JP2008233142A

JP2008233142A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器

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Publication number: JP2008233142A
Application number: JP2007068083A
Authority: JP
Inventors: Katsuhiro Imai; 克浩今井; Eiji Okamoto; 英司岡本
Original assignee: Epson Imaging Devices Corp
Current assignee: Epson Imaging Devices Corp
Priority date: 2007-03-16
Filing date: 2007-03-16
Publication date: 2008-10-02

Abstract

【課題】スイッチング素子の構成を簡単化して製造を容易にし、それにも関らず広視野角及び高コントラストの表示を実現できる電気光学装置を提供する。
【解決手段】液晶層を支持する基板１１上に設けられた信号線１４と、信号線１４に導電接続したスイッチング素子１３と、スイッチング素子１３に導電接続した島状の画素電極１５と、画素電極１５及びスイッチング素子１３を覆った誘電体膜１６と、誘電体膜１６上に設けられており画素電極１５に対向する帯状の共通電極１８とを有する電気光学装置である。スイッチング素子１３は、第１導電膜と絶縁膜と第２導電膜の積層構造を有するＴＦＤ素子である。共通電極１８はスリット２７を有して平行に並んだ複数の電極線状部２８を画素電極１５に対向する領域に有している。画素電極１５と共通電極１８はオン電圧印加時に基板に略平行な電界を形成し、電気光学装置はＦＦＳモードで動作する。
【選択図】図１

Description

本発明は、横電界型の液晶動作モードであるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの電気光学装置装置及びその製造方法に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いた電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等といった電子機器に液晶装置、有機ＥＬ装置等といった電気光学装置が広く用いられている。この電気光学装置において、誘電体膜を介在させて第１電極と第２電極とを１つの基板上に互いに対向させて設けると共に、間隙をおいて平行に配置された複数の電極線状部によって上記の第２電極を形成し、そして第１電極を面状電極によって形成して成るＦＦＳモードの電気光学装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、従来のアクティブマトリクス方式の電気光学装置において、複数の画素を個々にオン（白表示）／オフ（黒表示）駆動するためのスイッチング素子として２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子を用いた電気光学装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００１−８３５４０号公報（第４〜５頁、図３）特開２００３−２９２８９号公報（第５頁、図１）

特許文献１に開示された電気光学装置はＦＦＳモードであるので、ＴＮ（Twisted Nematic：ツイステッドネマチック）モードに代表される縦電界方式の動作モードに比較して、広視野角及び高コントラストの表示特性を実現できる。しかしながら、特許文献１に開示された電気光学装置は画素に印加する電圧を制御するためのスイッチング素子として３端子型のスイッチング素子であるＴＦＴ素子を用いているので、基板上に形成される要素の構成が複雑であり、製造工程が複雑であり、コストが高くなるという問題があった。また、特許文献２に開示された電気光学装置は縦電界方式の動作モードに従った電気光学装置であり、そのため、ＦＦＳモードの電気光学装置に比べて、視野角が狭く、コントラストが低いという問題があった。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、スイッチング素子の構成を簡単化して製造を容易にし、それにも関らず広視野角及び高コントラストの表示を実現できる電気光学装置及び電子機器を提供すること、並びにその電気光学装置を安定して製造できる製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置は、電気光学物質を支持する基板上に設けられた信号線と、前記基板上に設けられて前記信号線に導電接続するスイッチング素子と、前記基板上に設けられて前記スイッチング素子に導電接続する島状の第１電極と、前記第１電極及び前記スイッチング素子を覆って前記基板上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられて前記第１電極に対向する第２電極とを有し、前記スイッチング素子は、第１導電膜と、該第１導電膜上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた第２導電膜とを有する２端子型スイッチング素子であり、前記第２電極は間隙を有して平行に並んだ複数の電極線状部を前記第１電極に対向する領域に有することを特徴とする。上記の電気光学物質は、電気的な入力条件が変化するときに光学的な状態が変化する物質であり、例えば液晶、有機ＥＬ（Electro Luminescence）、無機ＥＬ等である。

本発明に係る電気光学装置によれば、ＴＦＤ素子に代表される２端子型スイッチング素子をスイッチング素子として用いて、ＦＦＳモード等といった横電界モードの動作モードを実現できる。スイッチング素子としてＴＦＴ素子に代表される３端子型スイッチング素子を用いる従来の横電界モードの電気光学装置は従来から知られているが、３端子型スイッチング素子を用いた電気光学装置は構成が複雑であり、その製造にあたって多くの工数を必要とし、コストアップは避けられない。これに対し、２端子型スイッチング素子を用いた本発明の電気光学装置は少ない工数で容易に低コストで製造できる。

このように本発明の電気光学装置は低コストで簡単に製造できるにも関らず、その動作モードは電気光学物質の光学的性質を基板と平行な電界、いわゆる横電界によって制御するモードであるので、ＴＮモードに代表される縦電界モードの場合に比べて、広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記島状の第１電極は複数個が互いに直交する方向へ行列状に並んで設けられ、前記第２電極は一方向に並んだ前記複数の島状電極と平面視で重なり合う帯状電極であることが望ましい。この構成により、横電界型の動作モードを２端子型スイッチング素子によって容易に実現できる。この構成の場合、第２電極は複数の島状の第１電極に共通した共通電極になる。

次に、本発明の電気光学装置においてＦＦＳモードを実現するためには、フリンジフィールドを形成するために第２電極を複数の間隙と複数の電極線状部とによって形成する必要がある。第２電極を帯状電極として形成した場合には、その第２電極内に間隙及び電極線状部を形成するにあたって、それらの間隙及び電極線状部を個々のサブ画素ごとに形成する構成と、複数のサブ画素にわたって間隙及び電極線状部を連続状態で形成する構成とが考えられる。

第２電極の間隙及び電極線状部を個々のサブ画素ごとに形成する構成の場合には、第２電極の面積を大きく確保できるので配線抵抗を低く維持できる。一方、第２電極の間隙及び電極線状部を複数のサブ画素にわたって連続して形成する場合には、間隙及び電極線状部のパターニングを容易にできる。

次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記第１電極と前記第２電極とが平面視で重なり合う複数の島状の領域の個々がサブ画素を構成し、それらのサブ画素が互いに直交する方向へ行列状に並ぶことにより表示領域が形成される。また、本発明に係る電気光学装置においては、前記第２電極に導電接続する配線を基板上に設けることができ、前記配線は平面視で前記表示領域の両側の側方領域に分けて設けられることが望ましい。この構成によれば、複数の第１電極と複数の第２電極を基板上の狭い領域内に効率的に配置できる。

次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記第１電極と前記第２電極とが平面視で重なり合う複数の島状の領域の個々がサブ画素を構成し、それらのサブ画素が互いに直交する方向へ行列状に並ぶことにより表示領域が形成される。また、本発明に係る電気光学装置においては、前記第２電極に導電接続する配線を基板上に設けることができ、前記配線は平面視で前記表示領域の片側の側方領域にまとめて設けられることが望ましい。この構成によっても、複数の第１電極と複数の第２電極を基板上の狭い領域内に効率的に配置できる。

次に、第２電極に導電接続する配線を基板上に設けることにした本発明に係る電気光学装置において、前記配線は平面視で前記誘電体膜の外側の領域に設けられることが望ましい。誘電体膜は第１電極と第２電極とを絶縁すると共に両電極間に静電容量を形成する機能を奏するものであるが、この誘電体膜は配線を覆う状態に形成することもできる。しかしながらこの場合には、第２電極と配線を導電接続させるために誘電体膜にコンタクトホールを形成しなければならず、工程が増えるし、導電接続が不十分になるおそれもある。これに対し、本発明態様のように、配線を誘電体膜の外側の領域に設けることにすれば、コンタクトホールが不要となり、安定した導電接続を確保できる。

次に、本発明に係る電気光学装置は、ＦＦＳモードの動作モードを実現することが必要である。このＦＦＳモードは、第２電極の電極線状部が平面視で第１電極に重なることが必要である。この場合、第１電極がサブ画素の略全面にわたって面状に形成される場合には、第２電極の個々の電極線状部はその全部が第１電極に平面視で重なり合うことになる。他方、第１電極は面状電極ではなく第２電極と同様に間隙と電極線状部とによって形成することができる。このように第１電極と第２電極の両方が間隙及び電極線状部を有する構成の場合には、第２電極の個々の電極線状部の全部ではなくて一部分が平面視で第１電極に重なり合うことがある。この場合にもＦＦＳモードを実現することができる。

次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記基板上に配向膜を設けることができ、その配向膜にはラビングが施される。このラビングは配向膜に配向性を付与するために行われる処理である。基板に対して行われるラビングの方向と第２電極の電極線状部の延在方向との成す角度をαとするとき、
５°≦α≦２０°
であることが望ましい。この構成によれば、ＦＦＳモードにおけるオン電圧印加時の液晶分子の配向変化を安定化することができ、しかもその配向変化が生じるしきい値電圧を低減できる。

次に、本発明に係る電気光学装置は、電気光学物質の層を介在させて互いに対向する第１基板及び第２基板と、前記第１基板上に設けられた信号線と、前記第１基板上に設けられて前記信号線に導電接続するスイッチング素子と、前記第１基板上に設けられて前記スイッチング素子に導電接続する島状の第１電極と、前記第１電極及び前記スイッチング素子を覆って前記第１基板上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜上に設けられて前記第１電極に対向する第２電極と、前記第１基板上に設けられた第１配向膜及び第１偏光層と、前記第２基板上に設けられた第２配向膜及び第２偏光層とを有し、前記スイッチング素子は、第１導電膜と、該第１導電膜上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた第２導電膜とを有する２端子型スイッチング素子であり、前記第２電極は間隙を有して平行に並んだ複数の電極線状部を前記第１電極に対向する領域に有し、前記第１配向膜にはラビングが施され、該ラビングの方向と前記電極線状部の延在方向との成す角度をαとするとき、
５°≦α≦２０°
であり、前記第１偏光層の偏光透過軸の延在方向は前記第１配向膜に施されるラビングの方向と平行であり、前記第２配向膜に施されるラビングの方向は前記第１基板側のラビングの方向に対して逆平行であり、前記第２偏光層の偏光透過軸の延在方向は前記第１偏光層の偏光透過軸の延在方向に直交することを特徴とする。この構成により、ＦＦＳモードにおいて高コントラストの表示を実現できる。

次に、本発明において用いる電気光学物質は液晶とすることが望ましい。こうすれば、広視野角で高コントラストの安定した表示を安定して得ることができる。また、ＦＦＳモードを実現する際、液晶は正の誘電異方性を有する液晶、あるいは負の誘電異方性を有する液晶のどちらであっても良い。誘電異方性が正負で異なる場合には、ラビング方向がそれぞれに対して適正な方向に選定される。一般には、適正なラビング方向が両者間で９０°異なっている。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置によれば、ＦＦＳモードの動作モードを２端子型スイッチング素子を用いて実現できることになったので、電気光学装置を容易且つ低コストで製造でき、しかも広視野角及び高コントラストの表示を実現できることになった。従って、その電気光学装置を用いた本発明に係る電子機器においても、低コストで簡単に高品質の表示を実現できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に信号線を形成する工程と、前記信号線に導電接続するスイッチング素子を前記基板上に形成する工程と、前記スイッチング素子に導電接続する島状の第１電極を前記基板上に形成する工程と、前記第１電極及び前記スイッチング素子を覆う誘電体膜を前記基板上に形成する工程と、前記第１電極に対向する第２電極を前記誘電体膜上に形成する工程とを有し、スイッチング素子を前記基板上に形成する前記工程では、前記基板上に第１導電膜を形成し、該第１導電膜上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に第２導電膜を形成することにより２端子型スイッチング素子を形成し、第２電極を前記誘電体膜上に形成する前記工程では、前記第２電極のうち前記第１電極に対向する領域に、間隙を有して平行に並んだ複数の電極線状部を形成することを特徴とする。この製造方法によれば、画素に印加される電圧を２端子型スイッチング素子によって制御する構成のＦＦＳモードの電気光学装置を容易且つ正確に製造できる。

（電気光学装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素を分かり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示す場合がある。

図１は本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶装置の平面構造を示している。図２は図１のＺｂ−Ｚｂ線に従った液晶装置の行方向Ｘに沿った断面構造を示している。図１において、左右方向を行方向Ｘとし、上下方向を列方向Ｙとしている。図２では、左右方向が行方向Ｘであり、紙面垂直方向が列方向Ｙである。行方向Ｘと列方向Ｙは互いに直交する方向である。

図２において、液晶装置１は液晶パネル２及び照明装置３を有する。矢印Ａで示す側が観察側であり、照明装置３は観察側と反対側に配置されてバックライトとして作用する。液晶パネル２は互いに対向する素子基板４及びカラーフィルタ基板５を有する。これらの基板は矢印Ａ方向（基板法線方向ということがある）から見て環状すなわち枠状のシール材７によって貼り合わされている。本実施形態では、カラーフィルタ基板５が観察側に配置され、素子基板４が背面側に配置される。

素子基板４とカラーフィルタ基板５の間には所定（例えば５μｍ程度）の間隙であるセルギャップが形成され、そのセルギャップ内に液晶が封入されて液晶層６が形成されている。液晶層は正の誘電異方性を有するネマチック液晶によって形成されている。正の誘電異方性を有する液晶は、電界が作用したときに液晶分子の長軸方向が電界方向と平行になるように旋回移動する性質を有している。

素子基板４は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性を有する材料によって形成された第１基板１１を有している。第１基板１１は基板法線方向から見て図１に示すように列方向Ｙに長い長方形状に形成されている。第１基板１１は正方形状であっても良い。図２において第１基板１１の外側の面上に第１偏光板１２が設けられている。必要に応じて、第１偏光板１２と第１基板１１との間に位相差膜を設けても良い。

第１基板１１の内側（液晶層側）の面上には、２端子型スイッチング素子であるＴＦＤ素子１３と、ＴＦＤ素子１３に導電接続された信号線としてのセグメントライン１４と、第１電極としての島状の画素電極１５とが設けられている。ＴＦＤ素子１３は２つのＴＦＤ要素を逆極性で直列に接続した、いわゆるバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造（詳しくは後述する）として形成されている。セグメントライン１４は、Ｃｒ（クロム）又はＣｒ合金から成り、例えばフォトエッチング処理によって形成されている。セグメントライン１４は複数形成されており、図１に示すように、個々は列方向Ｙに延びる細い線状であり、それらの複数が行方向Ｘに所定間隔で互いに平行に形成されている。セグメントライン１４は、例えば液晶を駆動するための１つの信号であるデータ信号を伝送する。１本のセグメントライン１７に接続される複数のＴＦＤ素子１３はそのセグメントライン１７に沿って間隔を空けて設けられている。

図２において、画素電極１５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）等といった透光性を有する金属酸化物から成り、例えばフォトエッチング処理によって形成されている。画素電極１５は複数形成されており、図１に示すように、個々は基板法線方向から見て列方向Ｙに長い長方形状の島状であり、それらの複数が行方向Ｘ及び列方向Ｙに列状に並ぶ状態に（いわゆる、ドットマトリクス状に）形成されている。

図２において、ＴＦＤ素子１３、セグメントライン１４及び画素電極１５を覆って誘電体膜１６が設けられている。誘電体膜１６は、例えばＳｉＮｘ（窒化シリコン）、ＳｉＯ_２（酸化シリコン）等といった窒化膜や、酸化膜や、その他の有機系の透明樹脂によって形成されている。窒化膜及び酸化膜は無機膜である。誘電体膜１６はフォトエッチング処理によって、図１に示すように、全ての画素電極１５を覆う状態の長方形状に形成されている。

図２において、第１基板１１の両側の側方領域に配線としての複数のコモンライン１７が設けられている。これらのコモンライン１７は、いわゆる引回し配線である。これらのコモンライン１７は、第１層であるＣｒの配線上に第２層であるＩＴＯの配線を積層することによって形成されている。これらのコモンライン１７は、例えばフォトエッチング処理によって、図１に示すように列方向Ｙへ異なった長さで延びる線状に形成されている。コモンライン１７は、例えば液晶を駆動するための他の信号である走査信号を伝送する。

図２において、誘電体膜１６の上に第２電極としての共通電極１８が形成されている。共通電極は複数のサブ画素間にわたって設けられる共通の電極である。共通電極１８はＩＴＯ、ＩＺＯ等といった透光性を有する金属酸化物から成り、例えばフォトエッチング処理によって形成されている。共通電極１８は、図１に示すように複数形成されており、個々は行方向Ｘに延びる帯状であり、それらの複数が列方向Ｙに間隔をおいて互いに平行に形成されている。複数の共通電極１８は１本ずつ左右へ交互に張り出す状態に形成されている。左右に張り出した共通電極１８のそれぞれの端部は、それらの端部の所まで延びているコモンライン１７の先端部の上に重ねて形成されており、その重なり部分においてコモンライン１７と共通電極１８との導電接続が成されている。

個々が島状に形成された複数の画素電極１５は行方向Ｘ及び列方向Ｙに並べて配置されており、いわゆるドットマトリクス状に配置されている。一方、セグメントライン１４と交差する方向（行方向Ｘ）に延びる帯状の共通電極１８は行方向Ｘに並んだ複数の画素電極１５と平面視で重なっている。画素電極１５と共通電極１８とが平面視で重なり合うドット状、すなわち島状の領域は複数の画素電極１５と同じくドットマトリクス状に行列状に並んでいる。これらの個々の島状領域は液晶駆動の際御単位であるサブ画素Ｐを構成する。そして、ドットマトリクス状に配置された複数のサブ画素Ｐによって表示領域Ｖが構成されている。

共通電極１８には、ＦＦＳモードを実現するために、個々のサブ画素Ｐに対応して、間隙としての複数のスリット２７及びそれらのスリット２７の間に形成された複数の電極線状部２８とが形成されている。これらのスリット２７及び電極線状部２８についての詳細は後述する。

例えば、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の３色を用いてカラー表示を行う場合には、個々のサブ画素Ｐにそれら３色のうちの各１色が割り当てられ、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応した３つのサブ画素Ｐによって１つの表示画素が構成され、その表示画素がドットマトリクス状に集まって表示領域Ｖが構成される。Ｒ，Ｇ，Ｂの３色に他の１色（例えば、青緑）を加えて４色でカラー表示を行う場合は、４つのサブ画素Ｐによって１つの表示画素が構成される。また、白黒２色やその他の任意の２色によって表示を行う場合には、個々のサブ画素Ｐがそのまま１つの表示画素になる。

図２において、共通電極１８、コモンライン１７及び誘電体膜１６を覆って第１基板１１上に第１配向膜１９が設けられている。図１では第１配向膜１９の図示を省略している。第１配向膜１９は、例えばポリイミドから成り、例えば印刷法や転写法によって所定形状に形成されている。第１配向膜１９には、液晶層６内の液晶分子を所望の方向へ配向させるためのラビング処理が施されている。

次に、素子基板４に対向するカラーフィルタ基板５は、石英ガラス、プラスチック等といった透光性を有する材料によって形成された第２基板２２を有している。第２基板２２は基板法線方向から見て図１に鎖線で示すように列方向Ｙに長い長方形状に形成されている。第２基板２２は正方形状であっても良い。第２基板２２の列方向Ｙに沿った長さは第１基板１１よりも短くなっており、第１基板１１は１つの端辺部分において第２基板２２の外側へ張り出している。この第１基板１１の張出し部分上に駆動用ＩＣ２１がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって実装されている。第１基板１１上に設けたセグメントライン１４及びコモンライン１７はそれぞれ駆動用ＩＣ２１の出力端子に導電接続されている。駆動用ＩＣ２１は、例えばセグメントライン１４にデータ信号を供給し、コモンライン１７に走査信号を供給する。

なお、第１基板１１と第２基板１２の張出し部以外の３つの辺端は、図１では構造を分かり易く示すために互いに位置がずれた状態で示されているが、実際には、それら３つの辺端は平面視で略一致して重なった状態となっている。

図２において第２基板２２の外側の面上に第２偏光板２３が設けられている。必要に応じて、第２偏光板２３と第２基板２２との間に視角補償用あるいはその他の用途の位相差膜を設けても良い。第２基板２２の内側（液晶層側）の面上には、カラーフィルタを構成する着色膜２４が設けられ、それらの周囲に遮光膜２５が設けられている。着色膜２４に括弧書きで付されたＲ，Ｇ，Ｂの符号は、それらの着色膜がＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の各色を透過する特性を有することを示している。本実施形態では着色膜の配列形態としてストライプ配列が採用されており、行方向Ｘに沿ってＲ，Ｇ，Ｂの異なる色が交互に並び、列方向ＹにＲ，Ｇ，Ｂの同色が並んでいる。しかしながら、着色膜２４の色の配列形態はその他の任意の配列、例えばモザイク配列、デルタ配列でも良い。

着色膜２４は、例えば感光性樹脂に顔料や染料を混合させて成る樹脂材料から成り、例えばフォトリソグラフィ処理によって所定の配列のパターンに形成されている。遮光膜２５は、遮光性の樹脂材料、遮光性の金属材料、又は色の異なる着色膜２４を２色又は３色重ねることによって形成されている。

着色膜２４及び遮光膜２５の上にオーバーコート層２９が設けられている。オーバーコート層２９は着色膜２４層の平坦化及び液晶層６の保護のため等に用いられる。オーバーコート層２９は、例えばアクリル系有機樹脂膜や、シリコン酸化膜等といった無機膜等を印刷することによって形成されている。そして、オーバーコート層２９の上に第２配向膜３０が設けられている。第２配向膜３０は、例えばポリイミドから成り、例えば印刷法や転写法によって所定形状に形成されている。第２配向膜３０には、液晶層６内の液晶分子を所望の方向へ配向させるためのラビング処理が施される。

素子基板４上の第１配向膜１９に対して行われるラビングの方向と、カラーフィルタ基板５上の第２配向膜３０に対して行われるラビングの方向は逆平行（アンチパラレル）の関係にあり、これらのラビングによって配向性を持ったそれらの配向膜により、液晶層６はホモジニアス配向に配向する。ホモジニアス配向は、周知の通り、基板に対してプレチルトを持った略平行の配向である。

次に、１つのサブ画素Ｐ及びその周辺の構成を図３に基づいて説明する。図３（ａ）は図１の素子基板４において第１基板１１上に誘電体膜１６を形成する前の段階の平面構造を示している。図３（ｂ）は第１基板１１上に帯状の共通電極１８を形成した段階の平面構造を示している。

図３（ａ）において、個々のサブ画素Ｐの隅部にＴＦＤ素子１３が設けられている。ＴＦＤ素子１３は図４（ａ）に示すように２つのＴＦＤ要素１３ａ及び１３ｂを直列に接続して成る、いわゆるバック・ツー・バック構造に形成されている。ＴＦＤ素子１３は、もちろん、バック・ツー・バック構造でなく１つのＴＦＤ要素によって形成することもできる。個々のＴＦＤ要素１３ａ，１３ｂは、図４（ａ）のＺｄ−Ｚｄ線に沿った断面図である図４（ｂ）に示すように、第１基板１１上に形成された第１導電膜３２と、第１導電膜３２上に形成された絶縁膜３３と、絶縁膜３３上に形成された第２導電膜３４ａ，３４ｂとによって形成されている。

第１導電膜３２は、例えばＴａ（タンタル）又はＴａ合金から成り、例えばフォトエッチング処理によって島状に形成されている。絶縁膜３３は、例えば陽極酸化処理によってＴａＯｘ（酸化タンタル）として形成されている。第２導電膜３４ａ，３４ｂは、例えばＣｒによってセグメントライン１４をフォトエッチング処理によって形成する際に同時に形成される。第１ＴＦＤ要素１３ａと第２ＴＦＤ要素１３ｂは電気的には逆極性のダイオード素子であり、これらを直列に接続することにより、安定した電圧−電流特性が得られるようになっている。第１ＴＦＤ要素１３ａの入力端子である第２導電膜３４ａはセグメントライン１４から一体的に延びている。第２ＴＦＤ要素１３ｂの出力端子である第２導電膜３４ｂは画素電極１５に導電接続されている。画素電極１５はサブ画素Ｐの領域内で面状に形成されている。

図３（ｂ）において、画素電極１５上に重ねて形成された帯状の共通電極１８は、個々のサブ画素Ｐに対応して間隙としての複数のスリット２７と、これらのスリット２７の間に形成された複数の電極線状部２８とを有している。複数のスリット２７及び複数の電極線状部２８は互いに平行に形成されている。スリット２７の延在方向（従って電極線状部２８の延在方向）とサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）との成す角βは
５°≦β≦２０°
の範囲内の角度に設定されている。

図５は、図３（ｂ）におけるＺｅ線に従った断面構造を示している。図５において、画素電極１５は面状電極として形成されているので、共通電極１８の電極線状部２８はその幅全域が平面視で画素電極１５に重なり合っている。電極線状部２８と画素電極１５が平面視で重なり合った部分の誘電体膜１６には静電容量が形成される。画素電極１５と共通電極１８との間にしきい値電圧以上の電圧が印加されると、ＴＦＤ素子１３がオン状態になり、画素電極１５と共通電極１８の電極線状部２８との間に電界Ｅが形成される。電界Ｅが生じると、液晶層６を形成する正の誘電異方性の液晶の液晶分子６ａの長軸がその電界方向と平行になるように基板平面内で旋回移動して配向が変化する。この液晶分子６ａの旋回移動により、液晶層６を通過する偏光が変調される。本実施形態における液晶分子６ａの配向制御は上記の通りに基板平面内で行われるので、ＴＮモード等のような基板垂直方向での配向制御に比べて、広視野角及び高コントラストの表示を行うことができる。

横電界モードとしてＦＦＳモードの他にＩＰＳ（In-Plain Switching）モードが知られている。ＩＰＳモードの場合には、図５において、画素電極１５が面状電極ではなく共通電極１８と同様な線状電極又は枠状電極として形成される。そして、共通電極１８の電極線状部２８が画素電極１５と平面視で重なり合うことなく、共通電極１８の電極線状部２８と画素電極１５の線状電極部分又は枠状電極部分との間に平面視で大きな間隔が形成される構造となっている。この構成のため、ＩＰＳモードの場合には、画素電極と共通電極との間に横電界を発生させることはできるが、共通電極の直上領域に十分な強度の電界を形成することができなかった。これに対し、ＦＦＳモードの場合には、共通電極１８の電極線状部２８が画素電極１５に平面視で重なっているので、電極線状部２８の直上領域にも十分な強度の電界を形成することができ、該領域を表示領域として十分に活用できる。このため、本実施形態のＦＦＳモードによれば、ＩＰＳモードの場合に比べて、より一層の広視野角化、より一層の高コントラスト化、より一層の高透過率化を得ることができる。

次に、図２の素子基板１１上の第１偏光板１２及び第１配向膜１９、並びにカラーフィルタ基板５上の第２偏光板２３及び第２配向膜３０の光軸関係について、図６に基づいて説明する。図６（ａ）において、符号Ｒ１で示す矢印は素子基板４側の第１配向膜１９（図２参照）に対して行われるラビングの方向を示している。このラビング方向Ｒ１はサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対して平行に設定されている。

そして、素子基板４上の共通電極１８内に形成されたスリット２７の延在方向（従って電極線状部２８の延在方向）とラビング方向Ｒ１との成す角度αは
５°≦α≦２０°
の範囲内の任意の角度に設定されている。図３（ｂ）においてスリット２７の延在方向とサブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）との成す角βが
５°≦β≦２０°
の範囲内の角度に設定されることは既述したが、サブ画素Ｐの短手方向（行方向Ｘ）に対するスリット２７の成す角度βと、スリット２７に対するラビング方向Ｒ１の成す角度αとが等しければ、ラビング方向Ｒ１はサブ画素Ｐの短手方向と同じ方向である。α≠βであれば、ラビング方向Ｒ１はサブ画素Ｐの短手方向に対してずれた方向となる。

スリット２７に対するラビング方向Ｒ１の成す角度αを、５°≦α≦２０°に設定すれば、ＦＦＳモードにおけるオン電圧印加時の液晶分子の配向変化を安定化することができ、しかもその配向変化が生じるしきい値電圧を低減できる。

図７は偏光板の透過軸とラビング方向との関係を図式的に描いている。図７に示すように、素子基板４に対向するカラーフィルタ基板５上の第２配向膜３０（図２参照）に対して行われるラビングの方向は、符号Ｒ２で示すように素子基板４側のラビング方向Ｒ１に対して逆平行である。そして、素子基板４側の第１偏光板１２の偏光透過軸２１２は素子基板４側のラビング方向Ｒ１と平行であり、カラーフィルタ基板５側の第２偏光板２３の偏光透過軸２２３は素子基板４側の偏光透過軸２１２に直交している。以上の光軸関係の設定により、ＦＦＳモードによる白表示と黒表示の切り替えを安定して実現できる。

図６（ａ）は画素電極１５と共通電極１８との間にオフ電圧を印加した黒表示の状態を示している。このオフ電圧印加時、液晶分子６ａはその長軸がラビング方向Ｒ１と平行である初期配向状態にある。画素電極１５と共通電極１８との間に所定のオン電圧が印加されて白表示の状態になると、図６（ｂ）において、スリット２７の延在方向（従って電極線状部２８の延在方向）に対して直角の方向に基板と平行な電界、いわゆる横電界が発生する。また、本実施形態では、共通電極１８の電極線状部２８と画素電極１５とが平面視で重なり合う位置関係になっているので、スリット２７と電極線状部２８との境界部分において基板に対して垂直方向の電界（いわゆる横斜め電界、放物線電界等と呼ばれる電界）が発生する。このような基板垂直方向の電界が発生する領域が、いわゆるフリンジフィールドと呼ばれている。正の誘電異方性を有する液晶の液晶分子６ａはその長軸が電界方向と同じ方向を向くように、基板と平行な平面内で旋回移動して配向が変化する。

以上に説明した本実施形態の液晶装置によれば、図２において照明装置３から液晶パネル２へ供給された面状の光は第１偏光板１２によって偏光された状態で液晶層６へ供給される。そして、図１の駆動用ＩＣ２１からの走査信号とデータ信号とによって図２の液晶層６に印加する電圧をサブ画素Ｐごとに制御することにより、液晶層６内の液晶分子６ａの配向をサブ画素Ｐごとに制御し、液晶層６を通過する照明装置３からの光をサブ画素Ｐごとに変調する。こうして変調された光が第２偏光板２３へ供給され、第２偏光板２３で吸収されずに当該偏光板を透過した偏光によって図１の表示領域Ｖ内に画像が表示される。こうして透過型の表示が行われる。

本実施形態の液晶装置は、図２に示すように、画素電極１５と共通電極１８の両電極が１つの基板である素子基板４上に設けられる構成の横電界型の液晶装置であるので、液晶分子は基板に対して平行な面内で配向制御される。このため、本実施形態の液晶装置によれば、ＴＮ型に代表される縦電界型の液晶装置に比べて、広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

さらに、本実施形態の液晶装置は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、共通電極１８の電極線状部２８が画素電極１５に平面視で重なり合う構造のＦＦＳモードの液晶装置であるので、電極線状部２８の直上領域にも十分な電界を形成することができる。このため、電極線状部２８の直上領域に十分な電界を形成することができないＩＰＳモードに比べて、本実施形態の液晶装置は、より一層広視野角で、より一層高透過率の表示を実現できる。

本実施形態の液晶装置１によれば、ＴＦＤ素子１３をスイッチング素子として用いてＦＦＳモードの動作モードを実現できる。従来、スイッチング素子としてＴＦＴ素子に代表される３端子型スイッチング素子を用いる液晶装置が知られているが、３端子型スイッチング素子を用いた液晶装置は構成が複雑であり、その製造にあたって多くの工数を必要とし、コストアップは避けられない。これに対し、スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いた本実施形態の液晶装置１は少ない工数で容易に低コストで製造できる。

このように本実施形態の液晶装置１は低コストで簡単に製造できるにも関らず、その動作モードはＦＦＳモード（すなわち、基板と平行な電界、いわゆる横電界によって液晶分子の配向を制御するモード）であるので、ＴＮモードに代表される縦電界モードの場合に比べて、広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

本実施形態では、図１に示すように、帯状電極である共通電極１８内にスリット２７及び電極線状部２８が形成され、これらのスリット２７及び電極線状部２８と、対向する画素電極１５との協働により、基板と平行な電界及びフリンジフィールド領域に形成される斜め電界が形成される。本実施形態では、スリット２７及び電極線状部２８を個々の画素電極１５に対応する領域（従って、個々のサブ画素Ｐに対応する領域）ごとに形成している。しかしながらこの構成に代えて、スリット２７及び電極線状部２８を複数のサブ画素Ｐにわたって連続状態で形成することも可能である。

スリット２７及び電極線状部２８を個々のサブ画素Ｐごとに形成する場合には、共通電極１８の面積を大きく確保できるので、その共通電極１８の配線抵抗を低く維持できる。一方、スリット２７及び電極線状部２８を複数のサブ画素Ｐにわたって連続して形成する場合には、スリット２７及び電極線状部２８のパターニングを容易にできる。

本実施形態では、図１に示すように、共通電極１８へ走査信号を伝送する引回し配線であるコモンライン１７が第１基板１１の面上で表示領域Ｖの両側の側方領域に分けて設けられている。この配線構成により、複数の画素電極１５、複数の共通電極１８、複数のセグメントライン１４、及び複数のコモンライン１７を第１基板１１上の狭い領域内に効率的に配置できる。

本実施形態では、共通電極１８のための引回し配線であるコモンライン１７は平面視で誘電体膜１６の外側の領域に設けられている。誘電体膜１６は画素電極１５と共通電極１８とを絶縁すると共に両電極間に静電容量を形成する機能を奏するものであるが、この誘電体膜１６はコモンライン１７を覆う状態に形成することもできる。しかしながらこの場合には、共通電極１８とコモンライン１７を導電接続させるために誘電体膜１６にコンタクトホールを形成しなければならず、工程が増えるし、導電接続が不十分になるおそれもある。これに対し、本実施形態のように、コモンライン１７を誘電体膜１６の外側の領域に設けることにすれば、コンタクトホールが不要となり、安定した導電接続を確保できる。

本実施形態では、図２の液晶層６を形成する液晶として、正の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いた。この正の誘電異方性のネマチック液晶に代えて、負の誘電異方性を有するネマチック液晶を用いることもできる。どちらの液晶を用いる場合でも、ラビング方向を適切に選定することにより、ＦＦＳモードのための液晶分子の適正な初期配向を得ることができる。一般には、適正なラビング方向は両者間で９０°異なっている。

（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の第２の実施形態を説明する。図８は、本発明に係る電気光学装置の第２の実施形態である液晶装置の観察側から見た平面図である。図８において、図１に示した液晶装置１と同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにしてそれらについての説明は省略する。

図１に示した第１実施形態に係る液晶装置１では、素子基板４の構成要素である第１基板１１上において、第２電極としての複数の帯状の共通電極１８のそれぞれに導電接続する配線としての複数のコモンライン１７を、表示領域Ｖの両側の側方領域に２つに分けて形成した。そして、共通電極１８は左右方向へ交互に張り出す形状にパターニングし、その張り出した部分にコモンライン１７の先端部を接続することにした。

図８に示す本実施形態は、複数のコモンライン１７を表示領域Ｖの両側の側方領域に２つに分けて形成することについては図１の実施形態の場合と同じである。異なるのは次の点である。すなわち、列方向Ｙに沿って互いに平行に並ぶ複数の共通電極１８を、駆動用ＩＣ２１が実装された基板張出し部から遠く離れる領域に在るもののグループ（以下、第１グループという）と、基板張出し部に近い領域に在るもののグループ（以下、第２グループという）の２つにグループ分けし、第１グループの共通電極１８に導電接続する複数のコモンライン１７を表示領域Ｖの一方の片側（図の左方の片側）にまとめて形成し、第２グループの共通電極１８に導電接続する複数のコモンライン１７を表示領域１７の他方の片側（図の右方の片側）にまとめて形成した。

本実施形態によれば、共通電極１８とコモンライン１７のパターンが簡単になり、パターン設計が行い易くなる。また、本実施形態においても、スイッチング素子は２端子型スイッチング素子であるＴＦＤ素子１３によって形成され、液晶動作モードとしてはＦＦＳモードが採用されている。従って、本実施形態の液晶装置４１は、低コストで簡単に製造できるにも関らず、広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

（電気光学装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の第３の実施形態を説明する。図９は、本発明に係る電気光学装置の第３の実施形態である液晶装置の観察側から見た平面図である。図９において、図１に示した液晶装置１と同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにしてそれらについての説明は省略する。

これに対して図９に示す本実施形態では、複数の共通電極１８を表示領域Ｖに対して片方（図の左方）の外側領域へそれぞれに異なる長さで階段状に張り出す状態に形成している。そして、各共通電極１８に導電接続させる配線としての複数のコモンライン１７を表示領域Ｖの片側（図の左側）の側方領域にまとめて形成している。各コモンライン１７は対応する共通電極１８の位置に応じて長さが異なっている。

（電気光学装置の製造方法の第１実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法を実施形態に基づいて説明する。図１０は本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を工程図によって示している。本実施形態の製造方法は、図１から図４を用いて説明した液晶装置１を製造するものとする。

図１０において、工程Ｐ１〜工程Ｐ７に至る工程は図２の素子基板４を形成する工程である。また、図１０の工程Ｐ１１〜工程Ｐ１５に至る工程は図２のカラーフィルタ基板５を形成する工程である。また、図１０の工程Ｐ２１〜工程Ｐ２８に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶装置を形成する工程である。

なお、本実施形態では、液晶装置を１つずつ作製するのではなく、面積の大きな透光性基板を用いて複数の液晶装置を同時に作製する、いわゆる多数個取りの手法に基づいて液晶装置を作製するものとする。このような多数個取りの製造方法においては、図１に示す素子基板４及びカラーフィルタ基板５を１つずつ形成するのではなく、素子基板４に関しては、複数の素子基板４を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板４の複数個分の要素を同時に形成してマザー素子基板を形成する。一方、カラーフィルタ基板５に関しては、複数のカラーフィルタ基板５を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板５の複数個分の要素を同時に形成してマザーカラーフィルタ基板を形成する。

まず、図１０の工程Ｐ１において、図１の第１基板１１の母材である面積の大きなマザー第１基板を準備する。このマザー第１基板は例えば石英ガラスによって形成されている。このマザー第１基板の面上に、図４（ｂ）に示すＴＦＤ素子１３の第１導電膜３２の初期形状となる細長い線状パターンを、例えばＴａによってフォトエッチング処理に基づいて形成する。このＴａの線状パターンはサブ画素Ｐ（図１参照）内でＴＦＤ素子１３を形成すべき隅部領域を列方向Ｙに横切る状態に形成される。次に、このＴａの細長い線状パターンに対して陽極酸化処理を施してＴＦＤ素子の第２層である絶縁膜３３の初期形状を形成する。

次に、Ｔａ線状パターン及びその上に重ねて形成した絶縁層を、ＴＦＤ素子となるべき部分だけ残してそれ以外の部分を除去して、ＴＦＤ素子１３の第１導電膜３２及び絶縁膜３３を図４（ａ）に示すような島状（すなわちドット状）に形成する。次に、Ｃｒをフォトエッチング処理して信号線であるセグメントライン１４及びＴＦＤ素子１３の第２導電膜３４ａ，３４ｂを形成する。また、同時に、図１の配線としての複数のコモンライン１７の第１層をＣｒによって形成する。なお、セグメントライン１４は、ＴＦＤ素子１３と同様にＴａ、陽極酸化膜、Ｃｒの積層構造としても良い。

次に、図１０の工程Ｐ２において、図３（ａ）の第１電極としての画素電極１５を各ＴＦＤ素子１３の出力側の第２導電膜３４ｂの先端部に重なるように、透光性の金属酸化膜であるＩＴＯによってフォトエッチング処理に基づいて形成する。画素電極１５の平面形状は、ＴＦＤ素子１３に対応する角部が欠けた状態の略長方形状である。また、同時に、コモンライン１７の第２層をＩＴＯによって形成する。次に、図１０の工程Ｐ３において、図１の誘電体膜１６を、例えば窒化化合物等といった無機材料によってフォトエッチング処理に基づいて形成する。この誘電体膜１６の平面形状は、複数の画素電極１５の全てを覆い、しかしコモンライン１７には達しない形状の長方形状である。

次に、図１０の工程Ｐ４において、図１の第２電極としての複数の共通電極１８を、ＩＴＯによってフォトエッチング処理に基づいて帯状に形成する。各共通電極１８はその端部が対応するコモンライン１７の先端部分に重なるように形成される。このとき、共通電極１８のうちのサブ画素Ｐに対応する領域（すなわち画素電極１５に対向する領域）に、図３（ｂ）に示す複数のスリット２７及びそれらに隣接する複数の電極線状部２８が形成される。スリット２７の形成角度は行方向Ｘに対してβ＝５°〜２０°の範囲内の適宜の角度である。共通電極１８の下方位置には面状の画素電極１５が形成されているので、個々の電極線状部２８はその全部が平面視で画素電極１５に重なり合う。これにより、斜め電界又は放射状電界を形成するためのフリンジフィールドを形成することが可能となる。

次に、図１０の工程Ｐ５において、図２の第１配向膜１９を、ポリイミドによって印刷法に基づいて所定の厚さで形成する。そして、工程Ｐ６において、液晶層の層厚となるセルギャップを維持するための複数の柱状スペーサを図１の第１基板１１上の適所に、感光性フォトレジスト材料によってフォトリソグラフィ処理に基づいて形成する。これらの柱状スペーサはサブ画素Ｐの白表示に悪影響を与えない領域、例えばＴＦＤ素子１３の直上位置等に形成するのが好ましい。この際、ＴＦＤ素子１３は全てのＴＦＤ素子１３の上に形成するのではなく、全てのＴＦＤ素子１３のうちの３個に１個程度の割合で形成するのが好ましい。

次に、図１０の工程Ｐ５で形成した第１配向膜１９に対して、工程Ｐ７においてラビング処理を行う。具体的には、図６（ａ）に符号Ｒ１で示すように、スリット２７の延在方向に対して角度α＝５°〜２０°の範囲内の適宜の角度でラビングを行う。この場合のラビング角度αは図３（ｂ）のスリット２７形成角度βと直接的な関連は無いが、ラビング角度αをスリット２７形成角度βに等しくすれば、ラビング方向Ｒ１をサブ画素Ｐの短手方向に一致させることができる。以上により、図１の第１基板１１の母材であるマザー第１基板上に複数の素子基板のための構成要素が形成される。

次に、図１０の工程Ｐ１１において、図１の第２基板２２（鎖線）の母材である面積の大きなマザー第２基板を準備する。このマザー第２基板は例えば石英ガラスによって形成されている。このマザー第２基板の面上に、図２に示す着色膜２４をＲ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）ごとに適宜の順番で所定の配列、本実施形態ではストライプ配列となるように形成する。各着色膜２４は感光性樹脂に顔料又は染料を混合して成る樹脂材料によってフォトリソグラフィ処理に基づいて形成されている。これにより、第２基板２２上にカラーフィルタが形成される。また、Ｒ，Ｇ，Ｂ３色の少なくとも２色を重ねることにより、各着色膜２４を囲むように遮光膜２５を形成する。遮光膜２５は、図１の平面視で個々のサブ画素Ｐの周辺領域に設けられ、当該周辺領域からの光漏れを防止する機能を奏する。

次に、図１０の工程Ｐ１２において、図２のオーバーコート層２９を、例えばアクリル系の有機樹脂材料によってフォトリソグラフィ処理に基づいて所定の面積及び所定の厚さで形成する。次に、工程Ｐ１３において、図２の第２配向膜３０を、例えばポリイミドによって印刷法に基づいて形成する。次に、第２配向膜３０に対して、工程Ｐ１４においてラビングを行う。具体的には、図６（ａ）の素子基板４側のラビング方向Ｒ１と逆平行（アンチパラレル）となる方向へラビングを行う。そして、工程Ｐ１５において、図２のシール材７を熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂によって、例えば印刷法に基づいて環状又は枠状に形成する。以上により、図２の第２基板２２の母材であるマザー第２基板上に複数のカラーフィルタ基板のための構成要素が形成される。

その後、以上のようにして作製されたマザー第１基板及びマザー第２基板を図１０の工程Ｐ２１においてシール材７（図２参照）を挟んで互いに貼り合わせる。そして、工程Ｐ２２において、熱硬化又は紫外線硬化によってそのシール材７を硬化させて、大面積のパネル構造体を作製する。次に、工程Ｐ２３において、大面積のパネル構造体を行方向Ｘ又は列方向Ｙの一方向に沿ってブレイク（すなわち切断）する。この１次ブレイクにより、複数の液晶パネル部分が一列に並んだ状態で含まれている、いわゆる短冊状のパネル構造体が形成される。シール材７の一部分には予め液晶注入用の開口が形成されており、短冊状のパネル構造体においてはそのシール材開口が外部へ露出している。

次に、工程Ｐ２４において、短冊状のパネル構造体に含まれる複数の液晶パネル部分の内部へ上記のシール材開口を通して液晶を注入する。本実施形態では、正の誘電異方性を有するネマチック液晶を注入する。そして、液晶が注入された後にシール材開口を樹脂によって封止する。各液晶パネル部分の内部へ注入された液晶は、図６（ａ）に示すように、液晶分子６ａがラビング方向Ｒ１に沿って配列するホモジニアス配向に初期配向する。

次に、図１０の工程Ｐ２５において、液晶注入後の短冊状のパネル構造体に対して２回目のブレイク（切断）処理を行って、図１に示す状態の個々の液晶パネルを形成する。さらに、工程Ｐ２６において図１の駆動用ＩＣ２１を実装し、工程Ｐ２７において図２の第１偏光板１２及び第２偏光板２３をそれぞれ第１基板１１及び第２基板２２の外側の面上に貼着等によって装着し、さらに、素子基板４の外側に照明装置２８を装着する。以上により、液晶装置が作製される。なお、工程Ｐ２７における偏光板の装着工程においては、各偏光板の偏光透過軸が図７に示した光軸関係となるように各基板に装着される。

本実施形態に係る電気光学装置の製造方法によれば、画素に印加される電圧を２端子型スイッチング素子であるＴＦＤ素子によって制御する構成のＦＦＳモードの液晶装置を安定して正確に製造できる。ＴＦＤ素子を用いた液晶装置はＴＦＴ素子等といった３端子側のスイッチング素子を用いた液晶装置に比べて構成が簡単であり、容易且つ低コストで作製できる。それにも関らず、本実施形態の製造方法で得られる液晶装置はＦＦＳモードの液晶装置であるので、広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

（電子機器の第１実施形態）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態を説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。図１１は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、電気光学装置としての液晶装置１０１と、これを制御する制御回路１０２とを有する。液晶装置１０１は液晶パネル１０３及び駆動回路１０４を有する。また、制御回路１０２は、表示情報出力源１０５、表示情報処理回路１０６、電源回路１０７及びタイミングジェネレータ１０８によって構成される。

表示情報出力源１０５は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０８により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０６に供給する。

表示情報処理回路１０６は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０４へ供給する。ここで、駆動回路１０４は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０７は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶装置１０１は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成する。この液晶装置１によれば、ＴＦＤ素子１３をスイッチング素子として用いてＦＦＳモードの動作モードを実現できる。スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いれば、液晶装置１を少ない工数で容易に低コストで製造できる。それにも関らず、液晶装置１はＦＦＳモードの液晶装置であるので、電子機器の表示装置として好適である広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

（電子機器の第２実施形態）
図１２は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、この本体部１１１に対して開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。表示体部１１２には表示装置１１３及び受話部１１４が設けられる。電話通信に関する各種表示は、表示装置１１３の表示画面１１５に表示される。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。本体部１１１には操作ボタン１１６及び送話部１１７が設けられる。

表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶装置１を用いて構成する。この液晶装置１によれば、ＴＦＤ素子１３をスイッチング素子として用いてＦＦＳモードの動作モードを実現できる。スイッチング素子としてＴＦＤ素子を用いれば、液晶装置１を少ない工数で容易に低コストで製造できる。それにも関らず、液晶装置１はＦＦＳモードの液晶装置であるので、電子機器の表示装置として好適である広視野角及び高コントラストの表示を実現できる。

以上、好ましい実施形態を挙げて本発明の電子機器を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、本発明は、携帯電話機に限られず、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話装置、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、電子ブック、等といった各種の電子機器に適用できる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶装置を示す平面断面図である。図１のＺｂ−Ｚｂ線に従った液晶装置の行方向Ｘに沿った断面図である。図１の液晶装置のサブ画素及びその近傍の平面図であり、（ａ）は共通電極形成前の状態を示し、（ｂ）は共通電極形成後の状態を示している。ＴＦＤ素子の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図３（ｂ）におけるＺｅ線に従った断面図である。液晶分子の配向状態を示す平面図であり、（ａ）はオフ電圧印加時の初期配向状態、（ｂ）はオン電圧印加時の状態を示している。ラビング方向及び偏光透過軸の光軸関係を図式的に示す図である。本発明に係る電気光学装置の他の実施形態である液晶装置を示す平面断面図である。本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態である液晶装置を示す平面断面図である。本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。本発明に係る電子機器の一実施形態を示す回路ブロック図である。本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示す斜視図である。

符号の説明

１．液晶装置（電気光学装置）、２．液晶パネル、３．照明装置、４．素子基板、
５．カラーフィルタ基板、６．液晶層、６ａ．液晶分子、７．シール材、
１１．第１基板、１２．第１偏光板、１３．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、
１３ａ．第１ＴＦＤ要素、１３ｂ．第２ＴＦＤ要素、
１４．セグメントライン（信号線）、１５．画素電極（第１電極）、１６．誘電体膜、
１７．コモンライン（配線）、１８．共通電極（第２電極）、１９．第１配向膜、
２１．駆動用ＩＣ、２２．第２基板、２３．第２偏光板、２４．着色膜、
２５．遮光膜、２７．スリット（間隙）、２８．電極線状部、
２９．オーバーコート層、３０．第２配向膜、３２．第１導電膜、３３．絶縁膜、
３４ａ，３４ｂ．第２導電膜、４１，５１．液晶装置（電気光学装置）、
１０１．液晶装置（電気光学装置）、１１０．携帯電話機（電子機器）、
２１２、２２３．偏光透過軸、Ｅ．電界、Ｐ．サブ画素、Ｖ．表示領域

Claims

電気光学物質を支持する基板上に設けられた信号線と、
前記基板上に設けられており前記信号線に導電接続したスイッチング素子と、
前記基板上に設けられており前記スイッチング素子に導電接続した島状の第１電極と、
前記第１電極及び前記スイッチング素子を覆って前記基板上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上に設けられており前記第１電極に対向する第２電極と、を有し、
前記スイッチング素子は、第１導電膜と、該第１導電膜上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた第２導電膜とを有する２端子型スイッチング素子であり、
前記第２電極は間隙を有して平行に並んだ複数の電極線状部を前記第１電極に対向する領域に有する
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項１記載の電気光学装置において、前記第１電極は前記基板上に複数設けられ、それらの第１電極は直交する方向へ行列状に並んで設けられ、前記第２電極は一方向に並んだ前記複数の島状電極と平面視で重なり合う帯状電極であることを特徴とする電気光学装置。
請求項２記載の電気光学装置において、前記第２電極が有する前記間隙及び前記電極線状部は、前記第１電極と前記第２電極とが平面視で重なり合うことによって形成された複数の島状のサブ画素ごとに形成されることを特徴とする電気光学装置。
請求項２記載の電気光学装置において、前記第２電極が有する前記間隙及び前記電極線状部は、前記第１電極と前記第２電極とが平面視で重なり合うことによって形成された複数の島状のサブ画素にわたって連続して形成されることを特徴とする電気光学装置。
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記基板上に設けられており前記第２電極に導電接続した配線をさらに有し、
前記第１電極と前記第２電極とが平面視で重なり合う複数の島状のサブ画素は直交する方向へ行列状に並んで設けられて表示領域を形成し、
前記配線は平面視で前記表示領域の両側の側方領域に分けて設けられる
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記基板上に設けられており前記第２電極に導電接続した配線をさらに有し、
前記第１電極と前記第２電極とが平面視で重なり合う複数の島状のサブ画素は互いに直交する方向へ行列状に並んで設けられて表示領域を形成し、
前記配線は平面視で前記表示領域の片側の側方領域にまとめて設けられる
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項５又は請求項６記載の電気光学装置において、前記配線は平面視で前記誘電体膜の外側の領域に設けられることを特徴とする電気光学装置。
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記第１電極の前記電極線状部の個々はその一部分又は全部が平面視で前記第２電極に重なり合うことを特徴とする電気光学装置。
請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記第１電極は間隙を持たない面状電極であることを特徴とする電気光学装置。
請求項１から請求項９のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記基板上に設けられた配向膜をさらに有し、該配向膜にはラビングが施され、該ラビングの方向と前記電極線状部の延在方向との成す角度をαとするとき、
５°≦α≦２０°
であることを特徴とする電気光学装置。
電気光学物質の層を介在させて互いに対向する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上に設けられた信号線と、
前記第１基板上に設けられており前記信号線に導電接続したスイッチング素子と、
前記第１基板上に設けられており前記スイッチング素子に導電接続した島状の第１電極と、
前記第１電極及び前記スイッチング素子を覆って前記第１基板上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上に設けられており前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１基板上に設けられた第１配向膜及び第１偏光層と、
前記第２基板上に設けられた第２配向膜及び第２偏光層と、を有し、
前記スイッチング素子は、第１導電膜と、該第１導電膜上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた第２導電膜とを有する２端子型スイッチング素子であり、
前記第２電極は間隙を有して平行に並んだ複数の電極線状部を前記第１電極に対向する領域に有し、
前記第１配向膜にはラビングが施され、該ラビングの方向と前記電極線状部の延在方向との成す角度をαとするとき、
５°≦α≦２０°
であり、
前記第１偏光層の偏光透過軸の延在方向は前記第１配向膜に施されるラビングの方向と平行であり、
前記第２配向膜に施されるラビングの方向は前記第１基板側のラビングの方向に対して逆平行であり、
前記第２偏光層の偏光透過軸の延在方向は前記第１偏光層の偏光透過軸の延在方向に直交する
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項１から請求項１１のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記電気光学物質は正の誘電異方性を有するネマチック液晶であることを特徴とする電気光学装置。
液晶層を介在させて互いに対向する第１基板及び第２基板と、
前記第１基板上に設けられており互いに平行に配置された複数の信号線と、
個々の前記信号線に一方の端子が導電接続した複数の薄膜ダイオードと、
個々の前記薄膜ダイオードの他方の端子に導電接続しており隣接する前記信号線の間に設けられた複数の島状の画素電極と、
前記画素電極及び前記薄膜ダイオードを覆って前記第１基板上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜上に設けられ、複数の前記画素電極に平面視で重なり合うとともに、前記信号線と交差する方向に延在した帯状の共通電極とを有し、
前記薄膜ダイオードは、第１導電膜と絶縁膜と第２導電膜との積層構造から成り、
前記共通電極は、間隙を有して平行に並んだ複数の電極線状部を個々の前記画素電極に対向する領域内に有する
ことを特徴とする電気光学装置。
請求項１から請求項１３のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
基板上に信号線を形成する工程と、
前記信号線に導電接続するスイッチング素子を前記基板上に形成する工程と、
前記スイッチング素子に導電接続する島状の第１電極を前記基板上に形成する工程と、
前記第１電極及び前記スイッチング素子を覆う誘電体膜を前記基板上に形成する工程と、
前記第１電極に対向する第２電極を前記誘電体膜上に形成する工程と、を有し、
スイッチング素子を前記基板上に形成する前記工程では、前記基板上に第１導電膜を形成し、該第１導電膜上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に第２導電膜を形成することにより２端子型スイッチング素子を形成し、
第２電極を前記誘電体膜上に形成する前記工程では、前記第２電極のうち前記第１電極に対向する領域に、間隙を有して平行に並んだ複数の電極線状部を形成する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。