JP2835110B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2835110B2 JP2835110B2 JP1312114A JP31211489A JP2835110B2 JP 2835110 B2 JP2835110 B2 JP 2835110B2 JP 1312114 A JP1312114 A JP 1312114A JP 31211489 A JP31211489 A JP 31211489A JP 2835110 B2 JP2835110 B2 JP 2835110B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は液晶表示装置に関する。
（従来の技術） 液晶ディスプレイ（液晶表示装置）は軽量、薄形化が
可能で、低消費電力であることからたとえば携帯用TV、
ラップトップパソコンのディスプレイなどに応用されて
いる。
可能で、低消費電力であることからたとえば携帯用TV、
ラップトップパソコンのディスプレイなどに応用されて
いる。
ところで、この種の液晶ディスプレイ（液晶表示装
置）における液晶駆動用半導体装置基板は、一般に第11
図に平面的に、また第12図に一部を拡大して断面的に示
すようになっている。すなわち、ガラス基板１の一方の
面上に第１の信号配線層、たとえばスパッタリング法で
成膜したMoTaから成るアドレスライン２、このアドレス
ライン２の層を被覆するたとえばプラズマCVDで成膜し
たSiO2膜３、このSiO2膜３上に前記アドレスライン２と
ほぼ直交するように形成された第２の信号配線層、たと
えばスパッタリング法で成膜したAlからなるデータライ
ン４の層とを具備した構成を成している。つまり、第１
の信号配線層２と第２の信号配線層４の間はプラズマCV
Dで成膜したSiO2膜３などによって層間絶縁を行ってい
る。
置）における液晶駆動用半導体装置基板は、一般に第11
図に平面的に、また第12図に一部を拡大して断面的に示
すようになっている。すなわち、ガラス基板１の一方の
面上に第１の信号配線層、たとえばスパッタリング法で
成膜したMoTaから成るアドレスライン２、このアドレス
ライン２の層を被覆するたとえばプラズマCVDで成膜し
たSiO2膜３、このSiO2膜３上に前記アドレスライン２と
ほぼ直交するように形成された第２の信号配線層、たと
えばスパッタリング法で成膜したAlからなるデータライ
ン４の層とを具備した構成を成している。つまり、第１
の信号配線層２と第２の信号配線層４の間はプラズマCV
Dで成膜したSiO2膜３などによって層間絶縁を行ってい
る。
しかして、上記液晶駆動用半導体装置基板の配線構造
においては、表示領域６内に下層配線（第１の信号配線
層）２として形成された各配線パターンをシール部５で
囲まれる領域外まで引き出す必要があり、通常第12図に
示すごとく、表示領域６内のパターンから連続して第１
の信号配線層２をシール部５で囲まれた領域外（シール
部５の外側）までそのまま引き出し、電極パッド部2aに
おいて絶縁膜３にスルーホール７を穿設し、第２の信号
配線層４を形成する際、電極パッド2aを形成した構造と
なっている。この構造はアドレスラインを第１の信号配
線層２で形成した場合アドレスラインの引き出しにおけ
る構造となり、データラインを第１の信号配線層２で形
成した場合データラインの引き出しにおける構造となっ
ている。
においては、表示領域６内に下層配線（第１の信号配線
層）２として形成された各配線パターンをシール部５で
囲まれる領域外まで引き出す必要があり、通常第12図に
示すごとく、表示領域６内のパターンから連続して第１
の信号配線層２をシール部５で囲まれた領域外（シール
部５の外側）までそのまま引き出し、電極パッド部2aに
おいて絶縁膜３にスルーホール７を穿設し、第２の信号
配線層４を形成する際、電極パッド2aを形成した構造と
なっている。この構造はアドレスラインを第１の信号配
線層２で形成した場合アドレスラインの引き出しにおけ
る構造となり、データラインを第１の信号配線層２で形
成した場合データラインの引き出しにおける構造となっ
ている。
上記のように構成された液晶駆動用半導体装置基板を
用いての液晶表示装置ないしセルの製造は、次のように
なされる。すなわち、前記液晶駆動用半導体装置基板の
他方の面のシール部５に所要のシール部材を配設し、予
め用意しておいた対向電極基板を配置してこれらを一体
化し、前記液晶駆動用半導体装置基板、対向電極基板お
よびシール部材とで形成する空間部に、液晶を注入して
液晶表示セルないし液晶表示装置を形成している。
用いての液晶表示装置ないしセルの製造は、次のように
なされる。すなわち、前記液晶駆動用半導体装置基板の
他方の面のシール部５に所要のシール部材を配設し、予
め用意しておいた対向電極基板を配置してこれらを一体
化し、前記液晶駆動用半導体装置基板、対向電極基板お
よびシール部材とで形成する空間部に、液晶を注入して
液晶表示セルないし液晶表示装置を形成している。
（発明が解決しようとする課題） ところで、液晶表示装置の製造プロセスにおいては、
プラズマCVD工程やセル封着工程など、高温、高圧にな
る工程がある。それらの工程を通過する際に、液晶駆動
用半導体装置基板では第１の信号配線層２に微笑なクラ
ックが生じガラス基板１および絶縁膜３との密着性が低
下するという問題がしばしばある。その結果、液晶ディ
スプレイを長時間駆動した場合、第１の信号配線層２を
成す金属層において外部から不純物が高圧し、ディスプ
レイの画質低下を招来するという不都合がある。
プラズマCVD工程やセル封着工程など、高温、高圧にな
る工程がある。それらの工程を通過する際に、液晶駆動
用半導体装置基板では第１の信号配線層２に微笑なクラ
ックが生じガラス基板１および絶縁膜３との密着性が低
下するという問題がしばしばある。その結果、液晶ディ
スプレイを長時間駆動した場合、第１の信号配線層２を
成す金属層において外部から不純物が高圧し、ディスプ
レイの画質低下を招来するという不都合がある。
本発明は、上記事情に対処してなされたもので、製造
・組立て過程における熱工程、考案工程などが原因とな
った長時間駆動における画質の低下を回避・改善した液
晶ディスプレイ（液晶表示装置）の提供を目的とする。
・組立て過程における熱工程、考案工程などが原因とな
った長時間駆動における画質の低下を回避・改善した液
晶ディスプレイ（液晶表示装置）の提供を目的とする。
［発明の効果］ （課題を解決するための手段） 本発明は、透明基板の一主面上に複数本の第１の信号
配線層たとえばアドレスライン、複数本の第２の信号配
線層たとえばデータライン層、前記両信号配線層を絶縁
する層間絶縁層および前記両信号配線層によって平面視
的にそれぞれ囲まれた領域毎に駆動用半導体素子を有す
る表示用画素群が形設された液晶駆動用半導体装置基板
を具備した液晶表示装置において、 前記液晶駆動用半導体装置基板における表示領域内の
第１の信号配線層が、表示領域外でかつ、シール部で囲
まれる領域内で切れこの領域内で少なくとも１回、層間
絶縁層に穿設したスルーホールを介して第２の信号配線
層を形成する材料にてコンタクトし、シール部で囲まれ
る領域外まで導出形成されたことを骨子とする。
配線層たとえばアドレスライン、複数本の第２の信号配
線層たとえばデータライン層、前記両信号配線層を絶縁
する層間絶縁層および前記両信号配線層によって平面視
的にそれぞれ囲まれた領域毎に駆動用半導体素子を有す
る表示用画素群が形設された液晶駆動用半導体装置基板
を具備した液晶表示装置において、 前記液晶駆動用半導体装置基板における表示領域内の
第１の信号配線層が、表示領域外でかつ、シール部で囲
まれる領域内で切れこの領域内で少なくとも１回、層間
絶縁層に穿設したスルーホールを介して第２の信号配線
層を形成する材料にてコンタクトし、シール部で囲まれ
る領域外まで導出形成されたことを骨子とする。
（作用） 本発明によれば、表示領域内の第１の信号配線層で形
成されたパターン（ライン）はシール部で囲まれ、かつ
表示領域外である領域、換言するとシール部と表示領域
との間の領域内において、少なくとも１回、第２の信号
配線層を構成する材料によって始めて連続する構造とな
っている。したがって、この構造の液晶表示装置では、
その製造ないし組立て過程における熱加工や封着時の局
部的に高圧のかかる工程で、第１の信号配線層に生じた
微少クラックを原因とする不純物の拡散が表示領域まで
広がることを防ぐことができる。
成されたパターン（ライン）はシール部で囲まれ、かつ
表示領域外である領域、換言するとシール部と表示領域
との間の領域内において、少なくとも１回、第２の信号
配線層を構成する材料によって始めて連続する構造とな
っている。したがって、この構造の液晶表示装置では、
その製造ないし組立て過程における熱加工や封着時の局
部的に高圧のかかる工程で、第１の信号配線層に生じた
微少クラックを原因とする不純物の拡散が表示領域まで
広がることを防ぐことができる。
さらに、シール部で囲まれ、かつ表示領域外である領
域に、リング構造または線状構造のパターンを設けた場
合には、リング構造または線状構造のパターンが障害に
なって、それよりも内側である表示領域に不純物が拡散
することを効果的に防ぐことができる。
域に、リング構造または線状構造のパターンを設けた場
合には、リング構造または線状構造のパターンが障害に
なって、それよりも内側である表示領域に不純物が拡散
することを効果的に防ぐことができる。
以上の作用により、液晶表示装置は長時間駆動しても
画質の低下を生ずることのない安定した機能を呈するば
かりでなく、組立て工程などにおいて、不純物の拡散も
防止されるので、封着の際のシール材の選定範囲が広が
り、液晶表示装置の製造原価を大幅に低減することがで
きる。
画質の低下を生ずることのない安定した機能を呈するば
かりでなく、組立て工程などにおいて、不純物の拡散も
防止されるので、封着の際のシール材の選定範囲が広が
り、液晶表示装置の製造原価を大幅に低減することがで
きる。
（実施例） 以下本発明の実施例を説明する。第１図ないし第３図
は、本発明に係る第１の実施例において用いた液晶駆動
用半導体装置基板の要部構成を拡大して示す平面図およ
び断面図で、透明基板１たとえばガラス板の一主面に、
第１の信号配線層たとえばアドレスライン２が第１の配
線材料たとえばMoTaにて形成されている。しかして、前
記第１の配線材料のMoTaで形成されたアドレスライン２
はシール部５で囲まれる領域内で、かつ表示領域６外で
ある領域まで引き出され、第２の信号配線層たとえばデ
ータライン４との層間絶縁膜３に穿設したスルーホール
７を介して第２の信号配線層たとえばデータライン４を
形成ないし構成する材料と同種の材料たとえばAlでシー
ル部５で囲まれた領域外まで引き出されて前記層間絶縁
膜３面上に電極パッド2aを形成具備している。つまり、
第１の信号配線層２を成すMoTa製のアドレスラインは表
示領域６とシール部５で囲まれた領域内まで延設され、
ここで切断した構造となっている。
は、本発明に係る第１の実施例において用いた液晶駆動
用半導体装置基板の要部構成を拡大して示す平面図およ
び断面図で、透明基板１たとえばガラス板の一主面に、
第１の信号配線層たとえばアドレスライン２が第１の配
線材料たとえばMoTaにて形成されている。しかして、前
記第１の配線材料のMoTaで形成されたアドレスライン２
はシール部５で囲まれる領域内で、かつ表示領域６外で
ある領域まで引き出され、第２の信号配線層たとえばデ
ータライン４との層間絶縁膜３に穿設したスルーホール
７を介して第２の信号配線層たとえばデータライン４を
形成ないし構成する材料と同種の材料たとえばAlでシー
ル部５で囲まれた領域外まで引き出されて前記層間絶縁
膜３面上に電極パッド2aを形成具備している。つまり、
第１の信号配線層２を成すMoTa製のアドレスラインは表
示領域６とシール部５で囲まれた領域内まで延設され、
ここで切断した構造となっている。
次に上記構成の液晶駆動用半導体装置基板の製造例を
説明する。透明基板、たとえばガラス基板１上にスパッ
タリング法で第１の配線材料、たとえばMoTaを2500A成
膜し、パターニング、ケミカルドライエッチング（Chem
ical Dry Etching以下、CDEと略す））によりエッチン
グし、アドレスライン２を形成する。次に、前記アドレ
スライン２（第１の信号配線層）とデータライン４（第
２の信号配線層）とを絶縁するために層間絶縁膜３、た
とえばプラズマCVD法で膜厚3000Å程度のSiO2を成膜・
形成する。このようにして形成した層間絶縁膜３の所要
箇所、すなわちシール部５予定位置と表示領域６とがな
す領域（シール部５予定位置と最外側のアドレスライン
２やデータライン４との間）に第１の信号配線層２に接
続するスルーホール７を、たとえばフッ酸系エッチャン
トによりエッチング処理して穿設する。しかる後、前記
層間絶縁膜３面上に、第２の配線材料たとえばAlをスパ
ッタリング法で膜層１μｍ程度に成膜・形成し、パター
ニング後Alエッチャントでエッチングし、アドレスライ
ン２の引き出し線2bおよび電極パッド2aを形成する一
方、データライン（第２の信号配線層）４を形成するこ
とにより、所要の液晶駆動用半導体装置基板を製造し得
る。
説明する。透明基板、たとえばガラス基板１上にスパッ
タリング法で第１の配線材料、たとえばMoTaを2500A成
膜し、パターニング、ケミカルドライエッチング（Chem
ical Dry Etching以下、CDEと略す））によりエッチン
グし、アドレスライン２を形成する。次に、前記アドレ
スライン２（第１の信号配線層）とデータライン４（第
２の信号配線層）とを絶縁するために層間絶縁膜３、た
とえばプラズマCVD法で膜厚3000Å程度のSiO2を成膜・
形成する。このようにして形成した層間絶縁膜３の所要
箇所、すなわちシール部５予定位置と表示領域６とがな
す領域（シール部５予定位置と最外側のアドレスライン
２やデータライン４との間）に第１の信号配線層２に接
続するスルーホール７を、たとえばフッ酸系エッチャン
トによりエッチング処理して穿設する。しかる後、前記
層間絶縁膜３面上に、第２の配線材料たとえばAlをスパ
ッタリング法で膜層１μｍ程度に成膜・形成し、パター
ニング後Alエッチャントでエッチングし、アドレスライ
ン２の引き出し線2bおよび電極パッド2aを形成する一
方、データライン（第２の信号配線層）４を形成するこ
とにより、所要の液晶駆動用半導体装置基板を製造し得
る。
なお、上記実施例において、データライン４を第１の
配線材料、たとえばMoTaで形成し、アドレスライン２を
第２の配線材料、たとえばAlで形成してもよい。この場
合は、第１の配線材料のMoTaで形成したデータライン４
をシール部５で囲まれ、かつ表示領域６外まで引き出
し、ここで層間絶縁膜３に穿設したスルーホール７を介
して第２の配線材料であるAlで、シール部３で囲まれた
領域外部まで配線を引き出し、電極パッド部4aを形成す
る。つまり、第１図ないし第３図に例示した構成におい
て、アドレスライン２とデータライン４との配設位置関
係を逆にした構成とすることもできる。
配線材料、たとえばMoTaで形成し、アドレスライン２を
第２の配線材料、たとえばAlで形成してもよい。この場
合は、第１の配線材料のMoTaで形成したデータライン４
をシール部５で囲まれ、かつ表示領域６外まで引き出
し、ここで層間絶縁膜３に穿設したスルーホール７を介
して第２の配線材料であるAlで、シール部３で囲まれた
領域外部まで配線を引き出し、電極パッド部4aを形成す
る。つまり、第１図ないし第３図に例示した構成におい
て、アドレスライン２とデータライン４との配設位置関
係を逆にした構成とすることもできる。
第４図ないし第６図を参照して本発明に係る液晶駆動
用半導体装置基板の他の構成例を説明する。第４図ない
し第６図は液晶駆動用半導体装置基板の要部構成を拡大
して示す平面図および断面図で、透明基板１たとえばガ
ラス板の一主面で、シール部５で囲まれる領域内に第１
の信号配線層たとえばアドレスライン２およびシール部
５で囲まれかつ表示領域６外に相当する領域内にリング
パターン８が第１の配線材料たとえばMoTaにて形成され
ている。しかして、前記第１の配線材料のMoTaで形成さ
れたアドレスライン２はシール部５で囲まれる領域内
で、かつ表示領域６外である領域において、第２の信号
配線層たとえばデータライン４との層間絶縁膜３に穿設
したスルーホール７を介して第２の信号配線層たとえば
データライン４を形成ないし構成する材料と同種の材料
に例えばAlでシール部５で囲まれた領域外まで引き出さ
れて前記層間絶縁膜３面上に、電極パッド部2aを形成具
備している。一方、層間絶縁膜３およびこの層間絶縁膜
３上に形設されるデータライン４の構成などは、基本的
に前記例示の場合と同様である。つまり、この実施例に
おいては、第１の配線材料で所要のアドレスライン２を
形設具備させるだけでなく、リングパターン８をシール
部５の内側で、かつ表示領域６外に特に配設した構成と
成してもよい。
用半導体装置基板の他の構成例を説明する。第４図ない
し第６図は液晶駆動用半導体装置基板の要部構成を拡大
して示す平面図および断面図で、透明基板１たとえばガ
ラス板の一主面で、シール部５で囲まれる領域内に第１
の信号配線層たとえばアドレスライン２およびシール部
５で囲まれかつ表示領域６外に相当する領域内にリング
パターン８が第１の配線材料たとえばMoTaにて形成され
ている。しかして、前記第１の配線材料のMoTaで形成さ
れたアドレスライン２はシール部５で囲まれる領域内
で、かつ表示領域６外である領域において、第２の信号
配線層たとえばデータライン４との層間絶縁膜３に穿設
したスルーホール７を介して第２の信号配線層たとえば
データライン４を形成ないし構成する材料と同種の材料
に例えばAlでシール部５で囲まれた領域外まで引き出さ
れて前記層間絶縁膜３面上に、電極パッド部2aを形成具
備している。一方、層間絶縁膜３およびこの層間絶縁膜
３上に形設されるデータライン４の構成などは、基本的
に前記例示の場合と同様である。つまり、この実施例に
おいては、第１の配線材料で所要のアドレスライン２を
形設具備させるだけでなく、リングパターン８をシール
部５の内側で、かつ表示領域６外に特に配設した構成と
成してもよい。
また、この構成において、データライン４とリングパ
ターン８とを第１の配線材料で形成し、データライン４
引き出し線4b、電極パッド部4aおよびアドレスライン２
を第２の配線材料で形成した構造としてもよい。さら
に、前記リングパターン８は不連続な形状（第６図）で
あってもよい。
ターン８とを第１の配線材料で形成し、データライン４
引き出し線4b、電極パッド部4aおよびアドレスライン２
を第２の配線材料で形成した構造としてもよい。さら
に、前記リングパターン８は不連続な形状（第６図）で
あってもよい。
つまり、アドレスライン２とデータライン４とそれぞ
れ直行する方向に線状パターン８′を第１の配線材料、
たとえばMoTaで形成してもよく、この場合、線状パター
ン８′はシール部５で囲まれ、かつ表示領域６外である
領域に形成される。またアドレスライン２は線状パター
ン８′よりも内側の部分をMoTaで形成され、スルーホー
ル７を介して第２の配線材料で形成されたアドレスライ
ン引き出し線2bに接続する。
れ直行する方向に線状パターン８′を第１の配線材料、
たとえばMoTaで形成してもよく、この場合、線状パター
ン８′はシール部５で囲まれ、かつ表示領域６外である
領域に形成される。またアドレスライン２は線状パター
ン８′よりも内側の部分をMoTaで形成され、スルーホー
ル７を介して第２の配線材料で形成されたアドレスライ
ン引き出し線2bに接続する。
なお、上記第６図に図示した構成において、線状パタ
ーン８′は第２の配線材料で形成したアドレスライン２
と直行するもののみを形成した構成としても効果があ
る。ここでデータライン４を第１の配線材料で形成した
場合は、データライン４と直行する線状パターン８′形
成することになる。
ーン８′は第２の配線材料で形成したアドレスライン２
と直行するもののみを形成した構成としても効果があ
る。ここでデータライン４を第１の配線材料で形成した
場合は、データライン４と直行する線状パターン８′形
成することになる。
第７図は本発明に係る液晶駆動半導体装置基板の異な
る構成例の要部を平面的に示したもので、透明基板１面
上に補助容量専用配線９およびアドレスライン２をそれ
ぞれ第２の配線材料で形成した場合である。この構成に
おいては、アドレスライン２の引き出し構造は上記と同
様であるが、各アドレスライン２間に配設されている補
助容量専用配線９の引き出し線9aは第２の配線材料で形
成され、補助容量専用線９とは層間絶縁膜３に穿設した
スルーホール７を介して接続する構成となっている。
る構成例の要部を平面的に示したもので、透明基板１面
上に補助容量専用配線９およびアドレスライン２をそれ
ぞれ第２の配線材料で形成した場合である。この構成に
おいては、アドレスライン２の引き出し構造は上記と同
様であるが、各アドレスライン２間に配設されている補
助容量専用配線９の引き出し線9aは第２の配線材料で形
成され、補助容量専用線９とは層間絶縁膜３に穿設した
スルーホール７を介して接続する構成となっている。
第８図は本発明に係る液晶駆動用半導体装置基板の異
なる構成例の要部を平面的に示したもので、透明基板１
面上に補助容量専用配線９、リングパターン８およびア
ドレスライン２をそれぞれ第１の配線材料で形成した場
合である。この構成においては、シール部５よりも内側
の領域において、第１の配線材料で形成したリングパタ
ーン８を引き出し線として利用し、シール部５よりも外
側の領域に引き出す引き出し線9aは第２の配線材料で形
成し、補助容量専用線９とは層間絶縁膜３に穿設したス
ルーホール７を介してリングパターン８と接続してい
る。また、補助容量専用配線９の断線不良を測定可能と
するために、リングパターン８には片側の端のみを接続
しており、この例では左右交互に補助容量専用配線９を
リングパターン８に接続している構造であるが、どちら
か片側で接続する構造でも支障はない。また、この構成
においては、線状パターン８′をシール部５よりも内側
の領域における補助容量専用配線９の引き出し線として
利用し、シール部５よりも外側の領域に引き出す引き出
し線を第２の配線材料で形成し、層間絶縁膜３に穿設し
たスルーホールを介して接続するという構成でもよい。
なる構成例の要部を平面的に示したもので、透明基板１
面上に補助容量専用配線９、リングパターン８およびア
ドレスライン２をそれぞれ第１の配線材料で形成した場
合である。この構成においては、シール部５よりも内側
の領域において、第１の配線材料で形成したリングパタ
ーン８を引き出し線として利用し、シール部５よりも外
側の領域に引き出す引き出し線9aは第２の配線材料で形
成し、補助容量専用線９とは層間絶縁膜３に穿設したス
ルーホール７を介してリングパターン８と接続してい
る。また、補助容量専用配線９の断線不良を測定可能と
するために、リングパターン８には片側の端のみを接続
しており、この例では左右交互に補助容量専用配線９を
リングパターン８に接続している構造であるが、どちら
か片側で接続する構造でも支障はない。また、この構成
においては、線状パターン８′をシール部５よりも内側
の領域における補助容量専用配線９の引き出し線として
利用し、シール部５よりも外側の領域に引き出す引き出
し線を第２の配線材料で形成し、層間絶縁膜３に穿設し
たスルーホールを介して接続するという構成でもよい。
さらに、前記構成においてデータライン４を下層と
し、アドレスライン２を上層とした構成であっても勿論
よい。つまり、前記補助容量専用線９とアドレスライン
２とを第２の配線材料で形成し、第１の配線材料で形成
したリングパターン８をシール部３よりも内側の領域で
の引き出し線として利用し、シール部５よりも外側の領
域に引き出す引き出し配線9aを第２の配線材料で形成
し、層間絶縁膜３に穿設したスルーホール７を介して補
助容量専用配線９、引き出し配線9aとリングパターン８
とを接続した構成としてもよく、この場合リングパター
ン８の代りに線状パターン８′をシール部５よりも内側
の領域における補助容量専用配線９の引き出し線9aとし
て利用することになる。
し、アドレスライン２を上層とした構成であっても勿論
よい。つまり、前記補助容量専用線９とアドレスライン
２とを第２の配線材料で形成し、第１の配線材料で形成
したリングパターン８をシール部３よりも内側の領域で
の引き出し線として利用し、シール部５よりも外側の領
域に引き出す引き出し配線9aを第２の配線材料で形成
し、層間絶縁膜３に穿設したスルーホール７を介して補
助容量専用配線９、引き出し配線9aとリングパターン８
とを接続した構成としてもよく、この場合リングパター
ン８の代りに線状パターン８′をシール部５よりも内側
の領域における補助容量専用配線９の引き出し線9aとし
て利用することになる。
さらにまた、第９図および第10図は本発明に係る液晶
駆動用半導体装置基板の他の構成例の要部を平面的にお
よび断面的に示したものである。この構成においては、
補助容量専用配線９は第１の配線材料で、アドレスライ
ン２は第２の配線材料でそれぞれ形成されている。
駆動用半導体装置基板の他の構成例の要部を平面的にお
よび断面的に示したものである。この構成においては、
補助容量専用配線９は第１の配線材料で、アドレスライ
ン２は第２の配線材料でそれぞれ形成されている。
しかして、データライン４は補助容量専用配線９との
交差点10とシール部５よりも外側に引き出す配線9aが第
２の配線材料で形成され、それ以外の部分は第１の配線
材料で形成され、層間絶縁膜３に穿設したスルーホール
７を介して接続し構成を成している。ここでは、第１の
配線材料で形成したリングパターン８をシール部５より
も内側の領域における補助容量専用配線９の引き出し線
として利用し、層間絶縁膜３に穿設したスルーホール７
を介して第２の配線材料でシール部５の外側の領域に引
き出す構成としている。この構成において、前記リング
パターン８の代りに線状パターンをシール部５よりも内
側の領域における補助容量専用配線９の引き出し線とし
て利用してもよい。
交差点10とシール部５よりも外側に引き出す配線9aが第
２の配線材料で形成され、それ以外の部分は第１の配線
材料で形成され、層間絶縁膜３に穿設したスルーホール
７を介して接続し構成を成している。ここでは、第１の
配線材料で形成したリングパターン８をシール部５より
も内側の領域における補助容量専用配線９の引き出し線
として利用し、層間絶縁膜３に穿設したスルーホール７
を介して第２の配線材料でシール部５の外側の領域に引
き出す構成としている。この構成において、前記リング
パターン８の代りに線状パターンをシール部５よりも内
側の領域における補助容量専用配線９の引き出し線とし
て利用してもよい。
なお、上記においては、シール部で囲まれる領域また
はリングパターンや線状パターンの内側の領域のみに第
１の配線材料で形成された配線パターンが存在する構成
例を説明してきたが、表示領域６内のパターンと電気的
に接続していないならば、シール部５で囲まれた領域外
に第１の配線材料にて形成された配線パターンが存在し
ていてもよい。また、電気的に接続していてもシール部
５で囲まれ、かつ表示領域６外である領域で少なくとも
１回、第１の配線材料だけでは電気的に不連続になって
いれば、シール部５で囲まれた領域外に第１の配線材料
にて形成された配線パターンが存在してもよい。たとえ
ば、シール部５で囲まれた領域外に第１の配線材料で形
成されたのパターンが存在し、かつアドレスライン２と
電気的に接続しているが、シール部５で囲まれかつ表示
領域６外である領域では第１の配線材料によっては不連
続となっている（第２の配線材料で接続している）構成
の場合には、同様の作用効果が認められる。
はリングパターンや線状パターンの内側の領域のみに第
１の配線材料で形成された配線パターンが存在する構成
例を説明してきたが、表示領域６内のパターンと電気的
に接続していないならば、シール部５で囲まれた領域外
に第１の配線材料にて形成された配線パターンが存在し
ていてもよい。また、電気的に接続していてもシール部
５で囲まれ、かつ表示領域６外である領域で少なくとも
１回、第１の配線材料だけでは電気的に不連続になって
いれば、シール部５で囲まれた領域外に第１の配線材料
にて形成された配線パターンが存在してもよい。たとえ
ば、シール部５で囲まれた領域外に第１の配線材料で形
成されたのパターンが存在し、かつアドレスライン２と
電気的に接続しているが、シール部５で囲まれかつ表示
領域６外である領域では第１の配線材料によっては不連
続となっている（第２の配線材料で接続している）構成
の場合には、同様の作用効果が認められる。
さらに、第１の配線材料はMoTa合金ばかりでなく、M
o、Ta、Cr、Ti、Ni、Nb、Al、Cu、Ｗもしくはそれらの
合金、poly−Si、透明導電膜またはそれらの積層膜で形
成してもよく、また第２の配線材料もAlばかりでなく、
Mo、Ta、Cr、Ti、Ni、Nb、Al、Cu、Ｗもしくはそれらの
合金、poly−Si、透明導電膜またはそれらの積層膜で形
成してもよい。一方、第１の信号配線層と第２の信号配
線層の間の絶縁膜は、プラズマCVDによって成膜したSiO
2ばかりでなく、プラズマCVD法SiN4膜、スパッタリング
法SiN4膜、物理蒸着法SiN2膜、金属陽極酸化膜、焼成Si
O2膜、またはそれらの積層膜でもよい。また、表示上影
響がなければ、第１の信号配線層と第２の信号配線層の
接続部は表示領域６内であってもよい。
o、Ta、Cr、Ti、Ni、Nb、Al、Cu、Ｗもしくはそれらの
合金、poly−Si、透明導電膜またはそれらの積層膜で形
成してもよく、また第２の配線材料もAlばかりでなく、
Mo、Ta、Cr、Ti、Ni、Nb、Al、Cu、Ｗもしくはそれらの
合金、poly−Si、透明導電膜またはそれらの積層膜で形
成してもよい。一方、第１の信号配線層と第２の信号配
線層の間の絶縁膜は、プラズマCVDによって成膜したSiO
2ばかりでなく、プラズマCVD法SiN4膜、スパッタリング
法SiN4膜、物理蒸着法SiN2膜、金属陽極酸化膜、焼成Si
O2膜、またはそれらの積層膜でもよい。また、表示上影
響がなければ、第１の信号配線層と第２の信号配線層の
接続部は表示領域６内であってもよい。
［発明の効果］ 以上説明した構成を成す液晶駆動用半導体装置基板を
用いたことを骨子とする本発明に係る液晶表示装置によ
れば、製造ないし組立て過程における熱工程や封着時の
局部的に高圧のかかる工程で、第１の信号配線層に生じ
た微少クラックを原因とする不純物の拡散が表示領域ま
で広がることが効果的に防止ないし回避される。つま
り、本発明に係る液晶表示装置は、長時間駆動において
も画質の低下を起こすことなく、所要の表示機能を常に
保持・発揮する。
用いたことを骨子とする本発明に係る液晶表示装置によ
れば、製造ないし組立て過程における熱工程や封着時の
局部的に高圧のかかる工程で、第１の信号配線層に生じ
た微少クラックを原因とする不純物の拡散が表示領域ま
で広がることが効果的に防止ないし回避される。つま
り、本発明に係る液晶表示装置は、長時間駆動において
も画質の低下を起こすことなく、所要の表示機能を常に
保持・発揮する。
第１図は本発明に係る液晶表示装置が具備する液晶駆動
用半導体装置基板の要部構成例を示す平面図、第２図は
第１図の一部拡大平面図、第３図は第２図Ａ−Ａ線に沿
った断面図、第４図は本発明に係る液晶表示装置が具備
する液晶駆動用半導体装置基板の他の要部構成例を示す
平面図、第５図は第４図の一部拡大平面図、第６図は本
発明に係る液晶表示装置が具備する液晶駆動用半導体装
置基板の他の異なる要部構成例を示す平面図、第７図〜
第９図は本発明に係る液晶表示装置が具備する液晶駆動
用半導体装置基板の他のそれぞれ異なる要部構成例を示
す平面図、第10図は第９図の一部拡大断面図、第11図は
従来の液晶表示装置が具備する液晶駆動用半導体装置基
板の要部構成例を示す平面図、第12図は第11図に図示し
た液晶駆動用半導体装置基板の一部拡大断面図である。 １……透明基板 ２……第１の信号配線層 2a……第１の信号配線層の電極パッド部 2b……第１の信号配線層の引出し線 ３……層間絶縁層 ４……第２の信号配線層 4a……第２の信号配線層の電極パッド部 4b……第２の信号配線層の引出し線 ５……シールド部 ６……表示領域 ７……スルホール ８……リングパターン ８′……線状パターン ９……補助容量専用配線 9a……補助容量専用配線の引出し線
用半導体装置基板の要部構成例を示す平面図、第２図は
第１図の一部拡大平面図、第３図は第２図Ａ−Ａ線に沿
った断面図、第４図は本発明に係る液晶表示装置が具備
する液晶駆動用半導体装置基板の他の要部構成例を示す
平面図、第５図は第４図の一部拡大平面図、第６図は本
発明に係る液晶表示装置が具備する液晶駆動用半導体装
置基板の他の異なる要部構成例を示す平面図、第７図〜
第９図は本発明に係る液晶表示装置が具備する液晶駆動
用半導体装置基板の他のそれぞれ異なる要部構成例を示
す平面図、第10図は第９図の一部拡大断面図、第11図は
従来の液晶表示装置が具備する液晶駆動用半導体装置基
板の要部構成例を示す平面図、第12図は第11図に図示し
た液晶駆動用半導体装置基板の一部拡大断面図である。 １……透明基板 ２……第１の信号配線層 2a……第１の信号配線層の電極パッド部 2b……第１の信号配線層の引出し線 ３……層間絶縁層 ４……第２の信号配線層 4a……第２の信号配線層の電極パッド部 4b……第２の信号配線層の引出し線 ５……シールド部 ６……表示領域 ７……スルホール ８……リングパターン ８′……線状パターン ９……補助容量専用配線 9a……補助容量専用配線の引出し線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1345
Claims (4)
- 【請求項１】透明基板の一主面上に複数本の第１の信号
配線層、複数本の第２の信号配線層、前記両信号配線層
を絶縁する層間絶縁層および前記両信号配線によって平
面視的にそれぞれ囲まれた領域毎に駆動用半導体素子を
有する表示用画素群が形設された液晶駆動用半導体装置
基板を具備した液晶表示装置において、 前記液晶駆動用半導体装置基板における表示領域内の第
１の信号配線層が、表示領域外でかつ、シール部で囲ま
れる領域内で切れこの領域内で少なくとも１回、層間絶
縁層に穿設したスルーホールを介して第２の信号配線層
を形成する材料にてコンタクトし、シール部で囲まれる
領域外まで導出形成されたことを特徴とする液晶表示装
置。 - 【請求項２】請求項１において、シール部で囲まれかつ
表示領域外である領域内に、前記第１の信号配線層を形
成した材料と同種の材料で形成したリング状もしくは線
状のパターンを有しかつ、層間絶縁層に穿接したスルー
ホールを介して第２の信号配線層を形成する材料にてコ
ンタクトし、シール部で囲まれる領域外まで導出形成さ
れたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】請求項１において、液晶駆動用半導体装置
がａ−Si TFT、poly−Si TFT、MIMであることを特徴と
する液晶表示装置。 - 【請求項４】請求項１において、第１の配線層および第
２の配線層がMo、Ta、Cr、Ti、Ni、Nb、Al、Cu、Ｗもし
くはそれらの合金、poly−Si、透明導電膜またはそれら
の積層膜のうち少なくともいずれか１種の材料で形成さ
れていることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312114A JP2835110B2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312114A JP2835110B2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03170916A JPH03170916A (ja) | 1991-07-24 |
| JP2835110B2 true JP2835110B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=18025411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312114A Expired - Lifetime JP2835110B2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2835110B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5831694A (en) * | 1995-06-14 | 1998-11-03 | Hitachi, Ltd. | TFT panel for high resolution- and large size- liquid crystal display |
| JP2003084292A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| KR20180010370A (ko) * | 2016-07-20 | 2018-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
-
1989
- 1989-11-29 JP JP1312114A patent/JP2835110B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03170916A (ja) | 1991-07-24 |
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