CN1808251A - 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板及液晶显示器 - Google Patents
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Abstract
一种薄膜晶体管阵列面板包括:基板,包括显示区和位于显示区外面的周边区;屏蔽构件,形成在周边区内;栅极线,形成在显示区和周边区内;第一绝缘层,形成在屏蔽构件和栅极线上;半导体层,形成在第一绝缘层上;数据线,形成在半导体层上;漏极,与数据线分离。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器和一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板。
背景技术
通常,液晶显示器(LCD)包括液晶(LC)面板组件,LC面板组件包括两个面板和LC层,这两个面板设置有像素电极和公共电极,LC层置于这两个面板之间并具有介电各向异性。像素电极以矩阵排列并连接至诸如薄膜晶体管(TFT)的开关元件,该开关元件顺序地将数据电压施加至矩阵的各行。公共电极覆盖上面板的整个表面并被提供有公共电压Vcom。像素电极、公共电极和LC层可具有作为LC电容器的电学特性,而且连接至开关元件的LC电容器形成像素的基本单元。
LCD通过将电场施加到位于两个面板之间的液晶层,并调节电场的强度以调整穿过液晶层的光的透射率,来显示图像。
由LCD上的灯或自然光来提供用于LCD的光。当使用灯时,通常通过调节灯的打开和关闭的持续期间的比例或调节灯内流动的电流来调整屏幕的亮度。
用于LCD的灯通常包括由逆变器驱动的荧光灯,例如冷阴极荧光灯(CCFL)或外部电极荧光灯(EEFL)。逆变器将DC电压转换成AC电压,并将AC电压施加到将要打开的灯上。逆变器以特定的频率,例如以每帧3至4次的频率,将AC电压施加到灯上来控制灯即背光灯的打开和关闭。逆变器还根据亮度控制信号调整灯的亮度来控制LCD的亮度。此外,逆变器反馈基于灯的电流控制施加到灯的电压。
反复地将背光灯打开或关闭影响连接至位于背光上的栅极焊盘或数据焊盘的栅极驱动集成电路(IC)或数据驱动IC,而导致不期望的“瀑布”效应,这就引起了显示器方面的问题。这种效应由所显示的图像中带状的规则流动而组成。为了防止这种瀑布效应,可在背光灯和面板之间设置支架构件,或者可提供绝缘带和屏蔽构件。然而,加入支架或绝缘带增加了工艺步骤并提高了制造成本。
发明内容
本发明旨在解决这些传统的问题。
本发明提供了一种液晶显示器,包括设有显示区和周边区的薄膜晶体管阵列面板,其中薄膜晶体管阵列面板包括:基板;导线,形成在显示区和周边区上;屏蔽构件,与导线绝缘并与周边区内的导线形成在同一层上;绝缘层,形成在导线和屏蔽构件上并具有暴露周边区内的部分导线的接触孔;接触焊盘,形成在绝缘层上,以与屏蔽构件叠置并通过绝缘层的接触孔电连接至周边区内的导线。
液晶显示器包括:驱动芯片或驱动电路,设置在屏蔽构件上的接触焊盘上,该屏蔽构件与接触焊盘电连接;光源,设置在薄膜晶体管阵列面板的背面以对其提供光,其中,光源与屏蔽构件的至少一部分叠置。
导线可以是传输栅极信号的栅极线或传输数据电压的数据线。接触焊盘可包括用于容纳驱动芯片或驱动电路的凹陷处,这些凹陷处可以是透明电极。
本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板,其包括:基板,包括显示区和位于显示区外面的周边区;屏蔽构件,形成在周边区内;栅极线,形成在显示区和周边区内;第一绝缘层,形成在屏蔽构件和栅极线上;半导体层,形成在第一绝缘层上;数据线,形成在半导体层上;漏极,与数据线分离。
薄膜晶体管阵列面板还可包括:第二绝缘层,形成在数据线和漏极上;像素电极,形成在第二绝缘层上并连接至漏极。第二绝缘层可具有用来与外部装置接触的辅助孔,第一绝缘层和第二绝缘层具有暴露栅极线的接触孔。
薄膜晶体管阵列面板还可包括连接部分,所述连接部分形成在辅助孔及其周边上,并通过接触孔连接至栅极线。
屏蔽构件可连接至地电压或其它电压以提供屏蔽效果。
本发明提供了一种液晶显示器,其包括:薄膜晶体管阵列面板,包括设有多个像素和显示信号线的显示区及位于显示区外面的周边区;光源单元,位于周边区下。显示信号线包括第一信号线和第二信号线,屏蔽构件在周边区内与第一信号线形成在同一层内。
薄膜晶体管阵列面板可包括:半导体层,形成在第一绝缘层上;第二信号线,形成在半导体层上;输出电极,与第二信号线分离;第二绝缘层,形成在第二信号线和输出电极上;像素电极,形成在第二绝缘层上并连接至输出电极。第二绝缘层可具有用来与外部装置接触的辅助孔,第一绝缘层和第二绝缘层具有暴露第一信号线的接触孔。
液晶显示器还可包括连接部分,所述连接部分形成在辅助孔及其周边上,并通过接触孔连接至第一信号线。
第一信号线可以是传输栅极信号的栅极线,第二信号线可以是传输数据信号的数据线。屏蔽构件可以连接至地电压,光源单元可包括冷阴极荧光灯。
液晶显示器还可包括分别将栅极信号和数据电压施加到第一信号线和第二信号线的多个栅极驱动集成电路和数据驱动集成电路,其中,栅极驱动集成电路和数据驱动集成电路安装在屏蔽构件上。栅极驱动集成电路和数据驱动集成电路可以在周边区内以COG(玻璃上芯片)类型安装。
附图说明
通过参照附图来详细地描述本发明的优选实施例,本发明将会变得更加清楚,附图中:
图1是根据本发明的示例性实施例的LCD的方框图;
图2示出了根据本发明的示例性实施例的LCD的像素的结构和等效电路图;
图3是根据本发明的示例性实施例的LCD的示意图;
图4是用于根据本发明实施例的LCD的薄膜晶体管阵列面板的布局图;
图5是沿5-5′线截取的图4所示的薄膜晶体管阵列面板的剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图来详细描述本发明,附图中示出了本发明的优选实施例。然而,本发明可以许多不同的形式实施,并且不应限于这里所提到的实施例来构建。
在图中,为了清晰起见,夸大了层和区域的厚度。相同的标号始终表示相同的元件。应该明白,当诸如层、膜、区域、基板或面板的元件表示为在另一元件“上”时,该元件可直接在其它元件上,也可存在中间元件。与之相反,当元件表示为“直接”在另一元件“上”时,并不存在中间元件。
参照图来描述根据本发明实施例的LCD。
图1是根据本发明实施例的LCD的方框图。图2示出了根据本发明实施例的LCD的像素的结构和等效电路图。图3是根据本发明实施例的LCD的示意图。
参照图1,根据本发明实施例的LCD包括:LC面板组件300;栅极驱动器400和数据驱动器500,连接至LC面板组件300;灰度电压发生器800,连接至数据驱动器500;背光单元900,为LC面板组件300提供光;信号控制器600,控制上述元件。
在图2所示的结构图中,LC面板组件300包括下面板100、上面板200和液晶(LC)层3,液晶层3置于下面板100和上面板200之间,如图1和图2中所示,多条显示信号线G1-Gn和D1-Dm与多个像素连接至液晶面板组件300上且基本上以矩阵方式排列。
显示信号线G1-Gn和D1-Dm设置在下面板100上,并包括传输栅极信号(称为扫描信号)的多条栅极线G1-Gn和传输数据信号的多条数据线D1-Dm。数据线G1-Gn基本在行方向上延伸,并且它们基本上彼此平行,而数据线D1-Dm基本在列方向上延伸,并且它们基本上彼此平行。
每个像素包括:开关元件Q,其可以是薄膜晶体管(TFT),连接至显示信号线G1-Gn和D1-Dm;液晶电容器CLC和存储电容器CST,连接至开关元件Q。如果没有必要,则可以省略存储电容器CST。
开关元件Q设置在下面板100上。TFT型开关元件可具有三个端子:控制端,连接至栅极线G1-Gn之一;输入端,连接至数据线D1-Dm之一;输出端,连接至LC电容器CLC和存储电容器CST。
LC电容器CLC包括:像素电极190,设置在下面板100上;公共电极270,设置在上面板200上;LC层3,作为电极190和270之间的电介质。像素电极190连接至开关元件Q。公共电极270覆盖上面板100的整个表面,并被提供有公共电压Vcom。作为选择,在所谓的“板内切换”方案中,呈条状或带状的像素电极190和公共电极270均可位于下面板100上。
存储电容器CST是用于LC电容器CLC的辅助电容器。存储电容器CST包括像素电极190和单独的信号线(未示出),并被提供有预定的电压,例如公共电压Vcom,该单独的信号线位于下面板100上并通过绝缘体与像素电极190叠置。作为选择,存储电容器CST包括像素电极190和称为先前栅极线的相邻的栅极线,该相邻的栅极线通过绝缘体与像素电极190叠置。
对于彩色显示,每个像素唯一地代表三原色中的一个,例如红色、绿色和蓝色(空间的划分),或在时间上顺序地代表三原色(时间的划分),从而获得期望的颜色。图2示出了空间的划分的例子,其中,每个像素包括在面对像素电极190的上面板200的区域内代表三原色之一的滤色器230。作为选择,滤色器230位于下面板100上的像素电极190之上或之下。
背光单元900包括逆变器(未示出)和光源单元910。包括至少一个灯的光源单元910位于LC组件300的背面。CCFL或EFFL用作灯,或者可使用发光二极管(LED)。
用于使来自光源单元的光偏振的一对偏光器(未示出)附于LC面板组件300的下面板100和上面板200的外表面上。
再参照图1,灰度电压发生器800产生与像素的透过率相关的一组或两组灰度电压。当产生两组灰度电压时,一组中的灰度电压相对于公共电压Vcom具有正极性,而另一组中的灰度电压相对于公共电压Vcom具有负极性。
栅极驱动器400连接至LC面板组件300的栅极线G1-Gn,并合成来自外部装置的栅极导通电压Von和栅极截止电压Voff以产生用于施加至栅极线G1-Gn的栅极信号。
数据驱动器500连接至LC面板组件300的数据线D1-Dm,并对数据线D1-Dm施加数据电压,该数据电压选自由灰度电压发生器800提供的灰度电压。
附于LC面板组件300的驱动器400和500可包括作为载带封装(TCP)类型的至少一个集成电路(IC)芯片,该集成电路芯片安装在LC面板组件300上或在柔性印刷电路膜(FPC)上。作为选择,驱动器400和500可与显示信号线G1-Gn和D1-Dm以及TFT开关元件Q一起被集成到LC面板组件300上。
信号控制器600控制栅极驱动器400和数据驱动器500。
现在,将参照图1来详细描述显示装置的操作。
信号控制器600被提供有图像信号R、G和B和输入控制信号,该输入控制信号用于控制来自外部图形控制器(未示出)的图像信号R、G和B的显示。输入控制信号包括,例如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟MCLK和数据使能信号DE。信号控制器600响应输入控制信号产生栅极控制信号CONT1和数据控制信号CONT2并将图像信号R、G和B处理成适于IC面板组件300的操作之后,信号控制器600对栅极驱动器400提供栅极控制信号CONT1,对数据驱动器500提供处理过的图像信号DAT和数据控制信号CONT2。
栅极控制信号CONT1包括:垂直同步起始信号STV,用来通知栅极驱动器帧的起始;栅极时钟信号CPV,用来控制栅极导通电压Von的输出时间;输出使能信号OE,用来限定栅极导通电压Von的宽度。
栅极控制信号CONT2包括:水平同步起始信号STH,用来通知数据驱动器500水平期的起始;负载信号LOAD或TP,用来指示数据驱动器500将适当的数据电压施加到数据线D1-Dm;数据时钟信号HCLK。数据控制信号CONT2还可包括反转控制信号RVS,用来使数据电压的极性反转(相对于公共电压Vcom)。
数据驱动器500从信号控制器600接收用于像素行的处理过的图像信号DAT,并响应来自信号控制器600的数据控制信号CONT2将该处理过的图像信号DAT转换成选自由灰度电压发生器800提供的灰度电压的模拟数据电压。
栅极驱动器400响应来自信号控制器600的栅极控制信号CONT1将栅极导通电压Von施加到栅极线G1-Gn,从而导通连接至栅极线G1-Gn的开关元件Q。
在开关元件Q的导通时间(称为“一个水平期”或“1H”,并等于水平同步信号Hsync、数据使能信号DE和栅极时钟信号CPV的一个周期)内,数据驱动器500将数据电压施加到对应的数据线D1-Dm。通过导通的开关元件Q依次将数据电压提供给对应的像素。
施加到像素的数据电压和公共电压Vcom之间的差表述为LC电容器CLC的充电电压,即像素电压。液晶分子的取向取决于像素电压的大小,而且这些取向确定穿过LC电容器CLC的光的偏振。偏振器将光的偏振转换为光的透射。
通过重复上述过程,在一帧期间,对所有的栅极线G1-Gn顺序地提供栅极导通电压Von,从而将数据电压施加到所有像素。当完成一帧后下一帧起始时,控制施加到数据驱动器500的反转控制信号RVS,使得数据电压的极性反转(帧反转)。可控制反转控制信号RVS使得一帧内流经数据线的数据电压的极性反转(例如,行反转、点反转),或使得一组内的数据电压的极性反转(例如,列反转、点反转)。
现在将参照图3、图4和图5来详细描述根据本发明示例性实施例的用于LCD的薄膜晶体管阵列面板。图3详细地示出了图1的LC面板组件300。图4是根据本发明实施例的用于LCD的薄膜晶体管阵列面板的布局图,图5是沿5-5′线截取的图4中示出的薄膜晶体管阵列面板的剖面图。
参照图3,LC面板组件300包括显示区DA和周边区PA,显示区DA设有像素、显示信号线G1-Gn和D1-Dm的大部分。周边区PA包含多个层:一个层,包括光源单元910的灯911和912;中间层,被屏蔽SP占据;另一层,包括驱动电路440和540。这样,屏蔽SP设置在驱动电路和灯之间,以提供两个组件之间的屏蔽效果。下面参照图4和图5进一步描述细节。
在图4中,多条栅极线121基本在横向方向上延伸,并形成在显示区DA和部分周边区PA内。每条栅极线121包括从栅极线竖直地突出的多个扩张部分127。从图5的剖面图中所知,栅极线121和屏蔽构件123都形成在绝缘基板110上。包括屏蔽SP的屏蔽构件123通过绝缘基板110和绝缘层140与栅极线121绝缘,绝缘层140优选地由硅氮化物(SiNx)制成。屏蔽构件123电连接至诸如地电压的电压,例如,电压由设置在图3的LC面板组件300外部的数据柔性印刷电路膜(FPC)或栅极FPC(图4中没有示出连接至其上的连接部分和FPC)提供。
来自图3中的驱动电路440和540的信号线电连接至图4中的接触焊盘81,接触焊盘81与屏蔽构件123叠置但没有与之接触。屏蔽构件123通过绝缘层140与接触焊盘81分离。接触焊盘81随后通过接触孔183电连接至栅极线121,接触孔183穿过钝化层180并暴露下伏栅极线121。指出的是,无需对图4中示出的情况进行限制,接触焊盘81也可以以上述方式连接至数据线和其它信号线。
屏蔽构件123优选地以预定的图案连接至地电压。例如,暴露屏蔽构件123的接触孔和接触辅助件形成在钝化层180上,使得屏蔽构件123连接至设置在LC面板组件300外部的数据柔性印刷电路膜(FPC)(未示出连接部分)或栅极FPC(未示出连接部分)。从而,屏蔽构件123通过信号线连接至位于FPC上的其它一些恒定电压或地电压,从而获得坚固的屏蔽效果。
正如所提到的,屏蔽构件123设置在图3中的驱动IC 440和540所处的上区与灯911和912所处的下区之间,以防止灯911和912的打开频率影响信号驱动器线。这样避免了显示器上出现规则的带状流动的“瀑布”效应。此外,在薄膜晶体管阵列面板的制造工艺中,仅通过对掩模进行简单的修改就可形成屏蔽构件123,从而相对于提供支架构件或绝缘带,降低了制造成本。指出的是,也可在不存在灯911和92的区域上形成屏蔽构件123。
栅极线121和屏蔽构件123包括优选地由低电阻率金属制成的导电层,这些低电阻率金属包括诸如Al和Al合金的含Al金属、诸如Ag和Ag合金的含Ag金属或诸如Cu和Cu合金的含Cu金属。然而,栅极线121可具有包括不同物理特性的的两层膜即下膜和上模的多层结构。上模优选地由低电阻率金属制成用于减少栅极线121中的信号延迟或降低压降,这些低电阻率金属包括诸如Al和Al合金的含Al金属、诸如Ag和Ag合金的含Ag金属或诸如Cu和Cu合金的含Cu金属。另一方面,下膜优选地由具有良好的物理特性、化学特性和与诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的其它材料的电接触特性的材料制成,例如Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti。下模材料和上模材料良好结合的示例是Cr和Al-Nd合金。
此外,栅极线121和屏蔽构件123的侧面相对于基板110的表面倾斜,而且其倾斜角在大约30度至80度的范围内。
优选地由硅氮化物(SiNx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121上。
下面详细描述图5中所示的显示面板的其它层。优选地由氢化非晶硅(缩写为α-Si)制成的多个半导体带151形成在栅极绝缘层140上。各半导体带151基本在纵向方向上延伸,并具有向栅极124形成分支的多个突起154。各半导体带151的宽度在栅极线121附近的变大,使得半导体带151覆盖栅极线121的大部分区域。
优选地由硅化物或n型杂质重掺杂的n+氢化α-Si制成的多个欧姆接触带161和欧姆接触岛165形成在半导体带151上。各欧姆接触带161具有多个突起163,突起163和欧姆接触岛165成对地位于半导体带151的突起154上。
半导体带151、欧姆接触161和165的侧面成锥形,其倾斜角优选地在大约30度至80度的范围内。
多条数据线171、多个漏极175和多个存储电容器导体177形成在欧姆接触161和165及栅极绝缘层140上。
用来传输数据电压的数据线171基本在纵向方向上延伸并与栅极线121交叉。向漏极175突出的各数据线171的多个分支形成多个源极173。每对源极173和漏极175彼此分离并关于栅极124彼此相对。栅极124、源极173和漏极175与半导体带151的突起154一起形成TFT,该TFT具有在位于源极173和漏极175之间的突起154内形成的通道。
存储电容器导体177与栅极线121的扩张部分127叠置,每条数据线171的端部179具有较大的区域,用于与其它层或与外部装置接触。
数据线171还包括优选地由Cr制成的导电层,该导电层具有良好的物理特性、化学特性和与诸如ITO或IZO的其它材料的电接触特性。然而,数据线171可具有包括低电阻率膜(未示出)和良好接触膜(未示出)的多层结构。多层结构的例子包括具有下Cr膜和上Al(合金)膜的双层结构、具有下Mo(合金)膜和上Al(合金)膜的双层结构、具有下Mo膜、中间Al膜和上Mo膜的三层结构。
数据线171也可具有倾斜的侧面,其倾斜角的范围为大约30度至80度。
欧姆接触161仅设置在下伏半导体带151和在其上的上覆数据线171之间,欧姆接触165仅设置在下伏半导体带151和在其上的上覆漏极175之间,并降低其间的接触电阻。半导体带151包括没有被数据线171和漏极175覆盖的多个暴露部分,例如位于源极173和漏极175之间的部分。
钝化层180形成在数据线171、漏极175、存储电容器导体177和半导体带151的暴露部分上。钝化层180优选地由具有良好平坦度特性的光敏有机材料、通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的诸如Si:C:O和α-Si:O:F的低介电绝缘材料或诸如硅氮化物的无机材料制成。作为选择,钝化层180包括具有有机材料和硅氮化物的双层结构,即下膜和上膜。
钝化层180具有:多个辅助孔181,具有预定的深度以与栅极驱动IC 400的引线(未示出)接触;多个接触孔182、185和187,分别暴露数据线171的端部179、漏极175和存储电容器导体177。钝化层180和栅极绝缘层140具有暴露栅极线121的端部129的多个接触孔183。在这种情况下,尽管在图5中辅助孔181的深度暴露了栅极绝缘层140,但是有足够的深度可容纳栅极驱动IC 400的引线。
优选地由IZO制成的多个像素电极190、多个接触辅助件82和接触焊盘81形成在钝化层180上。
像素电极190通过接触孔185物理地且电连接至漏极175,通过接触孔187物理地且电连接至存储电容器导体177,从而像素电极190接收来自漏极175的数据电压,并将接收的数据电压传输到存储电容器导体177。
再参照图2,被提供有数据电压的像素电极190与另一面板200上的公共电极270合作产生电场,使得位于其间的液晶层3内的液晶分子重新取向。
如上所述,像素电极190和公共电极270形成液晶电容器CLC,液晶电容器CLC存储TFT Q截止后施加的电压。设置与液晶电容器CLC并联连接的称为“存储电容器”的另一电容器以提高电压存储容量。存储电容器通过使像素电极190和与其相邻的栅极线121(称为“先前栅极线”)叠置来实现。通过在栅极线121处设置扩张部分127以增加叠置面积,并通过在像素电极190的下方设置连接至像素电极190并与扩张部分127叠置的存储电容器导体177以减小端子之间的距离来提高存储电容器的电容,即存储电容。
像素电极190与栅极线121和数据线171叠置以提高开口率,但这是可可选择的。
接触辅助件82通过接触孔182连接至数据线171的端部179。接触辅助件82不是必不可少的,但优选地用来保护端部179并补充端部179和外部装置的粘附。
接触焊盘81通过接触孔183连接至栅极线121的端部179。接触焊盘81也形成在辅助孔181及其周边上,并通过接触孔183将来自栅极驱动IC 400的栅极信号传输至栅极线121。
根据本发明的另一实施例,像素电极190由透明的导电聚合物制成。对于反射LCD,像素电极190由不透明的反射性金属制成。在这些情况下,接触焊盘81和接触辅助件82可由不同于像素电极190的材料例如IZO制成。
虽然已经参照优选实施例详细地描述了本发明,但是本发明并不局限于所公开的实施例,而且,与之相反,本发明旨在覆盖包括在所要求的本发明的精神和范围之内的各种修改及等价的排列。
本申请要求于2005年1月17日提交的韩国专利申请第10-2005-0004268号的优先权,该申请的内容全部公开于此,以资参考。
Claims (33)
1、一种液晶显示器,包括:
薄膜晶体管阵列面板,设有显示区和周边区,其中,所述薄膜晶体管阵列面板包括
基板;
导线,形成在所述显示区和所述周边区上;
屏蔽构件,位于所述周边区上,所述屏蔽构件与所述导线绝缘,并且所述屏蔽构件与所述导线形成在同一层上;
绝缘层,形成在所述导线和所述屏蔽构件上,所述绝缘层具有暴露所述周边区内的部分所述导线的接触孔;
接触焊盘,形成在与所述屏蔽构件的至少一部分叠置的所述绝缘层上,所述接触焊盘通过所述绝缘层的所述接触孔电连接至所述周边区内的所述导线;
光源,位于所述薄膜晶体管阵列面板的背面以对其提供光,其中,所述光源与所述屏蔽构件的至少一部分叠置。
2、如权利要求1所述的液晶显示器,还包括电连接至所述薄膜晶体管阵列面板的所述接触焊盘的驱动电路。
3、如权利要求1所述的液晶显示器,其中,所述导线包括传输栅极信号的栅极线。
4、如权利要求1所述的液晶显示器,其中,所述导电包括传输数据电压的数据线。
5、如权利要求2所述的液晶显示器,其中,所述接触焊盘包括用来容纳所述驱动电路的凹陷处。
6、如权利要求1所述的液晶显示器,其中,所述接触焊盘是透明电极。
7、一种薄膜晶体管阵列面板,包括:
基板,包括显示区和周边区,所述周边区位于所述显示区的外面;
屏蔽构件,形成在所述周边区内;
导线,形成在所述显示区和所述周边区内的所述基板上;
第一绝缘层,形成在所述屏蔽构件和所述导线上。
8、如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板,还包括:
接触孔,在所述第一绝缘层内并暴露所述周边区内的部分所述导线;
接触焊盘,形成在与所述屏蔽构件的至少一部分叠置的所述第一绝缘层上,所述接触焊盘通过所述第一绝缘层内的所述接触孔电连接至所述周边区内的所述导线。
9、一种液晶显示器,包括:
权利要求8的所述薄膜晶体管阵列面板;
驱动信号,电连接至所述屏蔽构件上的所述接触焊盘;
光源,位于所述薄膜晶体管阵列面板的背面以对其提供光,其中,所述光源与所述屏蔽构件的至少一部分叠置。
10、如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板,其中,所述导线包括栅极线。
11、如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列面板,还包括:
半导体层,形成在所述第一绝缘层上;
数据线,形成在所述半导体层上;
漏极,与所述数据线分离。
12、如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板,还包括:
第二绝缘层,形成在所述数据线和所述漏极上;
像素电极,形成在所述第二绝缘层上并连接至所述漏极。
13、如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列面板,其中,所述第二绝缘层具有用来与外部装置接触的辅助孔,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层具有暴露所述栅极线的接触孔。
14、如权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面板,还包括连接部分,所述连接部分形成在所述辅助孔及其周边上,并通过所述接触孔连接至所述栅极线。
15、如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板,其中,所述屏蔽构件电连接至地电压。
16、如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板,其中,所述屏蔽构件电连接至恒定电压。
17、如权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板,其中,所述屏蔽构件电连接至由电路的提供的电压。
18、如权利要求17所述的薄膜晶体管阵列面板,其中,所述电路包括柔性印刷电路。
19、一种液晶显示器,包括:
薄膜晶体管阵列面板,包括设有多个像素和显示信号线的显示区及周边区,其中
所述显示信号线包括第一信号线;
屏蔽构件,在周边区内与所述第一信号线形成在同一层内;
光源单元,至少部分地位于所述薄膜晶体管阵列面板的所述周边区的下方。
20、如权利要求19所述的液晶显示器,其中,所述薄膜晶体管阵列面板还包括:
第一绝缘层,形成在所述第一信号线和所述屏蔽构件上;
半导体层,形成在所述第一绝缘层上。
21、如权利要求20所述的液晶显示器,其中,所述显示信号线还包括第二信号线,所述液晶显示器还包括与所述第二信号线分离的输出电极。
22、如权利要求21所述的液晶显示器,还包括:第二绝缘层,形成在所述第二信号线和所述输出电极上;像素电极,形成在所述第二绝缘层上并连接至所述输出电极。
23、如权利要求22所述的液晶显示器,其中,所述第二绝缘层具有用来与外部装置接触的辅助孔,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层具有暴露所述第一信号线的接触孔。
24、如权利要求23所述液晶显示器,还包括连接部分,所述连接部分形成在所述辅助孔及其周边上,并通过所述接触孔连接至所述第一信号线。
25、如权利要求24所述的液晶显示器,其中,所述第一信号线是传输栅极信号的栅极线。
26、如权利要求24所述的液晶显示器,其中,所述第二信号线是传输数据信号的数据线。
27、如权利19所述的液晶显示器,其中,所述屏蔽构件电连接至地电压。
28、如权利要求19所述的液晶显示器,其中,所述光源单元包括冷阴极荧光灯。
29、如权利要求21所述的液晶显示器,还包括分别将栅极信号和数据电压施加到所述第一信号线和所述第二信号线的多个栅极驱动集成电路和数据驱动集成电路,其中,所述栅极驱动集成电路和所述数据驱动集成电路安装在所述屏蔽构件上。
30、如权利要求29所述的液晶显示器,其中,所述栅极驱动集成电路和所述数据驱动集成电路在所述周边区内以玻璃上芯片类型安装。
31、如权利要求19所述的液晶显示器,其中,所述屏蔽构件电连接至恒定电压。
32、如权利要求19所述的液晶显示器,其中,所述屏蔽构件电连接至由电路提供的电压。
33、如权利要求32所述的液晶显示器,其中,所述电路是柔性印刷电路。
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