KR20220046043A - 표시패널 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
표시패널은 제1 화소영역 및 제2 화소영역을 포함한다. 분할격벽은 적어도 제1 화소영역에 대응하는 개구부를 구비한다. 개구부 내측에 소스광의 컬러를 변환하는 광 변환패턴이 배치된다. 제2 화소영역에 대응하게 광학패턴이 배치된다. 광학패턴은 소스광을 투과시킨다. 광학패턴은 분할격벽과 일체의 형상을 갖거나, 다른 형상을 가질 수 있다.
Description
본 발명은 표시패널에 관한 것으로, 좀 더 상세히는 광 변환패턴을 포함하는 표시패널 및 그 표시패널의 제조방법에 관한 것이다.
표시패널은 광원으로부터 생성된 소스광을 선택적으로 투과시키는 투과형 표시패널과 표시패널 자체에서 소스광을 생성하는 발광형 표시패널을 포함한다. 표시패널은 컬러 이미지를 생성하기 위해 화소들에 따라 다른 종류의 광 제어패턴을 포함할 수 있다. 광 제어패턴은 소스광의 일부 파장범위만 투과시키거나, 소스광의 컬러를 변환시킬 수 있다. 일부의 광 제어패턴은 소스광의 컬러는 변경하지 않고, 광의 특성을 변경시킬 수도 있다.
본 발명은 고해상도의 표시패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 액상 공정과 포토 공정을 이용하여 표시패널을 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 제1 화소영역, 제2 화소영역, 제3 화소영역, 및 상기 제1, 제2, 및 제3 화소영역들에 인접한 주변영역을 포함한다. 표시패널은 각각이 소스광을 생성하며, 상기 제1 화소영역, 상기 제2 화소영역, 및 상기 제3 화소영역에 각각 대응하는 제1 발광소자, 제2 발광소자, 및 제3 발광소자, 상기 제1 화소영역과 상기 제2 화소영역에 대응하는 제1 개구부들이 정의되고, 상기 주변영역 및 상기 제3 화소영역에 중첩하는 분할격벽, 상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역에 중첩하는 컬러필터, 적어도 상기 제1 개구부들에 대응하는 제2 개구부들이 정의된 분할패턴, 상기 제1 개구부들 중 상기 제1 화소영역에 대응하는 개구부의 내측에 배치되고, 상기 제1 발광소자에서 생성된 상기 소스광을 제1 컬러광으로 변환하는 제1 광 변환패턴 및 상기 제1 개구부들 중 상기 제2 화소영역에 대응하는 개구부의 내측에 배치되고, 상기 제1 발광소자에서 생성된 상기 소스광을 제2 컬러광으로 변환하는 제2 광 변환패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 화소영역은 상기 제2 화소영역으로부터 제1 방향으로 이격되고, 상기 제3 화소영역은 상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역 각각의 상기 제1 방향의 길이는 상기 제3 화소영역의 상기 제1 방향의 길이보다 작고, 상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역 각각의 상기 제2 방향의 길이는 상기 제3 화소영역의 상기 제2 방향의 길이보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 화소영역, 상기 제2 화소영역, 및 상기 제3 화소영역은 유닛영역을 정의하고, 상기 유닛영역은 복수개 제공되고, 상기 복수 개의 유닛영역은 복수 개의 유닛 화소행을 정의할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 복수 개의 유닛영역의 상기 제1 화소영역, 상기 제2 화소영역, 및 상기 제3 화소영역의 배치 패턴은 서로 동일할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 복수 개의 유닛 화소행 중 n번째(여기서 n은 1 이상의 자연수) 유닛 화소행의 상기 유닛영역의 상기 제1 화소영역, 상기 제2 화소영역, 및 상기 제3 화소영역의 배치 패턴은 n+1번째(여기서 n은 1 이상의 자연수) 유닛 화소행의 상기 유닛영역의 상기 제1 화소영역, 상기 제2 화소영역, 및 상기 제3 화소영역의 배치 패턴과 상기 제1 방향을 기준으로 대칭일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 복수 개의 유닛영역의 상기 제3 화소영역에 대응하는 상기 분할격벽의 두께편차는 상기 복수 개의 유닛영역의 상기 제1 화소영역에 대응하는 상기 제1 광 변환패턴의 두께편차보다 작을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제3 화소영역에 대응하는 상기 분할격벽의 상면은 상기 제1 광 변환패턴의 상면보다 더 평탄할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 컬러필터는 상기 제1 컬러광을 투과시키는 제1 컬러필터 및 상기 제2 컬러광을 투과시키는 제2 컬러필터를 포함하고, 상기 분할패턴의 일부분은 상기 제3 화소영역에 중첩하며, 상기 분할격벽을 통과한 상기 소스광을 투과시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 개구부들을 정의하는 상기 분할격벽의 내측 벽면에 배치된 반사층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 분할격벽은 친수성을 갖는 제1 영역 및 상기 제1 영역으로부터 연장되고, 소수성을 갖는 제2 영역을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 분할격벽은 친수성을 갖는 제1 층 및 상기 제1 층 상에 배치되고, 소수성을 갖는 제2 층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 분할격벽은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 산란입자를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제3 화소영역에 중첩하는 상기 분할격벽의 일부분의 두께는 상기 제1 광 변환패턴의 두께보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널은 제1 화소영역, 제2 화소영역 및 상기 제1, 및 제2 화소영역들에 인접한 주변영역을 포함할 수 있다. 표시패널은 각각이 소스광을 제공하며, 상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역에 각각 대응하는 제1 표시소자 및 제2 표시소자, 상기 주변영역에 중첩하고, 상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역에 대응하는 제1 개구부들이 정의된 분할격벽, 적어도 상기 제1 화소영역에 대응하는 제2 개구부가 정의된 분할패턴, 상기 제1 개구부들 중 상기 제1 화소영역에 대응하는 개구부의 내측에 배치되고, 상기 제1 표시소자로부터 수신한 상기 소스광의 컬러를 변환하는 광 변환패턴 및 상기 제1 개구부들 중 상기 제2 화소영역에 대응하는 개구부의 내측에 배치되고, 상기 제2 표시소자로부터 수신한 상기 소스광을 투과시키는 광학패턴을 포함할 수 있다. 평면 상에서 상기 광학패턴의 일부분은 상기 분할격벽에 중첩할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광학패턴은 유기물 패턴을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 화소영역에 중첩하는 상기 분할패턴의 일부분과 상기 유기물 패턴 중 적어도 어느 하나에 혼합된 산란입자를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광학패턴의 두께는 상기 광 변환패턴의 두께보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법은 제1 화소영역과 제2 화소영역에 대응하는 개구부들이 정의되고, 상기 주변영역 및 상기 제3 화소영역에 중첩하는 분할격벽을 형성하는 단계 및 상기 개구부들의 내측에 입사광의 컬러를 변환하는 광 변환패턴들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 광 변환패턴들을 형성하는 단계는 액상의 양자점 조성물을 상기 제1 개구부들의 내측에 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 제조방법은 제1 화소영역 및 제2 화소영역에 대응하는 개구부들이 정의된 분할격벽을 형성하는 단계, 상기 개구부들 중 상기 제1 화소영역에 대응하는 개구부의 내측에 입사광의 컬러를 변환하는 광 변환패턴을 형성하는 단계, 및 상기 개구부들 중 상기 제2 화소영역에 대응하는 개구부에 대응하도록 입사광을 투과시키는 광학패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 광 변환패턴을 형성하는 단계는 액상의 양자점 조성물을 상기 제1 화소영역에 대응하는 상기 개구부의 내측에 제공하는 단계를 포함하고, 상기 광학패턴을 형성하는 단계는 포토리소그래피 공정을 포함할 수 있다.
제1 화소영역과 제2 화소영역에 각각 대응하는 제1 광 변환패턴과 제2 광 변환패턴은 액상공정을 이용하여 형성된다. 제3 화소영역에 대응하는 광 투과부분(또는 광 투과패턴)은 포토공정을 이용하여 형성된다. 광 투과부분이 제1 광 변화패턴과 제2 광 변환패턴과 비-정렬됨으로써 액상공정을 위한 설계 마진이 증가된다. 광 투과부분은 분할격벽과 동시에 형성함으로써 제조비용이 감소된다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시영역의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 절취선 I-I'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 4는 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판의 제조방법을 도시하였다.
도 6은 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판의 단면도이다.
도 7은 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판의 단면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시영역의 평면도이다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 사시도이다.
도 10b는 도 10a에 도시된 표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 10c 도 10a에 도시된 표시영역의 상세한 단면도이다.
도 11a 내지 도 11d는 도 10c에 도시된 광 변환패턴의 제조방법을 도시하였다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시영역의 평면도이다.
도 3b는 도 3a의 절취선 I-I'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 4는 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판의 제조방법을 도시하였다.
도 6은 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판의 단면도이다.
도 7은 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판의 단면도이다.
도 8a 내지 도 8c는 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시영역의 평면도이다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 사시도이다.
도 10b는 도 10a에 도시된 표시패널의 개략적인 단면도이다.
도 10c 도 10a에 도시된 표시영역의 상세한 단면도이다.
도 11a 내지 도 11d는 도 10c에 도시된 광 변환패턴의 제조방법을 도시하였다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결 된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다.
도 1a 내지 도 2를 참조하면, 표시패널(DP)은 액정 표시 패널(liquid crystal display panel), 전기영동 표시 패널(electrophoretic display panel), MEMS 표시 패널(microelectromechanical system display panel) 및 일렉트로웨팅 표시 패널(electrowetting display panel), 퀀텀닷 발광표시패널(quantum dot light emitting display panel) 및 유기발광표시패널(organic light emitting display panel) 중 어느 하나 일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다.
별도로 도시하지 않았으나, 표시패널(DP)는 샤시부재 또는 몰딩부재를 더 포함할 수 있고, 표시패널(DP)의 종류에 따라 백라이트 유닛을 더 포함할 수 있다.
표시패널(DP)은 제1 표시기판(100, 또는 하부 표시기판) 및 제1 표시기판(100) 마주하며 이격된 제2 표시기판(200, 또는 상부 표시기판)을 포함할 수 있다. 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200) 사이에는 소정의 셀갭이 형성될 수 있다. 셀갭은 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200)을 결합하는 실런트(SLM)에 의해 유지될 수 있다. 셀갭에는 절연물질이 충진될 수도 있다.
제1 표시기판(100)의 베이스 기판과 제2 표시기판(200)의 베이스 기판 사이에는 이미지 생성을 위한 계조표시층이 배치될 수 있다. 계조표시층은 표시패널의 종류에 따라 액정층, 유기발광층, 무기 발광층(예컨대, 퀀텀닷 발광층, LED 발광층), 전기영동층을 포함할 수 있다.
도 1a에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 표시면(DP-IS)을 통해 이미지를 표시할 수 있다. 도 1b에 도시된 제2 표시기판(200)의 외면(200-OS)이 도 1a의 표시면(DP-IS)으로 정의될 수 있다.
표시면(DP-IS)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시패널(DP)은 표시영역(DA)과 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)에는 화소(PX)가 배치되고, 비표시영역(NDA)에는 화소(PX)가 미배치된다. 비표시영역(NDA)은 표시면(DP-IS)의 테두리를 따라 정의된다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 비표시영역(NDA)은 생략되거나 표시영역(DA)의 일측에만 배치될 수도 있다.
표시면(DP-IS)의 법선 방향, 즉 표시패널(DP)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다. 이하에서 설명되는 각 층들 또는 유닛들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 본 실시예에서 도시된 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)은 예시에 불과하다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3) 각각 이 지시하는 방향으로써 정의되고, 동일한 도면 부호를 참조한다.
본 발명의 일 실시예에서 평면형 표시면(DP-IS)을 구비한 표시패널(DP)을 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 표시패널(DP)는 곡면형 표시면 또는 입체형 표시면을 포함할 수도 있다. 입체형 표시면은 서로 다른 방향을 지시하는 복수 개의 표시영역들을 포함할 수도 있다.
도 2는 신호라인들(GL1~GLn, DL1~DLm) 및 화소들(PX11~PXnm)의 평면상 배치관계를 도시하였다. 신호라인들(GL1~GLn, DL1~DLm)은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn), 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm)을 포함할 수 있다.
화소들(PX11~PXnm) 각각은 복수 개의 게이트 라인들(GL1~GLn) 중 대응하는 게이트 라인과 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLm) 중 대응하는 데이터 라인에 연결된다. 화소들(PX11~PXnm) 각각은 화소 구동회로 및 표시소자를 포함할 수 있다. 화소들(PX11~PXnm)의 화소 구동회로의 구성에 따라 더 많은 종류의 신호라인이 표시패널(DP)에 구비될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 표시영역(DA)의 평면도이다. 도 3b는 도 3a의 절취선 I-I'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다.
도 3a에 도시된 복수 개의 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 도 1b에 표시된 제2 표시기판(200)의 외면(200-OS) 상에서 바라본 상태로 도시되었다. 복수 개의 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 인접하게 주변영역(NPXA)이 배치된다. 주변영역(NPXA)은 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 경계를 설정하며, 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 혼색을 방지한다.
제1 화소영역(PXA-R)과 제2 화소영역(PXA-G)은 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배치된다. 하나의 화소행에 복수 개의 제1 화소영역들(PXA-R)과 복수 개의 제2 화소영역들(PXA-G)이 제1 방향(DR1)을 따라 교번하게 배치된다. 이러한 화소행은 제1 화소행(PXL-1)으로 정의될 수 있다.
하나의 화소행에 복수 개의 제3 화소영역들(PXA-B)이 제1 방향(DR1)을 따라 나열된다. 이러한 화소행은 제2 화소행(PXL-2)으로 정의될 수 있다. 한쌍의 제1 화소영역(PXA-R)과 제2 화소영역(PXA-G)에 대응하게 1개의 제3 화소영역(PXA-B)이 배치된다. 제3 화소영역(PXA-B)은 제1 화소영역(PXA-R)과 제2 화소영역(PXA-G)으로부터 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배치된다.
서로 인접한 1개의 제1 화소영역(PXA-R), 1개의 제2 화소영역(PXA-G), 및 1개의 제3 화소영역(PXA-B)은 하나의 유닛영역(PXA-U)을 구성한다. 복수 개의 유닛영역들(PXA-U)은 제1 방향(DR1)을 따라 나열된다. 복수 개의 유닛영역들(PXA-U)은 유닛 화소행(PXL-U1, PXL-U2)을 정의할 수 있다. 복수 개의 유닛 화소행들(PXL-U1, PXL-U2)은 제2 방향(DR2)을 따라 나열된다. 도 3a에 제1 유닛 화소행(PXL-U1)과 제2 유닛 화소행(PXL-U2)을 예시적으로 도시하였다.
복수 개의 유닛 화소행들(PXL-U1, PXL-U2)의 유닛영역들(PXA-U)의 제1 화소영역(PXA-R), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-B)의 배치 패턴은 서로 동일할 수 있다.
제1 화소영역(PXA-R), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-B)마다 화소(PX, 도 1a 참조)가 배치된다. 제1 화소영역(PXA-R), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-B)은 서로 다른 컬러광을 도 1a의 표시면(DP-IS) 상으로 제공할 수 있다. 표시면(DP-IS) 상으로, 제1 화소영역(PXA-R)은 레드광을 제공하고, 제2 화소영역(PXA-G)은 그린광을 제공하고, 제3 화소영역(PXA-B)은 블루광을 제공할 수 있다.
제1 화소영역(PXA-R) 및 제2 화소영역(PXA-G) 각각의 제1 방향(DR1)의 길이는 제3 화소영역(PXA-B)의 제1 방향(DR1)의 길이보다 작을 수 있다. 제1 화소영역(PXA-R) 및 제2 화소영역(PXA-G) 각각의 제2 방향(DR2)의 길이는 제3 화소영역(PXA-B)의 제2 방향(DR2)의 길이보다 클 수 있다. 이렇게 제1 화소영역(PXA-R), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-B)의 방향에 따른 길이가 다른 것은 제1 화소영역(PXA-R) 및 제2 화소영역(PXA-G)에 대응하는 광 변환패턴과 제3 화소영역(PXA-B)에 대응하는 광학패턴의 제조방법이 다르기 때문이다. 이에 대해서는 도 5a 및 도 5d를 참조하여 후술한다.
도 3b를 참고하면, 제1 표시기판(100)은 제1 베이스 기판(BS1), 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 및 상부 절연층(TFL)을 포함할 수 있다. 제1 표시기판(100)의 적층 구조는 특별히 제한되지 않는다
도 3b를 참조하면, 구동 트랜지스터(T-D)와 발광소자(OLED)에 대응하는 단면을 예시적으로 도시하였다. 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200)은 소정의 갭(GP)을 형성할 수 있다. 본 실시예에서 갭(GP)은 빈공간으로 설명되나, 본 발명의 일 실시예에서 소정의 물질이 갭(GP)을 채울 수도 있다. 예컨대 투명한 절연물질이 갭(GP)을 채울 수 있다
도 3b를 참조하면, 제1 표시기판(100)은 복수 개의 절연층들 및 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로절연층, 반도체층 및 도전층을 형성한다. 이후, 포토리소그래피의 방식으로 절연층, 반도체층 및 도전층을 선택적으로 패터닝할 수 있다. 이러한 방식으로 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OLED)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등을 형성한다.
제1 베이스 기판(BS1)은 플라스틱 기판 또는 유리기판을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 회로 소자층(DP-CL)은 버퍼막(BFL), 제1 절연층(10), 제2 절연층(20), 제3 절연층(30)을 포함할 수 있다. 예컨대, 버퍼막(BFL), 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20)은 무기층이고, 제3 절연층(30)은 유기막일 수 있다.
도 3b에는 구동 트랜지스터(T-D)를 구성하는 액티브(A-D), 소오스(S-D), 드레인(D-D), 게이트(G-D)의 배치관계가 예시적으로 도시되었다. 액티브(A-D), 소오스(S-D), 드레인(D-D)은 반도체 패턴의 도핑 농도 또는 전도성에 따라 구분되는 영역일 수 있다.
표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자(OLED)를 포함한다. 발광소자(OLED)는 소스광을 생성할 수 있다. 발광소자(OLED)는 제1 전극, 제2 전극, 및 이들 사이에 배치된 발광층을 포함한다. 본 실시예에서 표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자로써 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막(PDL)을 포함한다. 예컨대, 화소 정의막(PDL)은 유기층일 수 있다
제3 절연층(30) 상에 제1 전극(AE)이 배치된다. 제1 전극(AE)은 구동 트랜지스터(T-D)와 직접 또는 간접적으로 연결되고, 도 3b에서 제1 전극(AE)과 구동 트랜지스터(T-D)의 연결구조는 미도시 하였다. 화소 정의막(PDL)에는 발광 개구부(OP)가 정의된다. 발광 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 발광 개구부(OP)는 제1 표시기판(100)에 제1 화소영역(PXA-R)에 대응하는 발광영역(LA)을 정의한다. 여기서 "대응한다"는 것은 중첩한다는 것을 의미하며 동일한 면적으로 제한되지 않는다. 제1 표시기판(100)은 도 3a에 도시된 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 주변영역(NPXA)에 각각 대응하는 발광영역들(LA)과 비발광영역(NLA)을 포함할 수 있다.
정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL)은 제1 화소영역(PXA-R)과 주변영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL), 발광층(EML), 전자 제어층(ECL)은 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B, 도 3a 참조)에 공통적으로 배치될 수 있다.
정공 제어층(HCL)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 소스광으로써 블루광을 생성할 수 있다. 블루광은 410nm 내지 480 nm 파장을 포함할 수 있다. 블루광의 발광 스펙트럼은 440nm 내지 460 nm 범위에 속하는 피크 파장을 가질 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 공통적으로 배치되거나, 독립적으로 배치될 수 있다. 독립적으로 배치된다는 것은 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)마다 발광층(EML)이 분리된 것을 의미한다. 전자 제어층(ECL) 상에 제2 전극(CE)이 배치된다. 제2 전극(CE)은 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 공통적으로 배치될 수 있다.
제2 전극(CE) 상에 제2 전극(CE)을 보호하는 상부 절연층(TFL)이 배치될 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 유기물질 또는 무기물질을 포함할 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 무기층/유기층이 반복되는 다층 구조를 가질 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 무기층/유기층/무기층의 밀봉 구조를 가질 수 있다. 상부 절연층(TFL)은 출광효율을 향상시키기 위한 굴절률 제어층을 더 포함할 수 있다.
제1 표시기판(100)은 도 3a에 도시된 제1 내지 제3 화소영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대응하는 제1, 제2 및 제3 표시소자들을 포함할 수 있다. 제1, 제2 및 제3 표시소자들의 적층구조는 서로 동일하고, 도 3b에 도시된 발광소자(OLED)의 적층구조를 가질 수 있다.
액정표시장치에 있어서 제1, 제2 및 제3 표시소자들 각각은 전계를 형성할 수 있는 2개의 전극 및 전계에 의해 배열이 변형될 수 있는 액정층을 포함할 수 있다. 제1, 제2 및 제3 표시소자들은 각각의 동작에 의해 백라이트로부터 제공된 소스광을 선택적으로 제공할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 제1, 제2 및 제3 표시소자들 각각은 발광층이 퀀텀 닷 및/또는 퀀텀 로드를 포함하는 발광소자를 포함할 수 있다.
도 3b에 도시된 것과 같이, 제2 표시기판(200)은 제2 베이스 기판(BS2), 제2 베이스 기판(BS2)의 하면(BS2-LS) 상에 배치된 분할패턴(BM), 컬러필터(CF-R), 컬러필터(CF-R)의 하측에 배치된 광 변환패턴(CCF-R), 및 분할격벽(BW)을 포함한다. 분할격벽(BW)은 또 다른 분할패턴으로 정의될 수도 있으며, 분할격벽(BW)과 분할패턴(BM) 중 하나가 제1 분할패턴으로 정의될 때, 다른 하나는 제2 분할패턴으로 정의될 수도 있다.
또한, 제2 표시기판(200)은 복수 개의 절연층들(200-1, 200-2, 200-3)을 더 포함할 수 있다. 복수 개의 절연층들(200-1, 200-2, 200-3)은 유기층 또는 무기층일 수 있다.
제2 베이스 기판(BS2)은 플라스틱 기판 또는 유리기판을 포함할 수 있다. 제2 베이스 기판(BS2)의 하면(BS2-LS) 상에 주변영역(NPXA)에 중첩하는 분할패턴(BM)이 배치된다.
본 실시예에서 분할패턴(BM)은 다층구조를 가질 수 있다. 제1 층(BM-1)은 블루광을 투과시키는 컬러필터와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2 층(BM-2)은 통상의 블랙 성분(black coloring agent)을 포함할 수 있다. 제2 층(BM-2)은 베이스 수지에 혼합된 블랙 염료, 블랙 안료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서. 블랙 성분은 카본 블랙을 포함하거나, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다. 제2 층(BM-2)은 예컨대. 블랙매트리스일 수 있다.
분할패턴(BM)에는 제1 화소영역(PXA-R)에 대응하는 개구부(BM1-OP)가 정의될 수 있다. 본 실시예에서 제1 층(BM-1)의 개구부(BM1-OP)가 제1 화소영역(PXA-R)과 동일하게 정의되었다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 층(BM-1)과 제2 층(BM-2)은 동일한 폭을 가질 수 있고, 어느 하나가 생략될 수 있다.
컬러필터(CF-R)는 특정한 파장범위의 광을 투과시키고, 해당 파장범위 외의 광은 차단시킨다. 컬러필터(CF-R)는 베이스 수지 및 베이스 수지에 분산된 염료 및/또는 안료를 포함한다. 베이스 수지는 염료 및/또는 안료가 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다.
광 변환패턴(CCF-R)은 소스광의 광학 성질을 변화시킬 수 있다. 본 실시예에서 광 변환패턴(CCF-R)은 발광소자(OLED)에서 생성된 소스광을 흡수한 후 다른 컬러의 광을 생성할 수 있다.
광 변환패턴은 베이스 수지 및 베이스 수지에 혼합된(또는 분산된) 양자점들을 포함할 수 있다. 본 실시예에서 광 변환패턴은 양자점패턴으로 정의될 수도 있으며, 서로 다른 양자점을 포함한다. 베이스 수지는 양자점들이 분산되는 매질로서, 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 다만, 그에 제한되는 것은 아니며, 본 명세서에서 양자점들을 분산 배치시킬 수 있는 매질이면 그 명칭, 추가적인 다른 기능, 구성 물질 등에 상관없이 베이스 수지로 지칭될 수 있다. 베이스 수지는 고분자 수지일 수 있다. 예를 들어, 베이스 수지는 아크릴계 수지, 우레탄계 수지, 실리콘계 수지, 에폭시계 수지 등일 수 있다. 베이스 수지는 투명 수지일 수 있다.
광 변환패턴은 베이스 수지에 혼합된 산란입자를 더 포함할 수 있다. 산란입자는 티타늄옥사이드(TiO2) 또는 실리카계 나노 입자 등일 수 있다.
양자점들은 입사되는 광의 파장을 변환하는 입자일 수 있다. 양자점들은 수 나노미터 크기의 결정 구조를 가진 물질로, 수백에서 수천 개 정도의 원자로 구성되며, 작은 크기로 인해 에너지 밴드 갭(band gap)이 커지는 양자 구속(quantum confinement) 효과를 나타낸다. 양자점들에 밴드 갭보다 에너지가 높은 파장의 빛이 입사하는 경우, 양자점들은 그 빛을 흡수하여 들뜬 상태로 되고, 특정 파장의 광을 방출하면서 바닥 상태로 떨어진다. 방출된 광의 에너지는 밴드 갭에 해당되는 값을 갖는다. 양자점들은 그 크기와 조성 등을 조절하면 양자 구속 효과에 의한 발광 특성을 조절할 수 있다.
양자점들은 II-VI족 화합물, I-III-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, AgInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 것일 수 있다.
I-III-VI족 화합물은 AgInS2, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III- II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다.
양자점들은 코어(core)와 코어를 둘러싸는 쉘(shell)을 포함하는 코어쉘 구조일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 코어로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
양자점들은 나노미터 스케일의 크기를 갖는 입자일 수 있다. 양자점들은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width at half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점들을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점들의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노 와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다. 양자점은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점은 레드광, 그린광, 블루광 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다.
본 실시예에서 제1 화소영역(PXA-R)에 배치된 제1 광 변환패턴(CCF-R)은 소스광을 흡수한 후 레드광을 생성하는 레드 양자점 패턴일 수 있다. 도 3a의 제2 화소영역(PXA-G)에 대응하게 제2 광 변환패턴이 배치될 수 있다. 제2 광 변환패턴은 소스광을 흡수한 후 그린광을 생성하는 그린 양자점 패턴일 수 있다.
컬러필터(CF-R)의 하측에 제1 절연층(200-1)이 배치된다. 제1 절연층(200-1)의 하측에 평탄면을 제공하는 제2 절연층(200-2)이 배치될 수 있다. 제1 절연층(200-1)은 무기막이고, 제2 절연층(200-2)은 유기막일 수 있다. 본 명세서에서 동일한 용어를 사용하더라도, 제2 표시기판(200)의 제1 내지 제3 절연층(200-1, 200-2, 200-3)이 상술한 회로 소자층(DP-CL)의 제1 내지 제3 절연층(10, 20, 30)과 구별되는 것은 명확하다.
제2 절연층(200-2)의 하측에 분할격벽(BW)이 배치된다. 본 실시예에서 분할격벽(BW)은 광 투과성이 높은 베이스 수지 및 첨가제를 포함할 수 있다. 베이스 수지는 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 첨가제는 커플링제 및/또는 광개시제를 포함할 수 있다. 첨가제는 분산제를 더 포함할 수 있다.
분할격벽(BW)은, 단면상에서, 성질이 다른 2개의 영역으로 구분될 수 있다. 분할격벽(BW)은 친수성의 제1 영역(BW-1, 이하 친수성 영역)과 친수성 영역(BW-1)으로부터 연장된 소수성의 제2 영역(BW-2, 이하 소수성 영역)을 포함할 수 있다. 분할격벽(BW)에 개구부(BW-OP)가 정의된다. 개구부(BW-OP)의 내측에 제1 광 변환패턴(CCF-R)이 배치된다. 제3 절연층(200-3)은 분할격벽(BW)과 제1 광 변환패턴(CCF-R)을 밀봉하는 무기막일 수 있다.
도 4는 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판(200)의 단면도이다. 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판(200)의 제조방법을 도시하였다. 이하, 도 1 내지 도 3b를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 4를 참조하면, 제1 표시기판(100)은 미도시되었으며, 제1 화소영역(PXA-R)에 대응하는 제1 전극(AE-R)과 제1 발광영역(LA-R), 제3 화소영역(PXA-B)에 대응하는 제1 전극(AE-B)과 제3 발광영역(LA-B)이 간략히 도시되었다. 제1 화소영역(PXA-R) 및 제3 화소영역(PXA-B)에 대응하는 제1 표시기판(100)에 대한 상세한 설명은 도 3b로 대체한다.
분할패턴(BM)의 제1 층(BM-1)은 블루광을 투과시키는 컬러필터와 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 제3 화소영역(PXA-B)에 중첩할 수 있다. 이 경우, 제3 화소영역(PXA-B)에 중첩하는 제1 층(BM-1)의 일 부분은 제3 화소영역(PXA-B)의 컬러필터의 역할을 할 수 있다. 제3 화소영역(PXA-B)에 중첩하는 제1 층(BM-1)의 일부분은 소스광을 투과시킬 수 있다. 실질적으로 제2 층(BM-2)의 개구부(BM2-OP)가 제3 화소영역(PXA-B)을 정의할 수 있다.
분할격벽(BW)은 주변영역(NPXA)뿐만 아니라, 제3 화소영역(PXA-B)에도 중첩할 수 있다. 제3 화소영역(PXA-B)에 중첩하는 분할격벽(BW)의 일부분은 소스광을 파장 변환없이 투과시키는 광 투과부분(BW-B)으로 정의될 수 있다.
분할격벽(BW)은 베이스 수지에 혼합된 산란입자를 더 포함할 수 있다. 산란입자는 티타늄옥사이드(TiO2) 또는 실리카계 나노 입자 등일 수 있다. 산란입자는 광 투과부분(BW-B)으로 입사된 소스광을 산란시킨다. 산란광은 시야각을 확장시킬 수 있다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 표시기판(100)의 제조방법을 도시하였다. 도 5a, 도 5b, 및 도 5d는 도 5c의 III-III'의 단면에 해당한다. 이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 5a를 참조하면, 베이스 기판(BS2)의 일면 상에 분할패턴(BM)을 형성한다. 베이스 기판(BS2)의 일면은 도 4의 제2 베이스 기판(BS2)의 하면(BS2-LS)에 해당한다. 포토리소그래피 공정을 이용하여 분할패턴(BM)의 제1 층(BM-1)과 제2 층(BM-2)을 순차적으로 형성할 수 있다. 제1 화소영역(PXA-R) 및 제2 화소영역(PXA-G)에 각각 대응하는 제1 개구부(BM1-OPR) 및 제2 개구부(BM1-OPG)가 형성된다. 일 실시예에서 제1 층(BM-1)과 제2 층(BM-2)을 동시에 형성할 수 있다.
이후, 컬러필터(CF-R, CF-G)를 형성한다. 제1 화소영역(PXA-R)에 중첩하도록 제1 컬러필터(CF-R)을 형성한다. 제2 화소영역(PXA-G)에 중첩하도록 제2 컬러필터(CF-G)을 형성한다. 포토리소그래피 공정을 이용하여 제1 컬러필터(CF-R)와 제2 컬러필터(CF-G)를 순차적으로 형성할 수 있다.
본 실시예에서 제1 컬러필터(CF-R)는 레드 컬러필터이고, 제2 컬러필터(CF-G)는 그린 컬러필터일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 옐로우 컬러필터가 적용될 수 있다. 이때 제1 컬러필터(CF-R)와 제2 컬러필터(CF-G)는 구분되지 않는 하나의 컬러필터로 대체될 수 있다.
이후, 제1 절연층(200-1)과 제2 절연층(200-2)을 순차적으로 형성한다. 본 실시예에서 제2 절연층(200-2)은 후술하는 분할격벽을 형성하기 위한 베이스층일 수 있다. 베이스층은 평탄면을 제공하는 유기층일 수 있다.
제2 절연층(200-2) 상에 예비 분할격벽층(BW-P)을 형성한다. 예비 분할격벽층(BW-P)은 베이스 수지에 화학결합된 소수성 성분(hydrophobic agent)을 포함할 수 있다. 소수성 성분은 상분리되어 예비 분할격벽층(BW-P)의 상면에 밀집하게 배열되고, 소수성 영역(BW-P2)을 정의한다. 나머지 영역은 상대적으로 친수성이 강하여 친수성 영역(BW-P1)으로 정의된다. 소수성 성분은 불화계 에폭시 계열 물질과 과불화 에테르 계열의 물질을 포함할 수 있다.
도 5b에 도시된 것과 같이, 포토리소그래피 공정을 이용하여 예비 분할격벽층(BW-P)을 패터닝한다. 그 결과 분할격벽(BW)이 형성된다. 분할격벽(BW)에는 제1 화소영역(PXA-R) 및 제2 화소영역(PXA-G)에 각각 대응하는 제1 개구부(BW-OPR) 및 제2 개구부(BW-OPG)가 형성된다. 또한, 분할격벽(BW)은 제3 화소영역(PXA-B)에 중첩하는 광 투과부분(BW-B)을 포함한다.
제1 개구부(BW-OPR)의 내측에 액상의 양자점 조성물(CCF-LR, 이하 제1 조성물)을 제공하고, 제2 개구부(BW-OPG)의 내측에 액상의 양자점 조성물(CCF-LG, 이하 제2 조성물)을 제공한다. 제1 조성물(CCF-LR)은 예컨대 레드 양자점을 포함하고, 제2 조성물(CCF-LG)은 예컨대 그린 양자점을 포함한다. 소수성 영역(BW-2)은 제1 조성물(CCF-LR)이 제2 개구부(BW-OPG)로 넘치는 것을 방지할 수 있다.
도 5b 및 도 5c를 참조하면, 잉크젯 공정을 이용하여 제1 조성물(CCF-LR)과 제2 조성물(CCF-LG)을 제공할 수 있다. 잉크젯 헤드는 제1 노즐그룹(NZ1)과 제2 노즐그룹(NZ2)을 포함할 수 있다. 제1 노즐그룹(NZ1)은 제1 조성물(CCF-LR)을 제공하는 복수개의 노즐(N-R)을 포함한다. 제2 노즐그룹(NZ2)은 제2 조성물(CCF-LG)을 제공하는 복수개의 노즐(N-G)을 포함한다.
도 5c에 도시된 것과 같이, 제1 노즐그룹(NZ1)과 제2 노즐그룹(NZ2)은 유닛영역(PXA-U)마다 제1 조성물(CCF-LR)과 제2 조성물(CCF-LG)을 각각 제공할 수 있다. 잉크젯 헤드는 제1 방향(DR1)으로 이동하면서 제1 조성물(CCF-LR)과 제2 조성물(CCF-LG)을 제공할 수 있다. 제1 조성물(CCF-LR)과 제2 조성물(CCF-LG)이 혼합되지 않기 위해서, 제1 개구부(BW-OPR) 및 제2 개구부(BW-OPG) 각각은 소정 길이 이상의 너비를 가져야 한다. 너비는 제1 방향(DR1) 내의 길이이다. 본 실시예에 따르면, 도 3a를 참조하여 설명한 것과 같이, 제3 화소영역(PXA-B)이 제1 화소영역(PXA-R) 및 제2 화소영역(PXA-G)으로부터 제2 방향(DR2) 내에 배치되기 때문에, 제3 화소영역(PXA-B)이 제1 방향(DR1) 내에 배치된 구조에 비해제1 개구부(BW-OPR) 및 제2 개구부(BW-OPG)의 너비를 확장시킬 수 있다.
제1 개구부(BW-OPR) 및 제2 개구부(BW-OPG) 각각에 대하여 제1 방향(DR1) 내의 길이와 제2 방향(DR2) 내의 길이의 비는 1:1 내지 1:3인 것이 바람직하다. 좀더 바람직하게는 제1 방향(DR1) 내의 길이와 제2 방향(DR2) 내의 길이의 비는 1:1.5 내지 1:2.25일 수 있다.
도 5d에 도시된 것과 같이, 제1 조성물(CCF-LR)과 제2 조성물(CCF-LG)이 건조된다. 그 결과 제1 광 변환패턴(CCF-R)과 제2 광 변환패턴(CCF-G)이 형성된다. 별도로 도시되지 않았으나, 제1 광 변환패턴(CCF-R), 제2 광 변환패턴(CCF-G) 및 분할격벽(BW)을 커버하는 제3 절연층(200-3, 도 3b 참조)이 더 형성될 수 있다.
도 5c와 도 5d를 참조하면, 제1 광 변환패턴(CCF-R)과 제2 광 변환패턴(CCF-G)은 광 투과부분(BW-B)과 다른 공정으로 형성되기 때문에 다른 구조적 특성을 갖는다. 이하, 제1 광 변환패턴(CCF-R) 중심으로 설명한다.
제1 광 변환패턴(CCF-R)의 두께는 제3 화소영역(PXA-B)에 중첩하는 광 투과부분(BW-B)의 두께보다 작을 수 있다. 제1 조성물(CCF-LR)이 제1 개구부(BW-OPR)를 넘치지 않는 정도로 제공된 후, 건조에 의해 두께가 감소되기 때문이다.
광 투과부분(BW-B)은 포토리소그래피 공정에 의해 형성되므로 평탄한 상면을 갖는다. 그에 비해 제1 광 변환패턴(CCF-R)은 액상 조성물을 제공한 후 건조공정을 거치기 때문에 상대적으로 굴곡이 있는 상면을 제공한다. 즉, 광 투과부분(BW-B)의 상면은 제1 광 변환패턴(CCF-R)의 상면보다 더 평탄하다.
또한, 광 투과부분(BW-B)은 1회의 포토리소그래피 공정을 통해 복수개의 제3 화소영역(PXA-B)에 대응하게 형성된다. 따라서 복수 개의 광 투과부분(BW-B)의 두께편차는 작다. 복수 개의 제1 광 변환패턴(CCF-R)은 복수 개의 제1 화소영역(PXA-R)마다 액상의 조성물을 제공하여 형성된다. 액상의 조성물이 불연속으로 제공되기 때문에 제공된 액상의 조성물의 중량 편차가 발생할 수 있다. 따라서, 복수 개의 제1 광 변환패턴(CCF-R)의 두께편차는 상대적으로 클 수 있다.
도 6은 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판(200)의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 5d를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 6을 참고하면, 분할패턴(BM)은 도 4의 제1 층(BM-1)만을 포함할 수 있다. 분할격벽(BW)은 친수성을 갖는 제1 층(BW-10) 및 소수성을 갖는 제2 층(BW-20) 을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 동일한 명칭을 사용하더라도, 분할격벽(BW)의 제1 층(BW-10)과 제2 층(BW-20)은 상술한 분할패턴(BM)의 제1 층(BM-1)과 제2 층(BM-2)과 구별되는 것은 명확하다.
제1 층(BW-10)은 광 투과부분(BW-B)을 포함한다. 제1 층(BW-10)은 광 투과성이 높은 베이스 수지를 포함한다. 베이스 수지는 일반적으로 바인더로 지칭될 수 있는 다양한 수지 조성물로 이루어질 수 있다. 제2 층(BW-20)은 제1 층(BW-10) 대비 소수성 성분을 더 포함할 수 있다.
제2 층(BW-20)은 제1 층(BW-10) 대비 블랙 성분을 더 포함할 수 있다. 블랙 성분은 블랙 염료, 블랙 안료 또는 카본 블랙을 포함하거나, 크롬과 같은 금속 또는 이들의 산화물을 포함할 수 있다. 제2 층(BW-20)은 도 4의 분할패턴(BM)의 제2 층(BM-2)을 대체하여 제3 화소영역(PXA-B)을 정의할 수 있다. 제2 층(BW-20)은 소수성 성분 및 블랙 성분을 모두 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 제1 층(BW-10)은 산란입자를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 분할패턴(BM)은 도 4에 도시된 분할패턴(BM)처럼 2층 구조를 가질 수 있다.
도 7은 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판(200)의 단면도이다. 도 8a 내지 도 8c는 도 3a의 절취선 II-II'에 대응하는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 표시기판(200)의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 5d를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 7을 참고하면, 분할격벽(BW)의 내측 벽면에 배치된 반사층(RL)을 더 포함할 수 있다. 반사층(RL)은 광 변환패턴에서 변환된 광을 반사시켜 출광효율을 증가시킬 수 있다.
도 8a를 참조하면, 분할격벽(BW)에 제3 화소영역(PXA-B)에 대응하는 제3 개구부(BW-OPB)가 형성된다. 분할격벽(BW)의 일부분에 해당하는 광 투과부분(BW-B)이 별도의 공정에 의해 형성된 광학패턴(OP-B)으로 대체된다.
본 실시예에 따른 제조방법을 도 5b에 도시된 제조방법과 비교 설명하면 아래와 같다. 제1 개구부(BM-OPR) 및 제2 개구부(BM-OPG)가 형성되는 포토리소그래피 공정에서 제3 화소영역(PXA-B)에 대응하는 제3 개구부(BW-OPB)를 더 형성한다. 이후, 추가적인 적층 공정 및 포토리소그래피 공정을 통해서 제3 개구부(BW-OPB)에 대응하도록 광학패턴(OP-B)을 형성한다. 결과적으로, 광학패턴(OP-B)은 유기물 패턴을 포함할 수 있다.
분할격벽(BW)을 형성한 후 광학패턴(OP-B)을 형성하였기 때문에 광학패턴(OP-B)의 일부분은 분할격벽(BW)에 중첩한다. 또한, 광학패턴(OP-B)에 단차가 형성된다.
본 실시예에서 광학패턴(OP-B)과 분할패턴(BM)의 제1 층(BM-1) 중 적어도 어느 하나는 산란입자를 더 포함할 수 있다. 산란입자는 소스광을 산란시킬 수 있다. 산란광을 시야각을 확장시킬 수 있다.
본 실시예에서 분할격벽(BW)의 제1 층(BW-10)과 제2 층(BW-20)은 서로 동일한 물질을 포함하거나 다른 물질을 포함할 수 있다. 제1 층(BW-10)과 제2 층(BW-20) 각각은 블랙성분을 포함할 수 있다. 제2 층(BW-20)은 제1 층(BW-10) 대비 소수성 성분을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서 2층 구조의 분할격벽(BW)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 도시된 것과 다르게 제1 층(BW-10)과 제2 층(BW-20)의 두께는 실질적으로 동일 할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에서 도 8a의 제1 층(BW-10)과 제2 층(BW-20)이 모두 블랙성분을 포함하지 않는 경우, 제1 층(BW-10)과 제2 층(BW-20) 중 적어도 하나는 베이스 수지에 혼합된 산란입자를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 도 8a의 제1 층(BW-10)과 제2 층(BW-20)이 모두 블랙성분을 포함하지 않는 경우, 도 7에서 설명된 반사층(RL)이 제2 표시기판(200)에 더 배치될 수 있다.
도 8b에 도시된 제2 표시기판(200)의 제조방법을 도 8a에 도시된 제2 표시기판(200)의 제조방법과 비교 설명하면 아래와 같다. 분할격벽(BW)을 형성하기 이전에 광학패턴(OP-B)을 형성한다. 제1 층(BW-10)의 일부분은 광학패턴(OP-B)에 중첩할 수 있다. 도 8b의 분할격벽(BW)을 형성하는 공정은 도 8a에 도시된 분할격벽(BW)과 동일할 수 있다.
도 8c에 도시된 제2 표시기판(200)의 제조방법을 도 8a에 도시된 제2 표시기판(200)의 제조방법과 비교 설명하면 아래와 같다. 제1 층(BW-10)을 형성한 후, 제2 층(BW-20)을 형성하기 이전에 광학패턴(OP-B)을 형성한다. 광학패턴(OP-B)의 일부분은 제1 층(BW-10)에 중첩할 수 있다. 또한, 광학패턴(OP-B)에 단차가 형성될 수 있다.
도 8b 및 도 8c에 도시된 제2 표시기판(200) 역시 도 8a에 도시된 제2 표시기판(200)을 참조하여 설명한 것과 같이 다양한 형태로 변경될 수 있다. 다만, 중복되는 설명을 피하기 위해 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시영역(DA)의 평면도이다. 이하, 도 1 내지 도 5d를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면, 표시영역(DA)은 2종의 유닛영역(PXA-U1, PXA-U2)을 포함한다. 복수 개의 제1 유닛영역(PXA-U1)은 제1 방향(DR1)으로 나열되고, 제1 유닛 화소행(PXL-U1)을 정의한다. 복수 개의 제2 유닛영역(PXA-U2)은 제1 방향(DR1)으로 나열되고, 제2 유닛 화소행(PXL-U2)을 정의한다. 제1 유닛 화소행(PXL-U1)과 제2 유닛 화소행(PXL-U2)은 n개의 유닛 화소행들중 연속하는 2개의 유닛 화소행이다. 여기서 n은 2 이상의 자연수이다. 제1 유닛 화소행(PXL-U1)과 제2 유닛 화소행(PXL-U2)은 제2 방향(DR2)을 따라 교번하게 배치될 수 있다.
제1 유닛영역(PXA-U1)의 제1 화소영역(PXA-R), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-B)의 배치 패턴은 제2 유닛영역(PXA-U2)의 제1 화소영역(PXA-R), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-B)의 배치 패턴과 제1 방향(DR1)을 기준으로 대칭일 수 있다.
한편, 제1 화소영역(PXA-R), 제2 화소영역(PXA-G), 및 제3 화소영역(PXA-B)의 배치 패턴은 이에 제한되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에서 도 9에 도시된 제1 유닛영역(PXA-U1)과 제2 유닛영역(PXA-U2) 중 어느 하나의 제1 화소영역(PXA-R)과 제2 화소영역(PXA-G)의 위치는 서로 바뀔 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 도 3a에 도시된 제1 화소행(PXL-1)의 유닛영역(PXA-U)과 제2 화소행(PXL-2)의 유닛영역(PXA-U) 중 어느 하나의 제1 화소영역(PXA-R)과 제2 화소영역(PXA-G)의 위치는 서로 바뀔 수 있다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 사시도이다. 도 10b는 도 10a에 도시된 표시패널(DP)의 개략적인 단면도이다. 도 10c 도 10a에 도시된 표시영역(DA)의 상세한 단면도이다. 도 11a 내지 도 11d는 도 10c에 도시된 광 변환패턴의 제조방법을 도시하였다. 이하, 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예에 따른 표시패널(DP)은 도 1a 내지 도 9에 도시된 표시패널(DP)과 달리 하나의 베이스 기판(BS)을 포함한다. 제조 공정에 있어서, 제1 표시기판(100)과 제2 표시기판(200)을 결합하는 공정이 생략되고, 베이스 기판(BS) 상에 순차적으로 구조물들을 형성한다.
도 10a 내지 도 10c에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 베이스 기판(BS), 베이스 기판(BS) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 및 상부 절연층(TFL)을 포함한다. 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
상부 절연층(TFL) 상에 광제어층(OSL)이 배치된다. 광제어층(OSL)은 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명한 제2 표시기판(200)에 대응한다. 제2 표시기판(200)과 광제어층(OSL)의 차이점은 제조공정에서 나타난다. 제2 표시기판(200)이 제1 표시기판(100)과 별개의 공정에서 형성된 것과 다르게, 광제어층(OSL)은 상부 절연층(TFL) 상에 연속공정을 통해 형성될 수 있다.
광제어층(OSL)은 상부 절연층(TFL) 상에 배치된 분할격벽(BW), 광 변환패턴(CCF-R), 컬러필터(CF-R), 및 분할패턴(BM)을 포함한다. 제2 표시기판(200)과 광제어층(OSL)을 비교하면, 분할격벽(BW), 광 변환패턴(CCF-R), 컬러필터(CF-R), 및 분할패턴(BM)의 단면상 구조 및 평면상 배치관계는 제2 표시기판(200)과 광제어층(OSL)이 매우 유사하다. 이에 대한 상세한 설명은 제조방법과 함께 후술한다.
또한, 광제어층(OSL)은 복수 개의 절연층들(200-1, 200-2, 200-3)을 더 포함할 수 있다. 복수 개의 절연층들(200-1, 200-2, 200-3)은 유기층 또는 무기층일 수 있다. 제1 절연층(200-1)은 평탄한 상면을 제공하는 베이스층일 수 있다. 제1 절연층(200-1)은 도 5a를 참조하여 설명한 제2 절연층(200-2)에 해당 할 수 있다. 일 실시예에서 제1 절연층(200-1)은 생략될 수 있고, 이때, 상부 절연층(TFL)이 베이스층에 해당할 수도 있다.
도 11a에 도시된 것과 같이, 제1 절연층(200-1) 상에 분할격벽(BW)을 형성한다. 분할격벽(BW)은 친수성 영역(BW-1)과 소수성 영역(BW-2)을 포함할 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않는다. 분할격벽(BW)에는 제1 개구부(BW-OPR) 및 제2 개구부(BW-OPG)가 형성된다. 분할격벽(BW)의 일부분은 제3 발광영역(LA-B)에 중첩한다.
도 11b에 도시된 것과 같이, 제1 개구부(BW-OPR)에 제1 조성물(CCF-LR)을 제공하고, 제2 개구부(BW-OPG)에 제2 조성물(CCF-LG)을 제공한다.
도 11c에 도시된 것과 같이, 제1 조성물(CCF-LR) 및 제2 조성물(CCF-LG)을 경화시킨다. 그에 따라 제1 광 변환패턴(CCF-R)과 제2 광 변환패턴(CCF-G)이 형성된다.
이후, 도 11d에 도시된 것과 같이, 제2 절연층(200-2)을 형성한다. 또한 제1 컬러필터(CF-R)와 제2 컬러필터(CF-G)를 형성한다. 이후, 분할패턴(BM)을 형성한다. 차광패턴에 해당하는 층(BM-2)을 먼저 형성한 후 블루 컬러필터에 해당하는 층(BM-1)을 상측에 형성할 수 있다. 그 후에 제3 절연층(200-3)을 형성한다. 제2 절연층(200-2)은 무기층일 수 있고, 제3 절연층(200-3)은 유기층일 수 있다. 제1 절연층(200-1)과 제3 절연층(200-3) 사이에 추가적인 무기층을 더 형성할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에서 제3 절연층(200-3) 상에 보호기판이 더 배치될 수도 있다. 보호기판은 플라스틱 기판 또는 유리기판을 포함할 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 광제어층(OSL)은 도 6 내지 도 9와 같이 변형될 수 있다. 도 6에 도시된 것과 같이, 분할패턴(BM)은 블루 컬러필터에 해당하는 층(BM-1)만을 포함할 수 있다. 또한, 분할격벽(BW)은 친수성을 갖는 제1 층(BW-10) 및 소수성을 갖는 제2 층(BW-20) 을 포함할 수 있다. 친수성을 갖는 제1 층(BW-10)이 상부 절연층(TFL)에 더 인접하게 배치된다.
도 7에 도시된 것과 같이, 광제어층(OSL)은 분할격벽(BW)의 내측 벽면에 배치된 반사층(RL)을 더 포함할 수 있다. 도 8에 도시된 것과 같이, 분할격벽(BW)에 제3 화소영역(PXA-B)에 대응하는 제3 개구부(BW-OPB)가 형성될 수 있다. 광제어층(OSL)은 광학패턴(OP-B)을 더 포함할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정해져야만 할 것이다.
제1 화소영역, 제2 화소영역, 제3 화소영역:
PXA-R, PXA-G, PXA-B
주변영역: NPXA
제1 발광소자, 제2 발광소자, 제3 발광소자 OLED
분할격벽: BW
컬러필터: CF-R, CF-G, CF-B
제1 개구부: BW-OPR, BW-OPG, BW-OPB
분할패턴: BM
제2 개구부: BM1-OPR
제1 광 변환패턴: CCF-R
제2광 변환패턴: CCF-G
유닛영역: PXA-U
유닛 화소행: PXL-U1, PXL-U2
반사층: RL
분할격벽의 제1 영역, 제2 영역: BW-1, BW-2
분할격벽의 제1 층 및 제2 층: BW-10, BW-20
광학패턴: OP-B
주변영역: NPXA
제1 발광소자, 제2 발광소자, 제3 발광소자 OLED
분할격벽: BW
컬러필터: CF-R, CF-G, CF-B
제1 개구부: BW-OPR, BW-OPG, BW-OPB
분할패턴: BM
제2 개구부: BM1-OPR
제1 광 변환패턴: CCF-R
제2광 변환패턴: CCF-G
유닛영역: PXA-U
유닛 화소행: PXL-U1, PXL-U2
반사층: RL
분할격벽의 제1 영역, 제2 영역: BW-1, BW-2
분할격벽의 제1 층 및 제2 층: BW-10, BW-20
광학패턴: OP-B
Claims (20)
- 제1 화소영역, 제2 화소영역, 제3 화소영역, 및 상기 제1, 제2, 및 제3 화소영역들에 인접한 주변영역을 포함하는 표시패널에 있어서,
각각이 소스광을 생성하며, 상기 제1 화소영역, 상기 제2 화소영역, 및 상기 제3 화소영역에 각각 대응하는 제1 발광소자, 제2 발광소자, 및 제3 발광소자;
상기 제1 화소영역과 상기 제2 화소영역에 대응하는 제1 개구부들이 정의되고, 상기 주변영역 및 상기 제3 화소영역에 중첩하는 분할격벽;
상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역에 중첩하는 컬러필터;
적어도 상기 제1 개구부들에 대응하는 제2 개구부들이 정의된 분할패턴;
상기 제1 개구부들 중 상기 제1 화소영역에 대응하는 개구부의 내측에 배치되고, 상기 제1 발광소자에서 생성된 상기 소스광을 제1 컬러광으로 변환하는 제1 광 변환패턴; 및
상기 제1 개구부들 중 상기 제2 화소영역에 대응하는 개구부의 내측에 배치되고, 상기 제1 발광소자에서 생성된 상기 소스광을 제2 컬러광으로 변환하는 제2 광 변환패턴을 포함하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 화소영역은 상기 제2 화소영역으로부터 제1 방향으로 이격되고,
상기 제3 화소영역은 상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 표시패널. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역 각각의 상기 제1 방향의 길이는 상기 제3 화소영역의 상기 제1 방향의 길이보다 작고,
상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역 각각의 상기 제2 방향의 길이는 상기 제3 화소영역의 상기 제2 방향의 길이보다 큰 표시패널. - 제3 항에 있어서,
상기 제1 화소영역, 상기 제2 화소영역, 및 상기 제3 화소영역은 유닛영역을 정의하고,
상기 유닛영역은 복수개 제공되고,
상기 복수 개의 유닛영역은 복수 개의 유닛 화소행을 정의하는 표시패널. - 제4 항에 있어서,
상기 복수 개의 유닛영역의 상기 제1 화소영역, 상기 제2 화소영역, 및 상기 제3 화소영역의 배치 패턴은 서로 동일한 표시패널. - 제4 항에 있어서,
상기 복수 개의 유닛 화소행 중 n번째(여기서 n은 1 이상의 자연수) 유닛 화소행의 상기 유닛영역의 상기 제1 화소영역, 상기 제2 화소영역, 및 상기 제3 화소영역의 배치 패턴은 n+1번째(여기서 n은 1 이상의 자연수) 유닛 화소행의 상기 유닛영역의 상기 제1 화소영역, 상기 제2 화소영역, 및 상기 제3 화소영역의 배치 패턴과 상기 제1 방향을 기준으로 대칭인 표시패널. - 제4 항에 있어서,
상기 복수 개의 유닛영역의 상기 제3 화소영역에 대응하는 상기 분할격벽의 두께편차는 상기 복수 개의 유닛영역의 상기 제1 화소영역에 대응하는 상기 제1 광 변환패턴의 두께편차보다 작은 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제3 화소영역에 대응하는 상기 분할격벽의 상면은 상기 제1 광 변환패턴의 상면보다 더 평탄한 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 컬러필터는 상기 제1 컬러광을 투과시키는 제1 컬러필터 및 상기 제2 컬러광을 투과시키는 제2 컬러필터를 포함하고,
상기 분할패턴의 일부분은 상기 제3 화소영역에 중첩하며, 상기 분할격벽을 통과한 상기 소스광을 투과시키는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제1 개구부들을 정의하는 상기 분할격벽의 내측 벽면에 배치된 반사층을 더 포함하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 분할격벽은 친수성을 갖는 제1 영역 및 상기 제1 영역으로부터 연장되고, 소수성을 갖는 제2 영역을 포함하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 분할격벽은 친수성을 갖는 제1 층 및 상기 제1 층 상에 배치되고, 소수성을 갖는 제2 층을 포함하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 분할격벽은 베이스 수지 및 상기 베이스 수지에 혼합된 산란입자를 포함하는 표시패널. - 제1 항에 있어서,
상기 제3 화소영역에 중첩하는 상기 분할격벽의 일부분의 두께는 상기 제1 광 변환패턴의 두께보다 큰 표시패널. - 제1 화소영역, 제2 화소영역 및 상기 제1, 및 제2 화소영역들에 인접한 주변영역을 포함하는 표시패널에 있어서,
각각이 소스광을 제공하며, 상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역에 각각 대응하는 제1 표시소자 및 제2 표시소자;
상기 주변영역에 중첩하고, 상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역에 대응하는 제1 개구부들이 정의된 분할격벽;
적어도 상기 제1 화소영역에 대응하는 제2 개구부가 정의된 분할패턴;
상기 제1 개구부들 중 상기 제1 화소영역에 대응하는 개구부의 내측에 배치되고, 상기 제1 표시소자로부터 수신한 상기 소스광의 컬러를 변환하는 광 변환패턴; 및
상기 제1 개구부들 중 상기 제2 화소영역에 대응하는 개구부의 내측에 배치되고, 상기 제2 표시소자로부터 수신한 상기 소스광을 투과시키는 광학패턴을 포함하고,
평면 상에서 상기 광학패턴의 일부분은 상기 분할격벽에 중첩하는 표시패널. - 제15 항에 있어서,
상기 광학패턴은 유기물 패턴을 포함하는 표시패널. - 제16 항에 있어서
상기 제2 화소영역에 중첩하는 상기 분할패턴의 일부분과 상기 유기물 패턴 중 적어도 어느 하나에 혼합된 산란입자를 더 포함하는 표시패널. - 제15 항에 있어서
상기 광학패턴의 두께는 상기 광 변환패턴의 두께보다 큰 표시패널. - 제1 화소영역, 제2 화소영역, 제3 화소영역, 및 상기 제1, 제2, 및 제3 화소영역들에 인접한 주변영역을 포함하는 표시패널의 제조방법에 있어서,
상기 제1 화소영역과 상기 제2 화소영역에 대응하는 개구부들이 정의되고, 상기 주변영역 및 상기 제3 화소영역에 중첩하는 분할격벽을 형성하는 단계; 및
상기 개구부들의 내측에 입사광의 컬러를 변환하는 광 변환패턴들을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 광 변환패턴들을 형성하는 단계는 액상의 양자점 조성물을 상기 제1 개구부들의 내측에 제공하는 단계를 포함하는 표시패널의 제조방법. - 제1 화소영역 및 제2 화소영역을 포함하는 표시패널의 제조방법에 있어서,
상기 제1 화소영역 및 상기 제2 화소영역에 대응하는 개구부들이 정의된 분할격벽을 형성하는 단계;
상기 개구부들 중 상기 제1 화소영역에 대응하는 개구부의 내측에 입사광의 컬러를 변환하는 광 변환패턴을 형성하는 단계; 및
상기 개구부들 중 상기 제2 화소영역에 대응하는 개구부에 대응하도록 입사광을 투과시키는 광학패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 광 변환패턴을 형성하는 단계는 액상의 양자점 조성물을 상기 제1 화소영역에 대응하는 상기 개구부의 내측에 제공하는 단계를 포함하고,
상기 광학패턴을 형성하는 단계는 포토리소그래피 공정을 포함하는 표시패널의 제조방법.
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| WO2024014567A1 (ko) * | 2022-07-12 | 2024-01-18 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
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