JP2003036039A - 電気光学装置、その製造方法及び電子機器 - Google Patents

電気光学装置、その製造方法及び電子機器

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線が外気に晒されることに起因して生じ得
る種々の問題を簡単且つ確実に防ぐ。 【解決手段】 第１基板１０と、第１基板１０の１辺に
沿って且つその１辺と交差する他辺に向かって引き回さ
れた配線１６と、この配線１６を被覆する被覆層３０と
を有する電気光学装置である。電気光学装置としては、
例えば、液晶装置、ＥＬ装置が考えられる。被覆層３０
は、液晶装置の場合、第１基板１０と、それに対向する
第２基板２０とを貼り合せるためのシール材によって構
成できる。配線１６は、被覆層３０によって覆われるこ
とにより、外気との接触を遮断される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置、ＥＬ
（Electro Luminescence）装置等といった電気光学装
置、その電気光学装置の製造方法、及びその電気光学装
置を用いて構成される電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話機、携帯情報端末機、パ
ーソナルコンピュータ等といった電子機器に、例えば情
報を表示するための表示部として液晶装置が広く用いら
れている。また、今後、液晶装置と共にＥＬ装置が用い
られるようになることが考えられる。
【０００３】上記の液晶装置は、一般に、シール材を介
して貼り合わされた一対の基板と、両基板の間に挟まれ
た液晶と、液晶に対して電圧を印加するための電極とを
有する。また、一方の基板のうち他方の基板の外側へ張
り出す領域（すなわち、張出し領域）に配線を形成し、
この配線の一端に各種実装部品の端子を接続し、この配
線を介して上記電極へ電圧を供給するようにした構成が
知られている。
【０００４】ここで、上記の実装部品としては、例え
ば、張出し領域上にＣＯＧ（Chip OnGlass）技術を用い
て実装されたＩＣチップや、回路基板等といった外部機
器と液晶装置とを接続するためのＦＰＣ等が考えられ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、張出し
領域に形成された配線は外気に曝されるため、この配線
には外気中の水分等が付着し易く、従って、この配線は
腐食し易い。そして、このようにして配線に腐食が生じ
る場合には、当該配線と上記実装部品の端子との間の導
通が不完全となり、そのため、液晶装置としての信頼性
が低下してしまうという問題があった。
【０００６】さらに、互いに隣接する複数の配線に跨っ
て水分や導電性の不純物等が付着すると、これらの配線
が短絡するおそれがある。この短絡を防ぐためには各配
線の間隔を広くする必要があるが、この場合には配線を
形成するために広いスペースを確保しなければならず、
そのため、液晶装置の小型化の要請に応えることが困難
となる。このように、従来の液晶装置においては、配線
が外気に晒されることに起因して種々の問題が生じてい
た。
【０００７】本発明は、上記の問題点に鑑みて成された
ものであって、配線が外気に晒されることに起因して生
じる種々の不具合を簡易且つ有効に防ぐこと目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】（１） 上記の目的を達
成するため、本発明に係る電気光学装置は、第１基板
と、該第１基板の１辺に沿って且つ当該１辺と交差する
他辺に向かって引き回された配線と、該配線を被覆する
被覆層とを有することを特徴とする。
【０００９】この構成によれば、配線が被覆層によって
覆われているため、当該配線層に水分や導電性の不純物
等が付着するのを防止できる。この結果、水分の付着等
に起因して当該配線が腐食するのを抑えることができ
る。また、水分や導電性の不純物が複数の配線に跨って
付着することがないので、配線間に短絡が生じることが
ない。これらのように、本発明に係る電気光学装置によ
れば、配線が外気に晒されることに起因して生じる種々
の不具合を簡易且つ有効に防ぐことができる。
【００１０】また、上記のように配線同士の間隔を狭く
することができるので、配線を形成すべき面積を小さく
することができ、それ故、電気光学装置の小型化を達成
できる。
【００１１】（２） 上記構成の電気光学装置は、前記
第１基板に対向する第２基板と、該第２基板に形成され
た電極と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置さ
れた液晶とを有することができ、この場合、前記被覆層
は前記液晶を囲むシール材によって形成でき、そして前
記配線は前記電極に接続することができる。この構成
は、一対の基板をシール材を挟んで貼り合わせると共
に、それらの基板間の間隙、いわゆるセルギャップ内に
電気光学物質としての液晶を封入することによって形成
される液晶装置に相当する。
【００１２】この構成によれば、配線がシール材によっ
て覆われているため、当該配線層に水分や導電性の不純
物等が付着するのを防止できる。この結果、水分の付着
等に起因して当該配線が腐食するのを抑えることができ
る。また、配線のうちシール材によって被覆された部分
においては、水分や導電性の不純物が複数の配線に跨っ
て付着することがないので、配線間に短絡が生じること
がなく、それ故、配線同士の間隔を狭くすることができ
る。この結果、配線を形成すべき面積を小さくすること
ができ、それ故、電気光学装置の小型化を達成できる。
【００１３】（３） シール材、第２基板及び液晶を有
する上記構成の電気光学装置において、前記電極は複数
設けることができ、さらに前記配線は前記複数の電極の
それぞれに導通して複数設けることができる。そしてこ
の場合、前記複数の配線のうちの少なくとも１つの配線
と該配線に対応する前記電極とは、前記第１基板の１辺
側にて導通させることができ、さらに、前記複数の配線
のうちの他の配線と該配線に対応する前記電極とは、前
記１辺に対向する辺側にて導通させることができる。
【００１４】つまり、本発明に係る電気光学装置では、
シール材における左右両辺の２個所又は上下両辺の２個
所において配線と電極との間の導通をとることができ
る。こうすれば、配線と電極との間の導通をシール材の
１辺だけで行う場合に比べて、各画素又は各表示ドット
を安定して駆動することができる。
【００１５】（４） 上記構成の電気光学装置におい
て、前記配線の一端は外部接続回路に接続することがで
きる。こうすれば、外部接続回路の出力信号を前記配線
を通して前記電極へ伝送できる。
【００１６】（５） シール材を用いる構成の上記電気
光学装置においては、前記シール材中に導通材を含ませ
ることができ、前記配線と前記電極とをその導通材によ
って接続させることができる。こうすれば、例えば、電
極に接続されるべき実装部品、例えば駆動用ＩＣやＦＰ
Ｃ（Flexible Printed Circuit）等を、電極が設けられ
た基板と同じ基板の上に実装することが不要となる。す
なわち、一対の基板のうちの一方の上にのみ実装部品を
実装すれば良いことになり、構成の簡略化及び製造コス
トの低減を達成できる。
【００１７】また、電極と配線とをシール材中に分散し
た導電粒子を介して導通させるようにしたので、シール
材によって両基板を貼り合わせることによって、両基板
上の電極と配線とを導通させることができ、それ故、そ
の導通のために特段の構造が不要となる。従って、より
一層の構成の簡略化及び製造コストの低減を達成でき
る。
【００１８】（６） 上記構成の電気光学装置は、前記
第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜とを積
層して成る薄膜ダイオードをさらに有することができ、
この場合、前記配線は、前記第１金属膜又は前記第２金
属膜のうち少なくとも一方と同一の層によって形成する
ことができる。
【００１９】このように、薄膜ダイオード素子と配線と
を共通の層によって形成すれば、薄膜ダイオードを形成
する工程において同時に前記配線を形成することがで
き、それ故、配線を形成する工程を別個に実施する場合
に比べて、製造工程の簡略化を達成できる。
【００２０】（７） 薄膜ダイオードを用いる構造の上
記電気光学装置は、前記薄膜ダイオードに接続された画
素電極をさらに有することができ、この場合、前記配線
は、前記第１金属膜、前記第２金属膜又は前記画素電極
のうちの少なくとも１つと同一の層によって形成するこ
とができる。この場合にも、配線を形成する工程を別個
に実施する場合に比べて、製造工程の簡略化を達成でき
る。
【００２１】（８） 上記構成の電気光学装置は、前記
第２基板上に形成された配線をさらに有することがで
き、この場合、該配線は、前記シール材の辺によって覆
われると共に該辺と略同じ方向に延在する被被覆部分を
有することができる。つまり、被覆層によって被覆され
る配線は、第１基板のみならず第２基板にも設けること
ができる。こうすれば、第２基板上の配線についても、
それが外気に晒されることを簡易且つ有効に防止でき
る。
【００２２】（９） 上記構成の電気光学装置におい
て、前記シール材は前記配線を被覆する部位及び前記配
線を被覆しない部位を含むことができ、この場合には、
前記配線を被覆する部位は前記配線を被覆しない部位に
比べて広い幅に形成することができる。すなわち、シー
ル材の辺のうち配線を覆う部分を有しない辺について
は、両基板を貼り合わせるために最低限必要な幅とする
ことによって、いわゆる額縁領域を狭くすることができ
る。そしてその一方で、配線を覆う部分を有する辺につ
いては、両基板を貼り合わせるだけでなく当該配線を覆
うために十分な幅とすることにより、配線が外気に触れ
ることに起因して生じる種々の問題を解消できる。
【００２３】（１０） シール材中に分散させた導通材
を介して一対の基板間で導通をとるようにした構造の上
記の電気光学装置においては、前記シール材は、前記導
通材を含む導通部と、前記導通材を含まない非導通部と
を含むように構成でき、そして前記配線は、前記非導通
部によって被覆するように構成できる。
【００２４】配線を被覆する被覆層を、導通材を含むシ
ール材によって形成するようにした場合、電極と配線と
のあいだの導電接続がその導通材によって達成されるこ
とは上述の通りである。しかしながらここで問題となる
のは、シール材によって被覆される複数の配線の間隔が
狭くなるとき、いわゆる狭ピッチになるとき、それらの
配線間に短絡が発生するおそれがあることである。
【００２５】このことに関し、上記構成のように、シー
ル材を導通部と非導通部とによって形成すれば、非導通
部には導電材が含まれないので短絡のおそれがなく、よ
って、非導通部の中に多数の配線を狭ピッチで配置した
としても、それらの配線間に短絡が発生することは無
い。シール材は液晶を確実に封止できるだめの幅を有し
ていれば良いので、その幅を導通部と非導通部とに適切
に分配すれば、短絡のおそれの高い狭ピッチの配線の全
てをその非導通部の中に配置させることができ、これに
より、短絡の発生を確実に防止できる。
【００２６】（１１） シール材を導通部と非導通部と
によって構成するようにした上記構成の電気光学装置に
おいて、前記配線は、該配線と前記電極との導通位置よ
りも内側位置に引き回すことができる。こうすれば、シ
ール材の外側に配線が引回されることがなくなるので、
基板をシール材の外側領域に広く張り出す必要がなくな
り、それ故、電気光学装置を小型に形成できる。
【００２７】（１２） 次に、本発明に係る電子機器
は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを
特徴とする。本発明に係る電気光学装置によれば、引回
し配線が外気に晒されることに起因して生じ得る各種の
問題を簡単且つ確実に防ぐことができるので、長期間に
わたって良好な表示を行うことができる。従って、この
電気光学装置を含んで構成された電子機器においても、
その電子機器に関する情報を長期間にわたって良好に表
示することができる。
【００２８】（１３） 次に、本発明に係る電気光学装
置の製造方法は、枠状のシール材を介して貼り合わされ
た一対の基板の間に液晶を有する電気光学装置の製造方
法であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基
板に配線を形成する第１工程と、前記一対の基板をシー
ル材を介して接合する第２工程とを有し、該第２工程で
は、前記該シール材の辺のうち前記配線の一部の延在方
向と略同一方向に延びる辺が前記配線の一部を覆うよう
に、前記一対の基板が接合されることを特徴とする。こ
の製造方法によって得られた電気光学装置によれば、上
述したのと同様の理由により、配線が外気に晒されるこ
とによって生じる種々の問題を解消できる。
【００２９】（１４） 上記構成の電気光学装置の製造
方法において、前記第２工程は、前記配線が形成された
一方の基板の上に、前記シール材の辺のうち前記配線の
一部の延在方向と略同一方向に延びる辺によって該配線
の一部が覆われるように、該シール材を形成する工程
と、前記シール材を介して前記一対の基板を接合する工
程とを有することが望ましい。
【００３０】このように、基板上に形成された配線を覆
うようにシール材を形成すれば、シール材の形成から両
基板の貼り合わせまでの期間においても配線が外気に晒
されることを防止できるので、配線が大気に触れること
に起因して発生する種々の問題を、より一層確実に防止
できる。
【００３１】（１５） 上記構成の電気光学装置の製造
方法は、前記一対の基板の一方に前記シール材の一部分
を形成する工程と、前記一対の基板の他方に前記シール
材の残り部分を形成する工程とをさらに有することがで
き、この場合、前記第２工程では、前記シール材の一部
分と前記シール材の残り部分とが繋ぎ合わされて前記シ
ール材の全体が形成される。この方法によれば、導通部
と非導通部という異なった２つの部分によってシール材
を形成するということを、簡単且つ確実に実行できる。
【００３２】（１６） シール材を導通部と非導通部と
によって構成するようにした上記構成の電気光学装置の
製造方法においては、前記シール材の一部分は前記シー
ル材の内側の枠状部分とし、前記シール材の残り部分は
前記シール材の外側の枠状部分とすることができる。こ
の構成によれば、小さい枠状部分と大きい枠状部分とを
組み合わせることにより、すなわち、つなぎ合わせるこ
とにより、シール材の全体が形成される。
【００３３】（１７） 上記構成の電気光学装置の製造
方法においては、前記シール材の一部分及び前記シール
材の残り部分の一方には導通材が含まれ、前記シール材
の一部分及び前記シール材の残り部分の他の一方には非
導通性のギャップ材が含まれるように構成できる。この
ように、シール材の残り部分に非導通性のギャップ材を
含ませれば、当該部分における配線の短絡を防止しつ
つ、一対の基板間の間隙寸法を一定に維持するという機
能も確実に達成できる。
【００３４】（１８） 上記構成の電気光学装置の製造
方法において、前記シール材の一部分及び前記シール材
の残り部分は、前記一対の基板を貼り合わせたときに互
いに重なり合うオーバーラップを有することが望まし
い。こうすれば、シール材の一部分とその残り部分とを
つなぎ合わせたときに、それらの間に空隙が発生するこ
とを防止できる。
【００３５】
【発明の実施の形態】（電気光学装置の第１実施形態）
以下、スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diod
e）素子を備えたアクティブマトリクス方式であって、
電気光学物質として液晶を用い、さらに、太陽光や室内
光等といった外部光を利用する反射型の液晶装置に本発
明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明
する。
【００３６】なお、以下の全ての図面においては、装置
の構造を分かり易く示すために、装置を構成する複数の
構成要素の寸法の比率を適宜に異ならせたり、同じ構造
が繰り返される部分については図示を省略したりしてあ
ることに留意願いたい。
【００３７】図１は、本実施形態に係る液晶装置の電気
的構成をブロック図によって示している。同図に示すよ
うに、液晶装置１は、Ｘ方向に延在する複数の走査線２
５と、Ｘ方向に直角なＹ方向に延在する複数のデータ線
１１と、走査線２５及びデータ線１１の各交差部分に設
けられた複数の表示ドット５０とを有する。各表示ドッ
ト５０は、液晶表示要素５１とＴＦＤ素子１３とが直列
に接続された構成となっている。これらの表示ドット５
０はマトリクス状に配列されている。
【００３８】これらの表示ドット５０の1個は、像を表
示するための最小単位の表示要素のことであり、表示像
がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色の組み合わせ
によって形成されるカラー像である場合には、Ｒ，Ｇ，
Ｂの３個の表示ドット５０が集まって１個の画素が形成
される。他方、表示像が白黒像である場合には、１個の
表示ドット５０によって１個の画素が形成される。
【００３９】図１において、複数の走査線２５のうち、
上から数えて奇数本目の走査線２５は、第１Ｙドライバ
ＩＣ４０ａに接続される。一方、上から数えて偶数本目
の走査線２５は第２ＹドライバＩＣ４０ｂに接続され
る。そして、これらのＹドライバＩＣ４０ａ，４０ｂに
よって生成された走査信号が各走査線２５に供給され
る。なお、以下では、第１ＹドライバＩＣ４０ａと第２
ＹドライバＩＣ４０ｂとを特に区別する必要がない場合
には、それらを単にＹドライバＩＣ４０と表記する。
【００４０】複数のデータ線１１は、それぞれ、Ｘドラ
イバＩＣ４１に接続され、このＸドライバＩＣ４１によ
って生成されたデータ信号がそれらのデータ線１１に供
給される。一方、マトリクス状に配列する複数の表示ド
ット５０の各々は、本実施形態の場合は、Ｒ，Ｇ又はＢ
のいずれかの色に対応する。
【００４１】次に、図２（ａ）は、本実施形態に係る液
晶装置１を観察側、すなわち観察者が位置すべき側から
見た場合を示している。また、図２（ｂ）は、この液晶
装置１を背面側、すなわち図２（ａ）と反対側から見た
場合を示している。なお、以下では、図２（ａ）及び図
２（ｂ）に示すように、Ｘ軸の負方向を「Ａ側」、その
正方向を「Ｂ側」と表記する。
【００４２】図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、
液晶装置１は、相互に対向する素子基板１０及び対向基
板２０がシール材３０によって貼り合わされると共に、
両基板とシール材３０とによって囲まれた領域に液晶
（図２においては図示が省略されている）が封入された
構成となっている。シール材３０は、対向基板２０の縁
辺、すなわち外周辺に沿って略長方形の枠状に形成され
る。そしてこのシール材３０の一部には、液晶を封入す
るための開口が形成される。この開口を通して液晶が封
入された後、その開口は封止材３１によって封止され
る。
【００４３】シール材３０には導電性を有する多数の導
電粒子が分散されている。これらの導電粒子は、例えば
金属のメッキが施されたプラスチックの粒子や、導電性
を有する樹脂の粒子であり、素子基板１０及び対向基板
２０の各々に形成された配線同士を導通させる機能と、
両基板の間隙、すなわちセルギャップを一定に保つスペ
ーサとしての機能とを兼ね備える。なお、実際には、素
子基板１０及び対向基板２０の外側の表面に、入射光を
偏光させるための偏光板や、干渉色を補償するための位
相差板等が貼着されるが、これらは本発明と直接の関係
がないため、その図示及び説明を省略する。
【００４４】素子基板１０及び対向基板２０は、例え
ば、光透過性ガラス、光透過性石英、光透過性プラスチ
ック等といった光透過性を有する板状部材によって形成
される。これらの基板のうち、観察側に位置する素子基
板１０の内側表面、すなわち液晶側表面には、上述した
複数のデータ線１１が形成される。一方、背面側に位置
する対向基板２０の内側の面上には、複数の走査線２５
が形成される。
【００４５】素子基板１０は、対向基板２０の外側に張
り出す張出し領域１０ａを有し、この張出し領域１０ａ
はシール材３０の外周縁から外側へ張り出した領域、す
なわち、シール材３０及びそのシール材３０の内側に封
入された液晶と重ならない領域である。張出し領域１０
ａのうちＸ方向の中央部近傍にはＸドライバＩＣ４１が
実装されている。また、当該ＸドライバＩＣ４１を挟ん
でＸ方向で対向する位置には、第１ＹドライバＩＣ４０
ａ及び第２ＹドライバＩＣ４０ｂが実装されている。
【００４６】上記の各ドライバＩＣ４１，４０ａ，４０
ｂは、それぞれ、ＣＯＧ技術を用いて張出し領域１０ａ
の上に実装されている。すなわち、これらのドライバＩ
Ｃは、接着材中に導電粒子を分散させたＡＣＦ（Anisot
ropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いて素子
基板１０の張出し領域１０a上に接合されている（図８
（ｂ）参照）。また、張出し領域１０ａの縁端部には複
数の外部接続端子１７が形成される。これらの外部接続
端子１７が形成された部分には、例えば、ＦＰＣ（Flex
ible Printed Circuit）（図示せず）の一端が接続さ
れ、このＦＰＣの他端には、例えば回路基板等といった
外部機器が接続される。これにより、外部機器から出力
される電源電力や電気信号等がＦＰＣを通して外部接続
端子１７へ供給される。
【００４７】ＸドライバＩＣ４１は、外部機器からＦＰ
Ｃ及び外部接続端子１７を介して入力された信号に応じ
てデータ信号を生成し、これをデータ線１１へ出力す
る。他方、ＹドライバＩＣ４０は、外部機器からＦＰＣ
及び外部接続端子１７を介して入力された信号に応じて
走査信号を生成して出力する。この走査信号は、素子基
板１０上に形成された引回し配線１６からシール材３０
中の導電粒子を介して対向基板２０上の各走査線２５へ
与えられる。
【００４８】次に、シール材３０の内周縁によって囲ま
れた領域、すなわち表示領域Ｖ内の構成を説明する。図
３は、図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’線に従った断面のう
ち表示領域Ｖ内の一部分を示す図である。また、図４
は、表示領域Ｖ内に形成された数個の表示ドットを示す
斜視図である。なお、図４におけるＤ−Ｄ’線に従った
断面図が図３に相当する。
【００４９】これらの図に示すように、表示領域Ｖ内に
おける素子基板１０の内側表面、すなわち液晶３５側の
表面には、マトリクス状に配列された複数の画素電極１
２と、各画素電極１２の間隙部分においてＹ方向に延在
する複数のデータ線１１とが形成されている。各画素電
極１２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といっ
た透明導電材料によって形成された略矩形状の電極であ
る。そして、各画素電極１２と、当該画素電極１２に一
方の側において隣接するデータ線１１とはＴＦＤ素子１
３を介して接続されている。
【００５０】また、図３に示すように、データ線１１、
画素電極１２及びＴＦＤ素子１３が形成された素子基板
１０の表面は、配向膜５６（図４においては図示略）に
よって覆われている。この配向膜５６はポリイミド等か
ら成る有機薄膜であり、この配向膜には、電圧が印加さ
れていないときの液晶３５の配向を規定するためのラビ
ング処理が施されている。
【００５１】図５（ａ）は、素子基板１０上における１
つの表示ドット５０を対向基板２０側、すなわち観察側
に対する背面側から見た場合を示している。また、図５
（ｂ）は図５（ａ）におけるＥ−Ｅ’線に従った断面図
であり、図５（ｃ）は図５（ａ）におけるＦ−Ｆ’線に
従った断面図である。図５（ａ）及び図５（ｃ）に示す
ように、データ線１１は、主配線１１ａと、当該主配線
１１ａ上に積層された補助配線１１ｂとから成る。補助
配線１１ｂは、例えば主配線１１ａが断線した場合に当
該主配線１１ａに代えてデータ線１１として機能する配
線であり、画素電極１２と同一層によって形成される。
【００５２】一方、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すよ
うに、ＴＦＤ素子１３は、Ｘ方向に延在してデータ線１
１の主配線１１ａと交差する第１金属膜１３ａと、この
第１金属膜１３ａの表面に陽極酸化によって形成された
絶縁膜１３ｂと、この絶縁膜１３ｂの表面に相互に離間
して形成された第２金属膜１１ｃ及び１３ｃとによって
構成されている。
【００５３】第１金属膜１３ａは、例えばタンタル（Ｔ
ａ）単体や、タングステン（Ｗ）等を含むタンタル合金
といった各種の導電性材料によって形成される。但し、
本実施形態においては、第１金属膜１３ａがタンタルに
よって形成されるものとする。また、第２金属膜１１ｃ
は、図５（ａ）に示すように、データ線１１を構成する
主配線１１ａのうち第１金属膜１３ａと交差する部分に
位置する。なお、上記補助配線１１ｂは、主配線１１ａ
のうち第２金属膜１１ｃに相当する部分以外の部分の面
上に積層されている。
【００５４】第２金属膜１３ｃは画素電極１２に接続さ
れている。また、データ線１１の主配線１１ａ（第２金
属膜１１ｃを含む）及び第２金属膜１３ｃは、クロム
（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）といった各種の導電性
材料から成る同一の層によって形成される。但し、本実
施形態においては、主配線１１ａ及び第２金属膜１３ｃ
がクロムによって形成されるものとする。
【００５５】ＴＦＤ素子１３は、第１ＴＦＤ素子１３１
と第２ＴＦＤ素子１３２とによって構成される。すなわ
ち、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１ＴＦ
Ｄ素子１３１は、データ線１１の側から見ると第２金属
膜１１ｃ、絶縁膜１３ｂ及び第１金属膜１３ａがこの順
に積層された構成となり、金属／絶縁体／金属のサンド
イッチ構造を採る結果、正負双方向のダイオードスイッ
チング特性を有する。一方、第２ＴＦＤ素子１３２は、
データ線１１の側から見ると第１金属膜１３ａ、絶縁膜
１３ｂ及び第２金属膜１３ｃがこの順に積層された構成
となり、第１ＴＦＤ素子１３１とは反対のダイオードス
イッチング特性を有する。
【００５６】このように、ＴＦＤ素子１３は、２つのダ
イオードを互いに逆向きに直列接続した構成となってい
るため、１つのダイオードを用いた場合と比較して、電
流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化
される。但し、この非線形特性の対称性を確保するため
には、第１ＴＦＤ素子１３１の絶縁膜１３ｂと第２ＴＦ
Ｄ素子１３２の絶縁膜１３ｂとを同一の厚さにすると共
に、第１ＴＦＤ素子１３１において第１金属膜１３ａと
第２金属膜１１ｃとが対向する面積を、第２ＴＦＤ素子
１３２において第１金属膜１３ａと第２金属膜１３ｃと
が対向する面積と等しくする必要がある。
【００５７】そして、本実施形態においては、第１ＴＦ
Ｄ素子１３１における当該面積を第２ＴＦＤ素子１３２
における当該面積と同一とするために、図５（ａ）に示
すように、データ線１１を構成する主配線１１ａのうち
第２金属膜１１ｃに対応する部分の幅をその他の部分の
幅と比較して狭くしている。
【００５８】図３及び図４において、対向基板２０の面
上には、反射層２１、カラーフィルタ２２、遮光層２
３、オーバーコート層２４、複数の走査線２５及び配向
膜２６が形成されている。反射層２１は、例えばアルミ
ニウムや銀といった光反射性を有する金属によって形成
された薄膜である。図３において、観察側から液晶装置
に入射した光Ｒは、この反射層２１の表面において反射
して観察側に出射し、これにより、いわゆる反射型表示
が実現される。
【００５９】ここで、図３に示すように、対向基板２０
の内側表面のうち反射層２１によって覆われる領域は、
多数の微細な凹凸が形成された粗面となっている。従っ
て、この粗面を覆うように薄膜状に形成された反射層２
１の表面には、当該粗面を反映した微細な凹凸が形成さ
れる。そして、この凹凸が、光を散乱するための散乱構
造として機能する。この結果、観察側からの入射光は、
反射層２１の表面において適度に散乱した状態で反射す
るので、反射層２１の表面における鏡面反射を回避して
広い視野角が実現される。
【００６０】カラーフィルタ２２は、各表示ドット５０
に対応して反射層２１の面上に形成された樹脂層であ
り、図４に示すように、染料や顔料によってＲ（赤
色）、Ｇ（緑色）又はＢ（青色）のうちのいずれかに着
色されている。そして、相互に異なる色の３つの表示ド
ット５０によって、表示画像を形成する１つの画素が構
成される。
【００６１】遮光層２３は、素子基板１０上にマトリク
ス状に配列する画素電極１２の間隙部分に対応して格子
状に形成され、各画素電極１２同士の隙間を遮光する役
割を担っている。本実施形態における遮光層２３は、図
３に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色分のカラーフィルタ
２２が積層された構成を有する。オーバーコート層２４
は、カラーフィルタ２２及び遮光層２３によって形成さ
れた凹凸を平坦化するための層であり、例えばエポキシ
系やアクリル系等の樹脂材料によって形成される。
【００６２】走査線２５は、オーバーコート層２４の上
に、ＩＴＯ等といった透明導電材料によって形成された
帯状の電極である。図４に示すように、各走査線２５
は、素子基板１０上においてＸ方向に列をなす複数の画
素電極１２と対向するようにＸ方向に延在して形成され
る。そして、画素電極１２と、これに対向する走査線２
５と、両者によって挟まれた液晶３５とによって、図１
に示した液晶表示要素５１が構成される。
【００６３】走査線２５に走査信号を供給すると共に、
データ線１１にデータ信号を供給することによってＴＦ
Ｄ素子１３にしきい値以上の電圧を印加すると、当該Ｔ
ＦＤ素子１３はオン状態となる。そしてこの結果、ＴＦ
Ｄ素子１３に接続された液晶表示要素５１に電荷が蓄積
され、液晶３５の配向が変化する。こうして表示ドット
５０ごとに液晶３５の配向を変化させることにより、所
望の表示を行うことができる。また、電荷が蓄積された
後に当該ＴＦＤ素子１３がオフ状態となっても、液晶表
示要素５１における電荷の蓄積は維持される。
【００６４】図３において、複数の走査線２５が形成さ
れたオーバーコート層２４の表面は配向膜２６によって
覆われる。この配向膜２６は、素子基板１０上に形成す
る配向膜５６と同じ材料によって形成され、さらに配向
膜５６と同様にしてラビング処理が施される。
【００６５】次に、図６を参照して、本実施形態に係る
液晶装置の配線の態様を説明する。図６は液晶装置１を
観察側、すなわち素子基板１０側から見た場合の平面構
造であって、素子基板１０を構成する基板素材を取り除
き、その基板素材上に形成されるデータ線１１等はその
まま図示した状態を示している。図６における紙面手前
側から奥側に向かう方向が図２（ａ）及び図２（ｂ）に
おけるＺ軸の正方向に相当する。従って、図６において
は、素子基板１０が紙面に対して最も手前側に位置し、
これ以外の要素は素子基板１０に対して紙面奥側に位置
する。
【００６６】図６において、各データ線１１は、表示領
域Ｖ内においてＹ方向に延在すると共に、シール材３０
の一辺３０ａを横切って張出し領域１０ａに延び出てい
る。そして、各データ線１１のうち張出し領域１０ａ内
に張り出したそれらの端部は、ＡＣＦ２９内に含まれる
導電粒子によってＸドライバＩＣ４１の出力端子に接続
される。この構成により、ＸドライバＩＣ４１によって
生成されたデータ信号は、各データ線１１に出力され
る。
【００６７】図６において、対向基板２０上においてＸ
方向に延在する複数の走査線２５（斜線が付されてい
る）は、１本ごとに交互にＡ側及びＢ側に引き出され、
その引き出された端部がシール材３０と重なるようにな
っている。ここで、図７は、図６におけるＧ−Ｇ’線に
従った断面図、すなわち奇数本目の走査線２５に対応す
る断面図である。図７に示すように、対向基板２０のう
ちシール材３０によって覆われた領域の近傍にはカラー
フィルタ２２やオーバーコート層２４等は形成されてい
ない。これに対し、奇数本目の走査線２５は、オーバー
コート層２４の上面から対向基板２０の上面に至ると共
に、そのままシール材３０のＢ側の辺に向かってＸ方向
に延在して、その端部がシール材３０によって覆われ
る。つまり、走査線２５の端部は、対向基板２０とシー
ル材３０との間に介在する。
【００６８】さらに、図６において、走査線２５のうち
シール材３０によって覆われる端部（以下、「導通部２
５ａ」と表記する）の幅は、表示領域Ｖ内に存在する部
分の幅と比較して広くなっている。偶数本目の走査線２
５についても同様であり、図６に示すように、シール材
３０のＡ側の辺に向かってＸ方向に延在し、その端部に
位置する導通部２５ａがシール材３０のＡ側の辺と重な
るようになっている。なお、素子基板１０の液晶側表面
であってシール材３０の内周縁近傍には、表示領域Ｖの
縁辺に沿った枠状の形状を有する周辺遮光層５７が形成
される。この周辺遮光層５７は、表示領域Ｖの縁辺近傍
を遮光するための層である。
【００６９】図６及び図７において、素子基板１０の液
晶側表面には、当該素子基板１０のうちＹ方向に延在す
る２つの縁辺に沿って、且つ、当該縁辺と交差する他辺
に向かって、複数の引回し配線１６が形成されている。
各引回し配線１６は、ＹドライバＩＣ４０の出力端子と
走査線２５とを接続するための配線である。より具体的
には、引回し配線１６は、図６に示すように、素子基板
１０のうちＢ側の縁辺に沿って形成された引回し配線１
６１と、素子基板１０のうちＡ側の縁辺に沿って形成さ
れた引回し配線１６２とから成る。これらの引回し配線
１６の各々は、導通部１６ａと、素子基板１０の縁辺に
沿って延在する延在部１６ｂとを有する。
【００７０】各引回し配線１６の導通部１６ａは、走査
線２５の導通部２５ａと対向するように形成されてい
る。そして、図７に示すように、対向基板２０上に形成
された奇数本目の走査線２５の導通部２５ａは、シール
材３０に分散された導電粒子３２を介して、素子基板１
０上に形成された引回し配線１６１の導通部１６ａと導
通する。偶数本目の走査線２５についても同様であり、
その導通部２５ａは、シール材３０のＡ側の辺に位置す
る導電粒子３２を介して、素子基板１０上に形成された
引回し配線１６２の導通部１６ａと導通する。
【００７１】各引回し配線１６の延在部１６ｂは、図６
に示すように、その一端が導通部１６ａに連結されると
共に、素子基板１０のうちシール材３０によって覆われ
た領域、すなわちシール材３０と重なる領域を通って張
出し領域１０ａに達するように延在する。より具体的に
は、引回し配線１６１の延在部１６ｂは、素子基板１０
の面上においてシール材３０のＢ側の辺によって覆われ
ると共に当該Ｂ側の辺と略同一方向に延在して、張出し
領域１０ａのＢ側の部分、つまり、第１ＹドライバＩＣ
４０ａが実装されるべき部分に向かって延在する。そし
て、当該延在部１６ｂのうち張出し領域１０ａ内に張り
出した端部が、第１ＹドライバＩＣ４０ａの出力端子に
接続される。
【００７２】他方、引回し配線１６２の延在部１６ｂ
は、素子基板１０の面上においてシール材３０のＡ側の
辺によって覆われると共に当該Ａ側の辺と略同一方向に
延在し、張出し領域１０ａのＡ側の部分に張り出した端
部が第２ＹドライバＩＣ４０ｂの出力端子に接続され
る。このように、本実施形態においては、引回し配線１
６の延在部１６ｂのうちシール材３０の辺によって覆わ
れた部分が、当該辺と略同一方向に延在するようになっ
ている。
【００７３】換言すれば、シール材３０の辺のうち引回
し配線１６の一部の延在方向と略同一方向に延びる辺
が、当該引回し配線１６の一部を覆うように、当該シー
ル材３０が形成されている。つまり、本実施形態では、
シール材３０が配線１６を被覆するための被覆層として
作用する。
【００７４】この作用を確実にするため、シール材３０
のうちＹ方向に延在する二辺、すなわち引回し配線１６
を覆うべき二辺の幅は、Ｘ方向に延在する二辺の幅と比
較して広くなっている。すなわち、Ｘ方向に延在する二
辺は、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ得る
幅であれば十分であるのに対し、Ｙ方向に延在する二辺
については、両基板を貼り合わせるだけでなく、引回し
配線１６を覆うことができるように、その幅が選定され
ている。
【００７５】第１ＹドライバＩＣ４０ａから出力された
走査信号は、素子基板１０上に形成された引回し配線１
６１の延在部１６ｂ及び導通部１６ａ、並びにシール材
３０のＢ側の辺に分散された導電粒子３２を介して、対
向基板２０上に形成された奇数本目の走査線２５の導通
部２５ａに供給される。同様に、第２ＹドライバＩＣ４
０ｂから出力された走査信号は、引回し配線１６２及び
シール材３０のＡ側の辺に分散された導電粒子３２を介
して偶数本目の走査線２５の導通部２５ａに供給され
る。
【００７６】このように、本実施形態においては、引回
し配線１６がシール材３０によって覆われた部分を有す
るため、当該部分に水分等が付着して腐食が生じるのを
回避できる。さらに、この部分においては、水分や導電
性の不純物が複数の引回し配線１６に跨って付着すると
いう事態が生じないので、配線間に短絡が生じることが
なく、それ故、引回し配線１６同士の間隔を狭くするこ
とができる。そしてこの結果、引回し配線１６が形成さ
れるべきスペースを狭くすることができる。
【００７７】次に、引回し配線１６の層構成を説明す
る。本実施形態における引回し配線１６は、ＴＦＤ素子
１３及び画素電極１２といった表示領域Ｖ内にある要素
と同一の層から形成されるようになっている。但し、引
回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に位置する部
分、すなわちシール材３０の外側領域にある部分と、シ
ール材３０によって覆われた部分、すなわちシール材３
０と重なる領域にある部分とでは、その層構造が異な
る。詳述すると、以下の通りである。
【００７８】図８（ａ）は、図６において矢印Ｐで示す
部分、すなわち引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ
に延び出た部分を拡大して示している。また、図８
（ｂ）は、図８（ａ）におけるＨ−Ｈ’線に従った断面
図である。また、図８（ｃ）は、図８（ａ）及び図８
（ｂ）におけるＩ−Ｉ’線に従った断面図である。ま
た、図８（ｄ）は、図８（ａ）及び図８（ｂ）における
Ｊ−Ｊ’線に従った断面図である。
【００７９】これらの図に示すように、引回し配線１６
は、第１配線層１８１と第２配線層１８２と第３配線層
１８３とによって構成される。第１配線層１８１はＴＦ
Ｄ素子１３の第１金属膜１３ａ（図５（ｂ）参照）と同
一層から形成され、第２配線層１８２はデータ線１１の
主配線１１ａ及びＴＦＤ素子１３の第２金属膜１３ｃ
（図５（ｂ）参照）と同一層から形成され、第３配線層
１８３は画素電極１２（図５（ｂ）参照）と同一層から
形成される。すなわち、本実施形態においては、第１配
線層１８１はタンタルから成り、第２配線層１８２はク
ロムから成り、第３配線層１８３はＩＴＯから成る。こ
こで、クロムはタンタル又はＩＴＯと比較してイオン化
傾向が高いため、第２配線層１８２は第１配線層１８１
及び第３配線層１８３と比較して腐食し易い。
【００８０】第１配線層１８１及び第３配線層１８３
は、図６の導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置
する端部にわたる引回し配線１６の全長に対応して形成
されている。これに対し、第２配線層１８２は、素子基
板１０のうちシール材３０と対向する領域、すなわち素
子基板１０のうちシール材３０と重なる領域内のみに形
成されている。
【００８１】より具体的には、第２配線層１８２は、シ
ール材３０の外周縁から所定の長さだけ内側に位置する
境界（以下、配線境界という）１０ｂから見て張出し領
域１０ａとは反対側においてのみ形成されており、張出
し領域１０ａ内には形成されていない。従って、引回し
配線１６のうち当該配線境界１０ｂから見て導通部１６
ａ側の部分、すなわち、シール材３０と重なる領域に形
成された部分は、図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すよう
に、第１配線層１８１、第２配線層１８２及び第３配線
層１８３の３層がこの順に積層された構成となってい
る。これに対し、上記配線境界１０ｂから見て張出し領
域１０ａ側の部分は、図８（ｂ）及び図８（ｄ）に示す
ように、第１配線層１８１及び第３配線層１８３の２層
のみが積層された構成となっている。
【００８２】ところで、図８（ａ）において、引回し配
線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分はＹ
方向に対して所定の角度を成して延在している。このた
め、この部分においては、Ｙ方向に延在する部分、つま
り、シール材３０によって覆われた部分と比較して広い
ピッチを確保することができる。そして、本実施形態に
おいては、引回し配線１６のうち張出し領域１０ａ内に
形成された部分の幅Ｗ１が、シール材３０によって覆わ
れた部分の幅Ｗ２よりも広くなっている。
【００８３】また、図８（ｂ）において、素子基板１０
の端部に形成された外部接続端子１７は、引回し配線１
６のうち配線境界１０ｂから見て張出し領域１０ａ側の
部分と同様の層構成となっている。すなわち、各外部接
続端子１７は、タンタルから成る第１配線層１８１とＩ
ＴＯから成る第３配線層１８３とが積層された構成とな
っている。
【００８４】以上に説明したように、本実施形態におい
ては、引回し配線１６を構成する複数の配線層の一部で
ある第２配線層１８２をシール材３０と重なる領域内に
形成する一方、これ以外の配線層である第１配線層１８
１を当該引回し配線１６の全長に対応して形成したの
で、当該引回し配線１６の腐食を有効に抑えることがで
きるという利点がある。すなわち、クロムから成る第２
配線層１８２は抵抗値が低い反面、タンタルから成る第
１配線層１８１やＩＴＯからなる第３配線層１８３と比
較してイオン化傾向が高く、大気に対する耐食性が低い
ため、腐食し易いという特性を有する。
【００８５】このため、引回し配線１６のうちシール材
３０によって覆われていない部分や外部接続端子１７に
第２配線層１８２を形成した場合には、当該第２配線層
１８２が外気中の水分等の付着に起因して腐食し易いと
いう問題が生じ得る。これに対し、本実施形態によれ
ば、イオン化傾向の高い第２配線層１８２がシール材３
０によって覆われた領域のみに形成されており、当該第
２配線層１８２に水分等が付着するのを回避できるの
で、第２配線層１８２の腐食を抑えることができる。
【００８６】他方、第１配線層１８１を構成するタンタ
ル及び第３配線層１８３を構成するＩＴＯは第２配線層
１８２を構成するクロムと比較して抵抗値が高い。この
ため、引回し配線１６を、その全長にわたって第１配線
層１８１及び第２配線層１８２のみによって形成した場
合には配線抵抗が高くなり、液晶装置の表示特性に悪影
響を与えるおそれがある。これに対し、本実施形態によ
れば、引回し配線１６のうちシール材３０によって覆わ
れた部分には、抵抗値が低い第２配線層１８２が形成さ
れているため、配線抵抗の上昇を抑えることができると
いう利点がある。
【００８７】さらに、本実施形態においては、引回し配
線１６のうち張出し領域１０ａ内に形成された部分の幅
が、シール材３０によって覆われた部分の幅よりも広く
なっている。換言すれば、第１配線層１８１と第３配線
層１８３とから成る部分の幅が、第２配線層１８２を含
む部分の幅よりも広くなっている。このため、張出し領
域１０ａ内の部分が、比較的抵抗値の高い第１配線層１
８１と第３配線層１８３とによって構成されているにも
かかわらず、当該部分における配線抵抗が極端に高くな
ってしまうという不都合が回避される。
【００８８】以上に説明したように、本実施形態によれ
ば、引回し配線１６がシール材３０によって覆われた部
分、すなわち被被覆部分を有するため、引回し配線１６
に水分や導電性の不純物等が付着することを防止でき
る。この結果、水分の付着等に起因して引回し配線１６
が腐食するのを抑えることができる。また、引回し配線
１６のうちシール材３０によって覆われた部分において
は、水分や導電性の不純物が複数の引回し配線１６に跨
って付着して配線の短絡が生じるといった事態を回避で
きるので、引回し配線１６がその大部分にわたって外気
に晒される従来の構造と比較して、引回し配線１６同士
の間隔を狭くすることができる。そしてこの結果、引回
し配線１６が形成されるべきスペースを狭くすることが
できるので、液晶装置の小型化を達成できる。このよう
に、本実施形態によれば、引回し配線１６が外気に晒さ
れることに起因して生じる種々の問題を確実に防止でき
る。ところで、引回し配線１６が外気に晒されることを
防止するための手段として、例えば、素子基板１０上の
引回し配線１６をその全長にわたって覆うように、樹脂
材料等から成る絶縁層を形成することもできる。但し、
この場合には、この絶縁層を形成するための工程が不可
欠となるため、その分だけ製造コストが高くなってしま
う。これに対し、本実施形態によれば、引回し配線１６
がシール材３０によって覆われるようになっており、上
記のような絶縁層を形成するための独立した工程は不要
であるので、製造コストの増大を伴うことなく上記の効
果を得ることができる。
【００８９】（電気光学装置の製造方法の実施形態）次
に、電気光学装置の製造方法について説明する。まず、
図３の素子基板１０上に設けられるデータ線１１、ＴＦ
Ｄ素子１３等といった各要素の製造方法について説明す
る。図９及び図１０は、素子基板１０上における１つの
表示ドット５０の製造方法を工程順に示している。ま
た、図１１は、素子基板１０上の引回し配線１６の製造
方法を工程順に示している。
【００９０】上述したように、本実施形態における引回
し配線１６は、ＴＦＤ素子１３及び画素電極１２を構成
する各層と同一の層によって形成される。従って、以下
では、表示ドット５０と引回し配線１６の双方の製造工
程を並行して説明する。また、図６における引回し配線
１６が形成されるべき領域に関して、張出し領域１０ａ
と、シール材３０が形成されるべき領域と、Ｙドライバ
ＩＣ４０が実装されるべき領域との位置関係は、図１１
（ａ）に示す通りである。
【００９１】まず、図９（ａ）及び図１１（ａ）に示す
ように、素子基板１０の面上にタンタルからなる金属膜
６１を形成する。この金属膜６１の成膜には、例えばス
パッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いることができ
る。金属膜６１の膜厚は、ＴＦＤ素子１３の用途等に応
じて好適な値が選択されるが、通常は、１００ｎｍ〜５
００ｎｍ程度である。なお、金属膜６１の形成前に、素
子基板１０の表面に酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等から
成る絶縁膜を形成しても良い。この絶縁膜を下地として
金属膜６１を形成すれば、当該金属膜６１と素子基板１
０との密着性を高めると共に素子基板１０から金属膜６
１への不純物の拡散を抑えることができる。
【００９２】次に、金属膜６１を、フォトリソグラフィ
処理及びエッチング処理によってパターニングする。具
体的には、図６の表示領域Ｖ内においては、図９（ｅ
１）に示すようなＴＦＤ素子１３の第１金属膜１３ａに
対応する形状であって、図９（ａ１）に示すようなＸ方
向に列を成す複数の表示ドット５０に沿って延びる形状
に、金属膜６１がパターニングされる。
【００９３】一方、図６の引回し配線１６が形成される
べき領域においては、上記パターニングと同じ工程によ
って、図１１（ｂ）に示すように、引回し配線１６を構
成する第１配線層１８１と、外部接続端子１７を構成す
る第１配線層１８１とが形成される。上述したように、
引回し配線１６を構成する第１配線層１８１は、図６の
導通部１６ａから張出し領域１０ａ内に位置する端部ま
でに至る引回し配線１６の全長に対応して形成される。
【００９４】次に、図９（ａ）において表示領域Ｖ内に
形成された金属膜６１の表面を陽極酸化法によって酸化
させることにより、図９（ｂ）に示すように、当該金属
膜６１の表面に酸化タンタルから成る酸化膜６２を形成
する。具体的には、素子基板１０を所定の電解液中に浸
漬し、表示領域Ｖ内の金属膜６１と電解液との間に所定
の電圧を印加して当該金属膜６１の表面を酸化させる。
酸化膜６２の膜厚は、ＴＦＤ素子１３の特性に応じて好
適な値が選択されるが、例えば１０〜３５ｎｍ程度であ
る。なお、陽極酸化に用いられる電解液としては、例え
ば０．０１〜０．１重量％のクエン酸水溶液を用いるこ
とができる。この後、ピンホールの除去や膜質の安定化
を図るために、上記陽極酸化によって形成した酸化膜６
２に対して熱処理を施す。なお、図１１（ｂ）に示す引
回し配線１６のための第１配線層１８１に対しては陽極
酸化は施こさない。従って、この第１配線層１８１の表
面に酸化膜は形成されない（図１１（ｃ）参照）。
【００９５】次に、図９（ｃ）及び図１１（ｃ）に示す
ように、素子基板１０の全面を覆うように金属膜６３を
形成する。この金属膜６３は、例えばスパッタリング法
等によって、５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の膜厚に形成さ
れる。この金属膜６３は、図１０（ｃ１）のデータ線１
１のうちの主配線１１ａ及び図９（ｅ１）のＴＦＤ素子
１３の第２金属膜１３ｃ、並びに図１１（ｆ）の引回し
配線１６の第２配線層１８２となる薄膜である。従っ
て、本実施形態における金属膜６３はクロムによって形
成される。
【００９６】この後、図９（ｃ）及び図１１（ｃ）にお
いて、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によ
って金属膜６３をパターニングする。これにより、表示
領域Ｖ内においては、図９（ｄ）及び図９（ｄ１）に示
すように、第２金属膜１１ｃに相当する細くなった部分
を有する主配線１１ａと、図９（ｅ１）の第２ＴＦＤ素
子１３２の第２金属膜１３ｃとが形成される。
【００９７】他方、引回し配線１６が形成されるべき領
域においては、図１１（ｃ）における金属膜６３のパタ
ーニングにより、図１１（ｄ）に示すように第２配線層
１８２が形成される。すなわち、引回し配線１６のうち
配線境界１０ｂから導通部１６ａ（図６参照）側の部分
に対応した形状の第２配線層１８２が形成される。換言
すると、先の工程で形成された第１配線層１８１の面上
に位置する金属膜６３のうち、配線境界１０ｂから見て
張出し領域１０ａ側の部分（外部接続端子１７が形成さ
れるべき部分を含む）に対応する金属膜６３が除去され
る。
【００９８】次に、図９（ｄ）において、フォトリソグ
ラフィ処理及びエッチング処理を用いて上述した金属膜
６１及び酸化膜６２をパターニングして、図９（ｅ）及
び図９（ｅ１）に示すように、各表示ドット５０のＴＦ
Ｄ素子１３を構成する第１金属膜１３ａ及び絶縁膜１３
ｂを形成する。すなわち、酸化膜６２によって覆われた
金属膜６１のうち、Ｘ方向に列を成す各表示ドット５０
同士の間の部分を除去することにより、第２金属膜１１
ｃ及び１３ｃの双方と交差する島状の部分となるように
第１金属膜１３ａ及び絶縁膜１３ｂをパターニングす
る。この工程により、第１ＴＦＤ素子１３１及び第２Ｔ
ＦＤ素子１３２が各表示ドット５０ごとに形成される。
なお、図１０（ａ）は、図９（ｅ１）におけるＦ−Ｆ’
線に従った断面図であって、データ線１１の主配線１１
ａ及び第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜１３ｃの断面
形状を示している。
【００９９】また、図９（ｄ）における金属膜６１及び
酸化膜６２のパターニングに際しては、図１１（ｄ）に
おける引回し配線１６用の第１配線層１８１及び第２配
線層１８２には何ら処理は施されない。
【０１００】ところで、上記の例では、図９（ｃ）の金
属膜６３にパターニング処理を施した後に、図９（ｄ）
の金属膜６１及び酸化膜６２にパターニング処理を施す
ようにしたが、これとは逆に、金属膜６１及び酸化膜６
２のパターニングを行った後に、金属膜６３の形成及び
当該金属膜６３のパターニングを行うようにしても良
い。
【０１０１】次に、図１０（ｂ）及び図１１（ｅ）に示
すように、ＩＴＯから成る透明導電膜６４を素子基板１
０の全面を覆うように形成する。この成膜には、例えば
スパッタリング法等を用いることができる。この後、透
明導電膜６４を、例えばフォトリソグラフィ処理及びエ
ッチング処理によってパターニングする。これにより、
表示領域Ｖ内においては、図１０（ｃ）及び図１０（ｃ
１）に示すように、第２ＴＦＤ素子１３２の第２金属膜
１３ｃに接続された画素電極１２と、主配線１１ａと共
にデータ線１１を構成する補助配線１１ｂとが形成され
る。
【０１０２】他方、表示領域Ｖの外側においては、図１
１（ｆ）に示すように、引回し配線１６の全長に対応し
て第１配線層１８１及び第２配線層１８２を覆う第３配
線層１８３と、外部接続端子１７の第１配線層１８１を
覆う第３配線層１８３とが形成される。
【０１０３】この後、図３に示すように素子基板１０の
うち表示領域Ｖを覆う配向膜５６を形成すると共に、当
該配向膜５６に対して所定方向にラビング処理を施す。
次いで、図１１（ｇ）において、導電粒子３２が分散さ
れたシール材３０を、例えばスクリーン印刷等の技術を
用いて塗布する。このとき、図６に示すように、シール
材３０の辺のうち、引回し配線１６の一部の延在方向と
略同一方向に延びる辺がその引回し配線１６を覆うよう
に、そのシール材３０を塗布する。
【０１０４】以上が、図３の素子基板１０上に各種要素
を製造するための製造方法である。この一方で、対向基
板２０上に設けられる各要素は、例えば、図１２及び図
１３に示す工程を経て形成される。なお、これらの図
は、図６の対向基板２０のうちシール材３０によって覆
われるべき領域の断面の近傍を示している。シール材３
０が形成されるべき領域は、図１２（ａ）において「シ
ール領域」として示されている。
【０１０５】まず、図１２（ａ）において、対向基板２
０のうち反射層２１が形成されるべき領域の表面を粗面
化する。具体的には、例えば、エッチング処理を用い
て、当該対向基板２０の表面のうち多数の微細な領域を
所定の厚さだけ選択的に除去する。これにより、除去さ
れた部分に対応する凹部と、除去されなかった部分に対
応する凸部とを有する粗面が対向基板２０の表面上に形
成される。
【０１０６】但し、対向基板２０の表面を粗面化する方
法はこれに限られるものではない。例えば、対向基板２
０を覆うようにエポキシ系やアクリル系の樹脂層を形成
し、当該樹脂層表面の多数の微細な部分をエッチングに
よって選択的に除去する。この後、当該樹脂層に熱を加
えて軟化させ、エッチングによって生じた角の部分を丸
めることにより、滑らかな凹凸を有する粗面を形成して
も良い。
【０１０７】次に、図１２（ａ）において対向基板２０
の全面を覆うように、光反射性を有する金属の薄膜を、
スパッタリング法等を用いて形成する。この薄膜は、例
えばアルミニウムや銀といった単体金属、又はこれらを
主成分とする合金等によって形成される。この後、フォ
トリソグラフィ処理及びエッチング処理を用いて当該薄
膜をパターニングすることにより、図１２（ｂ）に示す
反射層２１を形成する。
【０１０８】次に、図１２（ｃ）に示すように、反射層
２１の面上にカラーフィルタ２２及び遮光層２３を形成
する。すなわち、まず、染料や顔料によってＲ（赤）、
Ｇ（緑）又はＢ（青）のうちのいずれかの色、例えばＲ
色に着色された樹脂膜を反射層２１の面上に形成した
後、Ｒ色のカラーフィルタ２２が形成されるべき領域
と、遮光層２３が形成されるべき格子状の領域、すなわ
ち表示ドット５０同士の間隙領域とを残して、当該樹脂
膜を除去する。以後、これと同様の工程を、他の２色、
すなわちＧ色及びＢ色についても繰り返すことにより、
図１２（ｃ）に示すように、Ｒ、Ｇ又はＢのいずれかの
色に対応するカラーフィルタ２２と、これらの３色の層
が積層された遮光層２３とが形成される。
【０１０９】この後、図１２（ｄ）において、カラーフ
ィルタ２２及び遮光層２３を覆うようにエポキシ系又は
アクリル系の樹脂材料を塗布し、さらにそれを焼成し
て、オーバーコート層２４を形成する。次に、図１３
（ｅ）において、上記各要素が形成された対向基板２０
の全面を覆うようにＩＴＯ等から成る透明導電膜６５を
形成する。この成膜には、例えばスパッタリング法等を
用いることができる。
【０１１０】この透明導電膜６５をフォトリソグラフィ
処理及びエッチング処理によってパターニングして、図
１３（ｆ）に示すように、複数の走査線２５を形成す
る。これらの走査線２５は、１本ごとに、シール材３０
のＡ側及びＢ側の辺が形成されるべき領域に至るように
形成され、その端部には導通部２５ａが形成される。こ
の後、図１３（ｇ）に示すように、表示領域Ｖを覆うよ
うに配向膜２６を形成すると共に、当該配向膜２６に対
してラビング処理を施す。
【０１１１】次に、上記各工程を経て得られた素子基板
１０と対向基板２０とを、図２に示すように、各々の電
極形成面が対向するようにシール材３０を間に挟んで貼
り合わせる。このとき、図６において、各走査線２５の
導通部２５ａと引回し配線１６の導通部１６ａとがシー
ル材３０を挟んで対向するように、両基板１０，２０の
相対的な位置が調整される。
【０１１２】そして、図２において両基板１０，２０と
シール材３０とによって囲まれた領域内に、シール材３
０の開口部分を介して液晶を封入し、その後、当該開口
部分を封止材３１によって封止する。この後、両基板１
０，２０の外側表面に偏光板や位相差板等を貼着すると
共に、素子基板１０の張出し領域１０ａにＸドライバＩ
Ｃ４１及びＹドライバＩＣ４０をＣＯＧ技術を用いて実
装し、これにより、上述した液晶装置１が得られる。
【０１１３】このように、本実施形態によれば、引回し
配線１６がＴＦＤ素子１３及び画素電極１２と共通の層
から形成されるため、ＴＦＤ素子１３及び引回し配線１
６の各々を形成する工程を別個に実施した場合と比較し
て、製造工程の簡略化及び製造コストの低減が達成でき
る。
【０１１４】また、引回し配線１６の一部が、当該一部
が延在する方向と同一方向の辺によって覆われるよう
に、当該辺を含むシール材３０が形成されるため、製造
工程の増大を伴うことなく、引回し配線１６が外気に晒
されることを防止できる。
【０１１５】以上、本発明の一実施形態について説明し
たが、上記実施形態はあくまでも例示であり、上記実施
形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様
々な変形を加えることができる。変形例としては、例え
ば以下のようなものが考えられる。
【０１１６】（電気光学装置の第２実施形態）図６に示
した先の実施形態では、対向基板２０上の走査線２５が
素子基板１０上の引回し線１６と導通する構成を例示し
たが、これに代えて、図１４に示すような構成を採用で
きる。なお、図１４において図６に示した構成要素と同
じ構成要素については同一の符号を付すことにする。
【０１１７】図１４に示すように、本実施形態に係る液
晶装置８１においては、素子基板１０及び対向基板２０
のそれぞれが、シール材３０の外周縁から一方の側に張
り出した張出し領域１０ａ、２０ａを有する。そして、
素子基板１０の面上に形成された複数のデータ線１１
は、Ｙ方向に延在して張出し領域１０ａに至り、当該張
出し領域１０ａ内に実装されたＸドライバＩＣ４１の出
力端子に接続される。なお、複数のデータ線１１の各々
については、実際には、ＴＦＤ素子１３を介して画素電
極１２が接続されるが、図１４及び以下に示す図１５に
おいては、これらの要素の図示が省略されている。
【０１１８】一方、対向基板２０の面上に形成された複
数の走査線２５は、Ｘ方向に延在して張出し領域２０ａ
に至り、当該張出し領域２０ａ内に実装されたＹドライ
バＩＣ４０の出力端子に接続される。このように、本実
施形態の液晶装置８１では、対向基板２０上の走査線２
５は、素子基板１０上の配線に導通されず、対向基板２
０の張出し領域２０ａに至って１つのＹドライバＩＣ４
０に接続されている点で、図６に示した先の実施形態と
異なっている。従って、シール材３０中に導電粒子３２
を分散させる必要は必ずしもない。
【０１１９】図１５（ａ）は、図１４に示した液晶装置
８１における素子基板１０上の配線であるデータ線１１
とシール材３０との位置関係を示している。なお、同図
において、データ線１１及びＸドライバＩＣ４１は、素
子基板１０よりも紙面奥側に位置している。各データ線
１１は、表示領域Ｖから張出し領域１０ａに向かってＹ
方向に延在すると共に、シール材３０の張出し領域１０
ａに近接する側の一辺３０ａによって覆われた領域内に
至って略垂直に折れ曲がり、当該シール材３０の一辺３
０ａと略同一の方向、すなわちＸ方向に延在する。そし
て、当該シール材３０によって覆われた領域内において
再び略垂直に折れ曲がってＹ方向に延在し、その端部が
張出し領域１０ａ内のＸドライバＩＣ４１が実装される
べき領域に至るようになっている。
【０１２０】一方、図１５（ｂ）は液晶装置８１におけ
る対向基板２０上の配線である走査線２５とシール材３
０との位置関係を示している。同図に示すように、走査
線２５とシール材３０との位置関係は、上述したデータ
線１１とシール材３０との位置関係と同様である。すな
わち、表示領域Ｖ内においてＸ方向に延在する各走査線
２５は、シール材３０の張出し領域２０ａに近接する側
の一辺３０ｂによって覆われた領域内において折れ曲が
り、当該シール材３０の一辺と略同一の方向、すなわち
Ｙ方向に延在する。そして、当該シール材３０によって
覆われた領域内において再び折れ曲がって張出し領域２
０ａのＹドライバＩＣ４０が実装されるべき領域に至る
ようになっている。
【０１２１】このように、本実施形態においては、デー
タ線１１及び走査線２５の各々が、シール材３０の一辺
によって覆われる、すなわち被覆されると共に、当該一
辺と略同一方向に延在する部分、すなわち被被覆部分を
有する。換言すると、シール材３０は、その一部の辺
が、データ線１１又は走査線２５のうち当該一辺と略同
一方向に延在する部分を覆うように形成されている。こ
のため、図１４及び図１５に示すように、略長方形の枠
状に形成されたシール材３０のうち、張出し領域１０ａ
及び２０ａに近接する二辺は、他の二辺と比較して幅が
広くなっている。本実施形態においても、図６等に示し
た先の実施形態と同様の効果が得られる。（電気光学装
置の第３実施形態）図６に示した実施形態においては、
シール材３０のうち引回し配線１６を覆う辺の幅を、他
の辺の幅と比較して広くした構成を採った。しかしなが
ら、引回し配線１６を覆う辺を他の辺と同一の幅として
も、両基板１０，２０を貼り合わせることができ、且つ
引回し配線１６のうち当該辺と略同一方向に延在する部
分を覆うことができるのであれば、必ずしもこれらの辺
の幅を異ならせる必要はない。
【０１２２】（電気光学装置の製造方法の他の実施形
態）図１１に示した液晶装置の製造方法の実施形態にお
いては、引回し配線１６が形成された素子基板１０上に
シール材３０を形成する構成としたが、これに代えて、
対向基板２０上にシール材３０を形成し、このシール材
３０を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わ
せるようにしてもよい。要は、両基板１０，２０がシー
ル材３０を介して貼り合わされた状態において、当該シ
ール材３０の辺が、当該辺と略同一方向に延在する引回
し配線１６の一部を覆うようになっていれば良い。
【０１２３】（電気光学装置の第４実施形態）図６に示
した実施形態においては、ＴＦＤ素子１３が形成された
素子基板１０が観察側に位置し、走査線２５が形成され
た対向基板２０が背面側に位置する構成を例示したが、
これとは逆に、素子基板１０が背面側に位置し、対向基
板２０が観察側に位置する構成としても良い。この場合
には、図３において反射層２１を、対向基板２０上では
なくて素子基板１０上に形成すれば良い。
【０１２４】また、図３に示した実施形態では、背面側
に位置する基板２０にカラーフィルタ２２及び遮光層２
３を形成したが、これらの要素は観察側に位置する基板
１０に形成することもできる。また、カラーフィルタ２
２や遮光層２３を設けないで、白黒表示のみを行う構成
とすることもできる。すなわち、図３に示した実施形態
では、素子基板１０が本発明における「第１基板」に対
応し、対向基板２０が本発明における「第２基板」に対
応するものとしたが、本発明における「第１基板」及び
「第２基板」の各々は、観察側又は背面側のいずれに位
置する基板であっても良く、さらに、ＴＦＤ素子１３、
反射層２１、カラーフィルタ２２等といった各種要素の
いずれが形成される基板であっても良い。
【０１２５】さらに、図３の実施形態においては、反射
型表示のみを行う反射型液晶装置を例示したが、いわゆ
る透過型表示のみを行う透過型液晶装置にも本発明を適
用可能である。すなわち、この場合には、背面側の基板
（すなわち、図３では対向基板２０）に反射層２１を設
けない構成とし、背面側からの入射光が液晶を通過して
観察側に出射する構成とすれば良い。
【０１２６】さらに、反射型表示と透過型表示の双方が
可能な、いわゆる半透過反射型液晶装置にも本発明を適
用することができる。この場合には、図３の実施形態に
おける反射層２１に代えて、各表示ドット５０ごとに開
口部を有する反射層、又は表面に至った光のうちの一部
を反射させ他の一部を透過させる半透過反射層（いわゆ
るハーフミラー）を設けると共に、液晶装置の背面側に
照明装置を配設した構成とすれば良い。
【０１２７】また、図６に示した実施形態では、二端子
型スイッチング素子であるＴＦＤ素子を用いたアクティ
ブマトリクス方式の液晶装置を例示したが、ＴＦＴ（Th
in Film Transistor）素子に代表される三端子型スイッ
チング素子を用いた液晶装置や、スイッチング素子を持
たないパッシブマトリクス方式の液晶装置にも本発明を
適用できることは言うまでもない。このように、シール
材と、当該シール材によって覆われるべき配線を具備す
る液晶装置であれば、その他の構成要素の態様の如何を
問わず本発明を適用可能である。
【０１２８】（電子機器の実施形態）次に、本発明に係
る液晶装置を用いた電子機器について説明する。図１６
（ａ）は、本発明をモバイル型のパーソナルコンピュー
タ、すなわち可搬型のパーソナルコンピュータ、いわゆ
るノート型パーソナルコンピュータに適用した場合、特
にその表示部として適用した場合を示している。
【０１２９】ここに示すパーソナルコンピュータ７１
は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明
に係る液晶装置を適用した表示部７１３とを備えてい
る。このパーソナルコンピュータ７１に用いる電気光学
装置としては、暗所においても視認性を確保するため、
反射型表示のみならず透過型表示も可能な半透過反射型
の電気光学装置であることが望ましい。
【０１３０】次に、図１６（ｂ）は、本発明に係る電気
光学装置を携帯電話機の表示部として用いた場合を示し
ている。同図において、携帯電話機７２は、複数の操作
ボタン７２１の他、受話口７２２、送話口７２３と、表
示部７２４とを有する。表示部７２４は、本発明に係る
電気光学装置を用いて構成できる。また、暗所における
視認性を確保するため、半透過反射電気光学装置を表示
部７２４として用いることが望ましい。
【０１３１】なお、本発明に係る電気光学装置を適用可
能な電子機器としては、図１６（ａ）に示したパーソナ
ルコンピュータや、図１６（ｂ）に示した携帯電話機の
他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型のビデオテ
ープレコーダ、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、
カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、
ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、
ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ等が考えられる。
また、本発明に係る電気光学装置をライトバルブとして
用いたプロジェクタ等も本発明に係る電子機器と考えら
れる。
【０１３２】上述したように、本発明に係る電気光学装
置によれば、配線が外気に晒されることに起因して生じ
うる種々の問題を解消できるので、この電気光学装置を
用いた電子機器においては、導通不良等を回避して高い
信頼性を確保することができる。
【０１３３】（電気光学装置の第５実施形態）以下、パ
ッシブマトリクス方式で半透過反射型でカラー表示を行
う液晶装置に本発明を適用した場合の実施形態を説明す
る。図１７は、本発明に係る電気光学装置の一例である
液晶装置の一実施形態を示している。図１８は、図１７
に示す液晶装置における表示領域の一部分を拡大して示
している。図１９は、図１８におけるＮ−Ｎ'線に従っ
て液晶装置の断面構造を示している。図２０は、図１７
において矢印Ｓで示す上下導通部を拡大して示してい
る。また、図２１は、図２０のＴ−Ｔ'線に従って配線
部分の断面構造を示している。
【０１３４】ここに示す液晶装置３０１は、図１７に示
すように、平面的に見て長方形状の下基板３０２と、同
じく平面的に見て長方形状の上基板３０３とをシール材
３０４によって互いに貼り合せることによって形成され
ている。シール材３０４の一部は各基板３０２，３０３
の一辺側、本実施形態では上辺側で開口して液晶注入口
３０５となっており、双方の基板３０２，３０３とシー
ル材３０４とに囲まれた空間内に液晶が封入され、さら
に、液晶注入口３０５が封止材３０６によって封止され
ている。
【０１３５】但し、方形の環状に設けられたシール材３
０４のうち、各基板３０２，３０３の右辺側と左辺側と
に設けられていて互いに対向する２つの長辺部分は、導
電粒子３３０等といった導通材が混入されている導通部
３０４ａと、そのような導通材を含まない非導通部３０
４ｂとを隙間無く密着させることによって形成されてい
る。本実施形態では、非導通部３０４ｂには非導電性の
ギャップ材３３２を混入してある。
【０１３６】また、シール材３０４のうち各基板３０
２，３０３の上辺側と下辺側とに設けられていて互いに
対向する２つの短辺部分は、上記の非導通部３０４から
連続して形成されている。シール材３０４は、その全体
が液晶を封止する機能を果たし、さらに導通部３０４ａ
が基板３０２と基板３０３との間の導通をとる機能を果
たす。
【０１３７】下基板３０２は、図１７における縦方向の
長さが上基板３０３よりも大きくなっている。そして、
上基板３０３及び下基板３０２の上辺、右辺、左辺の３
辺に関してはそれらの縁、すなわち基板の端面が揃って
いる。これに対し、上基板３０３の残りの１辺、すなわ
ち図１における下辺からは下基板３０２の周縁部が上基
板３０３から張り出すように配置され、これにより、張
出し領域３０９が形成されている。
【０１３８】また、下基板３０２の下辺側の端部、すな
わち短辺に沿った部位には、上基板３０及び下基板３０
２の双方に設けられた電極を駆動するための駆動用半導
体素子３０７、すなわち電子部品が実装されている。な
お、符号３０８は表示領域Ｖの周囲を遮光するための方
形で環状の遮光層であり、この遮光層８の内縁よりも内
側の領域が実際の画像表示に寄与する表示領域Ｖとな
る。
【０１３９】図１７及び図１８に示すように、下基板３
０２上に、図中縦方向に延在する複数のセグメント電極
３１０が互いに平行に、すなわち全体としてストライプ
状に形成されている。一方、上基板３０３上には、セグ
メント電極３１０と直交するように図中横方向に延在す
る複数のコモン電極３１１がストライプ状に形成されて
いる。
【０１４０】また、カラーフィルタ３１３のＲ、Ｇ、Ｂ
の各色素層３１３ｒ，３１３ｇ，３１３ｂは各セグメン
ト電極３１０の延在方向に対応して配置されている。こ
の配列は、いわゆる縦ストライプ配列であり、具体的に
は、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれが縦方向に同色で、全体とし
てストライプ状に配置されている。図１８に示す横方向
に並んだＲ、Ｇ、Ｂの３個の表示ドットで画面上の１個
の画素が構成されている。
【０１４１】セグメント電極３１０はＷ２の幅で形成さ
れたＡＰＣ膜３１８と、これを覆うＷ１の幅で形成され
たＩＴＯ膜１９、すなわち透明導電膜との積層構造を有
している。なお、ＡＰＣ膜とは、銀（Ａｇ）、パラジウ
ム（Ｐａ）、銅（Ｃｕ）を所定の割合で含有した合金で
ある。
【０１４２】ＡＰＣ膜１９が半透過反射膜として機能す
るように、本実施形態ではＡＰＣ膜１９が各表示ドット
毎に２個ずつの光透過用の窓部３１２、すなわち光透過
領域を有している。窓部３１２は、カラーフィルタ３１
３の各色素層３１３ｒ，３１３ｇ，３１３ｂを複数の表
示ドットにわたって縦方向に見たときに千鳥状に配置さ
れている。なお、ここで言う「表示ドット」とは、図１
８に示すように、セグメント電極３１０とコモン電極３
１１とが平面的に見て重なり合った領域のことである。
【０１４３】図１７に示すように、各コモン電極３１１
はその両端がシール材３０４の導通部３０４ａに接し、
さらに導通部３０４ａの外側にまで延びている。また、
複数のコモン電極３１１（図１７では１０本のみ図示す
る）のうち、図１７の上側半分にある５本のコモン電極
３１１については、コモン電極３１１の右端が、導通部
３０４ａの中に混入させた導電粒子３３０を介して下基
板３０２上のコモン電極用引回し配線３１４に電気的に
接続されている。
【０１４４】そして、下基板３０２上の引回し配線３１
４は、導通部３０４ａを出て非導通部３０４ｂへ入り、
その中で屈曲して下基板３０２の右辺に沿って非導通部
３０４ｂの中を縦方向へ延びた後、この非導通部３０４
ｂから出て、張出し領域３０９に実装された駆動用半導
体素子３０７の出力端子に接続されている。
【０１４５】同様に、図１７の下側半分にあるコモン電
極３１１（図では５本だけが示されている）について
は、コモン電極３１１の左端が、導通部３０４ａの中に
混入させた導電粒子３３０を介して下基板３０２上の引
回し配線３１４に電気的に接続されている。
【０１４６】そして、下基板３０２上の引回し配線３１
４は、導通部３０４ａを出て非導通部３０４ｂへ入り、
その中で屈曲して下基板３０２の左辺に沿って非導通部
３０４ｂの中を縦方向へ延びた後、この非導通部３０４
ｂから出て、張出し領域３０９に実装された駆動用半導
体素子３０７の出力端子に接続されている。
【０１４７】すなわち、全ての引回し配線３１４は、シ
ール材３０４によって被覆された状態で基板３０２上に
設けられている。つまり、シール材３０４は配線３１４
を被覆するための被覆層として作用する。
【０１４８】一方、セグメント電極３１０については、
セグメント電極用引回し配線１５がセグメント電極１０
の下端からシール材３０４の非導通部３０４ｂへ向けて
引き出され、そのまま駆動用半導体素子３０７の出力端
子に接続されている。多数の引回し配線３１４，３１５
が各基板３０２，３０３の下辺側の非導通部３０４ｂを
横断するが、非導通部３０４ｂは導電性を持たないた
め、狭ピッチで配置された引回し配線３１４，３１５が
非導通部３０４ｂを横断しても短絡のおそれはない。
【０１４９】本実施形態の場合、これら引回し配線３１
４，３１５もセグメント電極３１０と同様、ＡＰＣ膜と
ＩＴＯ膜との積層膜で構成されている。また、駆動用半
導体素子７に各種信号を供給するための外部接続端子３
１６が下基板３０２の下辺から駆動用半導体素子７の入
力端子へ向けて設けられている。
【０１５０】上記液晶装置の画素部分の断面構造を見る
と、図１９に示すように、ガラス、プラスチック等とい
った透明基板から成る下基板３０２上に、複数のセグメ
ント電極３１０が図１９の紙面垂直方向へ延びるように
形成されている。これらのセグメント電極３１０は図１
９の左右方向へ互いに間隔を開けて平行に並べられ、全
体として矢印Ｕ方向から見てストライプ状に形成されて
いる。また、これらのセグメント電極３１０は、下基板
上３０２上に形成されたＡＰＣ膜３１８と、その上に積
層されたＩＴＯ膜３１９とから成る２層構造になってい
る。また、これらの電極３１０の上にはポリイミド等か
ら成る配向膜３２０が形成されている。そして、この配
向膜３２０の表面には、配向処理、例えばラビング処理
が施こされている。
【０１５１】本実施形態の場合、セグメント電極３１０
に関しては、ＡＰＣ膜３１８の上面のみにＩＴＯ膜３１
９が積層されただけではなく、ＩＴＯ膜３１９はＡＰＣ
膜３１８の側面も覆うようにＡＰＣ膜３１８の幅Ｗ２よ
りもＩＴＯ膜３１９の幅Ｗ１の方が大きく設定されてい
る。
【０１５２】一方、ガラス、プラスチック等といった透
明基板から成る上基板３０３３上に、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色
素層３１３ｒ，３１３ｇ，３１３ｂから成るカラーフィ
ルタ３１３が形成され、このカラーフィルタ３１３上に
は各色素層間の段差を平坦化すると同時に各色素層の表
面を保護するためのオーバーコート膜３２１が形成され
ている。このオーバーコート膜３２１はアクリル、ポリ
イミド等といった樹脂膜でも良いし、シリコン酸化膜等
といった無機膜でも良い。
【０１５３】さらに、オーバーコート膜３２１上には、
ＩＴＯの単層膜から成るコモン電極３１１が図１９の紙
面左右方向に矢印Ｕ方向から見てストライプ状に形成さ
れる。また、その電極３１１の上には、ポリイミド等か
ら成る配向膜３２２が形成され、その配向膜３２２には
ラビング処理が施される。上基板３０３と下基板３０２
との間には、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）液晶等
から成る液晶３２３が挟持されている。また、下基板３
０２の下面側には照明装３３５がバックライトとして配
置されている。
【０１５４】上基３０３の上にはブラックストライプ３
２５が形成されている。このブラックストライプ３２５
は、例えば樹脂ブラックや比較的反射率の低いクロム等
といった金属等から成り、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色素層３１３
ｒ，３１３ｇ，３１３ｂの間を区画するように設けられ
ている。これらのブラックストライプ３２５の幅Ｗは、
それの両側に隣接する一対の表示ドット内のＩＴＯ膜３
１９同士の間隔Ｐ１、すなわちセグメント電極間の間
隔、よりも大きく、さらに、ＡＰＣ膜３１８同士の間隔
Ｐ２に一致するように設定されている。
【０１５５】これを図１８で見ると、セグメント電極３
１０の輪郭を示す外側の線がＩＴＯ膜３１９の縁を示
し、その内側の線がＡＰＣ膜３１８の縁を示している。
また、ブラックストライプ３２５の輪郭を示す線はＡＰ
Ｃ膜３１８の縁を示す線に重なっている。つまり、色素
層３１３ｒ、３１３ｇ、３１３ｂの境界に設けられたブ
ラックストライプ３２５の幅Ｗは、セグメント電極３１
０を構成するＩＴＯ膜３１９の間隔Ｐ１よりも広く、且
つＡＰＣ膜３１８の間隔Ｐ２とほぼ同じになるように設
定されている。
【０１５６】図２０は、図１７に符号Ｓで示した部分を
拡大して示している。また、図２０のＴ−Ｔ'線に従っ
た断面構造が図２１に示されている。図２０に示す上側
３本のコモン電極３１１はその右端で引回し配線３１４
と電気的に接続されている。また、下側２本のコモン電
極３１１は、図１７を参照すれば明らかなように、その
左端で引回し配線３１４と電気的に接続される。
【０１５７】図２０及び図２１に示すように、上基板３
０３上のコモン電極３１１の端部はシール材３０４の導
通部３０４ａの形成領域よりも外側に張り出している。
また、下基板３０２の引回し配線３１４の端部は導通部
３０４ａの形成領域内に位置している。導通部３０４ａ
の中には、例えば直径が１０μｍ程度の導電粒子３３０
が混入されており、これら導電粒子３３０を介して上基
板３０３上のコモン電極３１１と下基板３０２上の引回
し配線３１４とが電気的に接続される。
【０１５８】引回し配線３１４は、セグメント電極３１
０と同様に、ＡＰＣ膜３１８上にＩＴＯ膜３１９が積層
された２層構造となっており、ＡＰＣ膜３１８の側面も
ＩＴＯ膜３１９で覆われている。引回し配線３１４と左
端で接続されたコモン電極３１１（すなわち、図２０の
下側２本のコモン電極３１１）に対しては、コモン電極
３１１の右端の導通部３０４ａの形成領域内にダミーパ
ターン３３１が形成されている。これらのダミーパター
ン３３１、引回し配線３１４と同様、ＡＰＣ膜３１８上
にＩＴＯ膜３１９が積層された２層構造となっている。
同様に、図示は省略するが、引回し配線３１４と右端で
接続されたコモン電極３１１（すなわち、図２０の上側
３本のコモン電極３１１）に対しても、コモン電極３１
１の左端の導通部３０４ａの形成領域内にダミーパター
ン３１が形成されている。なお、図２０において、引回
し配線３１４及びダミーパターン３３１を構成するＡＰ
Ｃ膜の周囲には、実際には、ＩＴＯ膜の輪郭が見えるは
ずであるが、ここでは図面を見易くするため、図示を省
略した。
【０１５９】本実施形態の液晶装置３０１においては、
コモン電極３１１と引回し配線３１４とを電気的に接続
する上下導通部として機能するシール材３０４が基板３
０２及び３０３の周縁部に設けられ、下基板３０２上の
多数の引回し配線３１４はシール材４に重なった状態、
すなわちシール材３０４に被覆された状態で基板上を引
き回されている。このため、引回し配線がシール材の外
側に配置される構造の従来の液晶装置に比べて、基板の
周縁領域、すなわち額縁領域を狭めることができる。
【０１６０】額縁領域を狭くすることを考えれば、理想
的には、シール材３０４の外側には基板の周縁部分を残
さないことが望ましい。しかしながら、実際には、基板
上にシール材３０４を印刷する時にある程度のマージン
が必要となる。しかしながら、そのマージンは、例えば
０．３μｍ程度の非常に狭い寸法で十分であるので、額
縁領域は実用上問題となる程度に広くなることはない。
【０１６１】また、本実施形態では、引回し配線３１４
の材料として比抵抗が小さいＡＰＣを用いるため、引回
し配線３１４のピッチを狭くすることができ、それ故、
額縁領域をより一層小さくすることができる。さらに、
本実施形態によれば、上基板３０３上のコモン電極３１
１をシール材３０４の導通部３０４ａを介して下基板３
０２上の引回し配線３１４に接続したので、下基板３０
２上のセグメント電極３１０の駆動と上基板３０３上の
コモン電極３１１の駆動の両方を下基板３０２上に実装
した１個の駆動用半導体素子３０７で担うようにした。
これにより、上下両方の基板のそれぞれに駆動用半導体
素子３０７を実装する構造の液晶装置に比べて、額縁領
域をより一層狭くすることができる。
【０１６２】また、図１７に示すように、駆動用半導体
素子３０７を１個にして下基板３０２の下端側に配置し
たことに加えて、多数の引回し配線３１４を半分ずつ左
右に振り分けて配置したことにより、額縁領域の形状が
左右対称となった。これにより、この液晶装置を電子機
器に表示部として組み込む際には、その表示部を電子機
器の中央に配置できるので、電子機器の組み立てに関す
る設計が非常に楽になると共に、電子機器の全体形状も
小型にすることができる。
【０１６３】また、図２０及び図２１に示すように、引
回し配線３１４をシール材３０４の非導通部３０４ｂで
被覆したので、引回し配線３１４が外気に触れることが
なく、それ故、引回し配線３１４の腐食を防止して配線
の信頼性を向上させることができる。また、ＡＰＣ膜３
１８は、その使用時にエレクトロマイグレーションを起
こし易いという性質を持っているが、本実施形態では、
セグメント電極３１０や引回し配線３１４，３１５を構
成するＩＴＯ膜３１９がＡＰＣ膜３１８の上面だけでな
くその側面をも覆っているため、製造工程中の水分の付
着による腐食の問題や膜表面の汚染に起因するエレクト
ロマイグレーションの問題を回避することができる。
【０１６４】本実施形態の場合、引回し配線３１４はＡ
ＰＣ膜３１８とＩＴＯ膜３１９との積層構造によって形
成されている。この引回し配線３１４の全体の層厚、す
なわちＡＰＣ膜３１８とＩＴＯ膜３１９との合計膜厚
は、例えば０．３μｍ程度である。この、図２０におい
て、シール材３１４の中で引回し配線３１４のある場所
とない場所とでは０．３μｍ程度の段差ができてしま
う。こうなると、セルギャップがばらついて、表示不良
が発生するおそれがある。
【０１６５】このことに関し、本実施形態では、引回し
配線３１４が存在しないコモン電極３１１の端部には、
引回し配線３１４と同じ構成及び同じ層厚のダミーパタ
ーン３３１が設けられているので、セルギャップが場所
によらず一定になり、それ故、表示不良を防止すること
ができる。また、引回し配線３１４とダミーパターン３
３１は同一工程において形成される同じ層によって形成
されているので、ダミーパターン３３１の形成にあたっ
てはマスクパターンにおけるパターンを追加するだけで
済み、製造工程が複雑になることはない。
【０１６６】また、本実施形態では、互いに隣接する一
対のセグメント電極３１０内のＡＰＣパターン３１８同
士の間隙を完全に覆うように、上基板３０３上にブラッ
クストライプ３２５を設けたので、光漏れがなくなり、
混色を防止することができる。その結果、反射表示時に
おける表示の明るさが向上し、同時に、透過表示時にお
ける色の彩度が向上して鮮明なカラー像を表示できる。
【０１６７】図１７の実施形態では、駆動用半導体素子
３０７を張出し領域３０９の上に直接に実装した、すな
わちＣＯＧ方式の実装方法を採用した。しかしながら、
それに代えて、液晶装置３０１の外部に駆動用半導体素
子３０７を設け、外部接続端子３１６に配線基板、例え
ばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の一端を接続
し、さらにそのＦＰＣの多端に上記駆動用半導体素子３
０７の出力端子を接続し、外部の半導体素子３０７の出
力信号をＦＰＣ、外部接続端子３１６、引回し配線１４
及び引回し配線１５を通して、各基板３０２，３０３上
の各電極３１０，３１１へ供給することもできる。
【０１６８】ところで、本実施形態においては、図１７
に示したように、各基板３０２，３０３の上辺及び下辺
に沿っ部分のシール材３０４は非導通部３０４ｂだけに
よって形成され、他方、各基板３０２，３０３の右辺及
び左辺に沿った部分のシール材３０４は、導通部３０４
ａと非導通部３０４ｂとから成る２重構造となってい
る。下基板３０２の上に形成される引回し配線３１４
は、非導通部３０４ｂの形成領域内に配置されている。
【０１６９】基板３０２，３０３の周縁部側に設けられ
た導通部３０４aは、図２０に示すように、その内部に
導電粒子３３０等といった導電材が混入され、液晶の封
止と共に上下導通部として機能する。他方、導通部３０
４aよりも基板３０２，３０３の中央側に設けられた非
導通部３０４bには、導電材は混入されておらず、それ
に代えて、セルギャップを確保するためのギャップ材３
３２が混入されている。このため、非導通部３０４b
は、上下導通部としての機能を奏することはなく、専ら
液晶封止の機能を担う。
【０１７０】液晶の封止に必要なシール材３０４の幅は
ある程度決まっている。通常、この幅は０．５ｍｍ程度
であると考えられる。今、シール材３０４の全体を導通
部３０４ａだけで形成するものとすると、上下導通のた
めの面積が大きく取れるのでコモン電極３１１と引回し
配線３１４との間で安定した導通を確保できるという利
点がある。また、この場合、コモン電極３１１同士のピ
ッチは広いのでそれらが短絡するということもない。
【０１７１】しかしながら、引回し配線１４について見
ると、それらの間のピッチは狭いので、その引回し配線
１４を導通部３０４ａの形成領域内に配置すると引回し
配線１４間が短絡するおそれがある。従って、シール材
３０４を導通部３０４aだけによって形成する場合に
は、引回し配線３１４の短絡を回避するために、引回し
配線３１４をシール材３０４よりも内側に配置しなけれ
ばならない。これでは、シール材３０４を避けて引回し
配線３１４を配置させた分だけ液晶装置の平面寸法が大
きくなり、液晶装置の額縁領域を狭くしようという要求
を満足できない。これに対して、本実施形態では、導通
部３０４ａ及び非導通部３０４ｂはともに液晶封止のた
めに機能するので、液晶の封止に必要となるシール材の
幅である０．５ｍｍをこれらの導通部３０４ａ及び非導
通部３０４ｂで分け合うことにした。具体的には、上下
導通の信頼性を確保することを考慮した上で、図２０に
示すように、例えば導通微３０４ａの幅Ｓ１を０．２ｍ
ｍとし、非導通部３０４ｂの幅Ｓ２を０．３ｍｍとし
た。
【０１７２】この場合でも、シール材３０４の全体の幅
Ｓは、あくまでも０．５ｍｍであるので、シール材３０
４は液晶を確実に封止することができる。また、非導通
部３０４ｂはそもそも導電性を持たないので、導通部３
０４ａの形成領域を避けて、非導通部３０４ｂの形成領
域内に引回し配３１４を配置すれば、それらの引回し配
線３１４の短絡を防止できる。
【０１７３】具体的には、基板の縁から導通部３０４ａ
までの寸法Ｅを０．３ｍｍとすると、基板の縁から寸法
Ｅと導通部３０４ａの幅Ｓ１の合計である０．５ｍｍの
範囲には引回し配線３１４を配置できないが、それより
も基板中央寄りには引回し配線３１４を配置できること
になる。すなわち、シール材３０４の全体を導通部３０
４aによって形成する場合に比べて、片側で０．３ｍ
ｍ、両側で０．６ｍｍの狭額縁化を達成できる。このよ
うに、図２０に示す２重構造のシール材３０４を採用し
たことにより、本実施形態の液晶装置によれば、額縁領
域をより一層狭くすることができる。
【０１７４】なお、２重構造のシール材３０４を形成す
る場合、導通部３０４ａと非導通部３０４ｂとの間に気
泡等が入ると、液晶封止の信頼性が低下するおそれがあ
る。シール材３０４の中に気泡が入らないようにするた
めには、例えば図２２に示すような方法を採ることがで
きる。
【０１７５】すなわち、図２２では、導通部３０４ａと
なる樹脂材料を上基板３０３上に印刷し、他方、非導通
部３０４ｂとなる樹脂材料を下基板３０２上に印刷す
る。そして、印刷の終了後の両基板３０２，３０３を互
いに貼り合せることにより、導通部３０４aと非導通部
３０４bとをつなぎ合わせて図２１に示すようにシール
材３０４を形成する。
【０１７６】なお、基板を貼り合わせる際には、図２２
に示すように、導通部３０４ａの内周部の寸法Ｘの部分
と、非導通部３０４ｂの外周部の寸法Ｘの部分とが互い
に重なり合うようにすること、すなわち寸法的にオーバ
ーラップさせることが望ましい。こうずれば、導通部３
０４aの内周面と非導通部３０４bの外周面とを環状の全
周にわたって隙間無く密着させて、気泡の発生をほぼ完
全に防止できる。
【０１７７】（電気光学装置の第６実施形態）図２３
は、電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス方
式のＥＬ（Electro Luminescence）装置１１０に本発明
を適用した場合の実施形態を示している。また、図２４
は、図２３におけるＹ−Ｙ’線に従ってＥＬ装置１１０
の断面構造を示している。
【０１７８】これらの図において、基板１００上には、
複数の画素が形成される領域、すなわち表示領域Ｖが形
成される。また、ゲート側駆動用ＩＣ１０２と、ソース
側駆動用ＩＣ１０３とがＡＣＦ１２０によって基板１０
０上に実装されている。また、基板１００の辺端にＦＰ
Ｃ１２１がＡＣＦ１２０によって接続されている。ＦＰ
Ｃ１２１の出力端子と駆動用ＩＣ１０２，１０３の入力
端子は、基板１００上に形成した外部接続端子１１７に
よって接続される。
【０１７９】なお、上記の各駆動用ＩＣ１０２，１０３
内には、例えば、シフトレジスタ、バッファ、レベルシ
フタ、サンプリング回路等が含まれる。また、デジタル
駆動を行う場合には、Ｄ／Ａコンバータ等といった信号
変換回路を含めることもできる。また、各駆動用ＩＣ１
０２，１０３に相当する回路は、表示領域Ｖ内に半導体
素子等を形成する際に、同時に、基板１００上に作り込
むこともできる。またその際には、表示領域Ｖ及び駆動
用ＩＣ１０２，１０３に相当する回路等といった回路構
成以外に、信号分割回路、Ｄ／Ａコンバータ回路、オペ
アンプ回路、γ補正回路等といった論理回路を基板１０
０上に直接に形成することもできる。さらには、メモリ
部やマイクロプロセッサ等を基板１００上に直接に形成
することもできる。
【０１８０】基板１００上には、接着剤１０５によって
ハウジング１０４が固着されている。このハウジング１
０４は、少なくとも表示領域Ｖを囲むように設けられ
る。このハウジング１０４は、その内側の高さ寸法が表
示領域Ｖの高さよりも大きい凹部を有する形状又はその
ような凹部を持たないシート形状である。接着剤１０５
によって固着されたハウジング１０４は、基板１００と
協働して表示領域Ｖの周りに密閉空間を形成する。この
とき、表示領域Ｖ内に形成される複数のＥＬ素子は上記
の密閉空間に完全に封入された状態となり、外気から完
全に遮断される。ハウジング１０４の材質は、ガラス、
ポリマー等といった絶縁性物質が好ましい。例えば、硼
硅酸塩ガラス、石英等といった非晶質ガラス、結晶化ガ
ラス、セラミックスガラス、有機系樹脂（例えば、アク
リル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹
脂、エポキシ系樹脂等）、シリコーン系樹脂等とするこ
とができる。また、接着剤１０５が絶縁性物質であるな
らば、ステンレス合金等といった金属材料を用いること
もできる。
【０１８１】接着剤１０５としては、エポキシ系樹脂、
アクリレート系樹脂等といった接着剤を用いることがで
きる。また、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を接着剤とし
て用いることもできる。但し、可能な限り酸素、水分を
透過しない材質であることが必要である。
【０１８２】図２４において、ハウジング１０４と基板
１００との間の空隙１０６には、アルゴン、ヘリウム、
窒素等といった不活性ガスを充填しておくことが望まし
い。また、ガスに限らず不活性液体、例えばパーフルオ
ロアルカンに代表される液状フッ素化炭素等を用いるこ
ともできる。また、空隙１０６内に乾燥剤を入れておく
ことも有効であり，そのような乾燥剤としては、例え
ば、酸化バリウムが考えられる。
【０１８３】図２３に示すように、表示領域Ｖには個々
に独立した複数の表示ドット５０がマトリクス状に配列
されている。図２５は、図２３における矢印Ｌに従っ
て、互いに隣り合う２つの表示ドット５０を示してい
る。また、図２６はそれらの表示ドット内の電気的な回
路構成を等価回路図として示している。
【０１８４】図２５及び図２６に示すように、個々の表
示ドット５０は、スイッチング用素子として機能するス
イッチング用ＴＦＴ２０１と、ＥＬ素子へ流す電流量を
制御する電流制御用素子として機能する電流制御用ＴＦ
Ｔ２０２とを有する。スイッチング用ＴＦＴ２０１のソ
ースはソース配線２２１に接続され、そのゲートはゲー
ト配線２１１に接続され、そして、そのドレインは電流
制御用ＴＦＴ２０２のゲートに接続される。
【０１８５】また、電流制御用ＴＦＴ２０２のソースは
電流供給線２１２に接続され、そのドレインはＥＬ素子
２０３に接続される。なお、ＥＬ素子２０３は、発光層
を含むＥＬ層を陽極と陰極とによって挟んだ構造の発光
素子である。図２５では、画素電極２４６が略方形状の
陽極として示され、発光層を含むＥＬ層２４７がその画
素電極２４６の上に積層され、その上に各表示ドット５
０に共通する共通電極としての陰極（図２５では図示せ
ず）が積層され、この積層構造によってＥＬ素子２０３
が形成される。
【０１８６】ソース配線２２１は、図２３において、紙
面上下方向（すなわち、Ｘ方向）へ延びて図２３の上部
において接着剤１０５の中、すなわちその下層へ入り、
その接着剤１０５の中において配線１１２に接続する。
配線１１２は、接着剤１０５の中を紙面横方向（すなわ
ち、Ｙ方向）へ延び、接着剤１０５の左辺を横切ってハ
ウジング１０４の外部へ張り出してソース用駆動用ＩＣ
１０３の出力端子に接続する。
【０１８７】ゲート配線２１１は、図２３のＹ方向へ延
び、接着剤１０５の左辺の近傍において配線１１３に接
続する。配線１１３は、接着剤１０５の左辺を横切って
ハウジング１０４の外部へ張り出して、ゲート用駆動用
ＩＣ１０２の出力端子に接続する。
【０１８８】電流供給線２１２は、図２３のＹ方向へ延
びて図２３の下部において接着剤１０５の中、すなわち
その下層へ入り、その接着剤１０５の中において配線１
１４に接続する。配線１１４は、接着剤１０５の中をＹ
方向へ延び、接着剤１０５の左辺を横切ってハウジング
１０４の外部へ張り出して、外部接続端子１１７を介し
てＦＰＣ１２１の出力端子に接続する。
【０１８９】図２７は、図２５におけるＭ−Ｍ’線に従
って、ＥＬ素子を駆動するためのアクティブ素子部分の
断面構造を示している。図２７において、基板１００の
上に下地となる絶縁膜２０６が形成される。基板１００
は、例えば、ガラス基板、ガラスセラミックス基板、石
英基板、シリコン基板、セラミックス基板、金属基板、
プラスチック基板又はプラスチックフィルム等によって
形成される。
【０１９０】下地膜２０６は、特に可動イオンを含む基
板や導電性を有する基板を用いる場合に有効であるが、
基板１００として石英基板を用いる場合には下地膜２０
６は設けなくても構わない。下地膜２０６としては、例
えば、珪素（すなわち、シリコン）を含む絶縁膜を用い
れば良い。また、下地膜２０６には、ＴＦＴに発生する
熱を発散させるための放熱機能を持たせることが望まし
い。
【０１９１】本実施形態では、１つの表示ドット内に２
つのＴＦＴ、具体的にはスイッチング用素子として機能
するスイッチング用ＴＦＴ２０１と、ＥＬ素子へ流す電
流量を制御する電流制御用素子として機能する電流制御
用ＴＦＴ２０２とが設けられる。これらのＴＦＴは、本
実施形態では、どちらもｎチャネル型ＴＦＴとして形成
したが、両方又はどちらかをｐチャネル型ＴＦＴとする
こともできる。
【０１９２】スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ソース領
域２１３、ドレイン領域２１４、ＬＤＤ（Lightly Dope
d Drain）領域２１５ａ，２１５ｂ，２１５ｃ，２１５
ｄ、高濃度不純物領域２１６及びチャネル形成領域２１
７ａ，２１７ｂの５種類の要素を含む活性層を有する。
また、スイッチング用ＴＦＴ２０１は、ゲート絶縁膜２
１８と、ゲート電極２１９ａ，２１９ｂと、第１層間絶
縁膜２２０と、ソース配線２２１と、ドレイン配線２２
２とを有する。
【０１９３】図２５に示すように、ゲート電極２１９
ａ，２１９ｂは、当該ゲート電極２１９ａ，２１９ｂよ
りも低抵抗である別の材料によって形成されたゲート配
線２１１によって電気的に接続されたダブルゲート構造
となっている。もちろん、ダブルゲート構造だけでな
く、トリプルゲート構造等といった、いわゆるマルチゲ
ート構造、すなわち、直列に接続された２つ以上のチャ
ネル形成領域を有する活性層を含む構造、であっても良
い。
【０１９４】活性層は、結晶構造を含む半導体膜、すな
わち、単結晶半導体膜や多結晶半導体膜や微結晶半導体
膜等によって形成される。また、ゲート電極２１９ａ，
２１９ｂ、ソース配線２２１、ドレイン配線２２２は、
あらゆる種類の導電膜を用いることができる。さらに、
スイッチング用ＴＦＴ２０１においては、ＬＤＤ領域２
１５ａ〜２１５ｄは、ゲート絶縁膜２１８を介して且つ
ゲート電極２１９ａ，２１９ｂとは重ならないように設
けられる。このような構造は、オフ電流値を低減する上
で非常に効果的である。
【０１９５】次に、図２７において、電流制御用ＴＦＴ
２０２は、ソース領域２３１、ドレイン領域２３２、Ｌ
ＤＤ領域２３３及びチャネル形成領域２３４の４種類の
要素を含む活性層と、ゲート絶縁膜２１８と、ゲート電
極２３５と、第１層間絶縁膜２２０と、ソース配線２３
６と、ドレイン配線２３７とを有する。なお、ゲート電
極２３５はシングルゲート構造となっているが、これに
代えて、マルチゲート構造とすることもできる。
【０１９６】図２７において、スイッチング用ＴＦＴ２
０１のドレインは電流制御用ＴＦＴのゲートに接続され
ている。具体的には、電流制御用ＴＦＴ２０２のゲート
電極２３５は、スイッチング用ＴＦＴ２０１のドレイン
領域２１４とドレイン配線２２２を介して電気的に接続
されている。また、ソース配線２３６は、電流供給線２
１２に接続される。
【０１９７】電流制御用ＴＦＴ２０２は、ＥＬ素子２０
３を発光させるための電流を供給すると同時に、その供
給量を制御して階調表示を可能とする。そのため、電流
を流しても劣化しないようにホットキャリア注入による
劣化対策を講じておく必要がある。また、黒色を表示す
る際は、電流制御用ＴＦＴ２０２をオフ状態にしておく
が、その際，オフ電流値が高いときれいな黒色表示がで
きなくなり、コントラストの低下を招く。従って、オフ
電流値も抑えることが望ましい。
【０１９８】図２７において、第１層間絶縁膜２２０の
上に第１パシベーション膜２４１が形成される。この第
１パシベーション膜２４１は、例えば、珪素を含む絶縁
膜によって形成される。この第１パシベーション膜２４
１は、形成されたＴＦＴをアルカリ金属や水分から保護
する機能を有する。最終的にＴＦＴの上方に設けられる
ＥＬ層にはナトリウム等といったアルカリ金属が含まれ
ている。すなわち、第１パシベーション膜２４１は、こ
れらのアルカリ金属をＴＦＴ側に侵入させない保護層と
して機能する。
【０１９９】また、第１パシベーション膜２４１に放熱
機能を持たせれば、ＥＬ層の熱劣化を防ぐこともでき
る。また、図２７の構造では基板１００に光が放射され
るため、第１パシベーション膜２４１は透光性を有する
ことが必要である。また、ＥＬ層として有機材料を用い
る場合、そのＥＬ層は酸素との結合によって劣化するの
で、酸素を放出し易い絶縁膜は用いないことが望まし
い。
【０２００】第１パシベーション膜２４１の上には、各
ＴＦＴを覆うような形で第２層間絶縁膜２４４が形成さ
れる。この第２層間絶縁膜２４４は、ＴＦＴによって形
成される段差を平坦化する機能を有する。この第２層間
絶縁膜２４４としては、例えば、ポリイミド、ポリアミ
ド、アクリル等といった有機樹脂膜を用いることができ
る。もちろん、十分な平坦化が可能であれば、無機膜を
用いることもできる。ＥＬ層は非常に薄いため、それを
形成する面に段差が存在すると発光不良を起こす場合が
ある。従って、第２層間絶縁膜２４４によってＴＦＴに
よる段差を平坦化することは、後にその上に形成される
ＥＬ層を正常に機能させることに関して重要である。
【０２０１】第２層間絶縁膜２４４の上には、第２パシ
ベーション膜２４５が形成される。この第２パシベーシ
ョン膜２４５は、ＥＬ素子から拡散するアルカリ金属の
透過を防ぐという機能を奏する。この第２パシベーショ
ン膜２４５は第１パシベーション膜２４１と同じ材料に
よって形成できる。また、第２パシベーション膜２４５
はＥＬ素子で発生した熱を逃がす放熱層としても機能す
ることが望ましく、この放熱機能により、ＥＬ素子に熱
が蓄積することを防止できる。
【０２０２】第２パシベーション膜２４５の上に画素電
極２４６が形成される。この画素電極２４６は、例えば
透明導電膜によって形成されて、ＥＬ素子の陽極として
機能する。この画素電極２４６は、第２パシベーション
膜２４５、第２層間絶縁膜２４４及び第１パシベーショ
ン膜２４１にコンタクトホール、すなわち開口を開けた
後、形成されたそのコンタクトホールにおいて電流制御
用ＴＦＴ２０２のドレイン配線２３７に接続するように
形成される。
【０２０３】次に、画素電極２４６の上にＥＬ層２４７
が形成される。このＥＬ層２４７は単層構造又は多層構
造で形成されるが、一般には、多層構造の場合が多い。
このＥＬ層２４７において、画素電極２４６に直接に接
触する層としては、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層
がある。
【０２０４】今、正孔輸送層及び発光層の２層構造を採
用するものとすれば、正孔輸送層は、例えばポリフェニ
レンビニレンによって形成できる。そして、発光層とし
ては、赤色発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、
緑色発光層にはポリフェニレンビニレン、青色発光層に
はポリフェニレンビニレン又はポリアルキルフェニレン
を、それぞれ、用いることができる。
【０２０５】次に、以上のようにして形成されたＥＬ層
２４７の上に陰極２４８が形成され、さらにその上に保
護電極２４９が形成される。これらの陰極２４８及び保
護電極２４９は、例えば、真空蒸着法によって形成され
る。なお、陰極２４８と保護電極２４９とを大気解放し
ないで連続的に形成すれば、ＥＬ層２４７の劣化を抑え
ることができる。画素電極２４６、ＥＬ層２４７及び陰
極２４８によって形成される発光素子がＥＬ素子２０３
である。
【０２０６】陰極２４８としては、仕事関数の小さいマ
グネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）又はカルシウム
（Ｃａ）を含む材料を用いることができる。保護電極２
４９は陰極２４８を外部の水分等から保護するために設
けられるものであり、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又
は銀（Ａｇ）を含む材料を用いることができる。この保
護電極２４９には放熱効果もある。
【０２０７】図２７に示す構造は、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれ
かの色に対応した１種類のＥＬ素子２０３を個々の表示
ドット５０に対応させて形成する単色発光方式の構造で
ある。しかしながら、発光方式としては、そのような単
色発光方式の他に、白色発光のＥＬ素子とカラーフィル
タを組み合わせた方式や，青色又は青緑発光のＥＬ素子
と蛍光体とを組み合わせた発光方式や、あるいは、陰極
に透明電極を使用してＲ，Ｇ，Ｂに対応したＥＬ素子を
重ねる方式等といった各種の方式を用いてカラー表示を
行うこともできる。もちろん、白色発光のＥＬ層を単層
で形成して白黒表示を行うこともできる。
【０２０８】保護電極２４９の上には、第３パシベーシ
ョン膜２５０が形成される。この第３パシベーション膜
２５０は、ＥＬ層２４７を水分から保護するように機能
すると共に、必要に応じて、第２パシベーション膜２４
５と同様に放熱機能を奏するようにしても良い。なお、
ＥＬ層として有機材料を用いる場合には、その有機材料
は酸素との結合によって劣化する可能性があるので、酸
素を放出し易い絶縁膜は第３パシベーション膜２５０と
して用いないことが望ましい。
【０２０９】本実施形態に係るＥＬ装置１１０は以上の
ように構成されているので、図２３において、ゲート側
駆動回路１０２によってゲート配線２１１へ走査信号又
データ信号の一方が供給され、ソース側駆動回路１０３
によってソース配線２２１へ走査信号又はデータ信号の
他方が供給される。一方、電流供給線２１２によって各
表示ドット５０内の電流制御用ＴＦＴ２０２へＥＬ素子
を発光させるための電流が供給される。
【０２１０】表示領域Ｖ内にマトリクス状に配列された
複数の表示ドット５０のうちの適宜のものがデータ信号
に基づいて個々に選択され、その選択期間においてスイ
ッチング用ＴＦＴ２０１がオン状態になってデータ電圧
の書き込みが行われ、非選択期間ではＴＦＴ２０１がオ
フ状態になることで電圧が保持される。このようなスイ
ッチング及び記憶動作により、複数の表示ドット５０の
うちの適宜のものが選択的に発光し、この発光点の集ま
りにより、図２３の紙面奥側、すなわち図２４に矢印Ｑ
で示す方向に、文字、数字、図形等といった像が表示さ
れる。
【０２１１】図２３において、ソース配線２２１には配
線１１２を通して信号が送られる。また、ゲート配線２
１１には配線１１３を通して信号が供給される。また、
電流供給線２１２には配線１１４を通して電流が供給さ
れる。本実施形態では、ＥＬ装置１１０の内部を外部か
ら密閉状態に遮蔽するハウジング１０４のうち配線１１
２，１１３，１１４が外部へ引き出される個所に相当す
る辺の近傍に配線境界１０ｂが設定される。
【０２１２】上記の配線１１２，１１３，１１４に関し
ては、配線境界１０ｂから見て配線引出し側（すなわ
ち、図２３の左側）に存在する部分は、その断面構造
が、図８（ｄ）に示したように、第１配線層１８１及び
それに積層された第３配線層１８３の２層構造となって
いる。一方、配線境界１０ｂから見て表示領域Ｖ側に存
在する部分は、その断面構造が、図８（ｃ）に示したよ
うに、第１配線層１８１、それに積層された第２配線層
１８２、及びそれに積層された第３配線層１８３の３層
構造となっている。つまり、配線境界１０ｂの内側と外
側とで配線１１２，１１３，１１４の層構成が異なって
いる。
【０２１３】例えば、配線境界１０ｂの内側（すなわ
ち、表示領域Ｖ側）にだけ存在する第２配線層１８２を
低抵抗で腐食し易い材料によって形成する場合を考える
と、そのような第２配線層１８２を配線の中に含ませる
ことにより、配線抵抗値を低く抑えることができるよう
になり、それ故、ＥＬ装置１１０によって安定した像表
示を行うことが可能となる。
【０２１４】しかも、そのように腐食し易い材料を用い
て第２配線層１８２を形成する場合であっても、その第
２配線層１８２を設ける領域は、ハウジング１０４によ
って外部から遮蔽された領域に限られているので、腐食
し易い第２配線層１８２は外気に触れることがなく、そ
れ故、第２配線層１８２従って配線全体に腐食が発生し
て表示不良が発生することは確実に防止される。
【０２１５】さらに、本実施形態では、配線１１２及び
配線１１４のうちＹ方向に延在する部分を広く接着剤１
０５によって被覆しているので、それらの配線が外気に
晒されることを確実に防止でき、それ故、外気に晒され
ることに起因して発生すると考えられる問題、例えば、
腐食や短絡等を確実に防止できる。なお、このような問
題は配線１１２等を基板１００上に形成した後の、ＥＬ
装置の製造工程中においても発生すると考えられるが、
できるだけ早い段階で配線１１２等を接着剤１０５で被
覆すれば、上記の問題が発生することを早い段階から防
止できる。
【０２１６】（その他の実施形態）以上、好ましい実施
形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形
態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明
の範囲内で種々に改変できる。
【０２１７】例えば、電気光学装置は液晶装置及びＥＬ
装置に限られず、基板上に配線を形成する必要のある、
あらゆる装置が考えられる。
【０２１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
引回し配線が外気に晒されることに起因して生じ得る各
種の問題を簡単且つ確実に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を実施可能な電気光学装置の一例である
液晶装置であって、特にＴＦＤ素子を用いたアクティブ
マトリクス方式の液晶装置の電気的構成を示す等価回路
図である。
【図２】本発明を電気光学装置の一例である液晶装置に
実施した場合の一実施形態を示しており、（ａ）は観察
側から見た場合の液晶装置の斜視図であり、（ｂ）は背
面側から見た場合の液晶装置の斜視図である。
【図３】図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’線に従って液晶装
置の断面構造を示す断面図である。
【図４】図２（ａ）に示す液晶装置における表示領域内
の構成を示す斜視図である。
【図５】（ａ）は図４における１つの画素電極及び１つ
のＴＦＤ素子を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）にお
けるＥ−Ｅ’線に従った断面図であり、（ｃ）は（ａ）
におけるＦ−Ｆ’線に従った断面図である。
【図６】図２（ａ）に示す液晶装置の平面断面図であ
る。
【図７】図６におけるＧ−Ｇ’線に従った断面図であ
る。
【図８】（ａ）は図６において矢印Ｐで示す部分を拡大
して示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＨ−
Ｈ’線に従った断面図であり、（ｃ）は（ａ）における
Ｉ−Ｉ’線に従った断面図であり、（ｄ）は（ａ）にお
けるＪ−Ｊ’線に従った断面図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施
形態であってＴＦＤ素子に関する製造方法を工程順に示
す図である。
【図１０】図９に示す工程に関連する工程を示す工程図
である。
【図１１】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実
施形態であって引回し配線に関する製造方法を工程順に
示す図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実
施形態であって、対向基板上に設ける要素に関する製造
方法を工程順に示す図である。
【図１３】図１２に引き続く工程を示す図である。
【図１４】本発明を電気光学装置の一例である液晶装置
に実施した場合の他の実施形態を示す平面断面図であ
る。
【図１５】図１４に示す液晶装置における電極と配線と
の関係を示す平面図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の実施形態であり、
（ａ）は電子機器の一例であるパーソナルコンピュータ
を示す斜視図であり、（ｂ）は電子機器の他の一例であ
る携帯電話機を示す斜視図である。
【図１７】本発明を電気光学装置の一例である液晶装置
に実施した場合の、さらに他の実施形態を一部破断して
示す平面図である。
【図１８】図１７に示す液晶装置における画素部分を拡
大して示す平面図である。
【図１９】図１８におけるＮ−Ｎ’線に従って液晶装置
の内部の断面構造を示す断面図である。
【図２０】図１７において矢印Ｓで示す部分を拡大して
示す図である。
【図２１】図２０におけるＴ−Ｔ’線に従って液晶装置
におけるシール部分を拡大して示す断面図である。
【図２２】図２１に示すシール構造を製造するための方
法の一例を示す断面図である。
【図２３】本発明を電気光学装置の他の一例であるＥＬ
装置に実施した場合の一実施形態を一部破断して示す平
面断面図である。
【図２４】図２３におけるＹ−Ｙ’線に従ってＥＬ装置
の断面構造を示す断面図である。
【図２５】図２３において矢印Ｌで示す表示ドット部分
を拡大して示す平面図である。
【図２６】図２５の構造に対応する電気的な等価回路図
である。
【図２７】図２５におけるＭ−Ｍ’線に従ってＴＦＴの
断面構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 液晶装置（電気光学装置） １０ 素子基板（第１基板） １０ａ 張出し領域 １０ｂ 配線境界 １１ データ線 １１ａ 主配線 １１ｂ 補助配線 １１ｃ 第２金属膜、 １２ 画素電極 １３ ＴＦＤ素子（薄膜ダイオード） １３ａ 第１金属膜 １３ｂ 絶縁膜 １３ｃ 第２金属膜 １６，１６１，１６２ 引回し配線 １６ａ 導通部 １６ｂ 延在部 １７ 外部接続端子 ２０ 対向基板（第２基板） ２１ 反射層 ２２ カラーフィルタ ２３ 遮光層 ２４ オーバーコート層 ２５ 走査線 ２５ａ 導通部 ２６ 配向膜 ３０ シール材（被覆層） ３２ 導電粒子 ３５ 液晶 ４０ａ 第１ＹドライバＩＣ ４０ｂ 第２ＹドライバＩＣ ４１ ＸドライバＩＣ ５０ 表示ドット ５１ 液晶表示要素 ５６ 配向膜 ５７ 周辺遮光層 １０５ 接着剤（被覆層） １１０ ＥＬ装置（電気光学装置） １１２，１１３，１１４ 配線 １３１ 第１ＴＦＤ素子 １３２ 第２ＴＦＤ素子 １８１ 第１配線層 １８２ 第２配線層 １８３ 第３配線層 ３０１ 液晶装置（電気光学装置） ３０４ シール材 ３０４ａ 導通部 ３０４ 非導通部 ３１１ コモン電極 ３１４ 配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４８ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４８Ｚ (72)発明者 露木 正 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 本田 賢一 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 金子 英樹 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 日向 章二 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 LA11 MA06 NA38 PA04 PA17 QA07 TA03 TA09 2H092 GA32 GA39 GA60 JA03 NA17 PA04 5C094 AA31 AA44 BA03 BA04 BA27 BA43 DA09 DA13 DA14 DB01 EA02 EA04 EA05 EA07 EA10 EC01 FA02 FB12 HA08 5G435 AA13 AA14 AA17 BB05 BB12 EE37 KK05 KK09 LL06 LL07 LL08

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１基板と、 該第１基板の１辺に沿って、且つ、当該１辺と交差する
    他辺に向かって引き回された配線と、 該配線を被覆する被覆層とを有することを特徴とする電
    気光学装置。
  2. 【請求項２】 請求項１において、 前記第１基板に対向する第２基板と、 該第２基板に形成された電極と、 前記第１基板と前記第２基板との間に配置された液晶と
    を有し、 前記被覆層は前記液晶を囲むシール材であり、 前記配線は前記電極に接続されることを特徴とする電気
    光学装置。
  3. 【請求項３】 請求項２において、 前記電極は複数設けられ、 前記配線は前記複数の電極のそれぞれに導通して複数設
    けられ、 前記複数の配線のうちの少なくとも１つの配線と該配線
    に対応する前記電極とは、前記第１基板の１辺側にて導
    通し、 前記複数の配線のうちの他の配線と該配線に対応する前
    記電極とは、前記１辺と対向する辺側にて導通すること
    を特徴とする電気光学装置。
  4. 【請求項４】 請求項１から請求項３の少なくともいず
    れか１つにおいて、前記配線の一端は外部接続回路に接
    続されることを特徴とする電気光学装置。
  5. 【請求項５】 請求項２から請求項４の少なくともいず
    れか１つにおいて、 前記シール材中に含まれた導通材をさらに有し、 前記配線と前記電極とは前記導通材によって接続される
    ことを特徴とする電気光学装置。
  6. 【請求項６】 請求項１から請求項５の少なくともいず
    れか１つにおいて、 前記第１基板の上に第１金属膜と絶縁膜と第２金属膜と
    を積層して成る薄膜ダイオードをさらに有し、 前記配線は、前記第１金属膜又は前記第２金属膜のうち
    少なくとも一方と同一の層によって形成されることを特
    徴とする電気光学装置。
  7. 【請求項７】 請求項６において、 前記薄膜ダイオードに接続された画素電極をさらに有
    し、 前記配線は、前記第１金属膜、前記第２金属膜又は前記
    画素電極のうちの少なくとも１つと同一の層によって形
    成されることを特徴とする電気光学装置。
  8. 【請求項８】 請求項１において、 前記第２基板上に形成された配線をさらに有し、 該配線は、前記シール材の辺によって覆われると共に該
    辺と略同じ方向に延在する被被覆部分を有することを特
    徴とする電気光学装置。
  9. 【請求項９】 請求項２において、前記シール材は前記
    配線を被覆する部位及び前記配線を被覆しない部位を含
    み、 前記配線を被覆する部位は前記配線を被覆しない部位に
    比べて広い幅に形成されることを特徴とする電気光学装
    置。
  10. 【請求項１０】 請求項５において、 前記シール材は、前記導通材を含む導通部と、前記導通
    材を含まない非導通部とを含み、 前記配線は、前記非導通部によって被覆されることを特
    徴とする電気光学装置。
  11. 【請求項１１】 請求項１０において、前記配線は、該
    配線と前記電極との導通位置よりも内側位置に引き回さ
    れることを特徴とする電気光学装置。
  12. 【請求項１２】 請求項１から請求項１１のいずれかに
    記載した電気光学装置を有することを特徴とする電子機
    器。
  13. 【請求項１３】 枠状のシール材を介して貼り合わされ
    た一対の基板の間に液晶を有する電気光学装置の製造方
    法であって、 前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に配線を形
    成する第１工程と、 前記一対の基板をシール材を介して接合する第２工程と
    を有し、 該第２工程では、前記該シール材の辺のうち前記配線の
    一部の延在方向と略同一方向に延びる辺が前記配線の一
    部を覆うように、前記一対の基板が接合されることを特
    徴とする電気光学装置の製造方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３において、前記第２工程
    は、 前記配線が形成された一方の基板の上に、前記シール材
    の辺のうち前記配線の一部の延在方向と略同一方向に延
    びる辺によって該配線の一部が覆われるように、該シー
    ル材を形成する工程と、 前記シール材を介して前記一対の基板を接合する工程を
    を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１３又は請求項１４において、 前記一対の基板の一方に前記シール材の一部分を形成す
    る工程と、 前記一対の基板の他方に前記シール材の残り部分を形成
    する工程とをさらに有し、 前記第２工程では、前記シール材の一部分と前記シール
    材の残り部分とが繋ぎ合わされて前記シール材の全体が
    形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１５において、前記シール材の
    一部分は前記シール材の内側の枠状部分であり、前記シ
    ール材の残り部分は前記シール材の外側の枠状部分であ
    ることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１５又は請求項１６において、
    前記シール材の一部分及び前記シール材の残り部分の一
    方には導通材が含まれ、前記シール材の一部分及び前記
    シール材の残り部分の他の一方には非導通性のギャップ
    材が含まれることを特徴とする電気光学装置の製造方
    法。
  18. 【請求項１８】 請求項１５から請求項１７の少なくと
    もいずれか１つにおいて、前記シール材の一部分及び前
    記シール材の残り部分は、前記一対の基板を貼り合わせ
    たときに互いに重なり合うオーバーラップを有すること
    をと特徴とする電気光学装置の製造方法。
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