JPH07268317A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPH07268317A JPH07268317A JP6063147A JP6314794A JPH07268317A JP H07268317 A JPH07268317 A JP H07268317A JP 6063147 A JP6063147 A JP 6063147A JP 6314794 A JP6314794 A JP 6314794A JP H07268317 A JPH07268317 A JP H07268317A
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- emitting
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- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気エネルギーの利用効率の高い高輝度発光
素子を提供する。 【構成】正極、負極および発光を司る物質を含有し、電
気エネルギーにより発光する素子において、該負極の隣
接位に、蒸着時に金属と反応させた有機物層が存在する
ことを特徴とする発光素子。
素子を提供する。 【構成】正極、負極および発光を司る物質を含有し、電
気エネルギーにより発光する素子において、該負極の隣
接位に、蒸着時に金属と反応させた有機物層が存在する
ことを特徴とする発光素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気エネルギーを光に
変換できる素子であって、表示素子、フラットパネルデ
ィスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、
看板、電子写真機などの分野に面状発光体として好適に
利用可能な発光素子に関する。
変換できる素子であって、表示素子、フラットパネルデ
ィスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標識、
看板、電子写真機などの分野に面状発光体として好適に
利用可能な発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】負極から注入された電子と正極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われるようになってきた。この素子は、薄型、
低駆動電圧下での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによ
る多色発光が特徴であり注目を集めている。
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われるようになってきた。この素子は、薄型、
低駆動電圧下での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによ
る多色発光が特徴であり注目を集めている。
【０００３】この研究は、コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎ
ｇらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示し
て以来（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）
２１，ｐ．９１３，１９８７）、多くの研究機関が検討
を行っている。コダック社の研究グループが提示した有
機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス基
板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層である８−
ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして負極としてＭ
ｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０Ｖ程度の駆動電
圧で１０００ｃｄ／ｍ2 の緑色発光が可能であった。現
在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構成要素の他
に電子輸送層を設けているものなど構成を変えているも
のもあるが、基本的にはコダック社の構成を踏襲してい
る。
ｇらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示し
て以来（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）
２１，ｐ．９１３，１９８７）、多くの研究機関が検討
を行っている。コダック社の研究グループが提示した有
機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス基
板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層である８−
ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして負極としてＭ
ｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０Ｖ程度の駆動電
圧で１０００ｃｄ／ｍ2 の緑色発光が可能であった。現
在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構成要素の他
に電子輸送層を設けているものなど構成を変えているも
のもあるが、基本的にはコダック社の構成を踏襲してい
る。
【０００４】有機積層薄膜発光素子においては、電子の
注入効率を向上させるために負極材料として低仕事関数
金属の使用が好ましいことが、例えば、特開昭６０−１
９６９８０号公報、特開昭６３−２６４６９２号公報、
特開平２−１５５９５号公報、特開平２−２３４３９４
号公報、特開平４−２１２２８７号公報などに記載され
ている。代表的な低仕事関数金属としては、リチウムな
どのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム、ベリリ
ウムなどが挙げられる。
注入効率を向上させるために負極材料として低仕事関数
金属の使用が好ましいことが、例えば、特開昭６０−１
９６９８０号公報、特開昭６３−２６４６９２号公報、
特開平２−１５５９５号公報、特開平２−２３４３９４
号公報、特開平４−２１２２８７号公報などに記載され
ている。代表的な低仕事関数金属としては、リチウムな
どのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム、ベリリ
ウムなどが挙げられる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の技術で
は低仕事関数金属が非常に活性であるために様々の障害
が起きている。まず、本業界では低仕事関数金属の高い
反応性のために空気中の酸素や水分と反応してしまい、
本来の電極としての機能を十分に発現できないことが指
摘されており、例えばマグネシウム：銀やリチウム：ア
ルミニウムと合金電極を共蒸着によって作製すると長期
間安定な素子が作製できるとされている。これは、金属
自体の安定性が増すと共に有機物との密着性も向上して
いるからであると言われている。しかし、実際に合金を
使用した素子でも実用レベルに至るような長期の保存が
可能なレベルには達していない。また、従来から言われ
ているように仕事関数のみが電子の注入効率を支配して
いるのであれば、アルカリ金属を用いた場合の素子特性
はマグネシウムのそれよりかなり向上するはずである
が、実際にはそれ程向上しない。
は低仕事関数金属が非常に活性であるために様々の障害
が起きている。まず、本業界では低仕事関数金属の高い
反応性のために空気中の酸素や水分と反応してしまい、
本来の電極としての機能を十分に発現できないことが指
摘されており、例えばマグネシウム：銀やリチウム：ア
ルミニウムと合金電極を共蒸着によって作製すると長期
間安定な素子が作製できるとされている。これは、金属
自体の安定性が増すと共に有機物との密着性も向上して
いるからであると言われている。しかし、実際に合金を
使用した素子でも実用レベルに至るような長期の保存が
可能なレベルには達していない。また、従来から言われ
ているように仕事関数のみが電子の注入効率を支配して
いるのであれば、アルカリ金属を用いた場合の素子特性
はマグネシウムのそれよりかなり向上するはずである
が、実際にはそれ程向上しない。
【０００６】本発明は、かかる問題を解決し、低電流下
でも高輝度発光が可能な安定な素子を提供することを目
的とするものである。
でも高輝度発光が可能な安定な素子を提供することを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、「正極、負極および発光を司る物質を含有
し、電気エネルギーにより発光する素子において、該負
極の隣接位に、蒸着時に金属と反応させた有機物層が存
在することを特徴とする発光素子。」とするものであ
る。
するために、「正極、負極および発光を司る物質を含有
し、電気エネルギーにより発光する素子において、該負
極の隣接位に、蒸着時に金属と反応させた有機物層が存
在することを特徴とする発光素子。」とするものであ
る。
【０００８】本発明において正極は、光を取り出すため
に透明であれば酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジ
ウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物、あるいは金、
銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導
電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリ
ンなどの導電性ポリマなど特に限定されることなく用い
られるが、ＩＴＯガラスやネサガラスを用いることが特
に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流
が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電
力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば３
００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機
能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能
になっていることから、さらに低抵抗品を使用すること
が特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意
に選ぶ事ができるが、通常１０００〜３０００オングス
トロームの間で用いられることが多い。また、ガラス基
板はソーダライムガラス、無アルカリガラスなどが用い
られ、また厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあ
ればよいので、特に限定されないが、０．７ｍｍ以上あ
れば十分である。ガラスの材質については、ガラスから
の溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの
方が好ましいが、ＳｉＯ2 などのバリアコートを施した
ソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用で
きる。ＩＴＯ膜形成方法は、電子ビーム法、スパッタリ
ング法、化学反応法など特に制限を受けるものではな
い。
に透明であれば酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジ
ウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物、あるいは金、
銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導
電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリ
ンなどの導電性ポリマなど特に限定されることなく用い
られるが、ＩＴＯガラスやネサガラスを用いることが特
に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流
が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電
力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば３
００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機
能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能
になっていることから、さらに低抵抗品を使用すること
が特に望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意
に選ぶ事ができるが、通常１０００〜３０００オングス
トロームの間で用いられることが多い。また、ガラス基
板はソーダライムガラス、無アルカリガラスなどが用い
られ、また厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあ
ればよいので、特に限定されないが、０．７ｍｍ以上あ
れば十分である。ガラスの材質については、ガラスから
の溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスの
方が好ましいが、ＳｉＯ2 などのバリアコートを施した
ソーダライムガラスも市販されているのでこれを使用で
きる。ＩＴＯ膜形成方法は、電子ビーム法、スパッタリ
ング法、化学反応法など特に制限を受けるものではな
い。
【０００９】負極は、電子を本有機物層に効率良く注入
できる物質であれば特に限定されない。従って、低仕事
関数金属の使用も可能であるが、電極の安定性を考える
と、白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジ
ウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金などが
好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法も
抵抗加熱、電子線、スパッタリング、イオンプレーティ
ング、ペーストのコーティングなど導通を取ることがで
きれば特に制限されないが、本発明では手軽にできる抵
抗加熱蒸着法が好ましく使用される。
できる物質であれば特に限定されない。従って、低仕事
関数金属の使用も可能であるが、電極の安定性を考える
と、白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジ
ウムなどの金属、またはこれら金属を用いた合金などが
好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法も
抵抗加熱、電子線、スパッタリング、イオンプレーティ
ング、ペーストのコーティングなど導通を取ることがで
きれば特に制限されないが、本発明では手軽にできる抵
抗加熱蒸着法が好ましく使用される。
【００１０】発光を司る物質は、１）正孔輸送層／発光
層、２）正孔輸送層／発光層／電子輸送層、３）発光層
／電子輸送層、そして、４）以上の組合わせ物質を一層
に混合した形態のいずれの形態をとってもよい。即ち、
素子構成としては、上記１）〜３）の多層積層構造の他
に４）のように発光材料単独または発光材料と正孔輸送
材料および／または電子輸送材料を含む層を一層設ける
だけでもよい。
層、２）正孔輸送層／発光層／電子輸送層、３）発光層
／電子輸送層、そして、４）以上の組合わせ物質を一層
に混合した形態のいずれの形態をとってもよい。即ち、
素子構成としては、上記１）〜３）の多層積層構造の他
に４）のように発光材料単独または発光材料と正孔輸送
材料および／または電子輸送材料を含む層を一層設ける
だけでもよい。
【００１１】正孔注入層は正孔輸送性物質単独で、ある
いは正孔輸送性物質と高分子結着剤により形成され、正
孔輸送性物質としてはＮ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´
−ジ（３−メチルフェニル）−４，４´−ジアミンなど
のトリフェニルアミン類、Ｎ−イソプロピルカルバゾ−
ルなどの３級アミン類、ピラゾリン誘導体、スチルベン
系化合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導
体やフタロシアニン誘導体に代表される複素環化合物、
ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネ
ートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ
シランなどが好ましいが特に限定されるものではない。
いは正孔輸送性物質と高分子結着剤により形成され、正
孔輸送性物質としてはＮ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´
−ジ（３−メチルフェニル）−４，４´−ジアミンなど
のトリフェニルアミン類、Ｎ−イソプロピルカルバゾ−
ルなどの３級アミン類、ピラゾリン誘導体、スチルベン
系化合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導
体やフタロシアニン誘導体に代表される複素環化合物、
ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネ
ートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ
シランなどが好ましいが特に限定されるものではない。
【００１２】発光層材料は主に以前から発光体として知
られていたアントラセンやピレン、そして前述の８−ヒ
ドロキシキノリンアルミニウムの他にも、例えば、ビス
スチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエ
ン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、
ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペ
リノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジア
ゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ポリマー
系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェ
ニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などが使
用できる。また発光層に添加するドーパントとしては、
前述のルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン
６６０、ＤＣＭ１、ペリノン、ペリレン、クマリン５４
０などがそのまま使用できる。
られていたアントラセンやピレン、そして前述の８−ヒ
ドロキシキノリンアルミニウムの他にも、例えば、ビス
スチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエ
ン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、
ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペ
リノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジア
ゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ポリマー
系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェ
ニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などが使
用できる。また発光層に添加するドーパントとしては、
前述のルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン
６６０、ＤＣＭ１、ペリノン、ペリレン、クマリン５４
０などがそのまま使用できる。
【００１３】電子輸送性物質としては、電界を与えられ
た電極間において負極からの電子を効率良く輸送するも
のであればよく、電子注入効率が高く、注入された電子
を効率良く輸送することが望ましい。そのためには電子
親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安
定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用
時に発生しにくい物質であることが要求される。このよ
うな条件を満たす物質として、オキサジアゾール誘導体
や８−ヒドロキシキノリンアルミニウムなどがあるが特
に限定されるものではない。
た電極間において負極からの電子を効率良く輸送するも
のであればよく、電子注入効率が高く、注入された電子
を効率良く輸送することが望ましい。そのためには電子
親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安
定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用
時に発生しにくい物質であることが要求される。このよ
うな条件を満たす物質として、オキサジアゾール誘導体
や８−ヒドロキシキノリンアルミニウムなどがあるが特
に限定されるものではない。
【００１４】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用い
ることも可能である。
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用い
ることも可能である。
【００１５】発光を司る物質の形成方法は、抵抗加熱蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コ
ーティング法など特に限定されるものではないが、通常
は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好まし
い。層の厚みは、発光を司る物質の抵抗値にもよるので
限定することはできないが、経験的には１００〜１００
００オングストロームの間から選ばれる。例えば、正孔
輸送層にポリビニルカルバゾールを用い、発光層に８−
ヒドロキシキノリンアルミニウムを用いた場合の各層の
膜厚は、ポリビニルカルバゾールの厚みが、１００〜７
００オングストロームが好ましく、２００〜５００オン
グストロームがより好ましく、そして８−ヒドロキシキ
ノリンアルミニウムの膜厚は、２００〜２０００オング
ストロームが好ましく、５００〜１２００オングストロ
ームがより好ましい。
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コ
ーティング法など特に限定されるものではないが、通常
は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好まし
い。層の厚みは、発光を司る物質の抵抗値にもよるので
限定することはできないが、経験的には１００〜１００
００オングストロームの間から選ばれる。例えば、正孔
輸送層にポリビニルカルバゾールを用い、発光層に８−
ヒドロキシキノリンアルミニウムを用いた場合の各層の
膜厚は、ポリビニルカルバゾールの厚みが、１００〜７
００オングストロームが好ましく、２００〜５００オン
グストロームがより好ましく、そして８−ヒドロキシキ
ノリンアルミニウムの膜厚は、２００〜２０００オング
ストロームが好ましく、５００〜１２００オングストロ
ームがより好ましい。
【００１６】電気エネルギーとは主に直流電流を指す
が、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。
電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電
力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大
の輝度が得られるようにするべきである。
が、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。
電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電
力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大
の輝度が得られるようにするべきである。
【００１７】負極の隣接位とは、素子内面方向に向かっ
てという意味であって、積層薄膜型素子であれば、発光
層または電子輸送層と負極の間の位置を指す。また一層
型の素子の場合は負極と有機層の間の位置のことを指し
ている。
てという意味であって、積層薄膜型素子であれば、発光
層または電子輸送層と負極の間の位置を指す。また一層
型の素子の場合は負極と有機層の間の位置のことを指し
ている。
【００１８】本発明において蒸着時に金属と反応させた
有機物層とは、下記化学式１〜２５に示されるような、
例えばアルミノキノリン錯体（Ａｌｑ3 ）、置換および
無置換ナフタレン、置換および無置換アントラセン、ｏ
−，ｍ−，ｐ−テルフェニル誘導体、キノリン誘導体、
イソキノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ＴＣＮ
Ｑ誘導体、フェニルブタジエン誘導体、ジスチリリルベ
ンゼン誘導体、ジフェニルアントラセン誘導体、ルブレ
ン、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体な
ど、当該分野において電子輸送層や発光層として使用さ
れ、蒸着が可能である材料であれば限定されないが、好
ましくは電子輸送材料としての性能の高いものがよい。
有機物層とは、下記化学式１〜２５に示されるような、
例えばアルミノキノリン錯体（Ａｌｑ3 ）、置換および
無置換ナフタレン、置換および無置換アントラセン、ｏ
−，ｍ−，ｐ−テルフェニル誘導体、キノリン誘導体、
イソキノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、ＴＣＮ
Ｑ誘導体、フェニルブタジエン誘導体、ジスチリリルベ
ンゼン誘導体、ジフェニルアントラセン誘導体、ルブレ
ン、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体な
ど、当該分野において電子輸送層や発光層として使用さ
れ、蒸着が可能である材料であれば限定されないが、好
ましくは電子輸送材料としての性能の高いものがよい。
【００１９】
【化１】
【化２】 また、金属はできるだけイオン化ポテンシャルの低い材
料を用いるのが好ましい。例えばリチウム、ナトリウ
ム、カリウム、カルシウム、マグネシウムなどが好適に
用いられる。そして、これらの有機物と金属の各々一種
類以上を主に共蒸着にて反応させると、電子移動に伴う
反応物が形成され、これが電極からの電子の注入効率を
容易にする。従って、本発明においては金属の仕事関数
で選別するのではなく、金属と有機物の反応性と反応し
た有機物のエネルギーレベルを考慮して選択することが
好ましい。本発明における有機物層は、平均膜厚として
１〜１０００オングストロームの間で選ぶことが好まし
いが、この層は電子の注入効率を容易ならしめることが
目的であるので、できれば薄い方が好ましく、経験的に
は２０〜１００オングストローム程度が最も好ましい。
また、有機物／無機物の混合比は、１／１００〜１００
／１の間で任意に選ぶことが好ましいが、金属の量が多
いと従来の保存安定性などの問題が生じやすいので、２
５／７５〜８５／１５（モル比）の間が最も好ましい。
料を用いるのが好ましい。例えばリチウム、ナトリウ
ム、カリウム、カルシウム、マグネシウムなどが好適に
用いられる。そして、これらの有機物と金属の各々一種
類以上を主に共蒸着にて反応させると、電子移動に伴う
反応物が形成され、これが電極からの電子の注入効率を
容易にする。従って、本発明においては金属の仕事関数
で選別するのではなく、金属と有機物の反応性と反応し
た有機物のエネルギーレベルを考慮して選択することが
好ましい。本発明における有機物層は、平均膜厚として
１〜１０００オングストロームの間で選ぶことが好まし
いが、この層は電子の注入効率を容易ならしめることが
目的であるので、できれば薄い方が好ましく、経験的に
は２０〜１００オングストローム程度が最も好ましい。
また、有機物／無機物の混合比は、１／１００〜１００
／１の間で任意に選ぶことが好ましいが、金属の量が多
いと従来の保存安定性などの問題が生じやすいので、２
５／７５〜８５／１５（モル比）の間が最も好ましい。
【００２０】
【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。
【００２１】実施例１ ＩＴＯ透明導電膜を１５００オングストローム堆積させ
たガラス基板（１５Ω／□）を所定の大きさに切断、エ
ッチング後、洗浄を行った。０．８５重量％のポリビニ
ルカルバゾール（ＰＶＣｚ）のジクロロエタン溶液中に
ＩＴＯ基板を垂直に浸漬し、５０ｍｍ／分の引上速度で
ディップコーティングした。これを真空蒸着装置内に設
置して、装置内の真空度が５×１０-6Ｔｏｒｒ以下にな
るまで排気した。８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を１０００オングストローム
の厚さに蒸着した。次にＡｌｑ3 とリチウムを水晶振動
子によるセンサー表示で２オングストローム／秒ずつに
なるように調整し、３０オングストローム共蒸着した後
に銀を１５００オングストローム蒸着して５×５ｍｍ角
の素子を作製した。この発光素子は８０ｍＡで１０００
０ｃｄ／ｍ2 の発光性能を示し、最高輝度は、１９５０
０ｃｄ／ｍ2 であった。
たガラス基板（１５Ω／□）を所定の大きさに切断、エ
ッチング後、洗浄を行った。０．８５重量％のポリビニ
ルカルバゾール（ＰＶＣｚ）のジクロロエタン溶液中に
ＩＴＯ基板を垂直に浸漬し、５０ｍｍ／分の引上速度で
ディップコーティングした。これを真空蒸着装置内に設
置して、装置内の真空度が５×１０-6Ｔｏｒｒ以下にな
るまで排気した。８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を１０００オングストローム
の厚さに蒸着した。次にＡｌｑ3 とリチウムを水晶振動
子によるセンサー表示で２オングストローム／秒ずつに
なるように調整し、３０オングストローム共蒸着した後
に銀を１５００オングストローム蒸着して５×５ｍｍ角
の素子を作製した。この発光素子は８０ｍＡで１０００
０ｃｄ／ｍ2 の発光性能を示し、最高輝度は、１９５０
０ｃｄ／ｍ2 であった。
【００２２】実施例２ 実施例１においてＡｌｑ3 とリチウムの共蒸着層の厚み
が５０オングストロームである以外は同様にして作製し
た素子は、８５ｍＡで１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性能
を示し、最高輝度は、１６０００ｃｄ／ｍ2 であった。
が５０オングストロームである以外は同様にして作製し
た素子は、８５ｍＡで１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性能
を示し、最高輝度は、１６０００ｃｄ／ｍ2 であった。
【００２３】実施例３ 実施例１においてＡｌｑ3 の代わりにｏ−テルフェニル
を用いること以外は同様にして作製した素子は、７５ｍ
Ａで１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性能を示し、最高輝度
は、１７５００ｃｄ／ｍ2 であった。
を用いること以外は同様にして作製した素子は、７５ｍ
Ａで１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性能を示し、最高輝度
は、１７５００ｃｄ／ｍ2 であった。
【００２４】実施例４ 実施例１においてＡｌｑ3 の代わりにｍ−テルフェニル
を用いること以外は同様にして作製した素子は、７８ｍ
Ａで１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性能を示し、最高輝度
は、１７０００ｃｄ／ｍ2 であった。
を用いること以外は同様にして作製した素子は、７８ｍ
Ａで１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性能を示し、最高輝度
は、１７０００ｃｄ／ｍ2 であった。
【００２５】実施例５ 実施例１においてＡｌｑ3 の代わりにジフェニルアント
ラセンを用いること以外は同様にして作製した素子は、
８７ｍＡで１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性能を示し、最
高輝度は、１６４００ｃｄ／ｍ2 であった。
ラセンを用いること以外は同様にして作製した素子は、
８７ｍＡで１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性能を示し、最
高輝度は、１６４００ｃｄ／ｍ2 であった。
【００２６】実施例６ 実施例１においてリチウムの代わりにマグネシウムを用
いること以外は同様にして作製した素子は、７２ｍＡで
１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性能を示し、最高輝度は、
１８２００ｃｄ／ｍ2 であった。
いること以外は同様にして作製した素子は、７２ｍＡで
１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性能を示し、最高輝度は、
１８２００ｃｄ／ｍ2 であった。
【００２７】比較例１ ＩＴＯ透明導電膜を１５００オングストローム堆積させ
たガラス基板（１５Ω／□）を所定の大きさに切断、エ
ッチング後、洗浄を行った。０．８５重量％のポリビニ
ルカルバゾール（ＰＶＣｚ）のジクロロエタン溶液中に
ＩＴＯ基板を垂直に浸漬し、５０ｍｍ／分の引上速度で
ディップコーティングした。これを真空蒸着装置内に設
置して、装置内の真空度が５×１０-6Ｔｏｒｒ以下にな
るまで排気した。８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を１０００オングストローム
の厚さに蒸着した。次にを水晶振動子によるセンサー表
示で２オングストローム／秒ずつになるように調整し、
３０オングストローム蒸着した後に銀を１５００オング
ストローム蒸着して５×５ｍｍ角の素子を作製した。こ
の発光素子は９５ｍＡで１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性
能を示し、最高輝度は、１３２００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。
たガラス基板（１５Ω／□）を所定の大きさに切断、エ
ッチング後、洗浄を行った。０．８５重量％のポリビニ
ルカルバゾール（ＰＶＣｚ）のジクロロエタン溶液中に
ＩＴＯ基板を垂直に浸漬し、５０ｍｍ／分の引上速度で
ディップコーティングした。これを真空蒸着装置内に設
置して、装置内の真空度が５×１０-6Ｔｏｒｒ以下にな
るまで排気した。８−ヒドロキシキノリンアルミニウム
アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を１０００オングストローム
の厚さに蒸着した。次にを水晶振動子によるセンサー表
示で２オングストローム／秒ずつになるように調整し、
３０オングストローム蒸着した後に銀を１５００オング
ストローム蒸着して５×５ｍｍ角の素子を作製した。こ
の発光素子は９５ｍＡで１００００ｃｄ／ｍ2 の発光性
能を示し、最高輝度は、１３２００ｃｄ／ｍ2 であっ
た。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、電気エネルギーの利用効率の
高い高輝度発光素子を提供できるものであり、ひいては
素子の長寿命化に寄与できる。
高い高輝度発光素子を提供できるものであり、ひいては
素子の長寿命化に寄与できる。
Claims (3)
- 【請求項１】正極、負極および発光を司る物質を含有
し、電気エネルギーにより発光する素子において、該負
極の隣接位に、蒸着時に金属と反応させた有機物層が存
在することを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】該金属が、リチウム、ナトリウム、カリウ
ム、カルシウムおよびマグネシウムから選ばれる１種以
上であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。 - 【請求項３】該有機物が、アルミノキノリン錯体、ｏ−
テルフェニル、ｍ−テルフェニルおよびジフェニルアン
トラセンから選ばれることを特徴とする請求項１または
請求項２記載の発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6063147A JPH07268317A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6063147A JPH07268317A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07268317A true JPH07268317A (ja) | 1995-10-17 |
Family
ID=13220852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6063147A Pending JPH07268317A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07268317A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997020355A1 (en) * | 1995-11-28 | 1997-06-05 | International Business Machines Corporation | Organic/inorganic alloys used to improve organic electroluminescent devices |
| JP2000091078A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| EP1011155A2 (en) * | 1998-12-16 | 2000-06-21 | Junji Kido | Organic electroluminescent deivce |
| US6280860B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-08-28 | Minolta Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
| JP2001267082A (ja) * | 2000-01-13 | 2001-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極体、それを備えた薄膜ｅｌ素子及びその製造方法、並びに薄膜ｅｌ素子を備えた表示装置及び照明装置 |
| US6395409B2 (en) | 1997-09-29 | 2002-05-28 | Minolta Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
| US6849346B2 (en) | 2000-01-13 | 2005-02-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electrode and thin film EL device including the same and methods of fabricating the same and display device and lighting system including the thin film EL device |
| EP0949696A3 (en) * | 1998-04-08 | 2005-06-01 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescent device |
| JP2010045415A (ja) * | 2009-11-25 | 2010-02-25 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法 |
-
1994
- 1994-03-31 JP JP6063147A patent/JPH07268317A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997020355A1 (en) * | 1995-11-28 | 1997-06-05 | International Business Machines Corporation | Organic/inorganic alloys used to improve organic electroluminescent devices |
| KR100332186B1 (ko) * | 1995-11-28 | 2002-05-09 | 포만 제프리 엘 | 유기전자발광소자를향상시키기위하여사용된유기/무기합금 |
| US6280860B1 (en) | 1997-09-29 | 2001-08-28 | Minolta Co., Ltd. | Organic electroluminescent element |
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| EP1011155A2 (en) * | 1998-12-16 | 2000-06-21 | Junji Kido | Organic electroluminescent deivce |
| EP1011155A3 (en) * | 1998-12-16 | 2001-05-23 | Junji Kido | Organic electroluminescent deivce |
| US6396209B1 (en) | 1998-12-16 | 2002-05-28 | International Manufacturing And Engineering Services Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| JP2001267082A (ja) * | 2000-01-13 | 2001-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電極体、それを備えた薄膜ｅｌ素子及びその製造方法、並びに薄膜ｅｌ素子を備えた表示装置及び照明装置 |
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| JP2010045415A (ja) * | 2009-11-25 | 2010-02-25 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの制御方法 |
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