素子において正孔注入輸送層の形成のために用いる
ことができる正孔輸送材料としては、公知のものを使用
できる。例えばＮ，Ｎ' ―ジフェニル―Ｎ，Ｎ' ―ビス
（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビス（３―メチル
フェニル）―４，４' ―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニ
ル―Ｎ，Ｎ' ―ビス（３―メチルフェニル）―１，１'
―ジフェニル―４，４'―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―ジフェ
ニル―Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，
１' ―ジフェニル―４，４' ―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―ジ
フェニル―Ｎ，Ｎ'―ビス（１―ナフチル）―１，１'
―ジフェニル―４，４' ―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―ジフェ
ニル―Ｎ，Ｎ' ―ビス（２―ナフチル）―１，１' ―ジ
フェニル―４，４' ―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―テトラ（４
―メチルフェニル）―１，１' ―ビス（３―メチルフェ
ニル）―４，４' ―ジアミン、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（３―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン、Ｎ，
Ｎ' ―ビス（Ｎ―カルバゾリル）―１，１' ―ジフェニ
ル―４，４' ―ジアミン、４，４' ，４" ―トリス（Ｎ
―カルバゾリル）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ' ，Ｎ"
―トリフェニル―Ｎ，Ｎ' ，Ｎ" ―トリス（３―メチル
フェニル）―１，３，５―トリ（４―アミノフェニル）
ベンゼン、４，４' ，４" ―トリス［Ｎ，Ｎ' ，Ｎ" ―
トリフェニル―Ｎ，Ｎ' ，Ｎ" ―トリス（３―メチルフ
ェニル）］トリフェニルアミン等が挙げられ、これらを
単独で又は２以上を混合して用いることができる。
【００２６】正孔注入輸送層３を含め本発明に係る表示
素子における正孔注入輸送層は、前記のような正孔輸送
材料を蒸着して形成してもよいし、正孔輸送材料を溶解
した溶液や正孔輸送材料を適当な樹脂とともに溶解した
溶液を用い、ディップコート法、スピンコート法等の塗
布法により形成してもよい。正孔注入輸送層を蒸着法で
形成する場合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とす
ればよく、塗布法で形成する場合、５ｎｍ〜１０００ｎ
ｍ程度とすればよい。これより厚くなってくると、所定
の輝度に発光させるためには印加電圧を高くする必要が
あり、発光効率が悪いとともに素子の劣化を招きやす
い。またこれより薄くなってくると、発光効率は良いが
絶縁破壊等し易くなり素子の寿命が短くなる。
素子における正孔注入輸送層は、前記のような正孔輸送
材料を蒸着して形成してもよいし、正孔輸送材料を溶解
した溶液や正孔輸送材料を適当な樹脂とともに溶解した
溶液を用い、ディップコート法、スピンコート法等の塗
布法により形成してもよい。正孔注入輸送層を蒸着法で
形成する場合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とす
ればよく、塗布法で形成する場合、５ｎｍ〜１０００ｎ
ｍ程度とすればよい。これより厚くなってくると、所定
の輝度に発光させるためには印加電圧を高くする必要が
あり、発光効率が悪いとともに素子の劣化を招きやす
い。またこれより薄くなってくると、発光効率は良いが
絶縁破壊等し易くなり素子の寿命が短くなる。
【００２７】次に、正孔注入輸送層３の上に有機発光層
４を形成する。図示の有機発光層４を含め、本発明に係
る表示素子において有機発光層形成のために用いること
ができる有機発光材料としては、公知のものを使用でき
る。例えばエピドリジン、２，５―ビス［５，７―ジ―
ｔ―ペンチル―２―ベンゾオキサゾリル］チオフェン、
２，２' ―（１，４―フェニレンジビニレン）ビスベン
ゾチアゾール、２，２' ―（４，４' ―ビフェニレン）
ビスベンゾチアゾール、５―メチル―２―｛２―［４―
（５―メチル―２―ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビ
ニル｝ベンゾオキサゾール、２，５―ビス（５―メチル
―２―ベンゾオキサゾリル）チオフェン、アントラセ
ン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、
ペリレン、ペリノン、１，４―ジフェニルブタジエン、
テトラフェニルブタジエン、クマリン、アクリジン、ス
チルベン、２―（４―ビフェニル）―６―フェニルベン
ゾオキサゾール、アルミニウムトリスオキシン、マグネ
シウムビスオキシン、ビス（ベンゾ―８―キノリノー
ル）亜鉛、ビス（２―メチル―８―キノリノール）アル
ミニウムオキサイド、インジウムトリスオキシン、アル
ミニウムトリス（５―メチルオキシン）、リチウムオキ
シン、ガリウムトリスオキシン、カルシウムビス（５―
クロロオキシン）、ポリ亜鉛―ビス（８―ヒドロキシ―
５―キノリノリル）メタン、ジリチウムエピンドリジオ
ン、亜鉛ビスオキシン、１，２―フタロペリノン、１，
２―ナフタロペリノン等を使用できる。また、一般的な
蛍光染料、例えば蛍光クマリン染料、蛍光ペリレン染
料、蛍光ピラン染料、蛍光チオピラン染料、蛍光ポリメ
チン染料、蛍光メシアニン染料、蛍光イミダゾール染料
等も使用できる。これらのうち特に好ましいものはキレ
ート化オキシノイド化合物である。
４を形成する。図示の有機発光層４を含め、本発明に係
る表示素子において有機発光層形成のために用いること
ができる有機発光材料としては、公知のものを使用でき
る。例えばエピドリジン、２，５―ビス［５，７―ジ―
ｔ―ペンチル―２―ベンゾオキサゾリル］チオフェン、
２，２' ―（１，４―フェニレンジビニレン）ビスベン
ゾチアゾール、２，２' ―（４，４' ―ビフェニレン）
ビスベンゾチアゾール、５―メチル―２―｛２―［４―
（５―メチル―２―ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビ
ニル｝ベンゾオキサゾール、２，５―ビス（５―メチル
―２―ベンゾオキサゾリル）チオフェン、アントラセ
ン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、
ペリレン、ペリノン、１，４―ジフェニルブタジエン、
テトラフェニルブタジエン、クマリン、アクリジン、ス
チルベン、２―（４―ビフェニル）―６―フェニルベン
ゾオキサゾール、アルミニウムトリスオキシン、マグネ
シウムビスオキシン、ビス（ベンゾ―８―キノリノー
ル）亜鉛、ビス（２―メチル―８―キノリノール）アル
ミニウムオキサイド、インジウムトリスオキシン、アル
ミニウムトリス（５―メチルオキシン）、リチウムオキ
シン、ガリウムトリスオキシン、カルシウムビス（５―
クロロオキシン）、ポリ亜鉛―ビス（８―ヒドロキシ―
５―キノリノリル）メタン、ジリチウムエピンドリジオ
ン、亜鉛ビスオキシン、１，２―フタロペリノン、１，
２―ナフタロペリノン等を使用できる。また、一般的な
蛍光染料、例えば蛍光クマリン染料、蛍光ペリレン染
料、蛍光ピラン染料、蛍光チオピラン染料、蛍光ポリメ
チン染料、蛍光メシアニン染料、蛍光イミダゾール染料
等も使用できる。これらのうち特に好ましいものはキレ
ート化オキシノイド化合物である。
【００２８】有機発光層４を含め本発明に係る表示素子
における有機発光層は、前記のような有機発光材料を蒸
着して形成してもよいし、有機発光材料を溶解した溶液
や有機発光材料を適当な樹脂とともに溶解した溶液を用
い、ディップコート法、スピンコート法等の塗布法によ
り形成してもよい。有機発光層を蒸着法で形成する場
合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすればよく、
塗布法で形成する場合、５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とす
ればよい。これより厚くなってくると、所定の輝度に発
光させるためには印加電圧を高くする必要があり、発光
効率が悪いとともに素子の劣化を招きやすい。またこれ
より薄くなってくると、発光効率は良いが絶縁破壊等し
易くなり素子の寿命が短くなりやすい。
における有機発光層は、前記のような有機発光材料を蒸
着して形成してもよいし、有機発光材料を溶解した溶液
や有機発光材料を適当な樹脂とともに溶解した溶液を用
い、ディップコート法、スピンコート法等の塗布法によ
り形成してもよい。有機発光層を蒸着法で形成する場
合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすればよく、
塗布法で形成する場合、５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とす
ればよい。これより厚くなってくると、所定の輝度に発
光させるためには印加電圧を高くする必要があり、発光
効率が悪いとともに素子の劣化を招きやすい。またこれ
より薄くなってくると、発光効率は良いが絶縁破壊等し
易くなり素子の寿命が短くなりやすい。
【００２９】なお、有機発光層は前記蛍光物質からなる
単層構成でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を
調整するために、多層構成としてもよい。また、２種以
上の蛍光物質を混合して形成したり、発光物質（例えば
ルブレンやクマリンなどの蛍光色素）をドープしたもの
でもよい。
単層構成でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を
調整するために、多層構成としてもよい。また、２種以
上の蛍光物質を混合して形成したり、発光物質（例えば
ルブレンやクマリンなどの蛍光色素）をドープしたもの
でもよい。
【００３０】次に、有機発光層４の上に電子輸送層５を
形成する。図示の電子輸送層５を含め、本発明に係る表
示素子において電子輸送層の形成のために用いることが
できる電子輸送材料としては、公知のものを使用でき
る。例えば、２―（４―ビフェニルイル）―５―（４―
ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジア
ゾール、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅｒｔ―
ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾール、
１，４―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔブチルフェニ
ル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼン、
１，３―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェ
ニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼン、
４，４' ―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフ
ェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ビフェニ
ル、２―（４―ビフェニルイル）―５―（４―ｔｅｒｔ
―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾール、２
―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェ
ニル）―１，３，４―チアジアゾール、１，４―ビス
｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、１，３―ビス
｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、４，４' ―ビス
｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―チアジアゾリル］｝ビフェニル、３―（４―ビ
フェニルイル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―
ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、３―
（１―ナフチル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ
―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、１，
４―ビス｛３―［４―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―
ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾリル］｝ベン
ゼン、１，３―ビス｛２―［１―フェニル―５―（４―
ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―トリアゾリ
ル］｝ベンゼン、４，４' ―ビス｛２―［１―フェニル
―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４
―トリアゾリル］｝ビフェニル、１，３，５―トリス
｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼン等が挙げられ
る。これらを単独で又は２以上を混合して用いることが
できる。また、アルミニウムトリスオキシンなど有機発
光材料として用いられる物質のうち比較的電子輸送能の
高いものを用いることもできる。
形成する。図示の電子輸送層５を含め、本発明に係る表
示素子において電子輸送層の形成のために用いることが
できる電子輸送材料としては、公知のものを使用でき
る。例えば、２―（４―ビフェニルイル）―５―（４―
ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジア
ゾール、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅｒｔ―
ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾール、
１，４―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔブチルフェニ
ル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼン、
１，３―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェ
ニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼン、
４，４' ―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフ
ェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ビフェニ
ル、２―（４―ビフェニルイル）―５―（４―ｔｅｒｔ
―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾール、２
―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェ
ニル）―１，３，４―チアジアゾール、１，４―ビス
｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、１，３―ビス
｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、４，４' ―ビス
｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―チアジアゾリル］｝ビフェニル、３―（４―ビ
フェニルイル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―
ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、３―
（１―ナフチル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ
―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、１，
４―ビス｛３―［４―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―
ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾリル］｝ベン
ゼン、１，３―ビス｛２―［１―フェニル―５―（４―
ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―トリアゾリ
ル］｝ベンゼン、４，４' ―ビス｛２―［１―フェニル
―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４
―トリアゾリル］｝ビフェニル、１，３，５―トリス
｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，
３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼン等が挙げられ
る。これらを単独で又は２以上を混合して用いることが
できる。また、アルミニウムトリスオキシンなど有機発
光材料として用いられる物質のうち比較的電子輸送能の
高いものを用いることもできる。
【００３１】電子輸送層５を含め本発明に係る表示素子
における電子輸送層は、前記のような電子輸送材料を蒸
着して形成してもよいし、電子輸送材料を溶解した溶液
や電子輸送材料を適当な樹脂とともに溶解した溶液を用
い、ディップコート法、スピンコート法等の塗布法によ
り形成してもよい。電子輸送層を蒸着法で形成する場
合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすればよく、
塗布法で形成する場合、５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とす
ればよい。これより厚くなってくると、所定の輝度に発
光させるためには印加電圧を高くする必要があり、発光
効率が悪いとともに素子の劣化を招きやすい。またこれ
より薄くなってくると、発光効率は良いが絶縁破壊等し
易くなり素子の寿命が短くなる。
における電子輸送層は、前記のような電子輸送材料を蒸
着して形成してもよいし、電子輸送材料を溶解した溶液
や電子輸送材料を適当な樹脂とともに溶解した溶液を用
い、ディップコート法、スピンコート法等の塗布法によ
り形成してもよい。電子輸送層を蒸着法で形成する場
合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすればよく、
塗布法で形成する場合、５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度とす
ればよい。これより厚くなってくると、所定の輝度に発
光させるためには印加電圧を高くする必要があり、発光
効率が悪いとともに素子の劣化を招きやすい。またこれ
より薄くなってくると、発光効率は良いが絶縁破壊等し
易くなり素子の寿命が短くなる。
【００３２】次に、電子輸送層５の上に電子注入層６を
形成する。図示の電子注入層６を含め、本発明に係る表
示素子における電子注入層形成のための電子注入材料に
は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の有機金属
錯体、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の有
機金属塩を用いる。或いはアルカリ金属若しくはアルカ
リ土類金属の酸化物、又はアルカリ金属若しくはアルカ
リ土類金属のハロゲン化物（例えばフッ化物）を用い
る。これらの有機金属錯体、有機金属塩、酸化物、ハロ
ゲン化物に含有されるアルカリ金属又はアルカリ土類金
属としては、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグ
ネシウム、カリウム、カルシウム、ルビジウム、バリウ
ム、ストロンチウム、セシウム等を挙げることができる
が、中でもリチウム、マグネシウム、カリウム、カルシ
ウム、セシウムが電子注入性が良好なため特に好まし
い。
形成する。図示の電子注入層６を含め、本発明に係る表
示素子における電子注入層形成のための電子注入材料に
は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の有機金属
錯体、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の有
機金属塩を用いる。或いはアルカリ金属若しくはアルカ
リ土類金属の酸化物、又はアルカリ金属若しくはアルカ
リ土類金属のハロゲン化物（例えばフッ化物）を用い
る。これらの有機金属錯体、有機金属塩、酸化物、ハロ
ゲン化物に含有されるアルカリ金属又はアルカリ土類金
属としては、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグ
ネシウム、カリウム、カルシウム、ルビジウム、バリウ
ム、ストロンチウム、セシウム等を挙げることができる
が、中でもリチウム、マグネシウム、カリウム、カルシ
ウム、セシウムが電子注入性が良好なため特に好まし
い。
【００３３】有機金属塩又は有機金属錯体としては、か
かる金属を含有するアセチルアセトナート錯体、エチレ
ンジアミン錯塩、グリシン錯塩、オキシン錯体、アルフ
ァーニトロソベーターナフトール錯体、サリチル酸塩、
サリチルアルドキシム錯体、クペロン錯体、ベンゾイン
オキシム錯体、ビピリジン錯体、フェナントロリン錯
体、クラウン錯体、プロリン錯体、ベンゾイルアセトン
錯体、二価カルボン酸塩、脂肪族カルボン酸塩等が挙げ
られる。これらの中でもアセチルアセトナート錯体、オ
キシン錯体、サリチル酸塩、サリチルアルドキシム錯
体、二価カルボン酸塩、脂肪族カルボン酸塩が電子注入
性が良好なため特に好ましい。
かる金属を含有するアセチルアセトナート錯体、エチレ
ンジアミン錯塩、グリシン錯塩、オキシン錯体、アルフ
ァーニトロソベーターナフトール錯体、サリチル酸塩、
サリチルアルドキシム錯体、クペロン錯体、ベンゾイン
オキシム錯体、ビピリジン錯体、フェナントロリン錯
体、クラウン錯体、プロリン錯体、ベンゾイルアセトン
錯体、二価カルボン酸塩、脂肪族カルボン酸塩等が挙げ
られる。これらの中でもアセチルアセトナート錯体、オ
キシン錯体、サリチル酸塩、サリチルアルドキシム錯
体、二価カルボン酸塩、脂肪族カルボン酸塩が電子注入
性が良好なため特に好ましい。
【００３４】電子注入層６を含め、本発明に係る表示素
子における電子注入層は、蒸着、スパッタリング等の方
法で形成することができる。蒸着法で形成する場合、そ
の厚さは０．１ｎｍ〜２０ｎｍ程度とする。電子注入層
はその膜厚が薄いほど電子注入効率を向上させ得るが、
薄すぎると電子注入むらやダークスポットの原因とな
る。また膜厚が厚くなるとかえって発光効率が悪くなり
有機エレクトロルミネッセンス表示素子の寿命が短くな
る。従って、電子注入効率、発光効率及び素子の寿命等
を考慮して前記の膜厚の範囲で形成すればよい。
子における電子注入層は、蒸着、スパッタリング等の方
法で形成することができる。蒸着法で形成する場合、そ
の厚さは０．１ｎｍ〜２０ｎｍ程度とする。電子注入層
はその膜厚が薄いほど電子注入効率を向上させ得るが、
薄すぎると電子注入むらやダークスポットの原因とな
る。また膜厚が厚くなるとかえって発光効率が悪くなり
有機エレクトロルミネッセンス表示素子の寿命が短くな
る。従って、電子注入効率、発光効率及び素子の寿命等
を考慮して前記の膜厚の範囲で形成すればよい。
【００３５】次に、電子注入層６の上に、透明導電性膜
からなる陰極７を形成する。図示の陰極７を含め、本発
明に係る表示素子における陰極を構成する材料として
は、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜
鉛、酸化ジルコニウム等の金属酸化物及びそれらの固溶
体や混合体などの導電性金属化合物のような導電性化合
物を例示できる。
からなる陰極７を形成する。図示の陰極７を含め、本発
明に係る表示素子における陰極を構成する材料として
は、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜
鉛、酸化ジルコニウム等の金属酸化物及びそれらの固溶
体や混合体などの導電性金属化合物のような導電性化合
物を例示できる。
【００３６】また、陰極は透光性を有する導電性金属薄
膜からなっていてもよく、その場合、４ｅＶ以下の仕事
関数を持つ金属を含有する透光性の金属薄膜が好まし
く、かかる金属薄膜の材料としては、マグネシウム、カ
ルシウム、チタニウム、イットリウム、リチウム、ガド
リニウム、イッテルビウム、ルテニウム、マンガン及び
それらを含有する合金を例示できる。
膜からなっていてもよく、その場合、４ｅＶ以下の仕事
関数を持つ金属を含有する透光性の金属薄膜が好まし
く、かかる金属薄膜の材料としては、マグネシウム、カ
ルシウム、チタニウム、イットリウム、リチウム、ガド
リニウム、イッテルビウム、ルテニウム、マンガン及び
それらを含有する合金を例示できる。
【００３７】陰極を形成する場合、電子注入層上に、か
かる物質を用い、蒸着、スパッタリング等の手法を用い
て所望の透光性と導電性が確保されるように形成すれば
よい。陰極の膜厚は、透光性を確保するうえで、導電性
金属酸化物等の導電性金属化合物のような導電性化合物
の陰極の場合は１ｎｍ〜３００ｎｍ程度が好ましい。金
属薄膜の場合は１ｎｍ〜１０ｎｍ程度が好ましい。より
好ましくは１ｎｍ〜８ｎｍ程度である。陰極を金属薄膜
で形成する場合、素子特性の安定性や陰極としての抵抗
値を小さくするなどの観点から、さらにＩＴＯなどの透
光性の導電性膜で被覆しておくことが好ましい。
かる物質を用い、蒸着、スパッタリング等の手法を用い
て所望の透光性と導電性が確保されるように形成すれば
よい。陰極の膜厚は、透光性を確保するうえで、導電性
金属酸化物等の導電性金属化合物のような導電性化合物
の陰極の場合は１ｎｍ〜３００ｎｍ程度が好ましい。金
属薄膜の場合は１ｎｍ〜１０ｎｍ程度が好ましい。より
好ましくは１ｎｍ〜８ｎｍ程度である。陰極を金属薄膜
で形成する場合、素子特性の安定性や陰極としての抵抗
値を小さくするなどの観点から、さらにＩＴＯなどの透
光性の導電性膜で被覆しておくことが好ましい。
【００３８】陽極２と陰極７とは、表示素子を単純マト
リクス駆動できるように形成することが好ましい。これ
により、駆動部の構造が簡単になり、また表示素子の透
過率を容易に上げ得るからである。また、陽極２から陰
極７に至る厚さ、すなわちここでは陽極２、正孔輸送層
３、有機発光層４、電子輸送層５、電子注入層６及び陰
極７を合わせた厚さは、素子の絶縁破壊等を防ぐととも
に透光性を保ち駆動電圧を低くする上で、２００ｎｍ〜
２０００ｎｍ程度とすることが好ましい。陽極・陰極間
部分の厚さは２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度が好ましい。
リクス駆動できるように形成することが好ましい。これ
により、駆動部の構造が簡単になり、また表示素子の透
過率を容易に上げ得るからである。また、陽極２から陰
極７に至る厚さ、すなわちここでは陽極２、正孔輸送層
３、有機発光層４、電子輸送層５、電子注入層６及び陰
極７を合わせた厚さは、素子の絶縁破壊等を防ぐととも
に透光性を保ち駆動電圧を低くする上で、２００ｎｍ〜
２０００ｎｍ程度とすることが好ましい。陽極・陰極間
部分の厚さは２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度が好ましい。
【００３９】また、各層の透光性を調整することによ
り、表示素子における表示観察に供される部分での可視
光線の光透過率が７０％程度以上となるようにすること
が実用上好ましい。より好ましくは８０％程度以上であ
る。これにより、この素子を例えば別の表示素子や表示
装置の上に重ねて使用する場合でも、下部の透過像をも
鮮明に表示することが可能になる。陽極２と陰極７との
間には、ニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当なリ
ード線８を用いて、電源９を接続する。そして、両電極
間に所定の電圧Ｖｓを印加することによりこの有機エレ
クトロルミネッセンス表示素子を発光させることができ
る。
り、表示素子における表示観察に供される部分での可視
光線の光透過率が７０％程度以上となるようにすること
が実用上好ましい。より好ましくは８０％程度以上であ
る。これにより、この素子を例えば別の表示素子や表示
装置の上に重ねて使用する場合でも、下部の透過像をも
鮮明に表示することが可能になる。陽極２と陰極７との
間には、ニクロム線、金線、銅線、白金線等の適当なリ
ード線８を用いて、電源９を接続する。そして、両電極
間に所定の電圧Ｖｓを印加することによりこの有機エレ
クトロルミネッセンス表示素子を発光させることができ
る。
【００４０】図１の表示素子によると、電子注入層６
は、化学的、物理的に安定な物質であるアルカリ金属若
しくはアルカリ土類金属の有機金属錯体、アルカリ金属
若しくはアルカリ土類金属の有機金属塩、アルカリ金属
若しくはアルカリ土類金属の酸化物、又はアルカリ金属
若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物から形成され
ているから、該電子注入層６上に陰極７を容易に形成す
ることができる。また、この電子注入層６の存在によ
り、電子輸送層５と陰極７との間のエネルギーギャップ
を埋めることができ、高輝度で発光効率の良い表示が可
能となっている。また、陽極２、陰極７及びその間の各
層はいずれも透光性を有するため、全体として透明な素
子が得られる。
は、化学的、物理的に安定な物質であるアルカリ金属若
しくはアルカリ土類金属の有機金属錯体、アルカリ金属
若しくはアルカリ土類金属の有機金属塩、アルカリ金属
若しくはアルカリ土類金属の酸化物、又はアルカリ金属
若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物から形成され
ているから、該電子注入層６上に陰極７を容易に形成す
ることができる。また、この電子注入層６の存在によ
り、電子輸送層５と陰極７との間のエネルギーギャップ
を埋めることができ、高輝度で発光効率の良い表示が可
能となっている。また、陽極２、陰極７及びその間の各
層はいずれも透光性を有するため、全体として透明な素
子が得られる。
【００４１】次に本発明の第２の実施形態の有機エレク
トロルミネッセンス表示素子の１例を図２に示す。この
素子は、透明基板１、陽極２、正孔注入輸送層３、有機
発光層４、電子注入層６及び陰極７が、この順に積層形
成されたものである。この素子では、正孔輸送層３及び
有機発光層４の２層で有機発光膜Ｌ２を構成している。
各部の材料については図１の表示素子において採用した
ものと同様のものを採用できる。
トロルミネッセンス表示素子の１例を図２に示す。この
素子は、透明基板１、陽極２、正孔注入輸送層３、有機
発光層４、電子注入層６及び陰極７が、この順に積層形
成されたものである。この素子では、正孔輸送層３及び
有機発光層４の２層で有機発光膜Ｌ２を構成している。
各部の材料については図１の表示素子において採用した
ものと同様のものを採用できる。
【００４２】図２に示す表示素子においても、電子注入
層６は、化学的、物理的に安定な物質であるアルカリ金
属若しくはアルカリ土類金属の有機金属錯体、又はアル
カリ金属若しくはアルカリ土類金属の有機金属塩から形
成されるか、或いは化学的、物理的に安定な物質である
アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、又は
アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物
から形成されるから、該電子注入層６上に陰極７を容易
に形成することができる。また、高輝度で発光効率の良
い表示が可能となっている。また、陽極２、陰極７及び
その間の各層はいずれも透光性を有するため、全体とし
て透明な素子が得られる。
層６は、化学的、物理的に安定な物質であるアルカリ金
属若しくはアルカリ土類金属の有機金属錯体、又はアル
カリ金属若しくはアルカリ土類金属の有機金属塩から形
成されるか、或いは化学的、物理的に安定な物質である
アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、又は
アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物
から形成されるから、該電子注入層６上に陰極７を容易
に形成することができる。また、高輝度で発光効率の良
い表示が可能となっている。また、陽極２、陰極７及び
その間の各層はいずれも透光性を有するため、全体とし
て透明な素子が得られる。
【００４３】有機発光膜の電子輸送能が比較的高けれ
ば、本実施形態のように電子輸送層を省略することも可
能である。なお、前記いずれの形態においても、正孔注
入輸送層を正孔注入性の高い材料からなる正孔注入層と
正孔輸送性の高い材料からなる正孔輸送層との２層に機
能分離してもよい。また、透明基板上に陰極、有機発光
膜、電子注入層及び陽極を順次積層するようにしてもよ
い。以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する
が、本発明はそれらの実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ 厚さ約１５０ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が
被覆されたガラス基板上に、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン化合物
からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍにな
るように形成した。その上にアルミニウムトリスオキシ
ン（Ａｌｑ3 ）からなる有機発光層を蒸着により６０ｎ
ｍの厚さになるように形成した。その上に、カリウム―
アセチルアセトナート錯体からなる電子注入層を蒸着に
より２ｎｍの厚さになるように形成した。その上に、Ｉ
ＴＯからなる陰極をスパッタ法により１００ｎｍの厚さ
になるように形成した。このようにして、有機エレクト
ロルミネッセンス表示素子を作製した。
ば、本実施形態のように電子輸送層を省略することも可
能である。なお、前記いずれの形態においても、正孔注
入輸送層を正孔注入性の高い材料からなる正孔注入層と
正孔輸送性の高い材料からなる正孔輸送層との２層に機
能分離してもよい。また、透明基板上に陰極、有機発光
膜、電子注入層及び陽極を順次積層するようにしてもよ
い。以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する
が、本発明はそれらの実施例に限定されるものではな
い。 実施例１ 厚さ約１５０ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が
被覆されたガラス基板上に、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン化合物
からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍにな
るように形成した。その上にアルミニウムトリスオキシ
ン（Ａｌｑ3 ）からなる有機発光層を蒸着により６０ｎ
ｍの厚さになるように形成した。その上に、カリウム―
アセチルアセトナート錯体からなる電子注入層を蒸着に
より２ｎｍの厚さになるように形成した。その上に、Ｉ
ＴＯからなる陰極をスパッタ法により１００ｎｍの厚さ
になるように形成した。このようにして、有機エレクト
ロルミネッセンス表示素子を作製した。
【００４４】実施例２ 前記実施例１において、電子注入層の材料として、カリ
ウム―アセチルアセトナート錯体を使用するのに代えて
リチウム―アセチルアセトナート錯体を用いた他は、前
記実施例１と同様にして有機エレクトロルミネッセンス
表示素子を作製した。
ウム―アセチルアセトナート錯体を使用するのに代えて
リチウム―アセチルアセトナート錯体を用いた他は、前
記実施例１と同様にして有機エレクトロルミネッセンス
表示素子を作製した。
【００４５】実施例３ 前記実施例１において、電子注入層の材料として、カリ
ウム―アセチルアセトナート錯体を使用するのに代えて
サリチル酸リチウムを用いた他は、前記実施例１と同様
にして有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製し
た。
ウム―アセチルアセトナート錯体を使用するのに代えて
サリチル酸リチウムを用いた他は、前記実施例１と同様
にして有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製し
た。
【００４６】実施例４ 厚さ約１５０ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が
被覆されたガラス基板上に、４，４' ，４" ―トリス
［Ｎ，Ｎ' ，Ｎ" ―トリフェニル―Ｎ，Ｎ' ，Ｎ" ―ト
リス（３―メチルフェニル）］トリフェニルアミン化合
物からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍに
なるように形成した。その上に、Ａｌｑ3からなる有機
発光層を蒸着により６０ｎｍの厚さになるように形成し
た。その上に、フッ化リチウムからなる電子注入層を蒸
着により０．５ｎｍの厚さになるように形成した。その
上に、ＩＴＯからなる陰極をスパッタ法により１００ｎ
ｍの厚さになるように形成した。このようにして、有機
エレクトロルミネッセンス表示素子を作製した。
被覆されたガラス基板上に、４，４' ，４" ―トリス
［Ｎ，Ｎ' ，Ｎ" ―トリフェニル―Ｎ，Ｎ' ，Ｎ" ―ト
リス（３―メチルフェニル）］トリフェニルアミン化合
物からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍに
なるように形成した。その上に、Ａｌｑ3からなる有機
発光層を蒸着により６０ｎｍの厚さになるように形成し
た。その上に、フッ化リチウムからなる電子注入層を蒸
着により０．５ｎｍの厚さになるように形成した。その
上に、ＩＴＯからなる陰極をスパッタ法により１００ｎ
ｍの厚さになるように形成した。このようにして、有機
エレクトロルミネッセンス表示素子を作製した。
【００４７】実施例５ 前記実施例４において、電子注入層の材料として、フッ
化リチウムを使用するのに代えて酸化マグネシウムを用
いた他は、前記実施例４と同様にして有機エレクトロル
ミネッセンス表示素子を作成した。
化リチウムを使用するのに代えて酸化マグネシウムを用
いた他は、前記実施例４と同様にして有機エレクトロル
ミネッセンス表示素子を作成した。
【００４８】実施例６ 厚さ約１５０ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が
被覆されたガラス基板上に、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン化合物
からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍにな
るように形成した。その上に、Ａｌｑ3 からなる有機発
光層を蒸着により６０ｎｍの厚さになるように形成し
た。その上に、カリウム―アセチルアセトナート錯体か
らなる電子注入層を蒸着により２ｎｍの厚さになるよう
に形成した。その上に、Ｍｇ及びＡｇを１０：１の原子
比で共蒸着により２ｎｍの厚さになるように陰極を形成
した。さらにＩＴＯをスパッタ法によりスパッタリング
し２００ｎｍの厚さになるように薄膜を形成した。この
ようにして、有機エレクトロルミネッセンス表示素子を
作製した。
被覆されたガラス基板上に、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン化合物
からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍにな
るように形成した。その上に、Ａｌｑ3 からなる有機発
光層を蒸着により６０ｎｍの厚さになるように形成し
た。その上に、カリウム―アセチルアセトナート錯体か
らなる電子注入層を蒸着により２ｎｍの厚さになるよう
に形成した。その上に、Ｍｇ及びＡｇを１０：１の原子
比で共蒸着により２ｎｍの厚さになるように陰極を形成
した。さらにＩＴＯをスパッタ法によりスパッタリング
し２００ｎｍの厚さになるように薄膜を形成した。この
ようにして、有機エレクトロルミネッセンス表示素子を
作製した。
【００４９】実施例７ 前記実施例６において、電子注入層の材料としてカリウ
ム―アセチルアセトナート錯体に代えてリチウム―アセ
チルアセトナート錯体を用いた他は、前記実施例６と同
様にして有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製
した。
ム―アセチルアセトナート錯体に代えてリチウム―アセ
チルアセトナート錯体を用いた他は、前記実施例６と同
様にして有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製
した。
【００５０】実施例８ 前記実施例６において、電子注入層の材料としてカリウ
ム―アセチルアセトナート錯体に代えてサリチル酸リチ
ウムを用いた他は、前記実施例６と同様にして有機エレ
クトロルミネッセンス表示素子を作製した。
ム―アセチルアセトナート錯体に代えてサリチル酸リチ
ウムを用いた他は、前記実施例６と同様にして有機エレ
クトロルミネッセンス表示素子を作製した。
【００５１】実施例９ 厚さ約１５０ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が
被覆されたガラス基板上に、正孔注入輸送層として、
Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―Ｎ，Ｎ' ―ビス（１―ナフチ
ル）―１，１' ―ジフエニル−４，４’−ジアミンを蒸
着させ、厚さ５５ｎｍの膜を形成した。その上に、有機
発光層として、アルミニウムトリスオキシンにルブレン
を５重量％ドープさせたものを共蒸着により蒸着させ、
厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。
被覆されたガラス基板上に、正孔注入輸送層として、
Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―Ｎ，Ｎ' ―ビス（１―ナフチ
ル）―１，１' ―ジフエニル−４，４’−ジアミンを蒸
着させ、厚さ５５ｎｍの膜を形成した。その上に、有機
発光層として、アルミニウムトリスオキシンにルブレン
を５重量％ドープさせたものを共蒸着により蒸着させ、
厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。
【００５２】次に電子輸送層として、アルミニウムトリ
スオキシンを蒸着させ、４５ｎｍの厚さの薄膜を形成し
た。さらにその上に、電子注入層としてナトリウム―ア
セチルアセトナート錯体を抵抗加熱による蒸着法で蒸着
させ、厚さ２ｎｍの薄膜を形成した。最後に陰極とし
て、ＩＴＯをスパッタ法によりスパッタリングし２００
ｎｍの厚さになるように薄膜を形成した。このようにし
て、有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製し
た。
スオキシンを蒸着させ、４５ｎｍの厚さの薄膜を形成し
た。さらにその上に、電子注入層としてナトリウム―ア
セチルアセトナート錯体を抵抗加熱による蒸着法で蒸着
させ、厚さ２ｎｍの薄膜を形成した。最後に陰極とし
て、ＩＴＯをスパッタ法によりスパッタリングし２００
ｎｍの厚さになるように薄膜を形成した。このようにし
て、有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製し
た。
【００５３】実施例１０ 厚さ約１５０ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が
被覆されたガラス基板上に、正孔注入輸送層として、
Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―Ｎ，Ｎ' ―ビス（１―ナフチ
ル）―１，１' ―ジフエニル−４，４’−ジアミンを蒸
着させ、厚さ５５ｎｍの膜を形成した。その上に、有機
発光層として、アルミニウムトリスオキシンにルブレン
を５重量％ドープさせたものを共蒸着により蒸着させ、
厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。
被覆されたガラス基板上に、正孔注入輸送層として、
Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―Ｎ，Ｎ' ―ビス（１―ナフチ
ル）―１，１' ―ジフエニル−４，４’−ジアミンを蒸
着させ、厚さ５５ｎｍの膜を形成した。その上に、有機
発光層として、アルミニウムトリスオキシンにルブレン
を５重量％ドープさせたものを共蒸着により蒸着させ、
厚さ１０ｎｍの薄膜を形成した。
【００５４】次に電子輸送層として、アルミニウムトリ
スオキシンを蒸着させ、４５ｎｍの厚さの薄膜を形成し
た。さらにその上に、電子注入層としてカリウム―トリ
フルオロアセチルアセトナート錯体を抵抗加熱による蒸
着法で蒸着させ、厚さ２ｎｍの薄膜を形成した。最後に
陰極として、ＭｇとＡｇとを１０：１の原子比で共蒸着
により蒸着させ、厚さ２ｎｍの薄膜を形成し、その上に
ＩＴＯをスパッタ法によりスパッタリングし２００ｎｍ
の厚さになるように薄膜を形成した。このようにして、
有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製した。
スオキシンを蒸着させ、４５ｎｍの厚さの薄膜を形成し
た。さらにその上に、電子注入層としてカリウム―トリ
フルオロアセチルアセトナート錯体を抵抗加熱による蒸
着法で蒸着させ、厚さ２ｎｍの薄膜を形成した。最後に
陰極として、ＭｇとＡｇとを１０：１の原子比で共蒸着
により蒸着させ、厚さ２ｎｍの薄膜を形成し、その上に
ＩＴＯをスパッタ法によりスパッタリングし２００ｎｍ
の厚さになるように薄膜を形成した。このようにして、
有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作製した。
【００５５】比較例１ 厚さ約１５０ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が
被覆されたガラス基板上に、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン化合物
からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍにな
るように形成した。その上に、Ａｌｑ3 からなる有機発
光層を蒸着により６０ｎｍの厚さになるように形成し
た。その上に、電子注入層を設けずに、直接ＩＴＯから
なる陰極をスパッタ法により１００ｎｍの厚さになるよ
うに形成した。このようにして、比較例１の有機エレク
トロルミネッセンス表示素子を作製した。
被覆されたガラス基板上に、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン化合物
からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍにな
るように形成した。その上に、Ａｌｑ3 からなる有機発
光層を蒸着により６０ｎｍの厚さになるように形成し
た。その上に、電子注入層を設けずに、直接ＩＴＯから
なる陰極をスパッタ法により１００ｎｍの厚さになるよ
うに形成した。このようにして、比較例１の有機エレク
トロルミネッセンス表示素子を作製した。
【００５６】比較例２ 厚さ約１５０ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が
被覆されたガラス基板上に、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン化合物
からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍにな
るように形成した。その上に、Ａｌｑ3 からなる有機発
光層を蒸着により６０ｎｍの厚さになるように形成し
た。その上に、電子注入層を設けずに、直接Ｍｇ−Ａｇ
混合物（１０：１の原子比）を用い蒸着により１０ｎｍ
の厚さになるように陰極を形成した。このようにして、
比較例２の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作
製した。
被覆されたガラス基板上に、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン化合物
からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍにな
るように形成した。その上に、Ａｌｑ3 からなる有機発
光層を蒸着により６０ｎｍの厚さになるように形成し
た。その上に、電子注入層を設けずに、直接Ｍｇ−Ａｇ
混合物（１０：１の原子比）を用い蒸着により１０ｎｍ
の厚さになるように陰極を形成した。このようにして、
比較例２の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作
製した。
【００５７】比較例３ 厚さ約１５０ｎｍのインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が
被覆されたガラス基板上に、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン化合物
からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍにな
るように形成した。その上に、Ａｌｑ3 からなる有機発
光層を蒸着により６０ｎｍの厚さになるように形成し
た。その上に、電子注入層を設けずに、直接Ｍｇ−Ａｇ
混合物（１０：１の原子比）を用い蒸着により２０ｎｍ
の厚さになるように陰極を形成した。このようにして、
比較例３の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作
製した。
被覆されたガラス基板上に、Ｎ，Ｎ' ―ジフェニル―
Ｎ，Ｎ' ―ビス（４―メチルフェニル）―１，１' ―ビ
ス（３―メチルフェニル）―４，４' ―ジアミン化合物
からなる正孔注入輸送層を蒸着により厚さ６０ｎｍにな
るように形成した。その上に、Ａｌｑ3 からなる有機発
光層を蒸着により６０ｎｍの厚さになるように形成し
た。その上に、電子注入層を設けずに、直接Ｍｇ−Ａｇ
混合物（１０：１の原子比）を用い蒸着により２０ｎｍ
の厚さになるように陰極を形成した。このようにして、
比較例３の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を作
製した。
【００５８】次に、前記実施例１〜１０及び比較例１〜
３により得られた各有機エレクトロルミネッセンス表示
素子についての、発光輝度及び光透過率の評価を説明す
る。発光輝度は、ミノルタ社製輝度計ＬＳ−１００を用
い、各素子に１０Ｖの直流電圧を印加して陽極側から測
定した。また、光透過率については、日立製作所社製の
紫外可視分光光度計Ｕ−３２１０を用い、波長４５０ｎ
ｍ〜６５０ｎｍの光の平均透過率を測定した。結果を次
表に示す。
３により得られた各有機エレクトロルミネッセンス表示
素子についての、発光輝度及び光透過率の評価を説明す
る。発光輝度は、ミノルタ社製輝度計ＬＳ−１００を用
い、各素子に１０Ｖの直流電圧を印加して陽極側から測
定した。また、光透過率については、日立製作所社製の
紫外可視分光光度計Ｕ−３２１０を用い、波長４５０ｎ
ｍ〜６５０ｎｍの光の平均透過率を測定した。結果を次
表に示す。
【００５９】
【００６０】この結果から分かるように、実施例１〜１
０の有機エレクトロルミネッセンス表示素子は、いずれ
も１０Ｖ印加時に１００ｃｄ／ｍ2 以上の良好な発光輝
度及び良好な発光効率を示した。また、実施例１で得ら
れた表示素子を、窒素ガス不活性雰囲気下で初期５ｍＡ
／ｃｍ2 で連続発光させ、その発光輝度の半減期（輝度
が半分になるまでの時間）を測定したところ３００時間
であった。このように、実施例１の素子について、出力
低下が少なく、寿命の長い安定した発光が認められた。
また、実施例１〜１０の素子はいずれも可視光域（波長
４５０ｎｍ〜６５０ｎｍ）における素子の光透過率が７
０％以上であり、実用上十分な透光性を示した。
０の有機エレクトロルミネッセンス表示素子は、いずれ
も１０Ｖ印加時に１００ｃｄ／ｍ2 以上の良好な発光輝
度及び良好な発光効率を示した。また、実施例１で得ら
れた表示素子を、窒素ガス不活性雰囲気下で初期５ｍＡ
／ｃｍ2 で連続発光させ、その発光輝度の半減期（輝度
が半分になるまでの時間）を測定したところ３００時間
であった。このように、実施例１の素子について、出力
低下が少なく、寿命の長い安定した発光が認められた。
また、実施例１〜１０の素子はいずれも可視光域（波長
４５０ｎｍ〜６５０ｎｍ）における素子の光透過率が７
０％以上であり、実用上十分な透光性を示した。
【００６１】一方、電子注入層を備えていない比較例１
の素子では、１０Ｖ印加時の発光輝度は１０ｃｄ／ｍ2
と低かった。また、比較例２及び３の素子では、電子注
入層は備えていないが、陰極材料として低仕事関数の金
属を含有したものを用いているため発光輝度は高かっ
た。しかし、十分な電子注入性を得るために陰極の厚さ
をそれぞれ１０ｎｍ、２０ｎｍと厚くせざるを得なかっ
たため、実用上十分な光透過率が得られなかった。
の素子では、１０Ｖ印加時の発光輝度は１０ｃｄ／ｍ2
と低かった。また、比較例２及び３の素子では、電子注
入層は備えていないが、陰極材料として低仕事関数の金
属を含有したものを用いているため発光輝度は高かっ
た。しかし、十分な電子注入性を得るために陰極の厚さ
をそれぞれ１０ｎｍ、２０ｎｍと厚くせざるを得なかっ
たため、実用上十分な光透過率が得られなかった。
【００６２】以上の結果、陽極及び陰極が透光性を有す
るように形成されており、且つ、アルカリ金属若しくは
アルカリ土類金属の有機金属錯体、又はアルカリ金属若
しくはアルカリ土類金属の有機金属塩からなる電子注入
層、或いはアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸
化物、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハ
ロゲン化物からなる電子注入層を有する本発明の有機エ
レクトロルミネッセンス表示素子では、実用上十分な透
光性を有し、高輝度で発光効率が良く、しかも安定して
容易に作製できることが分かる。
るように形成されており、且つ、アルカリ金属若しくは
アルカリ土類金属の有機金属錯体、又はアルカリ金属若
しくはアルカリ土類金属の有機金属塩からなる電子注入
層、或いはアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸
化物、又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハ
ロゲン化物からなる電子注入層を有する本発明の有機エ
レクトロルミネッセンス表示素子では、実用上十分な透
光性を有し、高輝度で発光効率が良く、しかも安定して
容易に作製できることが分かる。
【００６３】次に、本発明に係る有機エレクトロルミネ
ッセンス表示素子の応用例を説明する。 ・応用例１ 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子を
カメラのインファインダーに組み込んだ例を図３に示
す。図３に示す例では、カメラのインファインダーＦで
観察される被写体に重ねて、本発明に係る表示素子ＤＬ
１が見えている。表示素子ＤＬ１をカメラのインファイ
ンダーに組み込むことで発光型による鮮明な表示とカラ
ー表示による注意の喚起やユーザーに対するカメラの撮
影情報を表示することができる。有機エレクトロルミネ
ッセンス素子は透光性であるから、被写体が暗くなった
りせず、良好な視認性を有している。
ッセンス表示素子の応用例を説明する。 ・応用例１ 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子を
カメラのインファインダーに組み込んだ例を図３に示
す。図３に示す例では、カメラのインファインダーＦで
観察される被写体に重ねて、本発明に係る表示素子ＤＬ
１が見えている。表示素子ＤＬ１をカメラのインファイ
ンダーに組み込むことで発光型による鮮明な表示とカラ
ー表示による注意の喚起やユーザーに対するカメラの撮
影情報を表示することができる。有機エレクトロルミネ
ッセンス素子は透光性であるから、被写体が暗くなった
りせず、良好な視認性を有している。
【００６４】・応用例２ 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表示素子を
時計の透明表面カバーガラスに組み込んだ例を図４に示
す。図４に示す例では、本発明に係る表示素子ＤＬ２
が、時計ＷＴの指針による表示部の上側に設けられた２
枚の透明カバーガラスＣＧ１とＣＧ２の間に挟着されて
ガラス枠ＷＦに組み込まれており、それにより該カバー
ガラスの部分に例えばカレンダーＣＡが表示されている
状態を示している。このような時計は表示素子ＤＬ２の
非表示時には、通常の指針式時計として使用でき、必要
なときにのみカレンダー、ストップウォッチ、アラー
ム、気圧、温度、湿度、アドレスブック、スケジュー
ル、地図等の表示を指針による表示部の表示に重ねて表
示させることができる。このため指針式時計においてデ
ザイン性を損なうことなく多くの情報を表示することが
できる。また、夜間に発光させることもできる。また電
池交換等の注意を喚起するための警告表示にも用いるこ
とができる。なお、液晶表示素子を表面ガラスに組み込
んだ時計が知られているが、本発明の構成を有する有機
エレクトロルミネッセンス表示素子を用いたものは液晶
表示素子を用いたものに比べて光透過率がよく指針表示
部が暗くならない、カラー化が可能である、自発光素子
であるため視認性に優れる等の利点がある。
時計の透明表面カバーガラスに組み込んだ例を図４に示
す。図４に示す例では、本発明に係る表示素子ＤＬ２
が、時計ＷＴの指針による表示部の上側に設けられた２
枚の透明カバーガラスＣＧ１とＣＧ２の間に挟着されて
ガラス枠ＷＦに組み込まれており、それにより該カバー
ガラスの部分に例えばカレンダーＣＡが表示されている
状態を示している。このような時計は表示素子ＤＬ２の
非表示時には、通常の指針式時計として使用でき、必要
なときにのみカレンダー、ストップウォッチ、アラー
ム、気圧、温度、湿度、アドレスブック、スケジュー
ル、地図等の表示を指針による表示部の表示に重ねて表
示させることができる。このため指針式時計においてデ
ザイン性を損なうことなく多くの情報を表示することが
できる。また、夜間に発光させることもできる。また電
池交換等の注意を喚起するための警告表示にも用いるこ
とができる。なお、液晶表示素子を表面ガラスに組み込
んだ時計が知られているが、本発明の構成を有する有機
エレクトロルミネッセンス表示素子を用いたものは液晶
表示素子を用いたものに比べて光透過率がよく指針表示
部が暗くならない、カラー化が可能である、自発光素子
であるため視認性に優れる等の利点がある。
【００６５】・応用例３ 本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を窓ガ
ラスに組み込んだ例を図５に示す。図５に示すように、
窓ガラスＷＧに重ねて本発明に係る有機エレクトロルミ
ネセンス表示素子ＤＬ３を組み込み、例えば夜間の照明
や、バス、電車、商店、オフィス等における広告、掲
示、案内等の表示、スペースをとらない大画面テレビ等
に用いることができる。また、部分的に色を変えること
でステンドグラスのように使用することもできる。有機
エレクトロルミネッセンス表示素子は大面積でも比較的
消費電力が少なくて済むため、このような大面積の表示
に適している。また有機エレクトロルミネッセンス素子
は透光性であるため、窓ガラスを通して外部の様子を良
好に視認することができる。
ラスに組み込んだ例を図５に示す。図５に示すように、
窓ガラスＷＧに重ねて本発明に係る有機エレクトロルミ
ネセンス表示素子ＤＬ３を組み込み、例えば夜間の照明
や、バス、電車、商店、オフィス等における広告、掲
示、案内等の表示、スペースをとらない大画面テレビ等
に用いることができる。また、部分的に色を変えること
でステンドグラスのように使用することもできる。有機
エレクトロルミネッセンス表示素子は大面積でも比較的
消費電力が少なくて済むため、このような大面積の表示
に適している。また有機エレクトロルミネッセンス素子
は透光性であるため、窓ガラスを通して外部の様子を良
好に視認することができる。
【００６６】・応用例４ 本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を自動
車のヘッドアップディスプレイに用いた例を図６に示
す。図６に示すように、例えば自動車のフロントガラス
ＡＧに重ねて本発明に係る有機エレクトロルミネセンス
表示素子ＤＬ４、ＤＬ５を組み込み、例えば走行速度表
示やナビゲーション装置のディスプレイとして利用でき
る。また、自動車の車載用ヘッドアップディスプレイと
して用いることにより、駆動電位が低く、自動車のバッ
テリーに負担をかけず、カラー表示や運転者に注意を促
す表示をすることができる。また、表示素子ＤＬ４やＤ
Ｌ５は透光性を有するため、非表示時には視野を妨げる
ことがなく、また発光時においても視界をさえぎらない
ので、運転時に視線をあまり動かさずに見ることのでき
る位置に必要な情報を表示することができる。さらに発
光するため注意を喚起しやすい。
車のヘッドアップディスプレイに用いた例を図６に示
す。図６に示すように、例えば自動車のフロントガラス
ＡＧに重ねて本発明に係る有機エレクトロルミネセンス
表示素子ＤＬ４、ＤＬ５を組み込み、例えば走行速度表
示やナビゲーション装置のディスプレイとして利用でき
る。また、自動車の車載用ヘッドアップディスプレイと
して用いることにより、駆動電位が低く、自動車のバッ
テリーに負担をかけず、カラー表示や運転者に注意を促
す表示をすることができる。また、表示素子ＤＬ４やＤ
Ｌ５は透光性を有するため、非表示時には視野を妨げる
ことがなく、また発光時においても視界をさえぎらない
ので、運転時に視線をあまり動かさずに見ることのでき
る位置に必要な情報を表示することができる。さらに発
光するため注意を喚起しやすい。
【００６７】・応用例５ 本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示素子を他の
表示画面に重ねて使用するオーバーレイディスプレイに
用いた例を図７に示す。図７はコンピュータの表示画面
ＣＰに重ねて本発明に係る表示素子ＤＬ６を組み込んだ
例を示している。本発明に係る有機エレクトロルミネッ
センス表示素子を液晶パネルやＣＲＴの画面枠内に組み
込むことで、重複させた表示をする時に発光型で見やす
く、注意等を喚起しやすい。また、チャンネル表示や時
計表示をさせ、使用者の利便を図ることができる。さら
に言えば、液晶パネルやＣＲＴの画面等による表示を遮
ることなく、必要な部分に別の情報を表示させることが
できるので、同時に参照したい情報を液晶パネル等の画
面と有機エレクトロルミネッセンス表示素子画面にそれ
ぞれ表示することができる。例えば、パーソナルコンピ
ューターにおいて、有機エレクトロルミネッセンス表示
素子により、主画面に重ねてヘルプ画面、ポインタ、ツ
ールパレット、動作状況、ハードウエア情報等を表示す
ることが考えられる。また、液晶画面の光は偏光してい
るが有機エレクトロルミネッセンス素子の光は偏向して
いないことを利用して、角度によって見える情報を制限
するような利用も可能である。
表示画面に重ねて使用するオーバーレイディスプレイに
用いた例を図７に示す。図７はコンピュータの表示画面
ＣＰに重ねて本発明に係る表示素子ＤＬ６を組み込んだ
例を示している。本発明に係る有機エレクトロルミネッ
センス表示素子を液晶パネルやＣＲＴの画面枠内に組み
込むことで、重複させた表示をする時に発光型で見やす
く、注意等を喚起しやすい。また、チャンネル表示や時
計表示をさせ、使用者の利便を図ることができる。さら
に言えば、液晶パネルやＣＲＴの画面等による表示を遮
ることなく、必要な部分に別の情報を表示させることが
できるので、同時に参照したい情報を液晶パネル等の画
面と有機エレクトロルミネッセンス表示素子画面にそれ
ぞれ表示することができる。例えば、パーソナルコンピ
ューターにおいて、有機エレクトロルミネッセンス表示
素子により、主画面に重ねてヘルプ画面、ポインタ、ツ
ールパレット、動作状況、ハードウエア情報等を表示す
ることが考えられる。また、液晶画面の光は偏光してい
るが有機エレクトロルミネッセンス素子の光は偏向して
いないことを利用して、角度によって見える情報を制限
するような利用も可能である。
【００６８】
【発明の効果】本発明によると、全体が透光性を有し、
高輝度で発光効率がよく、製作容易である有機エレクト
ロルミネッセンス素子を提供することができる。
高輝度で発光効率がよく、製作容易である有機エレクト
ロルミネッセンス素子を提供することができる。
【図１】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表
示素子の１例の概略構成を示す側面図である。
示素子の１例の概略構成を示す側面図である。
【図２】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表
示素子の他の例の概略構成を示す側面図である。
示素子の他の例の概略構成を示す側面図である。
【図３】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表
示素子をカメラのインファインダーに組み込んだ例を示
す図である。
示素子をカメラのインファインダーに組み込んだ例を示
す図である。
【図４】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表
示素子をカバーガラスに組み込んだ時計例の一部の斜視
図である。
示素子をカバーガラスに組み込んだ時計例の一部の斜視
図である。
【図５】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表
示素子を組み込んだ窓ガラス例の斜視図である。
示素子を組み込んだ窓ガラス例の斜視図である。
【図６】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表
示素子をフロントガラスに組み込んだ自動車例の一部を
示す図である。
示素子をフロントガラスに組み込んだ自動車例の一部を
示す図である。
【図７】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス表
示素子をコンピュータ表示画面のオーバーレイディスプ
レイとして用いた例を示す図である。
示素子をコンピュータ表示画面のオーバーレイディスプ
レイとして用いた例を示す図である。
１ 透明基板 ２ 陽極 ３ 正孔注入輸送層 ４ 有機発光層 ５ 電子輸送層 ６ 電子注入層 ７ 陰極 ８ リード線 ９ 電源 Ｌ１、Ｌ２ 有機発光膜 ＤＬ１〜ＤＬ６ 有機エレクトロルミネッセンス表示素
子 Ｆ カメラのインファインダー ＷＴ 指針式時計 ＣＧ１、ＣＧ２ 透明ガラスカバー ＷＦ ガラス枠 ＣＡ カレンダー ＷＧ 窓ガラス ＡＧ 自動車のフロントガラス ＣＰ コンピュータの表示画面
子 Ｆ カメラのインファインダー ＷＴ 指針式時計 ＣＧ１、ＣＧ２ 透明ガラスカバー ＷＦ ガラス枠 ＣＡ カレンダー ＷＧ 窓ガラス ＡＧ 自動車のフロントガラス ＣＰ コンピュータの表示画面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北洞 健 大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪 国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 3K007 AB03 AB18 BA06 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 DC00 EB00 EC00 FA01
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入
層及び陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス表示
素子において、前記陽極及び陰極がそれぞれ透明導電性
膜からなり、前記電子注入層がアルカリ金属若しくはア
ルカリ土類金属の有機金属錯体、又はアルカリ金属若し
くはアルカリ土類金属の有機金属塩の透光性を有する薄
膜からなっていることを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス表示素子。 - 【請求項２】 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入
層及び陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス表示
素子において、前記陽極及び陰極がそれぞれ透明導電性
膜からなり、前記電子注入層がアルカリ金属若しくはア
ルカリ土類金属の酸化物、又はアルカリ金属若しくはア
ルカリ土類金属のハロゲン化物の透光性を有する薄膜か
らなっていることを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センス表示素子。 - 【請求項３】 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入
層及び陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス表示
素子において、前記陽極が透明導電性膜からなり、前記
陰極が仕事関数４ｅＶ以下の金属を含有する透光性の金
属薄膜からなり、前記電子注入層がアルカリ金属若しく
はアルカリ土類金属の有機金属錯体、又はアルカリ金属
若しくはアルカリ土類金属の有機金属塩の透光性を有す
る薄膜からなっていることを特徴とする有機エレクトロ
ルミネッセンス表示素子。 - 【請求項４】 少なくとも陽極、有機発光膜、電子注入
層及び陰極を有する有機エレクトロルミネッセンス表示
素子において、前記陽極が透明導電性膜からなり、前記
陰極が仕事関数４ｅＶ以下の金属を含有する透光性の金
属薄膜からなり、前記電子注入層がアルカリ金属若しく
はアルカリ土類金属の酸化物、又はアルカリ金属若しく
はアルカリ土類金属のハロゲン化物の透光性を有する薄
膜からなっていることを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンス表示素子。 - 【請求項５】 前記陽極・陰極間部分の厚さが２０ｎｍ
〜２００ｎｍである請求項１から４のいずれかに記載の
有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 - 【請求項６】 前記有機発光膜における発光層は蛍光色
素がドープされた層である請求項１から５のいずれかに
記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 - 【請求項７】 素子の表示観察に供される部分の可視光
線の光透過率が７０％以上である請求項１から６のいず
れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示素子。 - 【請求項８】 前記陽極及び陰極は表示素子を単純マト
リクス駆動させるように設けられている請求項１から７
のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示
素子。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP11023605A JP2000223277A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| US09/495,299 US6468676B1 (en) | 1999-01-02 | 2000-02-01 | Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device |
| US10/137,396 US6809473B2 (en) | 1999-01-02 | 2002-05-03 | Organic electro-luminescence display element, finder screen display device, finder and optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11023605A JP2000223277A (ja) | 1999-02-01 | 1999-02-01 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223277A true JP2000223277A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12115250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11023605A Pending JP2000223277A (ja) | 1999-01-02 | 1999-02-01 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000223277A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246179A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-08-30 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2003272873A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌヘッドとその作製方法及びそれを用いた画像形成装置 |
| US7157157B2 (en) | 2002-11-20 | 2007-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic EL element and organic EL display |
| WO2007058318A1 (ja) | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 焼成体及びその製造方法 |
| US7223147B2 (en) | 2002-10-31 | 2007-05-29 | Seiko Epson Corporation | Method of producing electroluminescence apparatus, electroluminescence apparatus and electronic device |
| JP2008533655A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | 透明発光部品 |
| KR100858106B1 (ko) | 2003-10-17 | 2008-09-10 | 준지 기도 | 유기전계발광장치 및 그 생산방법 |
| WO2009122959A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| WO2009122960A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| WO2012147397A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163158A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH0917574A (ja) * | 1995-04-27 | 1997-01-17 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH10144475A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-29 | Ulvac Japan Ltd | Ｅｌ素子、及び有機薄膜表面へのカソード電極膜の形成方法 |
| JPH10294182A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH113782A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Toppan Printing Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH11121176A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 注入形電場発光デバイスとその製造方法 |
| JPH11233262A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
-
1999
- 1999-02-01 JP JP11023605A patent/JP2000223277A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163158A (ja) * | 1992-11-19 | 1994-06-10 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH0917574A (ja) * | 1995-04-27 | 1997-01-17 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH10144475A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-29 | Ulvac Japan Ltd | Ｅｌ素子、及び有機薄膜表面へのカソード電極膜の形成方法 |
| JPH10294182A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH113782A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Toppan Printing Co Ltd | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH11121176A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 注入形電場発光デバイスとその製造方法 |
| JPH11233262A (ja) * | 1998-02-17 | 1999-08-27 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 第５９回秋季応用物理学会学術講演会 講演予稿集, JPN6009001480, JP, pages １０８６頁, ISSN: 0001226991 * |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4507420B2 (ja) * | 2001-02-22 | 2010-07-21 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2002246179A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-08-30 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2003272873A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌヘッドとその作製方法及びそれを用いた画像形成装置 |
| US7223147B2 (en) | 2002-10-31 | 2007-05-29 | Seiko Epson Corporation | Method of producing electroluminescence apparatus, electroluminescence apparatus and electronic device |
| US7157157B2 (en) | 2002-11-20 | 2007-01-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Organic EL element and organic EL display |
| KR100858106B1 (ko) | 2003-10-17 | 2008-09-10 | 준지 기도 | 유기전계발광장치 및 그 생산방법 |
| JP2008533655A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | 透明発光部品 |
| US7915815B2 (en) | 2005-03-11 | 2011-03-29 | Novaled Ag | Transparent light-emitting component |
| WO2007058318A1 (ja) | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 焼成体及びその製造方法 |
| JP2009246127A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2009246126A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| WO2009122960A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| WO2009122959A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| WO2012147397A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| JP5821951B2 (ja) * | 2011-04-26 | 2015-11-24 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
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