JPH10144475A

JPH10144475A - Ｅｌ素子、及び有機薄膜表面へのカソード電極膜の形成方法

Info

Publication number: JPH10144475A
Application number: JP8312675A
Authority: JP
Inventors: Tatsuhiko Koshida; 達彦越田; Toshio Negishi; 敏夫根岸
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 1996-11-08
Filing date: 1996-11-08
Publication date: 1998-05-29
Anticipated expiration: 2016-11-08
Also published as: JP3698506B2

Abstract

(57)【要約】【課題】両面発光ＥＬ素子を製造できる技術を提供す
る。【解決手段】ＥＬ素子２のカソード電極膜１６を形成
する際、透明な基体１０上に有機薄膜１２、１３を形成
した後、大気に曝さずに、スパッタリング法によって金
属薄膜１４を２００ｎｍ〜１０００ｎｍの膜厚に形成
し、次いで、その表面に透明導電膜１５を形成し、金属
薄膜１４と透明導電膜１５とでカソード電極膜１６を構
成させる。両面発光のＥＬ素子２を得ることができる。
金属薄膜１４のスパッタリングは、ヘリカルカソードを
用い、ターゲットとの距離を２００ｍｍ以上にし、１．
３３×１０^-2Ｐａ以下の圧力で行うとよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子の技術
分野にかかり、特に、有機薄膜表面へカソード電極膜を
形成する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、視野角の問題がなく、高輝度の有
機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた表示装置が
注目されており、カラー化と長寿命化による実用品の製
作に向けて精力的な研究が行われている。

【０００３】一般的な有機ＥＬ素子は、図４に示すよう
に、ガラス基体２１０上に、透明導電膜２１１と、第１
層目の有機薄膜２１２と、第２層目の有機薄膜２１３
と、カソード電極膜２１５とがこの順に成膜されて構成
されており、透明導電膜２１１をアノード電極膜とし、
カソード電極膜２１５との間に電圧を印加すると、第１
層目と第２層目の有機薄膜２１２、２１３の界面が発光
し、透明導電膜２１１とガラス基体２１０とを透過した
光２１９が外部に放射されるように構成されている。

【０００４】有機薄膜上に形成するカソード電極膜とし
ては、ＭｇＡｇ膜、ＭｇＩｎ膜、ＬｉＡｌ膜等が知られ
ているが、ＭｇＡｇ膜の形成を例にとってカソード電極
膜形成方法を説明すると、従来は、図５に示すような真
空排気可能な真空槽１０５と、マグネシウム蒸気を発生
させるＭｇ用蒸発源１１０と、銀蒸気を発生させるＡｇ
用蒸発源１２０とを有する蒸着装置が用いられている。

【０００５】各蒸発源１１０、１２０は真空槽１０５の
底壁上に設けられており、真空槽１０５の天井に設けら
れた図示しない基板ホルダーに成膜対象の基板１０６を
保持させると、基板１０６表面はＭｇ用蒸発源１１０と
Ａｇ用蒸発源１２０に向くように構成されている。

【０００６】Ｍｇ用蒸発源１１０は、Ｍｇ材料１１１が
納められた密閉容器１１３と、該密閉容器１１３内に配
置されたヒーター１１４とを有しており、他方、Ａｇ蒸
発源１２０はフィラメント１２４と、そのフィラメント
１２４内に納められたＡｇ材料１２１とを有している。

【０００７】Ｍｇ材料１１１は昇華性であるため、ヒー
ター１１４に通電して発熱させると液体にならずに蒸発
し、密閉容器１１３内をＭｇ蒸気で充満させる。密閉容
器１１３の上部には、直径１ｍｍの孔１１５が設けられ
ており、密閉容器１１３内のＭｇ蒸気は孔１１５から真
空槽１０５内に放出され、基板１０６表面に到達し、そ
こに付着する。

【０００８】このとき同時にＡｇ蒸発源１２０のフィラ
メント１２４にも通電し、Ａｇ材料１２１を溶融・蒸発
させ、Ａｇ蒸気を発生させると、Ａｇ蒸気はＭｇ蒸気と
一緒に基板１０６表面に到達し、そこに付着するので、
基板１０６表面にはＭｇＡｇ膜から成るカソード電極膜
が形成される。

【０００９】なお、Ｍｇ蒸気とＡｇ蒸気とを別々に発生
させるため、Ｍｇ蒸発源１１０とＡｇ蒸発源１２０との
間には遮蔽板１３６が設けられ、蒸発源が互いに汚染し
合わないように構成されている。

【００１０】上述したＥＬ素子は、近年では、例えばポ
ケベル、携帯電話、ゲーム用ディスプレー等に使用する
ため(注：用途をご記入下さい)、両面発光可能なものが
求められているが、カソード電極膜は有機薄膜との仕事
関数差の小さい金属材料で構成させる必要があるため、
現在のところ透明な薄膜は得られていない。

【００１１】そこで、光を透過する程薄いＭｇＡｇ膜を
形成し、その表面に透明なＩＴＯ膜を形成し、ＭｇＡｇ
膜とＩＴＯ膜とで構成される透明導電膜をカソード電極
膜にすることが検討されたが、上述のような蒸着装置を
用い、孔１１５から放出される蒸気によって基板表面に
薄いＭｇＡｇ膜を形成しようとすると、膜厚制御が困難
であり、特に大口径基板を用いた場合には、発光強度の
面内均一性が良い両面発光ＥＬ素子を得ることができな
かった。

【００１２】また、カソード電極膜は、一定範囲の組成
で形成する必要があり、例えばＭｇＡｇ膜では、ＭｇＡ
ｇ比は１０：１(＝Ｍｇ：Ａｇ)であるが、蒸着装置で
は、ごく薄いカソード電極膜の組成を基板面内で均一に
することは困難であり、その解決が望まれていた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたもので、その目的
は、有機薄膜表面へ透明なカソード電極膜を形成し、両
面発光ＥＬ素子を得ることにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、基体と、該基体上に形成さ
れた有機薄膜と、該有機薄膜表面に形成されたカソード
電極膜とを有するＥＬ素子であって、前記カソード電極
膜は、金属薄膜と、該金属薄膜上に形成された透明導電
膜とを有し、前記金属薄膜はスパッタリング法を用い、
前記有機薄膜表面に光を遮蔽しない膜厚に形成されてい
ることを特徴とする。

【００１５】上述した本発明の構成によれば、光を遮蔽
しないほど薄い金属薄膜が、スパッタリング法によって
有機薄膜表面上に形成されているので、金属薄膜の面内
膜厚や面内組成が均一となり、発光強度の面内均一性が
良いＥＬ素子を得ることができる。また、有機薄膜と金
属薄膜との密着性が良好になるので、寿命が長く、発光
強度の高いＥＬ素子を得ることができる。

【００１６】その金属薄膜表面に透明導電膜を形成し、
透明導電膜によって金属薄膜や有機薄膜と金属薄膜の界
面を保護させ、金属薄膜と透明導電膜とでカソード電極
膜を構成させることができる。基体に透明なものを用い
ると、有機薄膜内で発生した光は基体側とカソード電極
膜側とを通して外部に放射されるので、両面発光ＥＬ素
子が得られる。

【００１７】そのような金属薄膜の膜厚は、２００ｎｍ
以上１０００ｎｍ以下の範囲にすると、有機薄膜内への
電子の注入機能を維持しつつ光を透過させることができ
る。

【００１８】また、有機薄膜が形成された後、その有機
薄膜を大気に曝さずに表面に金属薄膜を形成するように
すれば、有機薄膜と金属薄膜の界面の状態を良好にでき
る。具体的には、先ず、有機薄膜を形成した後、大気に
曝さずにターゲットが配置された真空槽内に搬入し、そ
のターゲット表面をスパッタリングし、有機薄膜表面に
光を遮蔽しない膜厚の金属薄膜を形成する。次いで、金
属薄膜表面に透明導電膜を形成し、金属薄膜と透明導電
膜とでカソード電極膜を構成させることができる。金属
薄膜の形成後、大気に曝さないで透明導電膜を形成する
とよい。

【００１９】スパッタリング法については、真空槽内に
コイルを配置し、ターゲットをそのコイル内に納め、基
板表面とコイル上端部との距離を２００ｍｍ以上にして
ターゲットと基板とを対向配置させ、１３．５６ＭＨｚ
以上１００ＭＨｚ以下の周波数の交流電圧をコイルに印
加してターゲットのスパッタリングを行い、有機薄膜表
面に金属薄膜を成長させると、有機薄膜や有機薄膜と金
属薄膜との界面が電子やスパッタリングガスイオンに曝
されなくなり、ダメージを少なくさせることができる。

【００２０】スパッタリングを行う際の真空槽内の圧力
については、１．３３×１０^-2Ｐａ以下の値にしておく
と、プラズマ密度が低くなり、一層ダメージが少なくな
る。ターゲットについては、具体的にはマグネシウムと
銀とを含む材料を用いることができる。マグネシウムは
昇華性であるため、スパッタリング法が適している。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を用い
て説明する。図１に、本発明のＥＬ素子を製造する際に
用いることができるＥＬ素子製造装置を示す。このＥＬ
素子製造装置は、前処理装置３１と、有機薄膜形成装置
３２と、第１、第２のスパッタリング装置３３、３４と
を有している。各装置３１〜３４は真空槽４１〜４４を
それぞれ有しており、図示しない真空ポンプによって個
別に真空排気できるように構成されている。各真空槽４
１〜４４の天井には、基板ホルダー４６〜４９がそれぞ
れ設けられており、板状の基板を保持できるように構成
されている。

【００２２】また、真空槽４１と真空槽４２の間と、真
空槽４２と真空槽４３の間と、真空槽４３と真空槽４４
の間には、ゲートバルブ７１〜７３がそれぞれ設けられ
ており、図示しない基板搬入室から真空槽４１内に搬入
した基板を、大気に曝すことなく、真空槽４２〜４４内
を順次搬送し、図示しない基板搬送室から大気中に取り
出せるように構成されている。

【００２３】このＥＬ素子製造装置を用い、図３(ａ)に
示すような、透明なガラス基体１０(厚み０．５ｍｍ)上
に、予めＩＴＯ膜から成る透明なアノード電極膜１１
（膜厚１５００Å〜２０００Å)が形成された基板上
に、有機薄膜と透明なカソード電極膜(導電性の薄膜)と
を形成する場合について説明する。

【００２４】先ず、その基板を前処理装置３１の真空槽
４１内に搬入し、基板ホルダー４６に保持させる。この
とき、基板のガラス基体１０を基板ホルダー４６に密着
させ、アノード電極膜１１を真空槽４１の底壁に向け
る。

【００２５】真空槽４１内の底壁の基板ホルダー４６と
対向する位置にはラジカルガン５６が設けられており、
そのラジカルガン５６と基板ホルダー４６との間には、
シャッター５１が設けられている。真空槽８０内を真空
排気し、シャッター５１を閉じた状態でラジカルガン５
６を起動すると、ラジカルガン５６から真空槽４１内に
ラジカルイオンが放射される。その状態でシャッター８
６を開けるとラジカルイオンはアノード電極膜１１表面
に照射され、アノード電極膜１１のクリーニングが行わ
れる。

【００２６】クリーニングが終了した基板を、真空槽４
１から有機薄膜形成装置３２の真空槽４２内に搬送し、
基板ホルダー４７に保持させる。

【００２７】真空槽４２の底壁には、第１層目の有機薄
膜材料が納められた第１の蒸発源５７₁と、第２層目の
有機薄膜材料が納められた第２の蒸発源５７₂とが設け
られており、第１、第２の蒸発源５７₁、５７₂と、基板
ホルダー４７との間にはシャッター５２が設けられてい
る。

【００２８】そのシャッター５２と第１、第２の蒸発源
５７₁、５７₂内に設けられたシャッターとを閉じた状態
にし、第１、第２の蒸発源５７₁、５７₂内のヒーターに
通電すると、第１層目と第２層目の有機薄膜材料の蒸発
が開始される。

【００２９】基板ホルダー４７上では、基板はアノード
電極膜１１が第１、第２の蒸発源５７₁、５７₂に向けら
れている。第１の蒸発源５７₁内のシャッターを最初に
開け、有機薄膜材料の蒸発状態が安定したところでシャ
ッタ５２を開けると第１層目の有機薄膜材料の蒸気がア
ノード電極膜１１表面に到達し、第１層目の有機薄膜の
成長が開始される。第１の蒸発源５７₁内には、第１層
目の有機薄膜材料として、下記化学式、

【００３０】

【化１】

【００３１】で示されるジアミンが配置されており、そ
の蒸気により、アノード電極膜１１上には、ジアミン高
分子膜が第１層目の有機薄膜１２として形成される(図
３(ｂ))。

【００３２】第１層目の有機薄膜１２が５００Å〜６０
０Åの厚みに形成されたところで、第１の蒸発源５７₁
内のシャッターを閉め、第２の蒸発源５７₂内のシャッ
ターを開けると、第２層目の有機薄膜材料の蒸気が第１
層目の有機薄膜１２表面に到達し、第２の有機薄膜１３
の成長が開始される。第２の蒸発源５７₂内には、第２
層目の有機薄膜材料として、下記化学式、

【００３３】

【化２】

【００３４】で示される昇華性のＡｌｑ³［Tris(8-hydr
oxyquinoline) aluminium, sublimed］が配置されてお
り、その蒸気により、第１層目の有機薄膜１２表面に、
Ａｌｑ³が高分子化した膜が第２の有機薄膜１３として
形成される(同図(ｃ))。

【００３５】第２層目の有機薄膜１３が５００Å〜６０
０Åの厚みに形成されたところで、真空槽４２内のシャ
ッター５２と第２の蒸発源５７₂内のシャッターとを閉
じ、カソード電極膜の成膜対象となる基板を、第１のス
パッタリング装置３３の真空槽４３内に搬入し、基板ホ
ルダー４８に保持させる。

【００３６】基板ホルダー４８と対向した位置の真空槽
４３の底壁には、ヘリカルカソード５８が設けられてお
り、ヘリカルカソード５８と基板ホルダー４８との間に
は、シャッター５３が設けられている。他方、真空槽４
３の外部には、バイアス電源６１と高周波電源６２とが
配置されている。

【００３７】ヘリカルカソード５８は、コイル８１と、
ターゲットホルダー８３と、ターゲット８２と、磁石８
４とを有しており、ターゲットホルダー８３はバイアス
電源６１の負電位側の電極に接続され、ターゲットホル
ダー４８よりも低位電位にできるように構成されてい
る。他方、コイル８１の両端は高周波電源６２の正負２
つの電極にそれぞれ接続され、コイル８１に交流電流を
流せるように構成されている。

【００３８】ターゲット８２には、マグネシウム(Ｍｇ)
と銀(Ａｇ)とから成る導電性薄膜材料が平板状に成形さ
れたものが用いられており、その裏面はターゲットホル
ダー８３に固定され、ターゲットホルダー８３と共にコ
イル８１内に配置されている。

【００３９】コイル８１を構成する導線は、ターゲット
８２とターゲットホルダー８３の周囲に非接触の状態で
巻き回されており、ターゲット８２の表面とコイル８１
の中心軸線とは略直交するように配置されている。従っ
て、コイル８１の開口部において、ターゲット８２は基
板ホルダー４８に対向しており、また、ターゲット８２
表面と、基板ホルダー４８に保持された基板とは、略平
行になるようにされている。

【００４０】コイル８１の上端部は、ターゲット８２表
面よりも基板側に位置するようにされており、ここで
は、コイル８１の上端部と基板ホルダー４８に保持され
た基板表面との距離は２００ｍｍにされている。

【００４１】シャッター５３を閉じた状態にし、真空槽
４３内を高真空状態まで真空排気した後、アルゴンガス
から成るスパッタリングガスを導入し、真空槽４８内の
圧力が６．６５×１０^-3Ｐａ(５．０×１０^-5Torr)
(注：１．０×１０^-4Ｔｏｒｒ以下の圧力の典型的な例
として、この値にしました。)で圧力で安定した後、バ
イアス電源８４を起動してターゲット８２を負電位に置
くと共に、高周波電源６２を起動し、コイル８１に１
３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加して通電する。ター
ゲット８２表面にプラズマが発生し、そのプラズマ中の
スパッタリングガスイオン(アルゴンイオンＡｒ⁺)がタ
ーゲット８２表面に入射して、ターゲット８２のスパッ
タリングが開始された。

【００４２】基板ホルダー４８に保持された基板は、第
２の有機薄膜１３がヘリカルコイル５８側に向けられて
おり、プラズマが安定したところでシャッター５３を開
けると、第２の有機薄膜１３表面へのマグネシウムと銀
から成る金属薄膜の成長が開始された。

【００４３】このとき、コイル８１によって形成される
電界は、コイル８１の上端部近傍では、コイル８１の中
心軸線と平行な方向になっており、その向きは、半周期
毎に逆向きになる。従って、電子やイオンに加えられる
力も半周期毎に逆向きになるが、高周波であるため、コ
イル７の上端近傍では、電子ｅ^-は、コイル７の中心軸
線と平行な方向に往復運動をし、基板ホルダー４８側へ
入射できない。このように、コイル８１に高周波電圧を
印加した場合には、第２の有機薄膜１３やその表面に形
成途中の金属薄膜は、電子ｅ^-やスパッタリングガスイ
オン等によってダメージを受けなくなる。

【００４４】なお、ターゲットホルダー８３の裏面には
磁石８４が配置されており、その磁石８４によってター
ゲット８２表面に形成される磁界は、電子をターゲット
表面近傍に閉じ込め、ターゲット８２表面近傍のプラズ
マ密度が高く、表面から遠くなると低くなるように構成
されている。従って、プラズマは基板まで広がらないの
で、第２の有機薄膜１３や形成途中の金属薄膜がプラズ
マに曝されてダメージを受けることはない。

【００４５】このヘリカルカソード５８を用いた場合の
金属薄膜の成長速度は、予め、真空槽４３内のスパッタ
リングガス圧力と対応づけて求められており、金属薄膜
が所定膜厚(２０Å〜１００Å)の厚みに形成されたとこ
ろで(図３(ｄ))シャッター５３を閉じると共にバイアス
電源６１と高周波電源６２とを停止させ、金属薄膜１４
の形成を終了する。

【００４６】次いで、金属薄膜１４が形成された基板を
第２のスパッタリング装置３４の真空槽４４内に搬送
し、金属薄膜１４を真空槽４３の底壁に向けて基板ホル
ダー４９に保持させる。

【００４７】真空槽４４内の底壁の基板ホルダー４９と
対向した位置には、上述のヘリカルカソード５８と同じ
構成のヘリカルカソード５９が設けられており、そのヘ
リカルカソード５９と基板ホルダー４９の間には、シャ
ッター５４が設けられている。他方、真空槽４４の外部
には、バイアス電源６３と高周波電源６４とが配置さ
れ、ヘリカルカソード５９内のターゲットホルダーとコ
イルにそれぞれ接続されている。

【００４８】ヘリカルカソード５９内のターゲット９２
には、ＩＴＯ(インジウム・錫酸化物)材料が平板状に成
形されたものが用いられており、シャッター５４を閉じ
た状態にし、真空槽４４内を高真空状態まで真空排気し
た後、アルゴンガスから成るスパッタリングガスを導入
し、真空槽４４内の圧力が６．５５×１０^-1Ｐａ(５．
０×１０^-3Torr)で安定した後、バイアス電源６３と高
周波電源６４を起動してターゲット９２のスパッタリン
グを開始する。

【００４９】金属薄膜１４表面に、膜厚１５００Å〜２
０００ÅのＩＴＯ膜から成る透明導電膜１５が形成され
たところでスパッタリングを終了し、真空槽４４外に搬
出する。

【００５０】金属薄膜１４は２０Å〜１００Åの薄さで
あり、光を遮蔽しない膜厚である。また、透明導電膜１
５は透明なので、金属薄膜１４と透明導電膜１５とで透
明なカソード電極膜１６が構成された。

【００５１】アノード電極膜１１と透明導電膜１５を電
源に接続し、電圧を印加したところ、第１層目の有機薄
膜１２と第２層目の有機薄膜１３の界面で発光し(図３
(ｅ))、ガラス基体１０を透過して一方の面から光１８
が放射されると共に、カソード電極膜１６を透過して他
方の面から光１９が放射され、両面発光のＥＬ素子２が
得られた。

【００５２】以上は前処理装置３１と、有機薄膜形成装
置３２と、第１、第２のスパッタリング装置３３、３４
とが順番に配置されたＥＬ素子製造装置を用いた場合を
説明したが、図２(ａ)に示すように、搬送ロボットが納
められた搬送室３５を中心として各装置３１〜３４を配
置し、搬送室３５を介して各装置３１〜３４内で基板を
大気に曝さないで搬出入できるように構成してもよい。

【００５３】また、同図(ｂ)に示すように、ガラス基体
表面を紫外線でクリーニングする前処理室３６と、クリ
ーニングされたガラス基体上にＩＴＯ膜を形成するスパ
ッタリング装置３７と、有機薄膜形成装置３２と、第
１、第２のスパッタリング装置３３、３４とを搬送室３
５を中心に配置してＥＬ素子製造装置を構成してもよ
い。

【００５４】なお、上述の例は、ガラス基体１０を用い
てＥＬ素子を作成する場合を説明したが、透明な樹脂フ
ィルムを基体に用いることもできる。また、有機薄膜は
２層構造のものに限定されるものではなく、種々の構造
のものが含まれる。

【００５５】そのような有機薄膜表面に金属薄膜を形成
する際のコイル上端部と基板との距離は、上述の２００
ｍｍに限定されるものではなく、その距離よりも大きく
し、有機薄膜や金属薄膜が受けるダメージを更に少なく
させることができる。但し、距離を大きくすると金属薄
膜の成長速度が遅くなるので、量産工程では３００ｍｍ
程度が限界と考えられる。

【００５６】また、上述の例では、金属薄膜１４を形成
する際の真空槽４４内の圧力を６．６５×１０^-3Ｐａ
(５．０×１０^-5Torr)にしたが、有機薄膜とカソード電
極膜の界面にダメージを与えずにプラズマを安定に維持
するためには、１．３３×１０^-2Ｐａ(１．０×１０^-4T
orr)以下の圧力であればよい。

【００５７】上述のような低圧力でカソード電極膜を２
０Å〜１００Å程度の厚みに形成すると、金属薄膜自身
が有機薄膜との界面を保護できる状態になる。従って、
その金属薄膜１４上に透明導電膜１５を形成する場合の
スパッタリング圧力は、通常の圧力(６．５５×１０^-1
Ｐａ程度の圧力)にすることができる。

【００５８】また、上述の例はコイル８１へ印加する交
流電圧の周波数が１３．５６ＭＨｚの場合であったが、
１３．５６ＭＨｚ以上、１００ＭＨｚ以下の範囲の周波
数であれば、基板側に電子やイオンが入射せず、金属薄
膜１４と有機薄膜１３の界面や、有機薄膜１３にダメー
ジを与えることがない。

【００５９】なお、以上はＭｇＡｇ膜を金属薄膜１４と
し、ＩＴＯ１５膜とでカソード電極膜１６を構成する場
合について説明したが、本発明はそれに限定されるもの
ではない。有機薄膜表面に光を遮蔽しない厚さの金属薄
膜を形成し、その金属薄膜上に透明導電膜を形成する場
合に広く用いることができる。

【００６０】

【発明の効果】有機薄膜表面に、膜厚分布や膜質が均一
である透明なカソード電極膜を形成することができるの
で、両面発光ＥＬ素子が得られる。金属薄膜と有機薄膜
の界面や有機薄膜中に電子やイオンが入射しないので、
特性が良く、寿命の長いＥＬ素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いることができるＥＬ素子製造装置
の一例を示す図

【図２】(ａ)：他のＥＬ素子製造装置の配置を説明する
ための図 (ｂ)：更に他のＥＬ素子製造装置の配置を説明するため
の図

【図３】(ａ)〜(ｄ)：本発明方法の工程を説明するため
の図 (ｅ)：その行程により製造された両面発光ＥＬ素子を示
す図

【図４】従来技術のＥＬ素子を示す図

【図５】従来技術のＥＬ素子製造装置の一例を示す図

【符号の説明】

２……ＥＬ素子１０……基体１２、１３……有
機薄膜１４……金属薄膜１５……透明導電膜
１６……カソード電極膜４３……真空槽８１……コイル８２……ターゲット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体と、該基体上に形成された有機薄膜
と、前記有機薄膜表面に形成されたカソード電極膜とを
有するＥＬ素子であって、前記カソード電極膜は、金属薄膜と、該金属膜上に形成
された透明導電膜とを有し、前記金属薄膜はスパッタリ
ング法を用い、前記有機薄膜表面上に光を遮蔽しない膜
厚で形成されていることを特徴とするＥＬ素子。
【請求項２】前記金属薄膜は２００ｎｍ以上１０００
ｎｍ以下の膜厚にされていることを特徴とする請求項１
記載のＥＬ素子。
【請求項３】前記金属薄膜は前記有機薄膜が形成され
た後、該有機薄膜が大気に曝されないで形成されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項
記載のＥＬ素子。【請求項３】前記基体は透明であることを特徴とする
請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のＥＬ素子。
【請求項４】有機薄膜を形成し、次いで前記有機薄膜
表面にカソード電極膜を形成する有機薄膜表面へのカソ
ード電極膜の形成方法であって、前記有機薄膜を形成した後、大気に曝さずにターゲット
が配置された真空槽内に搬入し、前記ターゲット表面をスパッタリングし、前記有機薄膜
表面上に光を遮蔽しない膜厚の金属薄膜を形成し、次いで、前記金属薄膜表面に透明導電膜を形成し、前記
金属薄膜と透明導電膜とでカソード電極膜を構成させる
ことを特徴とする有機薄膜表面へのカソード電極膜形成
方法。
【請求項５】前記ターゲットを前記真空槽内に設けら
れたコイル内に納め、前記基板表面と前記コイルの上端部との距離を２００ｍ
ｍ以上にして前記基板と前記ターゲットとを対向配置
し、、前記コイルに１３．５６ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の
周波数の交流電圧を印加して前記ターゲットをスパッタ
リングし、前記金属薄膜を形成することを特徴とする請
求項４記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜の形成方
法。
【請求項６】前記ターゲットをスパッタリングする
際、前記真空槽内の圧力を１．３３×１０^-2Ｐａ以下に
することを特徴とする請求項４又は請求項５のいずれか
１項記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法。
【請求項７】前記ターゲットがマグネシウムと銀とを
含むことを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれか
１項記載の有機薄膜表面へのカソード電極膜形成方法。