JP3029426B2

JP3029426B2 - 液晶表示素子のアレイ基板、アレイ基板を備えた液晶表示素子、およびアレイ基板の製造方法

Info

Publication number: JP3029426B2
Application number: JP3105499A
Authority: JP
Inventors: 英郎川野
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1998-02-24
Filing date: 1999-02-09
Publication date: 2000-04-04
Anticipated expiration: 2019-02-09
Also published as: JPH11311808A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示素子、特
に、イン・プレイン・スイッチング方式の液晶表示素子
に用いるアレイ基板、このアレイ基板を備えた液晶表示
素子、およびアレイ基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶を用いた表示素子として、テ
レビ表示やグラフィックディスプレイ等に用いられる大
容量で高密度なものが盛んに開発及び実用化されてい
る。特に、クローストークのない高コントラスト比の表
示が可能なアクティブマトリクス型の液晶表示素子が広
く開発および製品化されている。

【０００３】更に、近年では、モニター用途を対象とし
て液晶表示素子の高視野角化が求められており、各種方
式の高視野角化技術の開発が行われている。特に、同一
基板上に表示画素電極と対向電極とを形成することで、
基板に対して略平行に生じる電場で液晶を応答させるＩ
ＰＳ（イン・プレイン・スイッチング）方式と呼ばれる
液晶表示素子が注目を集めている。

【０００４】このＩＰＳ方式を取り入れたアクティブマ
トリクス型の液晶表示素子として、表示画素電極を表示
信号線層で、対向電極を走査信号線層でそれぞれ形成す
るとともに、対向信号線上に補助容量を配置し、スイッ
チング素子としてスタガー型の薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと称する）を用いたものが提案されている。

【０００５】すなわち、この液晶表示素子によれば、ま
ず、絶縁基板上にＭｏＷ膜を２０００オングストローム
成膜した後、フォト・エッチングにより、ゲート電極を
含む走査信号線、およびこれと平行な対向信号線を加工
するとともに、対向信号線から垂直に延出した対向電極
を所定の形状に加工する。次に、走査信号線のパターン
検査を行った後、ＳｉＯからなる３００Ｏオングストロ
ーム厚の絶縁膜、およびＴＦＴのチャネル領域となる半
導体層として５００オングストローム厚のｉ型アモルフ
ァス・シリコン（以下、ａ−Ｓｉと称する）膜を、それ
ぞれＣＶＤ（ケミカルベーパデポジション）法で基板全
面に形成する。

【０００６】続いて、ＳｉＮからなるＴＦＴのチャネル
のエッチング保護膜を同様にＣＶＤ法によって２０００
オングストローム成膜した後、この保護膜のみを所定の
形状にフォト・エッチングにより加工する。更に、ＣＶ
Ｄ法によりｎ＋型ａ−Ｓｉ膜を５００オングストローム
成膜した後、ｉ型ａ−Ｓｉ膜とｎ＋型ａ−Ｓｉ膜をフォ
ト・エッチングによって所定の形状に加工する。続い
て、走査信号線及び対向信号線の給電電極を、フォト・
エッチングによって所定の形状に加工する。

【０００７】次に、Ａｌをスパッタ法により３０００オ
ングストローム成膜した後、フォト・エッチングによっ
て表示信号線、ＴＦＴのソース・ドレイン電極、表示画
素電極、補助容量電極、対向信号線の給電配線、及びソ
ース・ドレイン電極間のｎ＋型ａ−Ｓｉ膜を所定の形状
に加工する。この場合、各画素領域において、表示画素
電極は、対向電極と平行に並んで位置している。

【０００８】次に、ＳｉＮよりなる保護膜をＣＶＤ法に
より２０００オングストローム成膜した後、フォト・エ
ッチングによって所定の形状に加工し、アクティブマト
リクス型の液晶表示素子用基板（以下、アレイ基板）が
出来上がる。このアレイ基板と絶縁性の基板よりなる対
向基板とを貼り合わせ、これらの基板間に液晶層を挟持
することによってアクティブマトリクス型の液晶表示素
子が完成する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記のような構成のＩ
ＰＳ方式を取り入れたアクティブマトリクス型の液晶表
示素子において、１つの画素は、同一基板上に別々の層
で、かつ、独立したフォト・エッチング工程でそれぞれ
形成された略直線状の複数の表示画素電極と略直線状の
複数の対向電極とで挟まれた複数の開口部によって構成
されている。このため、露光時の各パターンの合わせズ
レにより、同一画素内で表示画素電極と対向電極間との
間隔が不均一となってしまう場合がある。

【００１０】例えば、１つの画素領域が、２本の平行な
表示画素電極と、これら表示画素電極間に平行に配置さ
れた１本の対向電極とを有している場合、露光時の合わ
せズレにより、各表示画素電極と対向電極との間隔が相
互に不均一となる。この場合、両電極の間隔が狭い部位
は、両電極の間隔が広い部位と比べて両電極間に生じる
電場が強いため、両部位における液晶の応答性が相違
し、同一画素内で輝度が不均一となる。そして、このよ
うな画素内輝度の不均一は、画面の表示品位を下げ、ザ
ラツキ感として視認される。

【００１１】一方、液晶の応答性を考慮した場合、表示
画素電極と対向電極との間に生じる電場は、アレイ基板
面に対して完全に平行であることが望ましいが、実際は
電極端効果によって、弧状となる。このため電極間の実
効水平電場は、電場が基板に対して完全に平行な場合よ
りも弱く、液晶の応答性も遅くなる。

【００１２】電場の低下を補償する１つの方法として、
両電極の間隔を狭くすることが挙げられるが、この場
合、開口率の低下を招き透過率が低下する。これを補償
するためにバックライトを明るくすると、消費電力の増
大を招き好ましくない。他の方法として、両電極の間に
印加する電圧を大きくすることが挙げられるが、これは
駆動電圧の増大を意味し、消費電力の増大を招く。

【００１３】また、この種の液晶表示素子は、アレイ基
板と対向配置された対向基板を備え、この対向基板に
は、光遮蔽層としてのブラックマトリックスやカラーフ
ィルタ等が形成されている。一般に、このブラックマト
リックスは、その開口部がアレイ基板の画素領域と対向
し、かつ、開口周縁が対向電極と重なるように配置され
る。

【００１４】しかしながら、組立時、アレイ基板と対向
基板との相対的な位置ズレによって、ブラックマトリッ
クスの各開口周縁部が対向電極と画素電極との間に位置
した場合、液晶表示素子の開口率が低下し画面輝度が低
下する。逆に、ブラックマトリックスの各開口周縁部が
対向電極と表示信号線との間に位置した場合、光漏れと
なり、画面のザラツキが発生するとともにコントラスト
低下が生じ、表示品位の低下を招く。このようなブラッ
クマトリックスの位置ズレを防止する方法として、対向
電極の幅を太くすることが考えられるが、この場合、開
口率の低下を招く。

【００１５】この発明は以上の点に鑑みなされたもの
で、その目的は、表示品位の向上を図れるとともに、消
費電力を増大することなく液晶の応答性を向上可能な液
晶表示子用のアレイ基板、これを備えた液晶表示素子、
およびアレイ基板の製造方法を提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る液晶表示素子のアレイ基板は、基板
と、上記基板上に、互いに平行に設けられた複数の走査
信号線および対向信号線と、上記走査信号線および対向
信号線と交差するように、絶縁膜を介して走査信号線お
よび対向信号線上に設けられた互いに平行な複数の表示
信号線と、上記走査信号線および表示信号線で囲まれる
領域にそれぞれ規定された複数の画素領域と、を有して
いる。

【００１７】上記各画素領域には、上記対向信号線と重
なって位置し補助容量を形成した一端とスイッチング素
子を介して走査信号線と表示信号線との交差部に電気的
に接続された他端とを有する細長い第１電極と、上記第
１電極とほぼ平行に延びているとともに、上記対向信号
線と電気的に接続された細長い第２電極と、上記表示信
号線に隣接した上記第２電極の下層に上記絶縁膜を介し
て設けられているとともに上記第２電極とほぼ平行に延
び上記表示信号線と第２電極との隙間を遮光した細長い
遮光層と、が設けられ、上記第１および第２電極は、同
一の導電層を加工して形成されていることを特徴として
いる。

【００１８】この発明に係る液晶表示素子のアレイ基板
によれば、上記第１および第２電極は、上記表示信号線
と同一の導電層を加工して形成されていることを特徴と
している。また、この発明に係る液晶表示素子のアレイ
基板によれば、上記第１および第２電極は、３０００オ
ングストローム以上の厚さを有する膜により形成され、
好ましくは、５０００オングストローム以上の厚さを有
する膜により形成されている。

【００１９】更に、この発明に係る液晶表示素子のアレ
イ基板によれば、上記第１および第２電極は、それぞれ
上記絶縁基板の表面に対して３０度以上９０度以下の傾
きを持った側面を有していることを特徴としている。

【００２０】一方、この発明に係る液晶表示素子は、液
晶層を挟んで互いに対向配置された第１および第２基板
を備え、上記第１基板は、絶縁基板上に互いに平行に設
けられた複数の走査信号線および対向信号線と、上記走
査信号線および対向信号線と交差するように、絶縁膜を
介して走査信号線および対向信号線上に設けられた互い
に平行な複数の表示信号線と、上記走査信号線および表
示信号線で囲まれる領域にそれぞれ規定された複数の画
素領域と、を有し、上記各画素領域には、上記対向信号
線と重なって位置し補助容量を形成した一端とスイッチ
ング素子を介して走査信号線と表示信号線との交差部に
電気的に接続された他端とを有する細長い第１電極と、
上記第１電極とほぼ平行に延びているとともに、上記対
向信号線と電気的に接続された一端を有する細長い第２
電極と、上記表示信号線に隣接した上記第２電極の下層
に上記絶縁膜を介して設けられているとともに上記第２
電極とほぼ平行に延び上記表示信号線と第２電極との隙
間を遮光した細長い遮光層と、が設けられ、上記第１お
よび第２電極は、同一の導電層を加工して形成されてい
ることを特徴としている。

【００２１】上記のように構成された液晶表示素子のア
レイ基板、およびこれを備えた液晶表示素子によれば、
表示画素電極として機能する第１電極、および対向電極
として機能する第２電極は、同一の導電層を同一工程で
フォト・エッチングすることにより形成される。そのた
め、両電極の間隔を第１基板全面に渡って完全に均一に
することができる。従って、両電極間に生じる電場も第
１基板全面に亘って均一となり、各画素を構成する各開
口部における液晶の応答性が表示領域の全面に渡って均
−となり、その結果、各画素開口部の輝度が均−となる
ため画面のザラツキ感が低減し、表示品位が向上する。

【００２２】また、第１および第２電極が設けられた第
１基板と対向基板との間隔を一定にした上で、第１およ
び第２電極を３０００オングストローム以上に厚膜化す
ると、両電極の側面間に生じる、基板表面に対して略平
行な電場に応答する液晶の割合が増加する。更に、導体
表面から生じる電場の方向は、導体表面に対して垂直で
あるため、第１基板表面に対する第１および第２電極の
側面の傾き（テーパ角）を大きくすると、両電極側面間
の電場は第１基板表面と平行に近づく。特に、テーパ角
が第１基板表面に対して垂直な場合、第１および第２電
極の側面間に生じる電場は、第１基板表面と平行にな
り、両電極の間隔あるいは駆動電圧を一定にした場合に
両電極間に生じる電場の強さを最大にすることが可能と
なる。従って、消費電力を上げることなく液晶の応答性
を向上することができる。

【００２３】一方、この発明に係る液晶表示素子のアレ
イ基板は、基板と、上記基板上に、互いに平行に設けら
れた複数の走査信号線および対向信号線と、上記走査信
号線および対向信号線と交差するように、絶縁膜を介し
て走査信号線および対向信号線上に設けられた互いに平
行な複数の表示信号線と、上記走査信号線および表示信
号線で囲まれる領域にそれぞれ規定された複数の画素領
域と、を有している。

【００２４】上記各画素領域には、スイッチング素子を
介して走査信号線と表示信号線との交差部に電気的に接
続された細長い第１電極と、上記第１電極とほぼ平行に
延びているとともに、上記対向信号線と電気的に接続さ
れた一端を有する細長い第２電極と、上記表示信号線に
隣接した上記第２電極の下層に上記絶縁膜を介して位置
しているとともに上記第２電極とほぼ平行に延び上記表
示信号線と第２電極との隙間を遮光した細長い遮光層
と、が設けられ、上記第１および第２電極は、同一の導
電層を加工して形成されていることを特徴としている。

【００２５】また、この発明によれば、上記遮光層は、
上記絶縁膜を介して上記第２電極と重なって位置した側
縁部を有していることを特徴としている。また、上記表
示信号線、第１電極、および第２電極は、同一の遮光性
導電層を加工して形成されていることを特徴としてい
る。更に、上記表示信号線、第１電極、および第２電極
は、上記絶縁膜上に配置され、上記第２電極は、上記絶
縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記対向信
号線と電気的に接続されていることを特徴としている。

【００２６】また、この発明に係る液晶表示素子は、液
晶層を挟んで互いに対向配置された第１および第２基板
を備え、上記第１基板は、絶縁基板上に、互いに平行に
設けられた複数の走査信号線および対向信号線と、上記
走査信号線および対向信号線と交差するように、絶縁膜
を介して走査信号線および対向信号線上に設けられた互
いに平行な複数の表示信号線と、上記走査信号線および
表示信号線で囲まれる領域にそれぞれ規定された複数の
画素領域と、を有し、上記各画素領域には、スイッチン
グ素子を介して走査信号線と表示信号線との交差部に電
気的に接続された細長い第１電極と、上記第１電極とほ
ぼ平行に延びているとともに、上記対向信号線と電気的
に接続された一端を有する細長い第２電極と、上記表示
信号線に隣接した上記第２電極の下層に上記絶縁膜を介
して位置しているとともに上記第２電極とほぼ平行に延
び上記表示信号線と第２電極との隙間を遮光した細長い
遮光層と、が設けられ、上記第１および第２電極は、同
一の導電層を加工して形成されていることを特徴として
いる。

【００２７】上記のように構成されたアレイ基板、およ
びこれを備えた液晶表示素子によれば、第１電極、およ
び第２電極は、同一の導電層を同一工程でフォト・エッ
チングすることにより形成される。そのため、両電極の
間隔を第１基板全面に渡って完全に均一にすることがで
きる。従って、両電極間に生じる電場も第１基板全面に
亘って均一となり、各画素を構成する各開口部における
液晶の応答性が表示領域の全面に渡って均−となり、そ
の結果、各画素開口部の輝度が均−となるため画面のザ
ラツキ感が低減し、表示品位が向上する。

【００２８】また、上記表示信号線に隣接した上記第２
電極の下層には上記絶縁膜を介して細長い遮光層が設け
られ、上記第２電極とほぼ平行に延びている。この遮光
層は、上記表示信号線と第２電極との隙間を遮光してい
る。そのため、表示信号線と第２電極とを電気的に絶縁
しつつ、かつ、画素領域の開口率を低下させることな
く、遮光領域の幅を広げることができる。従って、液晶
表示素子の組立時にアレイ基板と第２基板との間に多少
の位置ズレが生じた場合でも、第２基板側の遮光層の開
口の側縁を、アレイ基板の遮光領域と確実に対向配置す
ることができる。その結果、液晶表示素子の開口率の低
下、および輝度の低下を生じることがなく、これを補償
するためのバックライト消費電力の増大も必要せず、更
に、位置ズレに起因する光漏れをも防止することができ
る。これにより、表示品位の優れたアレイ基板および液
晶表示素子を提供することができる。

【００２９】更に、この発明の製造方法は、液晶表示素
子のアレイ基板を製造する製造方法において、絶縁基板
上に、互いに平行な複数の走査信号線および対向信号
線、並びに上記対向信号線と直交する方向に延びた互い
に平行な複数の細長い遮光層を形成した後、上記走査信
号線、対向信号線、および遮光層に重ねて絶縁膜を形成
し、上記絶縁膜上に、上記走査信号線および対向信号線
と交差するように、互いに平行な複数の表示信号線を形
成し、上記絶縁膜上に形成された同一の導電層をパター
ニングすることにより、それぞれ上記走査信号線および
表示信号線で囲まれた複数の画素領域に、上記対向信号
線と重なって位置し補助容量を形成した一端とスイッチ
ング素子を介して走査信号線と表示信号線との交差部に
電気的に接続された他端とを有する細長い第１電極と、
上記対向信号線と電気的に接続された一端を有し上記第
１電極とほぼ平行に延びているとともに上記遮光層に少
なくとも一部が重なって位置した細長い第２電極と、を
形成することを特徴としている。

【００３０】また、この発明の製造方法によれば、上記
絶縁性基板上に成膜された第１金属膜をパターニングし
て上記走査信号線および対向信号線を形成し、上記絶縁
膜上に成膜された第２金属膜をパタ−ニングして上記表
示信号線、第１電極および第２電極を形成することをこ
とを特徴としている。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら、この発
明の実施の形態に係るアクティブマトリクス型の液晶表
示素子を備えた液晶表示装置について詳細に説明する。

【００３２】図１に示すように、液晶表示装置は、ＩＰ
Ｓ方式の液晶表示素子１０、液晶表示素子を駆動するた
めの信号線駆動回路基板１４、走査線駆動回路基板１
６、各駆動回路基板と液晶表示素子とを電気的に接続し
た複数のテープキャリアパッケージ（ＴＣＰと称する）
１８を備えている。

【００３３】図１および図２に示すように、液晶表示素
子１０は、第１基板として機能するアレイ基板２０およ
び第２基板として機能する対向基板２２を備え、これら
基板は、周縁部をシール剤によって貼り合わせることに
より、所定のギャップをおいて対向配置されている。そ
して、アレイ基板２０と対向基板２２との間には、液晶
組成物２４が封入されている。また、アレイ基板２０お
よび対向基板２２の外表面には、それぞれ偏光板２５、
２６が配置されている。

【００３４】図２および図３に示すように、アレイ基板
２０は絶縁基板として機能するガラス基板２８を有し、
このガラス基板上には、水平方向に沿って互いに平行に
延びた多数の走査信号線３０、同じく水平方向に沿って
互いに平行に延びた多数の対向信号線３２、および垂直
方向に沿って互いに平行に延びた、つまり、走査信号線
３０および対向信号線３２と直交する方向に延びた多数
の表示信号線３４が設けられている。

【００３５】各走査信号線３０および対向信号線３２
は、例えば、モリブデン−タングステン（Ｍｏ−Ｗ）合
金等の低抵抗金属材料により３０００オングストローム
厚に形成されている。各走査信号線３０の一端はガラス
基板２８上に形成された第１給電電極３６に接続され、
各対向信号線の一端は、ガラス基板２８上に形成された
第２給電電極３８に接続されている。第２給電電極３８
は、垂直方向に延びる給電配線４０によって互いに接続
されている。そして、第１および第２給電電極３６、３
８は、ＴＣＰ１８を介して走査線駆動回路基板１６に接
続されている。

【００３６】また、表示信号線３４は、例えばＳｉＯか
らなるゲート絶縁膜４２を介して、走査信号線３０およ
び対向信号線３２上にこれらの信号線と略直交して設け
られている。表示信号線３４は、例えば、Ａｌにより６
０００オングストローム厚程度に形成されている。各表
示信号線３４の一端は、ガラス基板２８上に設けられた
第３給電電極４４に接続されている。そして、第３給電
電極４４は、ＴＣＰ１８を介して信号線駆動回路基板１
４に接続されている。

【００３７】アレイ基板２０上において、走査信号線３
０、対向信号線３２、および表示信号線３４によって囲
まれた領域は、それぞれ矩形状の画素領域Ｐを形成して
いる。そして、図２ないし図７に示すように、各画素領
域Ｐには、２本の対向電極４６、１本の表示画素電極４
８、補助容量線５０が設けられ、表示画素電極は、スイ
ッチング素子を構成するスタガー型の薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴと称する）５２を介して、走査信号線信号
線３０と表示信号線走査線３４との交差部に接続されて
いる。

【００３８】詳細に述べると、第１電極として機能する
表示画素電極４８、第２電極として機能する対向電極４
６、および表示信号線３４は、ゲート絶縁膜４２上に設
けられているとともに、同一の導電層、つまり、６００
０オングストローム厚のＡｌ膜をフォトエッチングする
ことにより形成されている。なお、Ａｌ膜は、３０００
オングストローム以上、望ましくは、５０００オングス
トローム以上に形成される。

【００３９】補助容量線５０は、ガラス基板２８とゲー
ト絶縁膜４２との間に設けられ、走査信号線３０および
対向信号線３２と同一の導電層、つまり、Ｍｏ−Ｗ膜を
フォトエッチングすることにより形成されている。

【００４０】各対向信号線３２の内、画素領域Ｐに位置
した部分は、他の部分よりも広い幅に形成され、矩形状
の接続部３２ａを構成している。表示画素電極４８は、
表示信号線３４と平行に延びているとともに、その一端
部４８ａは、対向信号線３２と平行に延び、全体として
ほぼＴ字形状に形成されている。一端部４８ａは、ゲー
ト絶縁膜４２を挟んで、対向信号線３２の接続部３２ａ
と重なって設けられ、接続部３２ａとの間に第１補助容
量Ｃｓ１を形成している。また、表示画素電極４８の他
端は、走査信号線３０の近傍まで延び、後述するＴＦＴ
５２に接続されている。

【００４１】２本の対向電極４６は、表示信号線３４と
平行に延びているとともに、表示画素電極４８の両側に
設けられている。各対向電極４６と表示画素電極４８と
の間隔Ｄは同一に設定されている。そして、各対向電極
４６と表示画素電極４８との間の空間により画素領域Ｐ
の開口部が規定されている。

【００４２】図２から良く分かるように、表示画素電極
４８および各対向電極４６は、一対の側面を有し、各側
面のガラス基板２８に対する傾き（テーパ角）は、３０
度以上９０度以下に形成され、望ましくは、９０度に形
成される。これにより、表示画素電極４８の側面と各対
向電極４６の側面とは、間隔Ｄをおいてほぼ平行に対向
している。

【００４３】各対向電極４６の一端は、ゲート絶縁膜４
２を挟んで対向信号線３２の接続部３２ａと重なって位
置し、コンタクトホール５６を介して接続部３２ａに電
気的に接続されている。また、各対向電極４６の他端
は、走査信号線３０の近傍まで延びている。

【００４４】第３電極として機能する補助容量線５０
は、ほぼＵ字形状に形成され、走査信号線３０と平行に
延びる基部５０ａと、基部の両端から対向信号線３２に
向かって表示信号線３４と平行に延出した一対の延出部
５０ｂと、を有している。そして、補助容量線５０は走
査信号線３０の近傍に設けられ、一対の延出部５０ｂ
は、それぞれゲート絶縁膜４２を挟んで対向電極４６の
他端部と重なって位置し、これら対向電極との間に第２
補助容量Ｃｓ２をそれぞれ形成している。なお、各延出
部５０ｂは、対向電極４６よりも狭い幅に形成され、対
向電極と完全に重なって設けられている。更に、補助容
量線５０の基部５０ａは、コンタクトホール５８を介し
て表示画素電極４８の他端部に電気的に接続されてい
る。

【００４５】図４および図６から良く分かるように、各
ＴＦＴ５２は、走査信号線３０自体をゲート電極６０と
し、ゲート電極上にゲート絶縁膜４２を介してｉ型アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層６２が
形成され、チャネル領域を構成している。また、半導体
層６２上には、走査信号線３０に自己整合されて成るチ
ャネル保護膜６４として、窒化シリコン層が形成されて
いる。

【００４６】そして、半導体層６２は、ｎ＋型ａ−Ｓｉ
膜６６およびソース電極６７を介して表示画素電極４８
に電気的に接続されているとともに、ｎ＋型ａ−Ｓｉ膜
６６およびドレイン電極６８を介して表示信号線３４に
接続されている。なお、ソース電極６７は表示画素電極
４８と同一の導電膜により形成され、ドレイン電極６８
は表示信号線３４と同一の導電膜により形成されてい
る。そして、アレイ基板２０の表面全体は、保護膜７０
によって覆われている。

【００４７】上記構成のアレイ基板２０は以下の工程に
よって製造される。まず、図８に示すように、ガラス基
板２８上にスパッタ法によりＭｏ−Ｗ膜を３０００オン
グストローム厚に成膜した後、フォト・エッチングによ
ってゲート電極６０、走査信号線３０、対向信号線３
２、補助容量線５０、第１および第２給電電極３６、３
８の一部を所定の形状に加工する。

【００４８】次に、走査信号線３０のパターン検査を行
った後、ＳｉＯからなるゲート絶縁膜４２を３０００オ
ングストローム厚に、更に、ＴＦＴ５２のチャネル領域
となる半導体層６２としてｉ型ａ−Ｓｉ膜を５００オン
グストローム厚に、それぞれＣＶＤ法でガラス基板２８
の全面に成膜する。

【００４９】続いて、ＳｉＮからなるＴＦＴ５２のチャ
ンネル保護膜６４をＣＶＤ法によって２０００オングス
トローム成膜した後、このチャンネル保護膜のみを所定
の形状にフォト・エッチングにより加工する。更に、Ｃ
ＶＤ法によりｎ＋型ａ−Ｓｉ膜を５００オングストロー
ム成膜した後、ｉ型ａ−Ｓｉ膜およびとｎ＋型ａ−Ｓｉ
膜をフォト・エッチングによって所定の形状に加工す
る。

【００５０】次に、図９および図１０に示すように、第
１および第２給電電極３６、３８用のコンタクトホー
ル、対向電極接続用のコンタクトホール５６、および表
示画素電極接側用のコンタクトホール５８を、フォト・
エッチングによってゲート絶縁膜４２に形成する。

【００５１】続いて、スパッタ法によりガラス基板２８
の全面にＡｌを６０００オングストローム成膜した後、
図４に示すように、フォト・エッチングによって表示信
号線３４、ＴＦＴ５２のソースおよびドレイン電極６
７、６８、表示画素電極４８、対向電極４６、対向信号
線の給電配線４０、およびソース・ドレイン電極間のｎ
＋型ａ−Ｓｉ膜を所定の形状に加工する。

【００５２】なお、表示画素電極４８および対向電極４
６の側面のテーパ角が３０度以上９０度以下、望ましく
は９０度となるように、Ａｌ膜のエッチング法として、
異方性のエッチング、例えばＲＩＥ（ラジアル・イオン
・エッチング）を用いることが望ましい。エッチング時
間やその他のエッチング条件、あるいは表示信号線層の
膜質や成膜条件の最適化により、側面のテーパー角が略
垂直になるのであれば、プラズマ・エッチングやウェッ
ト・エッチングを用いてもよい。

【００５３】最後に、ＣＶＤ法により、Ｓｉ−Ｎからな
る保護膜７０を２０００オングストローム成膜した後、
フォト・エッチングにより所定形状に加工し、アレイ基
板２０が完成する。

【００５４】一方、図２に示すように、対向基板２２は
絶縁基板として機能する透明なガラス基板８０を備え、
このガラス基板上には、クロム（Ｃｒ）の酸化膜からな
る遮光層（ブラックマトリックス）８２が形成されてい
る。遮光層８２は、アレイ基板２０上のＴＦＴ５２、走
査信号線３０、対向信号線３２、表示信号線３４をそれ
ぞれを遮光するように、マトリクス状に形成されてい
る。

【００５５】ガラス基板８０上において、アレイ基板２
０側の画素領域Ｐと対向する位置には、赤、緑、青のカ
ラーフィルタ層８４が形成されている。そして、これら
遮光層８２、およびカラーフィルタ層８４に重ねて、配
向膜８６が設けられている。

【００５６】そして、対向基板２２はアレイ基板２０と
貼り合わされ、その間に液晶組成物を封入することによ
り、アクティブマトリクス型の液晶表示素子１０が出来
上がる。

【００５７】以上のように構成された液晶表示素子によ
れば、アレイ基板の表示画素電極４８および対向電極４
６は、同一の導体層、つまり、Ａｌ膜を同一の工程でフ
ォト・エッチングして形成されているため、従来のよう
な露光時の合わせずれが生じることなく、両電極の間隔
Ｄをアレイ基板全面に渡って均一にすることができる。
そのため、表示画素電極４６および対向電極４６間に生
じる電場も均一となり、各画素を構成する各開口部にお
ける液晶の応答性および輝度が表示領域の全面に渡って
均一となる。その結果、画面のザラツキ感が低減し、液
晶表示装置の表示品位を向上することができる。

【００５８】また、表示画素電極４８および対向電極４
６が設けられたアレイ基板２０と対向基板２２との間隔
を一定にした上で、表示画素電極４８および対向電極４
６を３０００オングストローム以上に厚膜化することに
より、図２に破線で示すように、両電極の側面間に生じ
る、ガラス基板表面に対して略平行な電場に応答する液
晶の割合が増加する。更に、導体表面から生じる電場の
方向は、導体表面に対して垂直であるため、ガラス基板
２８の表面に対する電極側面の傾き（テーパ角）を大き
くすると、両電極側面間の電場をガラス基板表面と平行
に近づけることができる。

【００５９】特に、テーパ角がガラス基板表面に対して
垂直な場合、表示画素電極４８および対向電極４６の側
面間に生じる電場は、ガラス基板表面と平行になり、電
場の強さを最大にすることが可能となる。従って、消費
電力を上げることなく液晶の応答性を向上することがで
きる。

【００６０】また、各対向電極４６はコンタクトホール
５６を介して対向信号線３２に接続されているため、第
１補助容量Ｃｓ１を形成している表示画素電極端部４８
ａの面積を増大することが困難となり、面積を大きくし
た場合には液晶表示素子の開口率が低下する。しかしな
がら、本実施の形態によれば、表示画素電極４８に接続
され表示画素電極と同電位の補助容量線５０を設け、対
向電極４６との間に第２補助容量Ｃｓ２を形成している
ことから、開口率を下げることなく十分な補助容量を維
持することができる。

【００６１】なお、この発明は上述した実施の形態に限
定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能で
ある。例えば、表示信号線、表示画素電極、対向電極
は、Ａｌに限らず、例えば、Ａｌの両面をＭｏで挟んだ
積層構造とした場合でも、前述した実施の形態と同様の
作用効果を得ることができる。

【００６２】また、走査信号線上に設けた絶縁膜は、Ｓ
ｉＯの単層膜に限らず、ＳｉＮの単層膜やＳｉＯとＳｉ
Ｎとの積層膜で構成されていてもよい。

【００６３】図１１および図１２は、この発明の第２の
実施の形態に係る液晶表示素子を示している。液晶表示
素子のアレイ基板２０は、前述した実施の形態とほぼ同
様に構成されており、前述した実施の形態と同一の部分
には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する
とともに、異なる部分について以下に説明する。

【００６４】図１１および図１２に示すように、アレイ
基板２０上において、それぞれ走査信号線３０、対向信
号線３２、および表示信号線３４によって囲まれた各画
素領域には、表示信号線３４と平行に延びる３本の対向
電極４６、および２本の表示画素電極４８が設けられて
いる。これらの表示画素電極４８、対向電極４６、およ
び表示信号線３４は、ゲート絶縁膜４２上に設けられて
いるとともに、同一の導電層、つまり、６０００オング
ストローム厚のＡｌ膜をフォトエッチングすることによ
り形成されている。なお、Ａｌ膜は、３０００オングス
トローム以上、望ましくは、５０００オングストローム
以上に形成される。

【００６５】各対向信号線３２の内、画素領域に位置し
た部分は、他の部分よりも広い幅に形成され、矩形状の
接続部３２ａを構成している。２本の表示画素電極４８
は、表示信号線３４と平行に延びているとともに、一端
部４８ａは、対向信号線３２と平行に延び、全体として
ほぼＴ字形状に形成されている。一端部４８ａは、ゲー
ト絶縁膜４２を挟んで、対向信号線３２の接続部３２ａ
と重なって位置し、接続部３２ａとの間に補助容量Ｃｓ
１を形成している。また、表示画素電極４８の他端は、
走査信号線３０の近傍まで延び、ＴＦＴ５２に接続され
ている。

【００６６】また、対向電極４６は互いに等間隔離間し
て設けられ表示信号線３４と平行に延びているととも
に、２本の表示画素電極４８は、隣接する２本の対向電
極間にそれぞれ設けられている。各対向電極４６と表示
画素電極４８との間隔Ｄは同一に設定されている。そし
て、各対向電極４６と表示画素電極４８との間の空間に
より画素領域の開口部が規定されている。

【００６７】図１２から良く分かるように、表示画素電
極４８および各対向電極４６は、一対の側面を有し、各
側面のガラス基板２８に対する傾き（テーパ角）は、３
０度以上９０度以下に形成され、望ましくは、９０度に
形成される。これにより、表示画素電極４８の側面と各
対向電極４６の側面とは、間隔Ｄをおいてほぼ平行に対
向している。

【００６８】各対向電極４６の一端は、ゲート絶縁膜４
２を挟んで対向信号線３２の接続部３２ａと重なって位
置し、コンタクトホール５６を介して接続部３２ａに電
気的に接続されている。また、各対向電極４６の他端
は、走査信号線３０の近傍まで延びている。

【００６９】また、本実施の形態によれば、表示信号線
３４と隣接する対向電極４６の下層には、ゲート絶縁膜
４２を介して遮光層９０が設けられている。これらの遮
光層９０は、走査信号線３０および対向信号線３２と同
一の遮光性導電層、つまり、Ｍｏ−Ｗ膜をフォトエッチ
ングすることにより形成され、対向信号線３２の接続部
３２ａから走査信号線３０の近傍まで、対向電極４６と
平行に延びている。

【００７０】各遮光層９０は、対向電極４６と表示信号
線３４との間の隙間と重なって配置されているととも
に、少なくも対向電極４６側の側縁部が、この対向電極
４６によって覆われる位置に形成されている。平面的に
見て、対向電極４６と遮光層９０とからなる遮光領域９
４の幅Ｗは、液晶表示素子の組立誤差の２倍以上、例え
ば、６μｍ以上に形成されている。

【００７１】一方、図１１および図１２に示すように、
対向基板２２は絶縁基板として機能する透明なガラス基
板８０を備え、このガラス基板上には、クロム（Ｃｒ）
の酸化膜からなる遮光層（ブラックマトリックス）８２
が形成されている。遮光層８２は、アレイ基板２０上の
ＴＦＴ５２、走査信号線３０、対向信号線３２、表示信
号線３４をそれぞれを覆うるように、マトリクス状に形
成されている。そして、遮光層８２は、それぞれアレイ
基板２０側の画素領域と対向する位置に、多数の矩形状
の開口９２を有している。

【００７２】ガラス基板８０上において、遮光層８２の
開口９２内には、赤、緑、青のカラーフィルタ層８４が
形成されている。そして、これら遮光層８２、およびカ
ラーフィルタ層８４に重ねて、配向膜８６が設けられて
いる。

【００７３】上記構成の対向基板２２はアレイ基板２０
と貼り合わされ、その間に液晶組成物を封入することに
より、アクティブマトリクス型の液晶表示素子１０が構
成されている。この場合、対向基板２２の遮光膜８２の
各開口９２は、アレイ基板２０側の表示信号線３４と平
行に延びる側縁が、遮光層９０と対向電極４６とからな
る遮光領域９４と重って位置している。

【００７４】以上のように構成された液晶表示素子によ
れば、前述した実施の形態と同様に、アレイ基板の表示
画素電極４８および対向電極４６は、同一の導体層を同
一工程でフォト・エッチングして形成されているため、
従来のような露光時の合わせずれが生じることなく、両
電極の間隔Ｄをアレイ基板全面に渡って均一にすること
ができる。そのため、表示画素電極４６および対向電極
４６間に生じる電場も均一となり、各画素を構成する各
開口部における液晶の応答性および輝度が表示領域の全
面に渡って均一となる。その結果、画面のザラツキ感が
低減し、液晶表示装置の表示品位を向上することができ
る。

【００７５】また、本実施の形態によれば、アレイ基板
の各画素領域において、表示信号線３４と対向電極４６
との隙間に、ゲート絶縁膜４２を介して遮光層９０を設
けることにより、表示信号線と対向電極とを電気的に絶
縁しつつ、かつ、画素領域の開口率を低下させることな
く、遮光領域９４の幅を広げることができる。従って、
液晶表示素子の組立時にアレイ基板２０と対向基板２２
との間に多少の位置ズレが生じた場合でも、対向基板側
の遮光層８２の開口９２の側縁を、アレイ基板２０の遮
光領域９４と確実に対向配置することができる。その結
果、液晶表示素子の開口率の低下、および輝度の低下を
生じることがなく、これを補償するためのバックライト
消費電力の増大も必要せず、更に、位置ズレに起因する
光漏れをも防止することができる。これにより、表示品
位の優れた液晶表示素子を提供することができる。その
他、本実施の形態によれば、前述した実施の形態と同様
の作用効果を得ることができる。

【００７６】なお、上記実施の形態では、遮光層９０を
対向信号線３２と同一層で形成するとともに、対向信号
線と電気的に接続した構成としたが、この遮光層９０
は、必ずしも対向信号線と電気的に接続されていなくて
もよく、また、対向信号線と異なる層で形成されていて
もよい。

【００７７】また、上記実施の形態において、表示信号
線、表示画素電極、対向電極は、アルミニウムで形成さ
れているが、ＩＴＯからなる透明電極で形成してもよ
い。この場合、液晶表示素子の組立誤差が、遮光層９０
と対向電極４６とが重なる領域内に収まるように構成す
ればよい。

【００７８】

【発明の効果】以上詳述したように、この発明によれ
ば、表示品位の向上を図れるとともに、消費電力を増大
することなく液晶の応答性が向上した液晶表示子のアレ
イ基板、これを備えた液晶表示素子、およびアレイ基板
の製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態に係るアクティブマトリ
クス型の液晶表示装置を示す斜視図。

【図２】上記液晶表示装置における液晶表示素子の断面
図。

【図３】上記液晶表示素子におけるアレイ基板を概略的
に示す平面図。

【図４】上記アレイ基板の画素領域を拡大して示す平面
図。

【図５】図４の線Ａ−Ａに沿った断面図。

【図６】図４の線Ｂ−Ｂに沿った断面図。

【図７】図４の線Ｃ−Ｃに沿った断面図。

【図８】上記アレイ基板の製造工程を概略的に示す平面
図。

【図９】上記アレイ基板の製造工程を概略的に示す平面
図。

【図１０】図９に示す製造工程におけるアレイ基板の一
部を拡大して示す平面図。

【図１１】この発明の他の実施の形態に係る液晶表示素
子のアレイ基板を示す平面図。

【図１２】図１１の線Ｅ−Ｅに沿った断面図。

【符号の説明】

１０…液晶表示素子２０…アレイ基板２２…対向基板２８…ガラス基板３０…走査信号線３２…対向信号線３４…表示信号線４２…ゲート絶縁膜４６…対向電極４８…表示画素電極４８ａ…一端５０…補助容量線５２…ＴＦＴ５６、５８…コンタクトホール８２…遮光層（ブラックマトリックス）９０…遮光層９２…開口９４…遮光領域Ｐ…画素領域Ｃｓ１…第１補助容量Ｃｓ２…第２補助容量

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1368

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、上記基板上に、互いに平行に設け
られた複数の走査信号線および対向信号線と、上記走査
信号線および対向信号線と交差するように、絶縁膜を介
して走査信号線および対向信号線上に設けられた互いに
平行な複数の表示信号線と、上記走査信号線および表示
信号線で囲まれる領域にそれぞれ規定された複数の画素
領域と、を有し、上記各画素領域には、上記対向信号線と重なって位置し
補助容量を形成した一端とスイッチング素子を介して走
査信号線と表示信号線との交差部に電気的に接続された
他端とを有する細長い第１電極と、上記第１電極とほぼ
平行に延びているとともに、上記対向信号線と電気的に
接続された一端を有する細長い第２電極と、上記表示信
号線に隣接した上記第２電極の下層に上記絶縁膜を介し
て設けられているとともに上記第２電極とほぼ平行に延
び上記表示信号線と第２電極との隙間を遮光した細長い
遮光層と、が設けられ、上記第１および第２電極は、同一の導電層を加工して形
成されていることを特徴とする液晶表示素子のアレイ基
板。
【請求項２】上記遮光層は、上記絶縁膜を介して上記第
２電極と重なって位置した側縁部を有していることを特
徴とする請求項１に記載の液晶表示素子のアレイ基板。
【請求項３】上記遮光層および上記対向信号線は、同一
の導電層を加工して形成されていることを特徴とする請
求項１又は２に記載の液晶表示素子のアレイ基板。
【請求項４】上記表示信号線、第１電極、および第２電
極は、上記絶縁膜上に配置されているとともに同一の導
電層を加工して形成され、上記第２電極は上記絶縁膜に
形成されたコンタクトホールを介して上記対向信号線と
電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ない
し３のいずれか１項に記載の液晶表示素子のアレイ基
板。
【請求項５】上記各画素領域には、互いに平行な複数本
の上記第２電極が設けられ、上記第１電極は互いに隣接
する２本の上記第２電極間に各第２電極と等しい間隔を
おいて設けられていることを特徴とする請求項１ないし
４のいずれか１項に記載の液晶表示素子のアレイ基板。
【請求項６】上記第１電極の一端は、上記対向信号線と
平行にかつ上記第２電極と直交する方向に延びた補助容
量線を構成していることを特徴とする請求項１ないし５
のいずれか１項に記載の液晶表示素子のアレイ基板。
【請求項７】上記絶縁膜は、少なくとも窒化珪素を含む
単層構造あるいは積層構造を有していることを特徴とす
る請求項１ないし６のいずれか１項に記載の液晶表示素
子のアレイ基板。
【請求項８】上記第１および第２電極は、３０００オン
グストローム以上の厚さを有する膜により形成されてい
ることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に
記載の液晶表示素子のアレイ基板。
【請求項９】上記第１および第２電極は、それぞれ上記
絶縁基板の表面に対して３０度以上９０度以下の傾きを
持った側面を有していることを特徴とする請求項１ない
し８のいずれか１項に記載の液晶表示素子のアレイ基
板。
【請求項１０】基板と、上記基板上に、互いに平行に設
けられた複数の走査信号線および対向信号線と、上記走
査信号線および対向信号線と交差するように、絶縁膜を
介して走査信号線および対向信号線上に設けられた互い
に平行な複数の表示信号線と、上記走査信号線および表
示信号線で囲まれる領域にそれぞれ規定された複数の画
素領域と、を有し、上記各画素領域には、上記対向信号線と重なって位置し
補助容量を形成した一端とスイッチング素子を介して走
査信号線と表示信号線との交差部に電気的に接続された
他端とを有する細長い第１電極と、上記第１電極とほぼ
平行に延びているとともに、上記対向信号線と電気的に
接続された一端を有する細長い第２電極と、上記絶縁層
を挟んで上記第２電極と重なって設けられ補助容量を形
成しているとともに、上記第１電極に電気的に接続され
た第３電極と、が設けられ、上記第１および第２電極は、同一の導電層を加工して形
成されていることを特徴とする液晶表示素子のアレイ基
板。
【請求項１１】上記第３電極は上記対向信号線および走
査信号線と同一の導電層を加工して形成されていること
を特徴とする請求項１０に記載の液晶表示素子のアレイ
基板。
【請求項１２】基板と、上記基板上に、互いに平行に設
けられた複数の走査信号線および対向信号線と、上記走
査信号線および対向信号線と交差するように、絶縁膜を
介して走査信号線および対向信号線上に設けられた互い
に平行な複数の表示信号線と、上記走査信号線および表
示信号線で囲まれる領域にそれぞれ規定された複数の画
素領域と、を有し、上記各画素領域には、スイッチング素子を介して走査信
号線と表示信号線との交差部に電気的に接続された細長
い第１電極と、上記第１電極とほぼ平行に延びていると
ともに、上記対向信号線と電気的に接続された細長い第
２電極と、上記表示信号線に隣接した上記第２電極の下
層に上記絶縁膜を介して位置しているとともに上記第２
電極とほぼ平行に延び上記表示信号線と第２電極との隙
間を遮光した細長い遮光層と、が設けられ、上記第１および第２電極は、同一の導電層を加工して形
成されていることを特徴とする液晶表示素子のアレイ基
板。
【請求項１３】上記遮光層は、上記絶縁膜を介して上記
第２電極と重なって位置した側縁部を有していることを
特徴とする請求項１２に記載の液晶表示素子のアレイ基
板。
【請求項１４】上記表示信号線、第１電極、および第２
電極は、同一の遮光性導電層を加工して形成されている
ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の液晶表示
素子のアレイ基板。
【請求項１５】上記表示信号線、第１電極、および第２
電極は、上記絶縁膜上に配置され、上記第２電極は、上
記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記対
向信号線と電気的に接続されていることを特徴とする請
求項１４に記載の液晶表示素子のアレイ基板。
【請求項１６】上記第２電極と遮光層とで形成された遮
光領域は、約６μｍ以上の幅を有していることを特徴と
する請求項１２ないし１５のいずれか１項に記載の液晶
表示素子のアレイ基板。
【請求項１７】上記遮光層および上記対向信号線は、同
一の導電層を加工して形成されていることを特徴とする
請求項１２ないし１６のいずれか１項に記載の液晶表示
素子のアレイ基板。
【請求項１８】上記遮光層は上記対向信号線に電気的に
接続されていることを特徴とする請求項１２ないし１７
のいずれか１項に記載の液晶表示素子のアレイ基板。
【請求項１９】液晶層を挟んで互いに対向配置された第
１および第２基板を備え、上記第１基板は、絶縁基板上に互いに平行に設けられた
複数の走査信号線および対向信号線と、上記走査信号線
および対向信号線と交差するように、絶縁膜を介して走
査信号線および対向信号線上に設けられた互いに平行な
複数の表示信号線と、上記走査信号線および表示信号線
で囲まれる領域にそれぞれ規定された複数の画素領域
と、を有し、上記各画素領域には、上記対向信号線と重なって位置し
補助容量を形成した一端とスイッチング素子を介して走
査信号線と表示信号線との交差部に電気的に接続された
他端とを有する細長い第１電極と、上記第１電極とほぼ
平行に延びているとともに、上記対向信号線と電気的に
接続された一端を有する細長い第２電極と、上記表示信
号線に隣接した上記第２電極の下層に上記絶縁膜を介し
て設けられているとともに上記第２電極とほぼ平行に延
び上記表示信号線と第２電極との隙間を遮光した細長い
遮光層と、が設けられ、上記第１および第２電極は、同一の導電層を加工して形
成されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２０】上記表示信号線、第１電極、および第２
電極は、上記絶縁膜上に配置されているとともに同一の
導電層を加工して形成され、上記第２電極は上記絶縁膜
に形成されたコンタクトホールを介して上記対向信号線
と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１９
に記載の液晶表示素子。
【請求項２１】液晶層を挟んで互いに対向配置された第
１および第２基板を備え、上記第１基板は、絶縁基板上に、互いに平行に設けられ
た複数の走査信号線および対向信号線と、上記走査信号
線および対向信号線と交差するように、絶縁膜を介して
走査信号線および対向信号線上に設けられた互いに平行
な複数の表示信号線と、上記走査信号線および表示信号
線で囲まれる領域にそれぞれ規定された複数の画素領域
と、を有し、上記各画素領域には、スイッチング素子を介して走査信
号線と表示信号線との交差部に電気的に接続された細長
い第１電極と、上記第１電極とほぼ平行に延びていると
ともに、上記対向信号線と電気的に接続された一端を有
する細長い第２電極と、上記表示信号線に隣接した上記
第２電極の下層に上記絶縁膜を介して位置しているとと
もに上記第２電極とほぼ平行に延び上記表示信号線と第
２電極との隙間を遮光した細長い遮光層と、が設けら
れ、上記第１および第２電極は、同一の導電層を加工して形
成されていることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２２】上記第２基板は、マトリックス状に形成
され上記第１基板の画素領域とそれぞれ対向した複数の
開口を有する遮光層を備え、上記第２基板に設けられた遮光層の各開口は、上記アレ
イ基板の遮光層および第２電極のいずれかと重なって位
置した開口縁を有していることを特徴とする請求項２１
に記載の液晶表示素子。
【請求項２３】上記表示信号線、第１電極、および第２
電極は、同一の遮光性導電層を加工して形成されている
ことを特徴とする請求項２１又は２２に記載の液晶表示
素子。
【請求項２４】上記表示信号線、第１電極、および第２
電極は、上記絶縁膜上に配置され、上記第２電極は、上
記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記対
向信号線と電気的に接続されていることを特徴とする請
求項２１ないし２３のいずれかに記載の液晶表示素子。
【請求項２５】上記アレイ基板の遮光層および上記対向
信号線は、同一の導電層を加工して形成されていること
を特徴とする請求項２１ないし２４のいずれか１項に記
載の液晶表示素子。
【請求項２６】液晶表示素子のアレイ基板を製造する製
造方法において、絶縁基板上に、互いに平行な複数の走査信号線および対
向信号線、並びに上記対向信号線と直交する方向に延び
た互いに平行な複数の細長い遮光層を形成した後、上記
走査信号線、対向信号線、および遮光層に重ねて絶縁膜
を形成し、上記絶縁膜上に、上記走査信号線および対向信号線と交
差するように、互いに平行な複数の表示信号線を形成
し、上記絶縁膜上に形成された同一の導電層をパターニング
することにより、それぞれ上記走査信号線および表示信
号線で囲まれた複数の画素領域に、上記対向信号線と重
なって位置し補助容量を形成した一端とスイッチング素
子を介して走査信号線と表示信号線との交差部に電気的
に接続された他端とを有する細長い第１電極と、上記対
向信号線と電気的に接続された一端を有し上記第１電極
とほぼ平行に延びているとともに上記遮光層に少なくと
も一部が重なって位置した細長い第２電極と、を形成す
ることを特徴とする製造方法。
【請求項２７】上記絶縁性基板上に成膜された第１金属
膜をパターニングして上記走査信号線、対向信号線、お
よび遮光層を形成し、上記絶縁膜上に成膜された第２金
属膜をパタ−ニングして上記表示信号線、第１電極およ
び第２電極を形成することを特徴とする請求項２６に記
載の製造方法。
【請求項２８】上記絶縁膜にコンタクトホールを形成し
た後、上記第２金属膜を成膜し、この第２金属膜をパタ
ーニングすることにより、上記コンタクトホールを介し
て上記対向信号線に導通した上記第２電極を形成するこ
とを特徴とする請求項２６又は２７に記載の製造方法。