CN1908788A - 电光装置及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供具备能避免静电地良好地保护有源元件的结构，理想情况下还能实现制造工序的效率化及成品率提高的电光装置。本发明的电光装置，具备使多个像素(19)排列成矩阵状的显示区域(110)，和对应于前述各像素(19)所设置的开关元件，其特征在于，在TFT阵列基板(10)上具备：包围前述显示区域(110)的至少3边的第1屏蔽布线部(91)，和包围该第1屏蔽布线部(91)的第2屏蔽布线部(92)。
Description
技术领域
本发明，涉及电光装置及电子设备。
背景技术
在有源矩阵方式的液晶装置(电光装置)中，在各像素电极上连接开关元件，通过该开关元件来开关各像素电极。作为开关元件，例如，可使用薄膜晶体管(TFT)。薄膜晶体管的结构和工作，基本上与单晶硅的MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管相同。作为采用了非晶硅(a-Si)的薄膜晶体管的结构，虽然已知几种结构，但是一般使用栅电极处于非晶硅膜之下的底栅(bottom gate)结构(反向交错结构)。
在薄膜晶体管的制造中，重要的是减少制造工序数，并且，确保高的成品率。并且，对薄膜晶体管有效地进行保护以免发生因在有源矩阵基板的制造过程中发生的静电导致的击穿这一点，也是重要的。对薄膜晶体管进行保护以免静电击穿的技术，例如，记载于下述专利文献1。
【专利文献1】特许第2744138号公报
依照记载于上述专利文献1的技术，可认为能够对薄膜晶体管进行保护以免造成制造工序中的静电击穿。但是，静电不仅在电光装置的制造工序，在制造后的往电子设备的安装、搬运、包装等的工序中也发生，在电子设备的使用时也发生。从而，在确保电光装置的可靠性的方面，不仅在制造工序，在其使用时也需要避免静电地有效地进行保护。
发明内容
本发明，鉴于上述现有技术的问题点而作出，其目的为：提供具备能良好地避免静电地保护有源元件的结构，优选还能实现制造工序的有效化及提高成品率的电光装置。
本发明的电光装置，为了解决上述问题，具备：使多个像素排列成矩阵状的显示区域，和对应于前述各像素所设置的开关元件，其特征在于，在元件基板上，具备：包围前述显示区域的至少3边的第1屏蔽布线部；和包围该第1屏蔽布线部的第2屏蔽布线部。
依照该构成，因为通过上述第1屏蔽布线部和第2屏蔽布线部使前述显示区域的开关元件得到双重保护，所以能够提供具备优良的抗静电性的电光装置。
在本发明的电光装置中，优选：前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的至少一方，呈包围前述显示区域的矩形状而形成。如果如此地包围显示区域地进行配置，能够使抗静电性更好。
在本发明的电光装置中，能够构成为：前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部，与跨前述多个像素所形成的共用电极电连接。如果为如此的构成，能够构成能够使电涌放出到共用电极电源的电光装置。
在本发明的电光装置中，能够构成为：在前述元件基板上具备与跨前述多个像素所形成的共用电极电连接的共用电极布线，该共用电极布线，形成包围前述显示区域的至少3边的第3屏蔽布线部。如果为如此的构成，因为至少部分性地3重包围显示区域，所以能够得到更优的抗静电性。
在本发明的电光装置中，还能够构成为：前述开关元件，为具备：形成于前述元件基板上的栅电极，通过栅绝缘膜与该栅电极对向的半导体层，和与该半导体层电连接的源/漏电极的薄膜晶体管；前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的任何一方，与前述源/漏电极在相同层采用同一材料形成。如果为如此的构成，能够与显示区域的像素以同一工序同时形成屏蔽布线部，在制造效率及制造成品率之点有利。
在本发明的电光装置中，还能够构成为：前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的任何一方，与前述栅电极在相同层采用同一材料形成。在该情况下，也能够与显示区域的像素以同一工序同时形成屏蔽布线部，在制造效率及制造成品率之点有利。
在本发明的电光装置中，还能够构成为：具备通过前述源/漏电极与前述开关元件电连接的像素电极；前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的任何一方，与前述像素电极在相同层采用同一材料形成。在该情况下，也能够与显示区域的像素以同一工序同时形成屏蔽布线部，在制造效率及制造成品率之点有利。
在本发明的电光装置中，还能够构成为：具备通过前述源/漏电极与前述开关元件电连接的像素电极；通过与前述像素电极在相同层采用同一材料所形成的连接构件，使前述第1～第3屏蔽布线部的至少2个相互电连接。如果为如此的构成，则即使在不相同的布线层形成屏蔽布线部，也能够通过与像素电极相同层的布线构件容易地进行连接，能够容易地形成放出电涌的路径。
在本发明的电光装置中，优选构成为：在前述元件基板上，形成互相进行交叉而延伸的多条数据线和多条扫描线，对应于前述数据线和扫描线的交叉部设置前述像素；前述第1屏蔽布线部或第2屏蔽布线部、和前述扫描线或前述数据线，通过至少多于或等于1个静电保护电路而电连接。如果为如此的构成，能够通过静电保护电路对开关元件进行保护，能够进一步提高抗静电性。
在本发明的电光装置中，能够构成为：前述静电保护电路具有具备了与前述薄膜晶体管在相同层所形成的半导体层的MOS二极管。并且，还能够构成为：使将前述薄膜晶体管的栅电极和漏电极短路的第1MOS二极管和第2MOS二极管互相反向连接。如果为这些构成，则能够与像素以同一工序同时形成静电保护电路，能够为制造效率高的电光装置。
在本发明的电光装置中，优选为：前述第1MOS二极管的源电极和栅电极平面性地重叠而配置，并且前述第2MOS二极管的源电极和栅电极一部分平面性地重叠而配置的电容耦合工作型的MOS二极管。如果为如此的构成，能够从制造工序的早期阶段就使保护电路工作，能够更有效地防止制造工序中的开关元件的损坏，能够提高制造成品率。
在本发明的电光装置中，优选：前述电容耦合工作型的MOS二极管，与前述屏蔽布线部电连接，前述屏蔽布线部与前述数据线形成于相同层。通过为如此的构成，能够在形成数据线之后紧接着就使静电保护电路工作，能够更有效地防止制造工序的开关元件的损坏，能够提高制造成品率。
本发明的电子设备，其特征在于：具备先前记载的电光装置。依照该构成，能够通过屏蔽布线部避免静电地良好地保护开关元件等的电路，能够提供具备了高可靠性的显示部的电子设备。
附图说明
图1是表示第1实施方式的液晶装置的整体构成的图。
图2是表示相同液晶装置的概略电路构成的图。
图3是表示相同液晶装置的电路构成的详细的图。
图4是表示液晶装置的像素构成的图。
图5是表示沿图4的D-D’线的剖面结构的图。
图6是表示静电保护电路的一构成例的图。
图7是表示静电保护电路的其他的构成例的图。
图8是表示第2实施方式的液晶装置的概略电路构成的图。
图9是表示电子设备的一例的立体构成图。
符号说明
100液晶装置(电光装置)，10TFT阵列基板(元件基板)，20对向基板，50液晶，110显示区域，9像素电极，16数据线，18a扫描线，19像素，33半导体层，34源电极，35漏电极，60TFT(开关元件)，71～74静电保护电路，71a第1MOS二极管，71b第2MOS二极管，91、191第1屏蔽布线部，92、192第2屏蔽布线部，193第3屏蔽布线部
具体实施方式
第1实施方式
图1，是为本发明的电光装置的1个实施方式的液晶装置100的整体构成图，(a)为平面构成，(b)是沿(a)的H-H’线的剖面结构的图。
如在图1中所示地，液晶装置100，具备通过平面看大致矩形框状的密封材料52贴合了TFT阵列基板(元件基板)10、和对向基板20的构成，夹持于前述两基板10、20之间的液晶(电光物质)50，通过密封材料52封入到前述基板间。
在密封材料52的内侧的区域，矩形框状地形成由遮光性材料构成的遮光膜(周边分离构件)53。在密封材料52的外侧的周边电路区域，沿TFT阵列基板10的一条边配设数据线驱动电路101和安装端子102，在该一条边在数据线驱动电路101的两邻分别设置扫描线驱动电路104、104。
在TFT阵列基板10的内面侧(液晶50侧)，排列形成多个像素电极9，覆盖像素电极9形成省略图示的取向膜。在对向基板20的内面侧，形成平面整面状的共用电极21。覆盖共用电极21形成省略图示的取向膜。
图2，是表示TFT阵列基板10的电构成的概略电路图。图3，是图2的概略电路图之中，对图示左上部分更详细地表示的电路构成图。
在TFT阵列基板10的平面区域内，形成平面看大致矩形状的显示区域110，在显示区域110，设置平面看排列成矩阵状的多个像素19。在显示区域110内，形成从同一区域的外侧延伸的多条数据线16，和多条扫描线18a，在数据线16和扫描线18a的交叉部附近，这些数据线16及扫描线18a和前述像素19电连接。
在此，如在图3中所示地，在形成于显示区域110内的像素19，设置TFT60，和与TFT60的漏电连接的像素电极9。供给图像信号的数据线16，与TFT60的源电连接，扫描线18a与TFT60的栅电连接。
在上述构成下，各像素19，通过使为开关元件的TFT60由于通过扫描线18a所供给的扫描信号而仅导通一定期间，将从数据线16供给的图像信号以预定的定时写入到像素电极9。
通过像素电极9写入到液晶的预定电平的图像信号，在像素电极9和通过液晶50与之进行对向的共用电极21之间被保持一定期间。然后，对相应于该施加的电压电平而液晶的分子集合的取向、秩序发生变化的情况进行利用而对光进行调制，可以进行任意的灰度等级显示。
并且在各像素中，为了防止写入到液晶的图像信号发生泄漏，也可以与形成于像素电极9和共用电极21之间的液晶电容并联地附加存储电容。该情况下，成为在TFT阵列基板10上形成有与扫描线18a大致平行地延伸的电容线的构成。
返回到图2，与各像素19电连接的数据线16，延伸到显示区域110的外侧(图示下侧)而与数据线驱动电路101电连接。数据线16的另一端侧，分别与对应的静电保护电路72电连接。各静电保护电路72，通过连接布线83、82与2个静电保护电路71电连接。进而，各静电保护电路71，通过连接布线81与共用电极布线90电连接。
与各像素19电连接的扫描线18a，分别延伸到显示区域110的外侧(图示右侧)，与扫描线驱动电路104电连接。扫描线18a的另一端侧，延伸到显示区域110的外侧(图示左侧)分别与静电保护电路74电连接。各静电保护电路74，通过连接布线86、85与2个静电保护电路73电连接，2个静电保护电路73，分别通过连接布线84与共用电极布线90电连接。
设置由包围显示区域110地进行延伸的4根布线构件18c～18f构成的第1屏蔽布线部91。布线构件18c，在图示左右方向上延伸于沿数据线16的排列方向所排列的静电保护电路72、和显示区域110之间。布线构件18d在图示上下方向上延伸于沿扫描线18a的排列方向所排列的静电保护电路74、和连接布线85之间。布线构件18e，从布线构件18d的图示下端向图示右方向延伸，沿显示区域110的图示下侧的边端进行延伸。布线构件18f，沿图示上下方向延伸于从显示区域110延伸出而与扫描线驱动电路104连接的扫描线18a、和沿TFT阵列基板10的图示右边端部延伸的布线构件90a之间。
布线构件18c的图示左端和布线构件18d的图示上端电连接，并通过连接构件9b与连接布线84电连接；布线构件18c的图示右端和布线构件18f的图示上端电连接，并通过连接构件9a与共用电极布线90电连接。
从而，上述布线构件18c～18f，相互电连接，并通过连接构件9a、9b与共用电极布线90电连接。
共用电极布线90，形成从TFT阵列基板10的图示左边端部经由图示上边端部而到达图示右边端部的平面看大致钩形，以图示左边端部侧的一端与共用电极电源108电连接。并且，在图示右边端部的前端部，与宽度窄的布线构件90a电连接。从而，在电方面，共用电极布线90及布线构件90a，配置为包围显示区域110的3边，构成本发明的第2屏蔽布线部92。
在本实施方式中，上述布线构件18c～18f，是与扫描线18a在相同层采用同一材料所形成的布线构件。另一方面，连接布线81～86、共用电极布线90、布线构件90a，是与数据线16在相同层采用同一材料所形成的布线构件。电连接于静电保护电路74的一端的连接布线86，和电连接于另一端的扫描线18a，虽然是形成于各不相同的布线层的布线构件，但是在静电保护电路74中为层间的电导通。
其次，参照图3对静电保护电路71～74进行说明。图3，是表示图2的图示左上部分的详细构成的电路构成图。
如在图3中所示地，静电保护电路71，具备：使连接TFT的栅—漏的第1MOS二极管71a，和连接TFT的栅—漏的第2MOS二极管71b，互相反向连接的构成。第1MOS二极管71a的源(第2MOS二极管71b的漏)和连接布线81电连接，第1MOS二极管71a的漏(第2MOS二极管71b的源)和连接布线82电连接。其他的静电保护电路72～74也为概略同样的构成。
具备上述构成的静电保护电路71～74，在电流和电压特性方面在双方向上具有非线性。各二极管在施加低电压时变成高阻抗状态，而在施加高电压时变成低阻抗状态。并且因为各二极管实质上是晶体管，让电流流过的能力大，能够高速地吸收静电，所以可得到高的静电保护能力。
而且，在上述构成下，各静电保护电路71～74，在施加有正或负的过大的电涌时成为导通，发挥将该电涌高速地放出到共用电极布线90(LCCOM.)的作用，起到对显示区域110的TFT60进行保护的功能。
其次，参照图4及图5对液晶装置100的像素构成进行说明。图4，是表示液晶装置100的像素构成的平面构成图。图5，是在构成反射型液晶装置或透射型液晶装置的情况下的图4的D-D’线剖面图。
如在图4中所示地，在液晶装置100的显示区域，多条扫描线18a在图示左右方向上进行延伸，在与这些扫描线交叉的方向上多条数据线16进行延伸。在图4中，被相邻的扫描线18a和相邻的数据线16所包围的平面看矩形状的区域是像素区域(像素19)。
在各像素区域内，设置由ITO(铟锡氧化物)等的透光性的导电膜构成的平面看大致矩形状的像素电极9，在像素电极9和扫描线18a、数据线16之间，夹插有TFT60。TFT60，具备由非晶硅(a-Si)构成的半导体层33、设置于半导体层33的下层侧(基板侧)的栅电极18b、设置于半导体层33的上层侧的源电极34和漏电极35而构成。
栅电极18b，将扫描线18a的一部分分支到像素电极9侧而形成，在其前端部，与半导体层33通过省略图示的绝缘膜(栅绝缘膜)在纸面垂直方向上进行对向。源电极34，将数据线16的一部分分支到扫描线18a的延伸方向而形成，与半导体层33(源区域)电连接。漏电极35的一端(图示左端)侧，与前述半导体层33(漏区域)电连接，漏电极35的另一端(图示右端)侧与像素电极9电连接。
在上述构成下TFT60，作为开关元件而起作用，其利用通过扫描线18a所输入的栅信号而仅按预定期间为导通状态，由此将通过数据线16所供给的图像信号，以预定的定时对于液晶写入。
图5，是在液晶装置100是反射型液晶装置或透射型液晶装置的情况下的沿图4的D-D’线的TFT阵列基板10的剖面构成图。看一下在同图中所示的剖面结构，TFT阵列基板10，以形成于玻璃基板P的内面侧(图示上面侧)的TFT60，和像素电极9为主体所构成。
在玻璃基板P上，栅电极18b(扫描线18a)被形成图形，覆盖栅电极18b，形成由硅氧化物或硅氮化物等构成的栅绝缘膜43。在栅绝缘膜43上的与栅电极18b平面性地重叠的位置，形成半导体层33。
半导体层33，由非晶硅层33a，和叠层到该非晶硅层33a上的N+硅层33b构成。N+硅层33b，被分割为在非晶硅层33a上平面性地被分离开的2个部位，一方(图示左侧)的N+硅层33b，与从栅绝缘膜43上延伸而搭到该N+硅层33b上地形成的源电极34电连接，另一方(图示右侧)的N+硅层33b，与从栅绝缘膜43上延伸而搭到该N+硅层33b上地形成的漏电极35电连接。
覆盖源电极34及漏电极35地形成由硅氮化物等构成的钝化膜44。钝化膜44，在漏电极35上具有一部分开口，形成通过该开口与漏电极35电连接的像素电极9。
像素电极9，在透射型液晶装置的情况下，采用ITO(铟锡氧化物)等的透明导电材料而形成，而在反射型液晶装置的情况下，采用Al或Ag等的光反射性的金属材料而形成。并且在反射型液晶装置的情况下，用于使显示的可视性提高的光散射单元设置于像素电极9或该液晶侧。
还有，实际上，在像素电极9的表面，形成用于对液晶的初始取向状态进行控制的取向膜，在玻璃基板P的外面侧，形成用于对入射到液晶层的光的偏振状态进行控制的相位差板、偏振板。进而，在透射型液晶装置的情况下，在TFT阵列基板10的外侧(面板背面侧)设置用作照明单元的背光源。
对向基板20，如在图1中所示地，具备下述构成：在与玻璃基板P同样的基板的内面(与TFT阵列基板对向的面)侧，形成由平面整面状的透光性导电膜构成的共用电极21。并且，在前述共用电极21上形成与TFT阵列基板同样的取向膜，在基板外面侧，按照需要配设相位差板、偏振板。
并且，封入到TFT阵列基板10和对向基板20之间的液晶50，以液晶分子为主而构成。作为构成该液晶层的液晶分子，虽然可以采用向列液晶、近晶型液晶等的只要能进行取向的任一种液晶分子，但是在TN型液晶面板的情况下，优选：使向列液晶形成的液晶分子，例如，可列举：苯基环己烷衍生物液晶、联苯衍生物液晶、联苯基环己烷衍生物液晶、三联苯衍生物液晶、苯基醚衍生物液晶、苯酯衍生物液晶、二环己烷衍生物液晶、甲亚胺衍生物液晶、氧化偶氮衍生物液晶、嘧啶衍生物液晶、二氧杂环己烷衍生物液晶、立方烷衍生物液晶等。
其次，参照图6及图7对静电保护电路71的具体的构成例进行说明。
图6，是表示能够应用于静电保护电路71(72～74)的MOS(Metal OxideSemiconductor，金属氧化物半导体)二极管的结构的图。图7，是表示能够应用于静电保护电路71(72～74)的电容耦合工作型的MOS二极管的结构的图。
首先，对在图6中所示的静电保护电路71的一个构成例进行说明。图6(a)为静电保护电路71的平面构成图，图6(b)为沿(a)的A-A’线的剖面构成图。
在图6(a)中所示的静电保护电路71，为将：对TFT的栅和漏进行短路的第1MOS二极管71a和第2MOS二极管71b互相反向连接起来的构成。第1MOS二极管71a，具备：半导体层173a，设置于半导体层173a的背面侧(基板P侧)的栅电极177以及与半导体层173a电连接的源电极171a、漏电极172a。源电极171a为对源侧布线171进行分支所形成。源侧布线171和栅电极177，通过接触孔及中继电极178而电连接。并且，漏电极172a，通过接触孔及中继电极174与栅布线176电连接。
另一方面，第2MOS二极管71b，具备：栅布线176(栅电极)，在与该栅布线176平面性地重叠的位置所形成的半导体层173b，和与半导体层173b电连接的源电极171b及漏电极172b；漏电极172b和栅布线176，通过接触孔及中继电极175而电连接。源电极171b，为对源侧布线171进行分支所形成。
看一下在图6(b)中所示的剖面结构，在基板P上形成栅布线176，覆盖栅布线176地形成栅绝缘膜43。在与栅布线176平面性地重叠的位置的栅绝缘膜43上，形成半导体层173b(非晶硅层及N+硅层)，从该半导体层173b的两侧搭上地形成源电极171b及漏电极172b。覆盖源电极171b及漏电极172b而形成钝化膜44。漏电极172b上的钝化膜44被开口一部分，图示右侧的栅布线176上的栅绝缘膜43及钝化膜44被开口一部分，漏电极172b和栅布线176通过在这些开口中被埋设了一部分的中继电极175而电连接。
具备了上述构成的静电保护电路71，若在连接布线82侧发生电涌，就如先前进行说明地变成低阻抗状态而变得导通，而将上述电涌放出到共用电极布线，能够对显示区域110的开关元件进行保护。
并且对静电保护电路71，和先前的TFT60的构成进行一下比较，则栅布线176(及栅电极177)，与先前的TFT60的栅电极18b(扫描线18a)位于相同层；源电极171a、171b，漏电极172a、172b，与TFT60的源电极34(数据线16)及漏电极35位于相同层。而且，中继电极175(174、178)，和与TFT60连接的像素电极9位于相同层。
从而，本实施方式的静电保护电路71，在TFT阵列基板10的制造工序中，能够与构成显示区域110的像素19以同一工序同时形成。
其次，对在图7中所示的静电保护电路71的其他的构成例进行说明。图7(a)为静电保护电路71的平面构成图，图7(b)为沿(a)的B-B’线的剖面构成图。
在图7(a)中所示的静电保护电路71，具备下述构成：将对TFT的栅和漏进行短路的第1MOS二极管71a，和第2MOS二极管71b互相反向进行连接。第1MOS二极管71a，具备：半导体层183a，设置于半导体层183a的背面侧(基板P侧)的栅电极186，以及与半导体层183a电连接的源电极181a、漏电极182a。源电极181a延伸到图示左侧与共用电极电源108电连接。源电极181a和栅电极186，通过接触孔及中继电极185而电连接。并且，漏电极182a，延伸到第2MOS二极管71b侧而与第2MOS二极管71b的源电极181b电连接。并且，从源电极181a分支而延伸到第2MOS二极管71b侧的电极，构成第2MOS二极管71b的漏电极182b。
第1MOS二极管71a的源电极181a和栅电极186，平面性地重叠一部分而配置，在该重叠位置形成电容C1。
另一方面，第2MOS二极管71b，具备：半导体层183b，和与半导体层183b电连接的源电极181b及漏电极182b；源电极181b及栅电极187，通过接触孔及中继电极188而电连接。源电极181b，延伸到图示右侧与连接布线82电连接。
第2MOS二极管71b，源电极181b和栅电极188平面性地重叠一部分而配置，在该重叠位置形成电容C2。
看一下在图7(b)中所示的剖面结构，在基板P上形成栅电极187，覆盖栅电极187地形成栅绝缘膜43。在与栅电极187平面性地重叠的位置的栅绝缘膜43上形成半导体层183b(非晶硅层及N+硅层)，从该半导体层183b的两侧搭上地形成源电极181b及漏电极182b。覆盖源电极181b及漏电极182b而形成钝化膜44。漏电极182b上的钝化膜44被开口一部分，图示右侧的栅电极187上的栅绝缘膜43及钝化膜44被开口一部分，通过在这些开口中被埋设了一部分的中继电极188而使漏电极182b和栅电极187电连接。
并且对静电保护电路71，和先前的TFT60的构成进行一下比较，则栅电极187(及栅电极186)，与先前的TFT60的栅电极18b(扫描线18a)位于相同层；源电极181a、181b，漏电极182a、182b，与TFT60的源电极34(数据线16)及漏电极35位于相同层。而且，中继电极188(185)，和与TFT60连接的像素电极9位于相同层。
从而，本实施方式的静电保护电路71，在TFT阵列基板10的制造工序中，也能够与构成显示区域110的像素19以同一工序同时形成。
具备了上述构成的静电保护电路71，对电容耦合工作型的MOS二极管71a、71b互相反向进行连接，即使相比较于在图6中所示的静电保护电路71，也适合用作电光装置的静电保护电路。虽然通常，将TFT的栅和漏短路了的MOS二极管，若不连接栅和漏则不能作为保护电路工作，但是在图7中所示的静电保护电路71中，即使在未设置中继电极185、188的状态下，通过电容C1和栅绝缘膜43的电容比也能使第1MOS二极管71a工作，通过电容C2和栅绝缘膜43的电容比也能使第2MOS二极管71b工作。即，在以同一工序同时形成静电保护电路71和像素19的情况下，相对于在图6中所示的MOS二极管中如果不在形成像素电极9之后则作为保护电路就不工作的情况，在图7中所示的电容耦合工作型的MOS二极管，因为只要形成源/漏电极就进行工作，所以能够使静电保护电路在制造工序的更早阶段进行工作，变得能更有效地保护TFT60。
以上，如参照附图进行说明地，本实施方式的液晶装置100，因为具备在TFT阵列基板10上设置有包围显示区域110的第1屏蔽布线部91，和包围该第1屏蔽布线部91的第2屏蔽布线部92的构成，所以能够得到优良的抗静电性。并且上述屏蔽布线部91、92，因为可具备于作为产品的液晶装置中，所以不仅在制造工序中，在使用时也良好地避免静电地对电路进行保护，成为可靠性好的液晶装置。
并且，上述屏蔽布线部91、92，都可以在显示区域110的像素19的制造中同时形成，进而，在本实施方式的液晶装置中所具备的静电保护电路，都可以在像素19的制造工序中同时制造。从而，依照本实施方式，能够不增加制造工时而使液晶装置的可靠性提高。
第2实施方式
其次，参照图8对本发明的第2实施方式进行说明。图8，是表示本实施方式的液晶装置中的TFT阵列基板10的概略电路构成的图。还有，在图8中所示的除电路构成以外的构成，因为与先前的第1实施方式同样，所以关于共同的构成，对详细情况适当省略而进行说明。
如在图8中所示地，在本实施方式的液晶装置的TFT阵列基板10设置有：多个像素19被排列形成为平面看矩阵状的显示区域110，和沿显示区域110的图示下方的基板边端部排列的数据线驱动电路101、2个扫描线驱动电路104、2个共用电极电源108。从数据线驱动电路101延伸出的数据线16和各像素19电连接，分别从扫描线驱动电路104、104延伸出的扫描线18a和各像素19电连接。
从显示区域110向图示上方延伸出的各数据线16，分别与静电保护电路72电连接，静电保护电路72，通过2个静电保护电路71而在基板边端部与延伸于图示左右方向的布线构件192a电连接。从显示区域110向图示左右方向延伸出的各扫描线18a，分别与静电保护电路74电连接。配置于图示左侧的静电保护电路74，通过2个静电保护电路73而与布线构件192b电连接，配置于图示右侧的静电保护电路74，通过2个静电保护电路73而与布线构件192d电连接。
本实施方式的液晶装置，具备：由沿TFT阵列基板10的3个边端部进行延伸的平面看コ字形的布线构件构成的第1屏蔽布线部191；由包围显示区域110所配置的4条布线构件192a～192d构成的第2屏蔽布线部192；和由设置于第1屏蔽布线部191和第2屏蔽布线部192之间的平面看コ字形的共用电极布线构成的第3屏蔽布线部193。
构成第2屏蔽布线部192的布线构件192a～192d，在各端部互相电连接，通过配置于基板顶部的连接构件9c～9f而与第3屏蔽布线部193(共用电极布线)电连接。还有，布线构件192c，通过数据线驱动电路101的背面侧(基板P侧)地配置。虽然在数据线驱动电路101，布线构件192c与相同层的数据线16连接，但是能够以通过IC芯片安装区域的方式配置布线构件192c而不与数据线16发生干扰。
第1屏蔽布线部191，与扫描线18a在相同层采用同一材料而形成，第2屏蔽布线部192及第3屏蔽布线部193，都与数据线16在相同层采用同一材料而形成。从而在本实施方式中，屏蔽布线部191～193，能够与显示区域110的像素19以同一工序同时形成。
依照具备了以上的构成的本实施方式的液晶装置，因为使3个屏蔽布线部191～193，包围显示区域110地进行配置，所以即使相比较于先前的第1实施方式的液晶装置，也能够成为具有更加良好的抗静电性的液晶装置。从而，成为难以产生在制造工序中的损坏而可以高成品率地制造、可靠性好的液晶装置。
电子设备
图9，是表示本发明的电子设备的一例的立体图。在该图中所示的便携电话机1300，具备上述实施方式的液晶装置作为小尺寸的显示部1301，具备多个操作按钮1302、受话口1303、及送话口1304而构成。
上述各实施方式的电光装置，并不限于上述便携电话机，能够合适地用作电子书、个人计算机、数字静止相机、液晶电视机、取景器型或者监视器直视型的磁带录像机、汽车导航装置、呼机、电子笔记本、计算器、文字处理机、工作站、电视电话机、POS终端机、具备有触摸面板的设备等等的图像显示单元，在任意的电子设备中，都能够构成具有可靠性好的显示部，大大有助于电子设备的可靠性提高。
Claims (14)
1.一种电光装置，其具备：使多个像素排列成矩阵状的显示区域，和对应于前述各像素所设置的开关元件，其特征在于，在元件基板上具备：
第1屏蔽布线部，其包围前述显示区域的至少3边；和
第2屏蔽布线部，其包围该第1屏蔽布线部。
2.按照权利要求1所述的电光装置，其特征在于：
前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的至少一方，呈包围前述显示区域的矩形状而形成。
3.按照权利要求2所述的电光装置，其特征在于：
前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部，与跨前述多个像素所形成的共用电极电连接。
4.按照权利要求1～3中的任何一项所述的电光装置，其特征在于：
在前述元件基板上具备共用电极布线，该共用电极布线，与跨前述多个像素所形成的共用电极电连接，形成包围前述显示区域的至少3边的第3屏蔽布线部。
5.按照权利要求1～4中的任何一项所述的电光装置，其特征在于：
前述开关元件，是薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备：形成于前述元件基板上的栅电极，通过栅绝缘膜与该栅电极对向的半导体层，和与该半导体层电连接的源/漏电极；
前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的任何一方，与前述源/漏电极在相同层采用同一材料形成。
6.按照权利要求5所述的电光装置，其特征在于：
前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的任何一方，与前述栅电极在相同层采用同一材料形成。
7.按照权利要求5所述的电光装置，其特征在于：
具备像素电极，该像素电极通过前述源/漏电极与前述开关元件电连接；
前述第1屏蔽布线部及第2屏蔽布线部的任何一方，与前述像素电极在相同层采用同一材料形成。
8.按照权利要求1～7中的任何一项所述的电光装置，其特征在于：
具备像素电极，该像素电极通过前述源/漏电极与前述开关元件电连接；
通过与前述像素电极在相同层采用同一材料所形成的连接构件，将前述第1～第3屏蔽布线部的至少2个互相电连接。
9.按照权利要求1～8中的任何一项所述的电光装置，其特征在于：
在前述元件基板上，形成有互相进行交叉地延伸的多条数据线和多条扫描线，对应于前述数据线和前述扫描线的交叉部设置有前述像素；
前述第1屏蔽布线部或第2屏蔽布线部，和前述扫描线或前述数据线，通过至少多于或等于1个静电保护电路而电连接。
10.按照权利要求9所述的电光装置，其特征在于：
前述静电保护电路具有MOS二极管，该MOS二极管具备与前述薄膜晶体管在相同层所形成的半导体层。
11.按照权利要求10所述的电光装置，其特征在于：
前述静电保护电路，将把前述薄膜晶体管的栅电极和漏电极短路的第1MOS二极管和第2MOS二极管互相反向地连接。
12.按照权利要求11所述的电光装置，其特征在于：
为电容耦合工作型的MOS二极管，其中，前述第1MOS二极管的源电极和栅电极平面性地重叠而配置，并且前述第2MOS二极管的源电极和栅电极平面性地重叠一部分而配置。
13.按照权利要求12所述的电光装置，其特征在于：
前述电容耦合工作型的MOS二极管，与前述屏蔽布线部电连接，前述屏蔽布线部与前述数据线形成于相同层。
14.一种电子设备，其特征在于，具备：
权利要求1～13中的任何一项所述的电光装置。
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