CN107564414B - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板，包括：阵列基板，以及与阵列基板相对设置的对向基板；其中，阵列基板，包括：与对向基板在阵列基板上的正投影重合的正对区域，以及位于正对区域的一侧相对于对向基板向外延伸的延伸区域；延伸区域，包括：衬底基板，以及位于衬底基板上的接地线、接触端子和静电保护电路；接触端子通过导电胶与对向基板上的屏蔽层连接，接触端子与接地线连接；静电保护电路位于接触端子靠近衬底基板的一侧，静电保护电路的图形与接触端子的图形在衬底基板上的正投影至少部分重叠。本发明实施例提供的显示面板，可以增大异形的设计空间以及二维码的设计空间，且不会影响静电保护电路和接触端子的功能。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，显示器除了传统的信息展示等作用外，在外形上的要求也在逐步提升，例如，目前全面屏的手机备受消费者青睐，缩小边框(border)区域以及异形设计，以实现更大屏占比已是市场未来的趋势。
现有技术中，出现了一些缩小边框区域的方案，例如，将集成芯片(IC)绑定(bonding)在柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)上，即COF(chip on FPC)技术。COF技术可以显著缩减下边框的尺寸。为了满足用户对显示器外观的需求，可以对显示屏进行异形设计，例如C/R cut，即显示屏做直线倒角或弧形倒角，异形设计既可以使显示屏具有更好的机构强度，也可以增强显示屏的可靠性，以及获得更好的外观效果。
图1a为现有技术中采用COF技术的阵列基板的结构示意图，在下边框两侧分布有信号线静电保护(Electro-Static discharge，ESD)电路12，二维码13(2d code)以及银胶接触端子11(Ag pad)等，虚线L、L’为阵列基板异形设置的切割线。图1b为图1a中左下角的局部放大图，图中虚线T为彩膜基板的切割线，虚线L为阵列基板异形设置的切割线，随着下边框尺寸的压缩，ESD电路12以及位于ESD电路远离显示区一侧的信号走线15会超出切割线，在沿切割线L对阵列基板切割时，极易切割到信号走线15和二维码13的图形，甚至切割到ESD保护电路的图形，对信号走线15和二维码13造成损伤，因而影响显示面板的制作工艺及显示效果，可见，为了缩小下边框的尺寸，需要将ESD电路12，信号走线15以及二维码13进行空间避让，但是，从图1a中也可以看出，显示区域以及边框区域的空间已经几乎被占满，很难为切割线腾出更多的空间。此外，下边框尺寸的压缩也会影响二维码13的设计尺寸，增加了显示面板的信息读取难度。
因此，如何增大异形的设计空间以及二维码的设计空间是急需解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，用以解决现有技术中存在的由于下边框尺寸的压缩，导致ESD电路和一些信号走线超出切割线，以及二维码设计空间较小的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：阵列基板，以及与所述阵列基板相对设置的对向基板；其中，
所述阵列基板，包括：与所述对向基板在所述阵列基板上的正投影重合的正对区域，以及位于所述正对区域的一侧相对于所述对向基板向外延伸的延伸区域；
所述延伸区域，包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的接地线、接触端子和静电保护电路；
所述接触端子通过导电胶与所述对向基板上的屏蔽层连接，所述接触端子与所述接地线连接；
所述静电保护电路位于所述接触端子靠近所述衬底基板的一侧，所述静电保护电路的图形与所述接触端子的图形在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括：上述显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置，该显示面板，包括：阵列基板，以及与阵列基板相对设置的对向基板；其中，阵列基板，包括：与对向基板在阵列基板上的正投影重合的正对区域，以及位于正对区域的一侧相对于对向基板向外延伸的延伸区域；延伸区域，包括：衬底基板，以及位于衬底基板上的接地线、接触端子和静电保护电路；接触端子通过导电胶与对向基板上的屏蔽层连接，接触端子与接地线连接；静电保护电路位于接触端子靠近衬底基板的一侧，静电保护电路的图形与接触端子的图形在衬底基板上的正投影至少部分重叠。本发明实施例提供的显示面板，通过将静电保护电路设置于接触端子靠近衬底基板的一侧，且静电保护电路的图形与接触端子的图形在衬底基板上的正投影至少部分重叠，因而可以空出静电保护电路原来占据的空间，从而可以增大异形的设计空间以及二维码的设计空间，而且，既不会影响静电保护电路的效果，也不会影响接触端子的功能。
附图说明
图1a为现有技术中采用COF技术的阵列基板的结构示意图；
图1b为图1a中左下角的局部放大图；
图2a为本发明实施例提供的显示面板的立体结构示意图；
图2b为本发明实施例提供的显示面板的左下角的局部放大图；
图3a和图3b为本发明实施例提供的显示面板的俯视图；
图4为本发明实施例中静电保护电路的俯视图；
图5a、图5b以及图5c为本发明实施例中静电保护电路的等效电路图；
图6为图4中CC＇处的截面示意图之一；
图7为图4中CC＇处的截面示意图之二；
图8为图4中CC＇处的截面示意图之三；
图9为图4中CC＇处的截面示意图之四；
图10为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图；
其中，1、阵列基板；10、衬底基板；11、接触端子；12、静电保护电路；121、有源层；122、过孔；123、高电平输入端；124、低电平输入端；13、二维码；14、柔性电路板；15、信号走线；16、导电胶；17、信号线；18、导电层；19、连接导线；2、对向基板；21、屏蔽层。
具体实施方式
针对现有技术中存在的由于下边框尺寸的压缩，导致ESD电路和一些信号走线超出切割线，以及二维码设计空间较小的问题，本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置。
下面结合附图，对本发明实施例提供的显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各结构的大小和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种显示面板，如图2a所示，包括：阵列基板1，以及与阵列基板1相对设置的对向基板2；其中，
阵列基板1，包括：与对向基板2在阵列基板1上的正投影重合的正对区域，以及位于正对区域的一侧相对于对向基板2向外延伸的延伸区域；
延伸区域，包括：衬底基板10，以及位于衬底基板10上的接地线、接触端子11和静电保护电路12；
接触端子11通过导电胶16与对向基板2上的屏蔽层连接，接触端子11与接地线连接；
静电保护电路12位于接触端子11靠近衬底基板10的一侧，静电保护电路12的图形与接触端子11的图形在衬底基板10上的正投影至少部分重叠。
本发明实施例提供的显示面板，通过将静电保护电路设置于接触端子靠近衬底基板的一侧，且静电保护电路的图形与接触端子的图形在衬底基板上的正投影至少部分重叠，因而可以空出静电保护电路原来占据的空间，从而可以增大异形的设计空间以及二维码的设计空间，而且，既不会影响静电保护电路的效果，也不会影响接触端子的功能。
图2a为本发明实施例提供的显示面板的立体结构示意图，图中虚线框M表示阵列基板1在该位置处的截面，从该截面处可以明显看出，静电保护电路12位于接触端子11靠近衬底基板的一侧。
为了解决现有技术中，由于下边框尺寸的压缩，导致静电保护电路和一些信号走线超出彩膜基板的切割线，对阵列基板进行切割极易损伤信号走线和二维码，以及二维码设计空间较小的问题，需要改变静电保护电路或信号走线的位置，而一般信号走线会与特定的驱动电路连接，移动信号走线可能会增加信号走线的长度，增大信号走线中的信号的损耗，甚至会影响显示器件的正常工作。而静电保护电路一般与信号线连接，用于保护信号线不被外界产生的电荷击穿，使信号线中的电压维持在预设的最高值与最低值之间，静电保护电路的电路结构以及施加的信号都比较简单，对其他电路的影响以及受其他电路的影响都比较小。基于此，优选为将静电保护电路移动到其他位置。
在具体实施时，参照图1a，在阵列基板1与对向基板的正对区域(如图中箭头A所示的区域)中，存在大量用于控制显示屏进行正常显示的驱动电路及驱动走线，假设将静电保护电路12设置在正对区域中，为了不影响驱动电路和驱动走线的正常工作，一般会将静电保护电路12设置在正对区域的边缘位置，这样，并没有减小静电保护电路12占据的边框区的空间，在压缩边框尺寸时，同样会出现本申请背景技术中存在的问题。
同样参照图1a，在阵列基板1与对向基板的延伸区域(如图中箭头B所示的区域)中，主要包括柔性电路板14(FPC)，二维码13以及接触端子11等结构，其中，二维码13是将膜层进行图形化得到的具有一定特征的图案，如果将静电保护电路12设置在二维码13附近或二维码13与衬底基板10之间的某个膜层中，可能会对二维码13的图案造成影响，从而影响二维码13的信息读取。
而柔性电路板14与衬底基板10之间的膜层中，本身就存在大量的信号走线15，而且每一个信号走线15中都施加有特定的信号，如果将静电保护电路12设置在柔性电路板14与衬底基板10之间的某些膜层中，一方面，可能会影响柔性电路板14中的电路的正常工作，另一方面，增加了制作静电保护电路12的工艺制程，也增加了膜层的厚度。
在实际应用中，参照图2a，一般会在对向基板2远离衬底基板10一侧的表面上镀一层导电膜作为屏蔽层，例如镀一层氧化铟锡(ITO)薄膜，屏蔽层可以整层设置，也可以设置为具有图案的膜层，例如可以设置多个屏蔽电极构成屏蔽层，屏蔽层与阵列基板1上的接地线连接，可以将外界电荷通过接地线导走，在具体实施时，接地线可以设置在柔性电路板14内部，也可以设置在接触端子11之下的某个膜层，也可以设置在其他位置。接触端子11与接地线电连接，对向基板2上的屏蔽层通过导电胶16(例如导电银胶)与接触端子11连接，从而实现屏蔽层与接地线的导通，以将外界电荷导走。因而，接触端子11所在的位置的膜层结构比较简单，只要保证接触端子11与接地线连接即可，而且不需要给接触端子11施加任何信号，所以如果将静电保护电路12设置在接触端子11与衬底基板10之间的膜层，静电保护电路12不会影响接触端子11将屏蔽层的静电导走，接触端子11也不会影响静电保护电路12的功能，而且，也不会出现绕线或跨线等现象。
应该说明的是，为了更清楚的示意阵列基板1上的接触端子11与对向基板2上的屏蔽层的连接关系，以及静电保护电路12与接触端子11的位置关系，图2a中所示的对向基板2靠近阵列基板1的延伸区域的一侧并没有做异形设置，在具体实施时，可以根据实际需要对对向基板2做异形设置，例如，将对向基板2靠近阵列基板1的延伸区域一侧的顶角设置为倒角，如图3a和3b所示，此处并不对对向基板2和阵列基板1的形状进行限定。
参照图2b，在本发明实施例中，将静电保护电路设置在接触端子11靠近衬底基板10的一侧，可以空出静电保护电路原来占用的空间，因而可以使信号走线15向阵列基板的正对区域一侧移动，这样，可以使对向基板的下顶角处可以做异形设置的空间更大，即使对向基板和阵列基板同时做倒角切割，也不会影响到阵列基板上的信号走线15或其他结构，从而可以实现对向基板和阵列基板一起切割，简化了倒角切割工艺，充分利用了阵列基板上的空间。此外，如图2b所示，也可以将二维码13和接触端子11等结构向阵列基板的正对区域一侧移动，从而可以压缩阵列基板下边框的尺寸，有利于窄边框设计。
本发明实施例中，静电保护电路12位于接触端子11靠近衬底基板10的一侧，且静电保护电路12的图形与接触端子11的图形在衬底基板10上的正投影至少部分重叠，在具体实施时，静电保护电路12的图形在衬底基板10上的正投影可以完全位于接触端子11的图形在衬底基板10上的正投影的范围内，也可以设置为，接触端子11的图形在衬底基板10上的正投影完全位于静电保护电路12的图形在衬底基板10上的正投影的范围内，或者，也可以设置为静电保护电路12的图形和接触端子11的图形在衬底基板10上的正投影部分重合，可以根据实际需要以及空间大小来设置静电保护电路12和接触端子11的图形大小和相对位置。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述显示面板中，如图3a和图3b所示，对向基板2靠近延伸区域一侧的至少一个顶角为倒角；
与对向基板2的倒角对应的阵列基板1的顶角为倒角。
参照图3a和图3b，以对向基板2的边缘为界限，图中箭头A所示的区域为正对区域，箭头B所示的区域为延伸区域。本发明实施例中，倒角指的是，对阵列基板1或对向基板2的顶角进行切割得到的图形，在具体实施时，可以对顶角进行直线切割，也可以是曲线切割，得到的倒角处的边缘可以是直线也可以是曲线，例如圆弧状边缘，此处不对倒角的形状进行限定。
具体地，本发明实施例提供的上述显示面板中，阵列基板1，还可以包括：与静电保护电路连接的信号线17；
如图4所示，静电保护电路，包括：第一晶体管T1和第二晶体管T2；其中，
第一晶体管T1的栅极G1与信号线17连接，第一晶体管T1的源极S1与第一晶体管T1的栅极G1连接；
第二晶体管T2的漏极D2与信号线17连接，第二晶体管T2的源极S2与第二晶体管T2的栅极G2连接。
应该说明的是，上述第一晶体管T1和第二晶体管T2的结构只是本发明实施例的一种实现方式，在具体实施时，上述第一晶体管T1和第二晶体管T2的源极和漏极可以互相调换。在实际应用中，上述信号线17可以是容易出现静电的任何信号线17，例如CHV、STV、U2D、D2U或Vcom等信号线17，此处只是举例说明，并不对信号线17的种类进行限定。
具体地，上述第一晶体管T1和第二晶体管T2的源极和漏极，通过过孔122与有源层121连接。
参照图5a，第一晶体管T1的源极S1与第一晶体管T1的栅极G1连接，第二晶体管T2的源极S2与第二晶体管T2的栅极G2连接，则第一晶体管T1和第二晶体管T2都相当于一个二极管，图5a为将图4中的第一晶体管T1和第二晶体管T2等效为二级管后，得到的静电保护电路的等效电路图。当信号线17的电压在正常范围内，即大于低电平输入端124的电压VGL，小于高电平输入端123的电压VGH时，第一晶体管T1和第二晶体管T2都不导通，即当不存在静电使信号线17中的电压过高或过低时，静电保护电路不工作，不会影响信号线17中的电压；当出现正电荷的静电，使信号线17中的电压高于高电平输入端123的电压VGH时，第一晶体管T1正向导通，因而可以将信号线17中的静电导走，使信号线17中的电压维持在VGH；当出现负电荷的静电，使信号线17中的电压低于低电平输入端124的电压VGL时，第二晶体管T2正向导通，因而可以将信号线17中的静电导走，使信号线17中的电压维持在VGL，从而对信号线17起到静电保护的作用。
具体地，本发明实施例提供的上述显示面板中，上述阵列基板，如图4所示，还可以包括位于延伸区域的高电平输入端123和低电平输入端124；
上述静电保护电路包括以下两种实现方式：
实现方式一：参照图5b；
第一晶体管T1和第二晶体管T2为N型；
第一晶体管T1的漏极D1与高电平输入端连接，第二晶体管T2的源极S2与低电平输入端连接；
实现方式二：参照图5c；
第一晶体管T1和第二晶体管T2为P型；
第一晶体管T1的漏极D1与低电平输入端连接，第二晶体管T2的源极S2与高电平输入端连接。
在上述实现方式一中，参照图5b，第一晶体管T1和第二晶体管T2为N型，N型晶体管开启的条件为：栅极电压Vg与源极电压Vs(或漏极电压Vd)的差值大于阈值电压Vth。当信号线17中的电压大于VGH时，由于第一晶体管T1的栅极G1与信号线17导通，第一晶体管的漏极D1与高电平输入端导通，第一晶体管T1的栅极电压Vg大于漏极电压Vd(高电平输入端的电压VGH)，因而使第一晶体管T1的源极S1和漏极D1导通，即信号线17与高电平输入端导通，以使信号线17中的电压维持在VGH；当信号线17中的电压小于VGL时，由于第二晶体管T2的栅极G2与低电平输入端导通，第二晶体管T2的漏极D2与信号线17导通，第二晶体管T2的栅极电压Vg(低电平输入端的电压VGL)大于漏极电压Vd，因而使第二晶体管T2的源极S2和漏极D2导通，即信号线17与低电平输入端导通，以使信号线17中的电压维持在VGL；当信号线17中的电压在VGL～VGH之间时，第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅极电压Vg均小于漏极电压Vd，即第一晶体管T1和第二晶体管T2都不能打开。
在上述实现方式二中，参照图5c，第一晶体管T1和第二晶体管T2为P型，P型晶体管开启的条件为：栅极电压Vg与源极电压Vs(或漏极电压Vd)的差值小于阈值电压Vth。当信号线17中的电压小于VGL时，由于第一晶体管T1的栅极G1与信号线17导通，第一晶体管的漏极D1与低电平输入端导通，第一晶体管T1的栅极电压Vg小于漏极电压Vd(低电平输入端的电压VGL)，因而使第一晶体管T1的源极S1和漏极D1导通，即信号线17与低电压输入端导通，以使信号线17中的电压维持在VGL；当信号线17中的电压大于VGH时，由于第二晶体管T2的栅极G2与高电平输入端导通，第二晶体管T2的漏极D2与信号线17导通，第二晶体管T2的栅极电压Vg(高电平输入端的电压VGH)小于漏极电压Vd，因而使第二晶体管T2的源极S2和漏极D2导通，即信号线17与高电平输入端导通，以使信号线17中的电压维持在VGH；当信号线17中的电压在VGL～VGH之间时，第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅极电压Vg均大于漏极电压Vd，即第一晶体管T1和第二晶体管T2都不能打开。
上述实现方式一和实现方式二只是本发明实施例的优选实施方式，在具体实施时，也可以采用其他方式实现对信号线的保护，即静电保护电路也可以是其他结构，此处不对静电保护电路的结构进行限定。
如图4所示，为了节省工艺流程，在具体实施时，可以将第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极同层设置，第一晶体管的源极和漏极，以及第二晶体管的源极和漏极同层设置，第一晶体管的有源层121与第二晶体管的有源层121同层设置。
具体地，本发明实施例提供的上述显示面板中，上述阵列基板，还可以包括：位于正对区域的薄膜晶体管；
薄膜晶体管，包括：源漏极层、有源层和栅极层；
薄膜晶体管的源漏极层与第一晶体管的源极和漏极，以及第二晶体管的源极和漏极同层设置；
薄膜晶体管的有源层与第一晶体管的有源层以及第二晶体管的有源层同层设置；
薄膜晶体管的栅极层与第一晶体管的栅极以及第二晶体管的栅极同层设置。
在具体实施时，上述位于正对区域的薄膜晶体管，可以是正对区域中的任何薄膜晶体管，例如，可以是栅极驱动电路或像素电路中的薄膜晶体管。上述第一晶体管和第二晶体管位于延伸区域，将薄膜晶体管的源漏极层与第一晶体管的源极和漏极，以及第二晶体管的源极和漏极同层设置，在制作过程中，可以采用同一构图工艺，在制作薄膜晶体管的源漏极层的同时，形成第一晶体管和第二晶体管的源极和漏极，从而节省工艺步骤，节约成本，将薄膜晶体管的有源层与第一晶体管和第二晶体管的有源层同层设置，以及将薄膜晶体管的栅极层与第一晶体管和第二晶体管的栅极同层设置，也是为了节省工艺流程，此处不再赘述。
进一步地，本发明实施例提供的上述显示面板中，上述接触端子可以通过多种方式与接电线连接，具体可以包括以下几种：
连接方式一：如图6所示；
上述阵列基板，还可以包括：位于接触端子11与静电保护电路的膜层之间的导电层18；
接触端子11通过导电层18与接地线连接。
在具体实施时，可以将接地线设置于与导电层18所在膜层同一层的位置，也可以将接地线设置于导电层18所在膜层之上或之下的相邻膜层，以方便导电层18与接地线连接。图6为图4中CC＇处的截面示意图，从图6可以看出，静电保护电路位于导电层18与衬底基板10之间，且静电保护电路与导电层18之间通过绝缘层隔开。
具体地，如图7所示，图7为图4中CC＇处的另一个截面示意图，为了减小导电层18与第一晶体管的源极所在膜层之间的寄生电容，导电层18在与信号线17对应的区域可以为镂空设置；和/或，
导电层18在与静电保护电路的图形对应的区域可以为镂空设置。
在具体实施时，导电层18为镂空设置，可以将导电层18的图形设置为各种形状，例如网格状，导电层18为镂空设置是本发明实施例的优选实施方式，在具体实施时，导电层18也可以为整层设置，这样无需对导电层18进行构图工艺，节省一步制作工艺，或者，可以将导电层18直接设置为条状的导线与接电线连接，此处只是举例说明，并不对导电层18的图形的形状进行限定。
连接方式二：
在上述连接方式一的基础上，如图8所示，图8为图4中CC＇处的另一个截面示意图，上述阵列基板，还可以包括：与第一晶体管的源极同层设置的连接导线19；
连接导线19分别与导电层18和接地线连接(即导电层18通过连接导线19与接地线连接)。
在具体实施时，可以将接地线设置于第一晶体管的源极所在的膜层，也可以将接地线设置于第一晶体管的源极所在膜层之上或之下的相邻膜层，以便于连接导线19与接地线连接。上述连接导线19可以位于第一晶体管的源极所在膜层，除静电保护电路的图形以外的任何位置，且连接导线19与静电保护电路不具有连接关系。
在上述连接方式一和上述连接方式二中，阵列基板，还可以包括：位于正对区域的触控电极层；
导电层18与触控电极层同层设置。
在制作过程中，由于导电层18与触控电极层同层设置，这样，可以采用同一构图工艺形成导电层18和触控电极层，以减少工艺步骤，节约成本。
连接方式三：
上述阵列基板，如图9所示，图9为图4中CC＇处的另一个截面示意图，还可以包括：与第一晶体管的源极同层设置的连接导线19；
接触端子11通过连接导线19与接地线连接。
在具体实施时，可以将接地线设置于第一晶体管的源极所在的膜层，也可以将接地线设置于第一晶体管的源极所在膜层之上或之下的相邻膜层，以便于连接导线19与接地线连接。上述连接导线19可以位于第一晶体管的源极所在膜层，除静电保护电路的图形以外的任何位置，且连接导线19与静电保护电路不具有连接关系。
在实际应用中，本发明实施例提供的上述显示面板中，上述阵列基板，还可以包括：位于正对区域的像素电极层和公共电极层；
接触端子与像素电极层或公共电极层同层设置。
在制作过程中，由于接触端子与像素电极层或公共电极层同层设置，这样，可以采用同一构图工艺，制作位于正对区域的像素电极层与位于延伸区域的接触端子，或者采用同一工艺，制作位于正对区域的公共电极层与位于延伸区域的接触端子，这样可以减少工艺制作步骤，节约制作成本。在具体实施时，上述接触端子可以为任何导线材料，例如，金属材料或者石墨烯等材料，接触端子与像素电极或公共电极层同层设置时，也可以采用氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)材料，此处只是举例说明，并不对接触端子的材料进行限定。
在具体实施时，可以根据实际需要来设置接地线的位置，也可以根据实际显示面板的结构来选择接触端子与接电线的连接方式，例如，显示面板为具有触控电极层的触控显示面板，则可以选择连接方式一或连接方式二，或者，若显示面板不具有触控电极层，也可以选择连接方式三，此处只是举例说明，并不对接地线的位置，以及接触端子与接地线的连接方式进行限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板，该显示装置可以应用于任何具有显示功能的产品或部件，例如手机，如图10所示，该手机的显示面板可以采用本发明实施例提供的显示面板，此外，该显示装置还可以应用于平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等产品或器件中。由于该显示装置解决问题的原理与上述显示面板相似，因此该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的显示面板及显示装置，通过将静电保护电路设置于接触端子靠近衬底基板的一侧，且静电保护电路的图形与接触端子的图形在衬底基板上的正投影至少部分重叠，因而可以空出静电保护电路原来占据的空间，从而可以增大异形的设计空间以及二维码的设计空间，而且，既不会影响静电保护电路的效果，也不会影响接触端子的功能。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (11)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，以及与所述阵列基板相对设置的对向基板；其中，
所述阵列基板，包括：与所述对向基板在所述阵列基板上的正投影重合的正对区域，以及位于所述正对区域的一侧相对于所述对向基板向外延伸的延伸区域；
所述延伸区域，包括：衬底基板，以及位于所述衬底基板上的接地线、接触端子和静电保护电路；
所述接触端子通过导电胶与所述对向基板上的屏蔽层连接，所述接触端子与所述接地线连接；
所述静电保护电路位于所述接触端子靠近所述衬底基板的一侧，所述静电保护电路的图形与所述接触端子的图形在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；
所述阵列基板，还包括：位于所述接触端子与所述静电保护电路的膜层之间的导电层；
所述接触端子通过所述导电层与所述接地线连接，所述静电保护电路与所述导电层之间通过绝缘层隔开。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述对向基板靠近所述延伸区域一侧的至少一个顶角为倒角；
与所述对向基板的倒角对应的所述阵列基板的顶角为倒角。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板，还包括：与所述静电保护电路连接的信号线；
所述静电保护电路，包括：第一晶体管和第二晶体管；其中，
所述第一晶体管的栅极与所述信号线连接，所述第一晶体管的源极与所述第一晶体管的栅极连接；
所述第二晶体管的漏极与所述信号线连接，所述第二晶体管的源极与所述第二晶体管的栅极连接。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板，还包括位于所述延伸区域的高电平输入端和低电平输入端；
所述第一晶体管和所述第二晶体管为N型；
所述第一晶体管的漏极与所述高电平输入端连接，所述第二晶体管的源极与所述低电平输入端连接；或，
所述第一晶体管和所述第二晶体管为P型；
所述第一晶体管的漏极与所述低电平输入端连接，所述第二晶体管的源极与所述高电平输入端连接。
5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板，还包括：位于所述正对区域的薄膜晶体管；
所述薄膜晶体管，包括：源漏极层、有源层和栅极层；
所述薄膜晶体管的源漏极层与所述第一晶体管的源极和漏极，以及所述第二晶体管的源极和漏极同层设置；
所述薄膜晶体管的有源层与所述第一晶体管的有源层以及所述第二晶体管的有源层同层设置；
所述薄膜晶体管的栅极层与所述第一晶体管的栅极以及所述第二晶体管的栅极同层设置。
6.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述导电层在与所述信号线对应的区域为镂空设置；和/或，
所述导电层在与所述静电保护电路的图形对应的区域为镂空设置。
7.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板，还包括：与所述第一晶体管的源极同层设置的连接导线；
所述连接导线分别与所述导电层和所述接地线连接。
8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板，还包括：位于所述正对区域的触控电极层；
所述导电层与所述触控电极层同层设置。
9.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板，还包括：与所述第一晶体管的源极同层设置的连接导线；
所述接触端子通过所述连接导线与所述接地线连接。
10.如权利要求1～9任一项所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板，还包括：位于所述正对区域的像素电极层和公共电极层；
所述接触端子与所述像素电极层或所述公共电极层同层设置。
11.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1～10任一项所述的显示面板。
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