具体实施方式
参看附图说明把本发明应用于本身为代表性的电光装置的液晶装置的例子。另外,在各个图中,为了把各层和各个构件作成为在图面上可以识别那种程度的大小,对每一层和每一个构件的比例尺不同。此外,使用本发明的液晶装置,由于基本构成与参看图18和图19所说明的构成是共同的,故对于那些具有共同的功能的部分赋予同一标号进行说明。另外,在以下的说明中,在把基板面上边彼此垂直的2个方向定为X方向和Y方向时,虽然把扫描线延伸的方向定为X方向,把数据线延伸的方向定为Y方向,但是,也可以与此相反,把扫描线延伸的方向定为Y方向,把数据线延伸的方向定为X方向地应用本发明。实施方案1液晶装置的整体构成
图1(A)、(B)分别是与在其上形成的各个构成要素一起,从对向基板一侧看本发明的实施方案1的液晶装置时的平面图,和包含对向基板的图1(A)的H-H’剖面图。
在图1(A)中,在液晶装置100(电光装置)的TFT阵列基板10内,使得沿着对向基板20的边缘那样地设置密封剂107(图1(A)的右下斜线区域),用该密封剂107,具有规定的间隔地把TFT阵列基板10和对向基板20粘贴起来。在TFT阵列基板10的外周侧,使得在基板边111这侧与密封剂107部分重叠那样地形成数据线驱动电路101,在基板边113、114一侧则形成扫描线驱动电路104。此外,在TFT阵列基板10中,在从对向基板20伸出来的伸出区域10c上形成多个端子102。在TFT阵列基板10中,在与基板边111对向的基板边112上,形成用来把设置在图象显示区域10a的两侧的扫描线驱动电路104连接起来的多条布线105。
在相当于对向基板20的4个角的区域上,形成在TFT阵列基板10和对向基板20之间实现电导通的基板间导通电极9g和基板间导通材料106。基板间导通电极9g的个数等可以适时变更。
另外,如果供往扫描线的扫描信号的延迟不成问题,当然扫描线驱动电路104也可以仅仅是单侧。反之,也可以沿着图象显示区域10a的边缘把数据线驱动电路101排列在两侧。
如图1(B)所示,TFT阵列基板10和对向基板20,中间存在着规定的间隙地用密封剂107粘贴起来,在它们的间隙内保持有液晶50。密封剂107是用来把TFT阵列基板10和对向基板20在它们的周边粘贴起来的光硬化树脂或热硬化性树脂等构成的粘接剂,配合有用来使两个基板间的距离变成为规定值的玻璃纤维或玻璃微珠等的间隙材料。
详细情况将在后边说明,在TFT阵列基板10上,矩阵状地形成有象素电极9a。相对于此,在对向基板20上,在密封剂107的内侧区域上,则形成有由遮光性材料构成的周边分型用的遮光膜108。此外,在对向基板20中,在与TFT阵列基板10上形成的象素电极9a的纵横的边界区域对向的区域上,形成被叫做黑色矩阵或黑色条带等的遮光膜23,在其上层一侧则形成由ITO膜构成的对向电极21。
对于象这样地构成的液晶装置100来说,例如,在投影式显示装置(液晶投影仪)中使用的情况下,可以把3块液晶装置100分别作为RGB用的光阀使用。在该情况下,由于结果变成为作为投影光向各个液晶装置100的每一个液晶装置分别入射通过RGB色分解用的分色镜分解后的各色的光,故在液晶装置100中未形成滤色片。但是,如后所述,在用做便携式计算机、移动电话机、液晶电视等这样的电子设备的色显示装置的情况下,图示虽然省略了,但是在对向基板20中,在与各个象素电极9a对向的区域上要与其保护膜一起形成滤色片。
液晶装置100的构成和动作
参看图2、图3和图4对TFT阵列基板10和液晶装置100的电构成和动作进行说明。
图2的框图模式性地示出了在液晶装置100中使用的驱动电路内置型的TFT阵列基板10的构成。图3是在TFT阵列基板10上形成的数据线驱动电路101的说明图。图4是在该液晶装置100中为了构成图象显示区域10a而矩阵状地形成的多个象素中的各种元件、布线等的等效电路图。另外,在图2中用实线示出来本方案的液晶装置100的外形(基板边113、114),用一点链状线示出来现有的液晶装置的外形。
如图2所示,在TFT阵列基板10中,在该基板上边彼此垂直的2个方向定为X方向和Y方向时,与在Y方向上延伸的多条数据线6a和在X方向上延伸的多条扫描线3a进行交叉的部分对应地以规定的节距矩阵状地构成多个象素100a,通过这些象素100a矩阵状地配置起来的区域,构成实际上进行显示的图象显示区域10a。
在TFT阵列基板10中,在基板边111上,构成输入恒定电压、调制图象信号、各种驱动信号等的由铝膜等的金属膜、金属硅化物膜或ITO膜等的导电膜构成的多个端子102,从这些端子102,分别引出用于驱动扫描线驱动电路101和数据线驱动电路104的由铝膜等的低电阻的金属膜等构成的多条布线109。
在图象显示区域10a的周边区域(框缘区域100b)中,在对图象显示区域10a在Y方向上相邻的区域上,形成移位寄存器电路101b、具备根据从移位寄存器电路101b输出的信号进行动作的模拟开关的采样保持电路101c、和具备与已展开为6相的各个图象信号对应的6条图象信号线101d等的数据线驱动电路101。
在数据线驱动电路101中,移位寄存器电路101b或采样保持电路101c等,对于数据线6a和连接到其上边的象素列具有1对1的关系。
即,如图3所示,在每一条数据线6a上都形成采样保持电路101c。此外,在移位寄存器电路101b中,对于一条数据线6a形成1个反相器、2个时钟反相器和电平移位器,在以下的说明中,把1个反相器、2个时钟反相器和电平移位器作为单位电路101e进行说明。
如图4所示,在液晶装置100的图象显示区域10a中,在每一个矩阵状地形成的多个象素100a上,都形成有象素电极9a和用来控制象素电极9a的象素开关用的TFT30,该TFT30的源极上电连有供给象素信号的数据线6a。要写入到数据线6a上的象素信号S1、S2、...、Sn,按照该顺序线顺序地供给。此外,要构成为使得扫描线3a电连到TFT30的栅极上,并以规定的定时,按照扫描信号G1、G2、…、Gm的顺序,线顺序地给扫描线3a脉冲式地加上扫描信号。象素电极9a已电连到TFT30的漏极上,采用使作为开关元件的TFT30仅仅在一定的期间内才变成为ON状态,以规定的定时,把从数据线6a供给的象素信号S1、S2、…、Sn写入到各个象素内。象这样地通过象素电极9a写入到液晶内的规定电平的象素信号S1、S2、…、Sn,在与参看图1(B)说明的对向基板20的对向电极21之间,可以保持恒定期间。
在这里,在TFT阵列基板10上,出于防止所保持的象素信号进行漏泄的目的,有时候要与在象素电极9a和对向电极21之间形成的液晶电容并联地附加上存储电容70(电容器)。借助于该存储电容70,象素电极9a的电压,例如,可以保持比加上源极电压的时间恰好为3个数量级之长的时间。借助于此,就可以改善电荷的保持特性,可以实现进行对比度高的显示的液晶装置100。另外,作为形成存储电容70的方法,在与作为用来形成电容的布线的电容线3b之间形成的情况,或在与前级的扫描线3a之间形成的情况中的不论哪一种情况都行。
TFT阵列基板的构成
图5是在TFT阵列基板中相邻的的象素的平面图。图6的说明图示出了在相当于图5的A-A’线的位置处剖开时的剖面,和在TFT阵列基板和对向基板之间已封入了液晶的状态的剖面。
在图5中,在TFT阵列基板10上边,矩阵状地形成多个由透明的ITO(氧化铟锡)膜构成的象素电极9a,象素开关用的TFT30分别连接到这些象素电极9a上。此外,沿着象素电极9a的纵横的边界形成数据线6a、扫描线3a和电容线3b,TFT30连接到数据线6a和扫描线3a上。即,数据线6a通过接触孔连接到TFT30的高浓度源极区1d上,扫描线3a,其突出部分构成TFT30的栅极电极。存储电容70则变成为以使用来形成象素开关用的TFT30的半导体膜1a的延长部分1f导电化的部分为下电极,以电容线3b为上电极重叠到该下电极上41的构造。
如图6所示,在TFT阵列基板10中,作为其基体可以使用透明基板10b,在该透明基板10b的表面上,形成由厚度300nm到500nm的硅氧化膜(绝缘膜)构成的基底保护膜11,在该基底保护膜11的表面上,形成厚度30nm到100nm的岛状的半导体膜1a。在半导体膜1a的表面上,形成厚度约50到150nm的由硅氧化膜构成的栅极绝缘膜2,在该栅极绝缘膜2的表面上形成厚度300nm到800nm的扫描线3a。在半导体膜1a中通过栅极绝缘膜2与扫描线3a对峙的区域变成为沟道区1a’。对于该沟道区1a’在一方侧形成具备低浓度源极区1b和高浓度源极区1d的源极区,在另一方侧形成具备低浓度漏极区1c和高浓度漏极区1e的漏极区。
在象素开关用的TFT30的表面一侧,形成厚度300nm到800nm的由硅氧化膜构成的层间绝缘膜4,在该层间绝缘膜4的表面上,形成厚度100nm到300nm的硅氮化膜构成的层间绝缘膜5。层间绝缘膜4的表面上,形成厚度300nm到800nm的数据线6a,该数据线6a通过在层间绝缘膜4上形成的接触孔电连到高浓度源极区1d上。在层间绝缘膜4的表面上形成与数据线6a同时形成的漏极电极6b,该漏极电极6b已通过在层间绝缘膜4上形成的接触孔电连到高浓度漏极区1e上。
在层间绝缘膜5的上层上,以规定的图形形成由透光性的感光性树脂构成的凹凸形成层13a。此外,在该凹凸形成层13a的表面上,形成由透光性的感光性树脂构成的上层绝缘膜7a。此外,在该上层绝缘膜7a的表面上,形成由铝膜等构成的光反射膜8a。因此,在光反射膜8a的表面上,通过反映凹凸形成层13a的凹凸地形成凹凸图形8g,该凹凸图形8g是没有边沿的平滑的形状。另外,在图4中,对凹凸形成层13a的平面形状来说虽然用六角形形状表示的,但是,对于其形状来说,也可以采用圆形或八角形等种种的形状。
此外,在光反射膜8a的上层上,形成象素电极9a。象素电极9,可直接在光反射膜8a的表面上叠层。另外,象素电极9a,通过在上层绝缘膜7a、凹凸形成层13a和层间绝缘膜5上形成的接触孔电连接到漏极电极6b上。
在这里,在光反射膜8a上,在与象素电极9a平面地重叠的一部分区域上形成矩形形状的光透过窗口8d,在相当于该光透过窗口8d的部分上,虽然存在ITO构成的象素电极9a,但是却不存在光反射膜8a。
在象素电极9a的表面上形成由聚酰亚胺膜构成的取向膜12。该取向膜12是已对聚酰亚胺膜施行了摩擦处理的膜。
另外,对于从高浓度漏极区1e延伸出来的延伸部分1f(下电极)来说,可以采用把电容线3b当作上电极,中间存在着与栅极绝缘膜2同时形成的绝缘膜(电介质膜)对向的办法,构成存储电容70。
如上所述,在本方案的电光装置100中,由于在透明的象素电极9a的下层一侧形成有光反射膜8a,故在TFT阵列基板10一侧反射从对向基板20一侧入射的光,并用从对向基板10一侧出射的光显示图象(反射模式)。此外,在从配置在TFT阵列基板10的背面一侧的背光源装置(未画出来)出射的光中,那些向未形成光反射膜8a的光透过窗口8d前进的光,由于通过光透过窗口8d在对向基板20一侧透过,故也可以用透射模式进行显示。
另外,TFT30理想的是如上所述具有LDD构造,但是也可以具有对相当于低浓度源极区1b和低浓度漏极区1c的区域上不进行杂质离子注入的偏移(offset)构造。此外,TFT30,也可以是把栅极电极(扫描线3a的一部分)为掩模,以高浓度注入杂质离子,自我匹配地形成高浓度的源极区和漏极区的自对准型的TFT。
此外,在本方案中,虽然作成为在源极区-漏极区间只配置1个TFT30的栅极电极(扫描线3a)的单栅极构造,但也可以在它们之间配置2个以上的栅极电极。这时,要作成为对每一个栅极电极都加上同一信号。如果采用象这样地用双栅极(两个栅极)或三栅极以上来构成TFT30,则可以防止在沟道与源-漏极区的接合部分处产生漏流,因而可以降低OFF时的电流。如果把这些栅极电极中的至少一个作成为LDD构造或偏移构造,则可以进一步减小OFF电流,可以得到稳定的开关元件。
对向基板20的构成
在对向基板20中,在与在TFT阵列基板10上形成的象素电极9a的纵横的边界区域对向的区域内,形成被称之为黑色矩阵,或者黑色条带等的遮光膜23,在其上层一侧形成由ITO膜构成的对向电极21。此外,在对向电极21的上层一侧,形成由聚酰亚胺构成的取向膜22,该取向膜22是已对聚酰亚胺膜施行了摩擦处理的膜。
驱动电路的构成
再次在图1(A)中,在本方案的液晶装置100中,在TFT阵列基板10的表面一侧中,利用图象显示区域10a的周边区域形成数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104等的周边电路。数据线驱动电路101和扫描线驱动电路104,基本上,用图7和图8所示的N沟型的TFT和P沟型的TFT构成。
图7的平面图示出了构成扫描线驱动电路104和数据线驱动电路101等的周边电路的TFT的构成。图8是在图7的B-B’线处剖开构成该周边电路的TFT时的剖面图。
在图7和图8中,构成周边电路的TFT,可作为由P沟型的TFT180和N沟型的TFT190构成的互补型TFT构成。构成这些驱动电路用的TFT180、190的半导体膜160(图7用虚线示出了其轮廓)在透明基板10b的基底保护膜11的表面上岛状地形成。
在TFT180、190上,用通过接触孔163、164,分别把高电位线171和低电位线172电连到半导体膜160的源极区上。此外,输入布线166,则连接到共同的栅极电极165上,输出布线167,通过接触孔168、169,分别电连到半导体膜160的漏极区上。
这样的周边区域由于也要经过与图象显示区域10a同样的工艺形成,故在周边电路区域上,也形成了层间绝缘膜4、5和栅极绝缘膜2。此外,驱动电路用的TFT180、190,也与象素开关用的TFT30同样,具有LDD构造,在沟道形成区域181、191的两侧,具备由高浓度源极区182、192和低浓度源极区183、193构成的源极区,和由高浓度漏极区184、194和低浓度漏极区185、195构成的漏极区。
基板间导通部分的构成
图9是在液晶装置100中进行基板间导通的部分的剖面图。
再次在图1(A)和图2中,在TFT阵列基板10上,在与对向基板20之间的重叠区域上,形成多个基板间导通电极9g,这些基板间导通电极9g,如图9所示,通过被挟在基板间的基板间导通材料106电连到对向基板20的对向电极21上。基板间导通材料106,是在环氧树脂类的粘接剂成分中配合有银粉或镀金纤维等的导电粒子的材料。因此,可以把已供往TFT阵列基板10的端子102的恒定电压(DCCOM)供往对向基板20的对向电极21。在这里,基板间导通电极9g,与象素电极9a同样,可用ITO膜构成。
驱动电路的布局和识别标记的构成
图10和图11分别是在液晶装置100上形成的识别标记的平面图和剖面图。
再次在图2中,在数据线驱动电路101中,移位寄存器电路101b或采样保持电路101c等,被形成为对于数据线6a和连接到其上的象素列具有1对1的关系,至于采样保持电路101c,则在Y方向上延伸的区域上边形成对应的数据线6a和连接到其上的的象素列的形成区域。为此,对采样保持电路101c来说,在X方向上的节距与象素列在X方向上的节距相等。
对此,构成移位寄存器101b的单位电路101e,虽然在X方向上排列多个,但是,在本方案中,在X方向上分开的2个单位电路形成区域101x、101y中的每一者上也形成多个单位电路101e。为此,单位电路101e,在使对应的象素列的形成位置从在Y方向上延长的区域上向X方向偏移的位置上形成。此外,在被单位电路形成区域101x、101y夹在中间的位置上,形成未配置单位电路101e的空闲区域10x。
在本方案中,对于被单位电路形成区域101x、101y夹在中间的空闲区域10x,形成2个图10所示的识别标记40,在数据线驱动电路101的两侧未形成识别标记。
识别标记40,例如,记录有用来在以后对TFT阵列基板10或液晶装置100的制造履历进行追踪调查的数据的VeriCode(2维码),矩阵状地排列用借助于光的反射率的强弱规定数据的单元41。在这里,1个点的量的单元41的尺寸是100微米见方,这样的单元41虽然可以形成10×10到144×144,但是,在本方案的TFT阵列基板10上形成的识别标记的单元尺寸却是14×14。
如图11所示,识别标记40,例如,可以在TFT阵列基板10的基底保护膜11的表面上用以规定的图形形状剩了下来的半导体膜1g形成。在这里半导体膜1g,是与构成TFT30的有源层的半导体膜1a等同时形成的硅膜,在其上层一侧上,形成栅极绝缘膜2、和层间绝缘膜4、5。
本方案的效果
如上所述,在本方案的液晶装置100中,归因于在使对应的象素列的形成位置从在Y方向上延长的区域上边向X方向偏移后的位置上形成与多个象素列中的每一者对应的多个单位电路101e,把在现有技术的情况下分散于数据线驱动电路101的两侧的空间,在已形成了数据线驱动电路101的区域的中央,作为空闲区域10x汇集起来,把识别标记40配置在该空闲区域10x内。因此,在本方案中,就可以使在现有技术的情况下在图象显示区域10a的周边区域中识别标记40所占的区域,包括在已形成了数据线驱动电路101的区域内。为此,就如在图2中用实线示出的本方案的液晶装置100的外形(基板边113、114),用1点链状线示出的现有的液晶装置的外形那样,可以使液晶装置100的周边区域(框缘区域100b)变窄。
实施方案2
图12的框图模式性地示出了在本方案的液晶装置100中使用的驱动电路内置式的TFT阵列基板10的构成。另外,本实施方案的液晶装置和后述的实施方案的液晶装置,基本构成都与实施方案1的液晶装置是共同的,所以,仅仅说明各个实施方案的特征部分,至于共同的部分,则示出其共同的标号而省略它们的说明。
在图12中,在本实施方案的TFT阵列基板10中,也与实施方案1同样,在数据线驱动电路101中,移位寄存器电路101b或采样保持电路101c等,被形成为对于数据线6a和连接到其上的象素列具有1对1的关系,至于采样保持电路101c,则在Y方向上延伸的区域上形成对应的数据线6a和连接到其上的的象素列的形成区域。为此,对采样保持电路101c来说,在X方向上的节距与象素列在X方向上的节距相等。
对此,构成移位寄存器电路101b的单位电路101e,虽然在X方向上排列有多个,但是,单位电路101e在X方向上的节距,却比象素列在X方向上的节距更窄。为此,单位电路101e,在使对应的象素列的形成位置从在Y方向上延长的区域上向X方向偏移后的位置上形成。此外,在已形成了数据线驱动电路101的区域的两侧,在2个地方形成未配置单位电路101e的空闲区域10y。
在本实施方案中,对这2个地方的空闲区域10y中的每一者,都分别形成参看图10和图11所说明的识别标记40。
如上所述,在本实施方案的液晶装置100中,把在现有技术的情况下在单位电路10e之间形成的空间,在数据线驱动电路101的两侧,作为空闲区域10x汇集起来,把识别标记40配置在该空闲区域10y内。因此,可使在现有技术的情况下在图象显示区域10a的周边区域中识别标记40所占的区域,在本方案中,包括在已形成了现有数据线驱动电路101的区域内。为此,就如在图12中用实线示出的本方案的液晶装置100的外形(基板边113、114),用1点链状线示出的现有的液晶装置的外形那样,可以使液晶装置100的周边区域(框缘区域100b)变窄。
实施方案3
图13的框图模式性地示出了在本实施方案的液晶装置100中使用的驱动电路内置式的TFT阵列基板10的构成。
在图13中,在本实施方案中也与实施方案1、2同样,在数据线驱动电路101中,移位寄存器电路101b或采样保持电路101c等,被形成为对于数据线6a和连接到其上的象素列具有1对1的关系,至于采样保持电路101c,则在Y方向上延伸的区域上边形成对应的数据线6a和连接到其上的象素列的形成区域。为此,对采样保持电路101c来说,在X方向上的节距与象素列在X方向上的节距相等。
对此,构成移位寄存器101b的单位电路101e,虽然在X方向上排列有多个,但是,在本实施方案中,与实施方案1同样,在本方案中,在X方向上分开的2个单位电路形成区域101x、101y中的每一者上也形成多个单位电路101e。此外,单位电路101e在X方向上的节距,与实施方案2同样,也比象素列在X方向上的节距更窄。为此,单位电路101e,在使对应的象素列的形成位置从在Y方向上延长的区域上边向X方向偏移的位置上形成。此外,在被单位电路形成区域101x、101y夹在中间的位置上,形成未配置单位电路101e的空闲区域10x。
在本实施方案中,单位电路10e在X方向上的节距,比象素列在X方向上的节距更窄。为此,单位电路10e,在使对应的象素列的形成位置从在Y方向上延长的区域上边向X方向偏移后的位置上形成。此外,在已形成了数据线驱动电路101的区域的两侧,在2个地方形成未配置单位电路10e的空闲区域10y。
在本实施方案中,对被单位电路形成区域101x、101y夹在其间的空闲区域10x,形成2个参看图10和图11所说明的识别标记40,在数据线驱动电路101的两侧则不形成识别标记。
如上所述,在本实施方案中,把在现有技术的情况下分散在数据线驱动电路101的两侧的空间,在已形成了数据线驱动电路101的区域的中央,作为空闲区域10x汇集起来,而且,把在现有技术的情况下在单位电路101e之间形成的空间作为空闲区域10x汇集起来,把识别标记40配置在该空闲区域10x内。因此,可将在现有技术的情况下在数据线驱动电路101两侧识别标记40所占的区域,在本实施方案中,包括在已形成了现有的数据线驱动电路101的区域内。为此,就如在图12中用实线示出的本方案的液晶装置100的外形(基板边113、114),用1点链状线示出的现有的液晶装置的外形那样,可以使液晶装置100的周边区域(框缘区域100b)变窄。
其它的实施方案
在实施方案1、2、3中,虽然是对数据线驱动电路101的布局进行改良形成空闲区域10x、10y,把识别标记40配置在其中的构成,但是,如图14和图15所示,对空闲区域10x、10y,除去识别标记40之外,还可以配置基板间导通电极9g。在这里,图14所示的例子,是对空闲区域10x、10y,配置识别标记40和基板间导通电极9g的例子。而图15所示的例子,是对在实施方案3的TFT阵列基板10上形成的空闲区域10x,配置识别标记40和基板间导通电极9g的例子,在这里所示的例子中,用1个基板间导通电极9g进行基板间导通。
此外,并不限于上述的实施方案,对于空闲区域10x、10y,也可以仅仅配置基板间导通电极9g。
再有,在上述的实施方案中,虽然是形成2个识别标记40的构成,但是对于识别标记40来说,也可以仅仅形成1个。
此外,在上述实施方案中,在数据线驱动电路101中,虽然对单位电路101e的布局进行了改良,但是,在扫描线驱动电路104中,作为单位电路也构成有对扫描线3a为1对1对应的移位寄存器电路。因此,在扫描线驱动电路104中,也可以采用使单位电路从扫描线3a的延长线上偏移开来的办法,形成用来配置识别标记40或基板间导通电极9g的空闲区域。在上述方案中,虽然举出的是内置驱动电路的例子,但是理所当然地也可以在其它的检查电路配置中使用。
另外,在上述方案中,虽然说明的是把本发明应用在有源矩阵型的液晶装置中使用的TFT阵列基板的例子,但是,也可在使用液晶以外的电光物质的电光装置中应用。例如,在有机电致发光显示装置中使用的TFT阵列基板等中也可以应用本发明。
液晶装置在电子设备中的应用
象这样地构成的半透射反射式的液晶装置100,可以用做各种电子设备的显示部分,参看图16和图17(A)、(B)对其一个例子进行说明。
图16的框图示出了把本发明的液晶装置用做显示装置的电子设备的电路构成。
在图16中,电子设备具有显示信息输出源1000,显示信息处理电路1002,电源电路1010,时钟产生电路1008,和液晶装置74。此外,液晶装置74具有液晶显示面板100和驱动电路1004。作为液晶装置74,可以使用上边所说的液晶装置100。
显示信息输出源1000具备ROM(唯读存储器)、RAM(读写存储器)等的存储器,各种盘等的存储单元、同步输出数字图象的同步电路等,根据时钟发生电路1008产生的各种时钟信号,向显示信息处理电路1002供给规定格式的图象信号等的显示信息。
显示信息处理电路1002,具备串-并变换电路。放大、倒相电路、旋转电路、灰度系数修正电路、箝位电路等众所周知的各种电路,执行所输入的显示信息的处理后,与时钟信号CLK一起把该图象信号供往驱动电路76。电源电路72向各个构成要素供给规定的电压。
图17(A)示出了作为本发明的电子设备的一个实施方案的便携式个人计算机。这里所示的个人计算机80,具有具备键盘81的主体部分82和液晶显示单元83。液晶显示单元83的构成为含有上边所说的液晶装置100。
图17(B)示出了作为本发明的电子设备的另一个例子的移动电话机。这里所示的移动电话机90具有由多个操作按键91和上边所说的液晶装置100构成的显示部分。
如上所述,在本发明中,采用在使对应的象素列的形成位置从在Y方向上延长的区域上边向X方向偏移的位置上形成与多个象素列中的每一者对应的多个单位电路,作为未形成单位电路的空闲区域将各个点状存在的空间汇集起来,在该空闲区域内配置识别标记或基板间导通电极等。因此,由于可以把在现有技术的情况下在图象显示区域的周边区域中识别标记或基板间导通电极等所占的区域配置在构成周边电路的区域内,故可以使周边区域变窄。作为其结果,可以得到使显示体小型化、增大单位基板的可获得个数、降低造价等的效果。