JPS60227235A - 画像形成装置 - Google Patents
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- JPS60227235A JPS60227235A JP59084619A JP8461984A JPS60227235A JP S60227235 A JPS60227235 A JP S60227235A JP 59084619 A JP59084619 A JP 59084619A JP 8461984 A JP8461984 A JP 8461984A JP S60227235 A JPS60227235 A JP S60227235A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- electrode
- shutter
- thin film
- image forming
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K15/00—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
- G06K15/02—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers
- G06K15/12—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers
- G06K15/1238—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers simultaneously exposing more than one point
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/44—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements
- B41J2/445—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using single radiation source per colour, e.g. lighting beams or shutter arrangements using liquid crystals
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/465—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using masks, e.g. light-switching masks
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- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
胤亙公１
本発明は、シャッター開口部を増加し、時分割数を増加
してもコントラストを良好に維持できる薄膜トランジス
タ駆動の液晶シャッターアレイを用いた画像形成装置に
関する。
してもコントラストを良好に維持できる薄膜トランジス
タ駆動の液晶シャッターアレイを用いた画像形成装置に
関する。
複数の液晶透過窓を配列してなる液晶シャッターアレイ
は、従来から電子写真用複写機ヘッドなどへの応用が考
えられている。複写機ヘットとしての液晶シャンターア
レイは、微細な窓を複数個−列もしくは、複数列に並べ
、後方から光照射を行い各々のシャッターの開（光透過
状態）と閉（光遮断状態）を液晶への印加電圧のＯＮ・
ＯＦＦによって制御することにより、シャッタ一部を通
過した光による微細スポットの集合で像を形成するもの
である。
は、従来から電子写真用複写機ヘッドなどへの応用が考
えられている。複写機ヘットとしての液晶シャンターア
レイは、微細な窓を複数個−列もしくは、複数列に並べ
、後方から光照射を行い各々のシャッターの開（光透過
状態）と閉（光遮断状態）を液晶への印加電圧のＯＮ・
ＯＦＦによって制御することにより、シャッタ一部を通
過した光による微細スポットの集合で像を形成するもの
である。
これまでの液晶シャッタアレイは、ｎ個の走査電極とｍ
個の信号電極をマトリクス状に構成し、多数の画素を容
量型負荷素子である液晶で形成させていた。この液晶シ
ャフタアレイの駆動法としては、走査電極群に順次周期
的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の
情報信号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加
する時分割駆動が採用されている。この駆動法では、下
記の式で示す様に時分割数が増すにつれてＶＯＮ（オン
信号）／ＶＯＦＦ（オフ信号）が１に近くなり画素を構
成する液晶素子の開閉効率が悪くなる。このため、特に
液晶シャッタアレイの場合では、十分なＳ／Ｎ比をもつ
光信号を与えることができず、これを、電子写真複写機
の像露光部（プリンタヘッド部）に使用した時には良好
な画像を形成できない欠点を有している。
個の信号電極をマトリクス状に構成し、多数の画素を容
量型負荷素子である液晶で形成させていた。この液晶シ
ャフタアレイの駆動法としては、走査電極群に順次周期
的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には所定の
情報信号をアドレス信号と同期させて並列的に選択印加
する時分割駆動が採用されている。この駆動法では、下
記の式で示す様に時分割数が増すにつれてＶＯＮ（オン
信号）／ＶＯＦＦ（オフ信号）が１に近くなり画素を構
成する液晶素子の開閉効率が悪くなる。このため、特に
液晶シャッタアレイの場合では、十分なＳ／Ｎ比をもつ
光信号を与えることができず、これを、電子写真複写機
の像露光部（プリンタヘッド部）に使用した時には良好
な画像を形成できない欠点を有している。
Ｖ ＯＮ／ Ｖ ０ＦＦ
（Ｖｏ ／ａ）（（ａ−２） ２＋Ｎ−１７Ｎ）”（式
中、１／Ｎ、デユーティ比、ｌ ／ ａ ；バイアス比
、ｖｏ；印加電圧） このようなシャッタ一部の複数個を複数の行と列に沿っ
てならべてなる液晶シャッターアレイは、これら複数の
シャッタ一部を逐次、時分割して駆動されるが、時分割
数を増加していくに従い、各シャッタ一部においてコン
トラストが低下して得られる画質が不良となる現象が見
出された。これは、時分割数の増大に伴ない、液晶層に
かかる実効電圧が低下するためと考えられる。
中、１／Ｎ、デユーティ比、ｌ ／ ａ ；バイアス比
、ｖｏ；印加電圧） このようなシャッタ一部の複数個を複数の行と列に沿っ
てならべてなる液晶シャッターアレイは、これら複数の
シャッタ一部を逐次、時分割して駆動されるが、時分割
数を増加していくに従い、各シャッタ一部においてコン
トラストが低下して得られる画質が不良となる現象が見
出された。これは、時分割数の増大に伴ない、液晶層に
かかる実効電圧が低下するためと考えられる。
ｉ見立１カ
本発明は、シャッター開口部を増加し、時分割数を増加
してもコントラストを良好に維持できる薄膜トランジス
タ駆動の液晶シャフタ−アレイを用いた画像形成装置を
提供することを目的とする。
してもコントラストを良好に維持できる薄膜トランジス
タ駆動の液晶シャフタ−アレイを用いた画像形成装置を
提供することを目的とする。
ＩＬり」Ｌ贋
本発明は、個々のシャッター窓に対応するＴＰＴとシャ
ッター開口部に付加的な電荷蓄積用コンデンサを配設し
て、液晶層にかかる実効電圧を高く維持することにより
」−述の目的を達成するものである。
ッター開口部に付加的な電荷蓄積用コンデンサを配設し
て、液晶層にかかる実効電圧を高く維持することにより
」−述の目的を達成するものである。
すなわち、本発明の液晶シャンク−アレイは、露光光源
及び、該露光光源の露光光路中の光線を光遮断状態と光
透過状の何れか一方に制御するマイクロシャンタ群を備
えたプリンタヘットと、該プリンタへントよりの光信時
を像保持部材に照射するようになした画像形成装置にお
いて、前記マイクロシャンタ群が複数の行及び列に沿っ
てマトリクス状に配置され、該マイクロシャッタ群が薄
膜トランジスタの端子と接続された電極を薄膜トランジ
スタに対応させて複数設けた第１基板とコモン′ＩＩＴ
、極を設けた第２基板との間に液晶を挾持した構造を有
しており、１１つ前記薄膜トランジスタと接続された電
極に対向する面に絶縁Ｉ＋！、！を間にした樽電膜を配
置することによって電荷蓄積用コンデンサを形成したこ
とを特徴とするものである。
及び、該露光光源の露光光路中の光線を光遮断状態と光
透過状の何れか一方に制御するマイクロシャンタ群を備
えたプリンタヘットと、該プリンタへントよりの光信時
を像保持部材に照射するようになした画像形成装置にお
いて、前記マイクロシャンタ群が複数の行及び列に沿っ
てマトリクス状に配置され、該マイクロシャッタ群が薄
膜トランジスタの端子と接続された電極を薄膜トランジ
スタに対応させて複数設けた第１基板とコモン′ＩＩＴ
、極を設けた第２基板との間に液晶を挾持した構造を有
しており、１１つ前記薄膜トランジスタと接続された電
極に対向する面に絶縁Ｉ＋！、！を間にした樽電膜を配
置することによって電荷蓄積用コンデンサを形成したこ
とを特徴とするものである。
１ の１−白、：１１
本発明の構成は、１．述した通りであるが１本発明に金
るまでの本発明者等による問題点の解析過程を説明し、
特に電荷蓄積用コンデンサーの液晶素子特性への影響に
ついて説明する。
るまでの本発明者等による問題点の解析過程を説明し、
特に電荷蓄積用コンデンサーの液晶素子特性への影響に
ついて説明する。
第１図に、液晶シャッターアレイにおける複数の薄膜ト
ランジスタとシャンター開口部との関係を駆動回路図で
示す。同図においてＴ、、Ｔ、１、 、は薄膜トランジ
スタで、各ゲート電極は、ゲート信号入力端子Ｇｏ−０
３に接続され、各ソース電極は、４本１組にしデータ信
号入力端子Ｓ、、Ｓ、１．、、に接続されている。同図
では、便宜」−４時分割の例が示されているが、時分割
数については、特にこれに限定するものではないことは
言うまでもない。一方、各トレイン電極は、各シャッタ
ー開口部Ｗ。、Ｗ、 、Ｗ、、、、、のセグメント電極
に接続され各々のシャッターをＯＮ・ＯＦＦするデータ
を与える。
ランジスタとシャンター開口部との関係を駆動回路図で
示す。同図においてＴ、、Ｔ、１、 、は薄膜トランジ
スタで、各ゲート電極は、ゲート信号入力端子Ｇｏ−０
３に接続され、各ソース電極は、４本１組にしデータ信
号入力端子Ｓ、、Ｓ、１．、、に接続されている。同図
では、便宜」−４時分割の例が示されているが、時分割
数については、特にこれに限定するものではないことは
言うまでもない。一方、各トレイン電極は、各シャッタ
ー開口部Ｗ。、Ｗ、 、Ｗ、、、、、のセグメント電極
に接続され各々のシャッターをＯＮ・ＯＦＦするデータ
を与える。
第１図に示す系は１例えば第２図のタイムチャートに従
って駆動される。
って駆動される。
第２図において、（ａ）はゲート信号入力端子−Ｇｏ−
６３に印加する電圧波形である。この電位かＶｇｈの時
、対応する薄膜トランジスタがＯＮとなり、ソース−ド
レイン間が導通状態となり、同電位がＶｇｌの時対応す
る薄膜トランジスタがＯ，ＦＦとなり、電気的に遮断状
態となる。
６３に印加する電圧波形である。この電位かＶｇｈの時
、対応する薄膜トランジスタがＯＮとなり、ソース−ド
レイン間が導通状態となり、同電位がＶｇｌの時対応す
る薄膜トランジスタがＯ，ＦＦとなり、電気的に遮断状
態となる。
（ｂ）は、データ信号入力端子Ｓ。に印加する電圧波形
の一例であり、（ｃ）は対向電極に印加する電圧波形で
あり、この例では常に接地レベルに保っている。
の一例であり、（ｃ）は対向電極に印加する電圧波形で
あり、この例では常に接地レベルに保っている。
ここでシャッター開口部Ｗｏに注目すると、時間Ｔ。に
おいて、Ｗｏを駆動する薄膜トランジスタＴｏのゲート
電極の電位は、ＶｇｈでありＴ。は導通状態にある。こ
の時Ｔ。のソース電極に接続されたデータ入力信号端子
Ｓ。の電位はＶｓであるので、Ｗｏの液晶に両端にかか
る電圧はＶｄ（：Ｖｓ）となる。次の時間ｔｌにおいて
は、該り膜トランジスタＴ０のゲート電極の電位がＶｇ
ｈとなるため、Ｔｏが遮断状態となり、Ｗｏの液晶は、
理想的にはその直前の電位を保持する。
おいて、Ｗｏを駆動する薄膜トランジスタＴｏのゲート
電極の電位は、ＶｇｈでありＴ。は導通状態にある。こ
の時Ｔ。のソース電極に接続されたデータ入力信号端子
Ｓ。の電位はＶｓであるので、Ｗｏの液晶に両端にかか
る電圧はＶｄ（：Ｖｓ）となる。次の時間ｔｌにおいて
は、該り膜トランジスタＴ０のゲート電極の電位がＶｇ
ｈとなるため、Ｔｏが遮断状態となり、Ｗｏの液晶は、
理想的にはその直前の電位を保持する。
ところが、実際には、第２図（ｄ）に示すように、電圧
降下ΔＶｗ（，１とΔＶｗｏ２が生ずる。
降下ΔＶｗ（，１とΔＶｗｏ２が生ずる。
ΔＶＷｏ＋は薄膜トランジスタ部のゲート電極とドレイ
ン電極の重なり部によって生ずるＣｇｄなる容量の存在
に起因する。
ン電極の重なり部によって生ずるＣｇｄなる容量の存在
に起因する。
第２図（ｅ）は第２図（ｄ）に示す電圧波形Ｗｏに対応
する液晶に印加した時の時系列における光透過状態と光
遮断状態を表わしている。すなわち、期間１．−１．で
はＷ。の透過率が暗レベルＴ ｒｏｄとなっていて、期
間ｔ。′〜ｔ３ ′でＷｏの透過率が明レベルＴｒｏｌ
となっている。
する液晶に印加した時の時系列における光透過状態と光
遮断状態を表わしている。すなわち、期間１．−１．で
はＷ。の透過率が暗レベルＴ ｒｏｄとなっていて、期
間ｔ。′〜ｔ３ ′でＷｏの透過率が明レベルＴｒｏｌ
となっている。
この時の電圧降下分ΔＶｗｏｔは、一般に次式％式％
（１）
ここでΔ■ｇ：ゲート電圧の変動幅
Ｃｃｅｌｌ ：液晶層の容量
１ ／ Ｃｃｅｌｌ＝ １ ／ Ｃｉｌ＋ １ ／ Ｃ
ＬＣ” １／Ｃｉ２・・・（２） ΔＶｗｏ２は液晶層による電荷の放電によるものでその
τは、次式で与えられる。
ＬＣ” １／Ｃｉ２・・・（２） ΔＶｗｏ２は液晶層による電荷の放電によるものでその
τは、次式で与えられる。
？＝ＣＬＣ／ １／Ｒｏｆｆ （１＋ＣＬＣ／Ｃｉ ）
＋１／ＲＬＣ・・・ （３） ここでＲｏｆｆ：ＴＦＴのオフ抵抗 ＲＬＣ：液晶層の抵抗 Ｃｉ：ＣｉｌとＣｉ２のトータル容１１Ｘ液晶に印加さ
れる実効電圧は、第２図（Ｃ）で表わされる電圧波形と
Ｖｗ、）＝Ｏとの間の面積に相当する。従って、第２図
（ｄ）に示す様にΔＶ Ｗ ｏ １、ΔＶｗｏ２なる電
圧降下が生ずると、実効電圧が低下する。液晶シャッタ
ーアレイでは液晶層に電界をかけた時シャッターが閉じ
、その暗レベルは、液晶層に印加される実効電圧に比例
するため、前述の実効値の低下は、暗レベルの悪化、す
なわちコントラストの低下につながる。このことから、
液晶に印加される実効電圧の低下の原因となるΔＶｗｏ
１ 、ΔＶｗｏ２の値をできるだけ低く抑えることが
必要となってくる。
＋１／ＲＬＣ・・・ （３） ここでＲｏｆｆ：ＴＦＴのオフ抵抗 ＲＬＣ：液晶層の抵抗 Ｃｉ：ＣｉｌとＣｉ２のトータル容１１Ｘ液晶に印加さ
れる実効電圧は、第２図（Ｃ）で表わされる電圧波形と
Ｖｗ、）＝Ｏとの間の面積に相当する。従って、第２図
（ｄ）に示す様にΔＶ Ｗ ｏ １、ΔＶｗｏ２なる電
圧降下が生ずると、実効電圧が低下する。液晶シャッタ
ーアレイでは液晶層に電界をかけた時シャッターが閉じ
、その暗レベルは、液晶層に印加される実効電圧に比例
するため、前述の実効値の低下は、暗レベルの悪化、す
なわちコントラストの低下につながる。このことから、
液晶に印加される実効電圧の低下の原因となるΔＶｗｏ
１ 、ΔＶｗｏ２の値をできるだけ低く抑えることが
必要となってくる。
ΔＶｗｏ１、ΔＶＷＯ２の値を小さくするためには（１
）及び（３）、（４）式からＲｏｆｆの値を大きくする
か、Ｃｃｅｌｌの値を大きくすれば良い。
）及び（３）、（４）式からＲｏｆｆの値を大きくする
か、Ｃｃｅｌｌの値を大きくすれば良い。
液晶パネル側から見ると、ΔＶｗ（，１、ΔＶｗｏ２の
値を小さくして、液晶に印加される実効電圧を」二げる
ためには、（１）式に於て、（２）式で表わされるＣｃ
ｅｌｌの値を大きくすれば良いことがわかる。Ｃｃｅｌ
ｌのうち大部分はＣＬＣであるから（３）式も含め基本
的にはＣＬＣを大きくすれば、実効電圧を上げるという
目的は一部達せられる。
値を小さくして、液晶に印加される実効電圧を」二げる
ためには、（１）式に於て、（２）式で表わされるＣｃ
ｅｌｌの値を大きくすれば良いことがわかる。Ｃｃｅｌ
ｌのうち大部分はＣＬＣであるから（３）式も含め基本
的にはＣＬＣを大きくすれば、実効電圧を上げるという
目的は一部達せられる。
しかしながらＣＬＣの値は使用する液晶に要求される緒
特性（駆動条件、動作温度範囲ｅｔｃ、、）によって、
必然的に決定されるものであり、またＣＬＣの値を決定
する液晶材料のε（誘電率）の値は現在得られる最大の
ものでもε〃で３０程度であり、おのずとその値には限
界がある。このため薄膜トランジスタで駆動した場合、
時分割定数の増加に伴い、液晶材料の容量成分ＣＬＣだ
けでは、１分な実効電圧が得られない。
特性（駆動条件、動作温度範囲ｅｔｃ、、）によって、
必然的に決定されるものであり、またＣＬＣの値を決定
する液晶材料のε（誘電率）の値は現在得られる最大の
ものでもε〃で３０程度であり、おのずとその値には限
界がある。このため薄膜トランジスタで駆動した場合、
時分割定数の増加に伴い、液晶材料の容量成分ＣＬＣだ
けでは、１分な実効電圧が得られない。
本発明においては、」二連したように、液晶への電圧印
加を行う薄膜トランジスタのトレイン端子に接続したセ
グメント電極に電荷蓄積用コンデンサを設けて、全体と
して液晶層の容量を増加させることにより、時分割数が
増加しても、液晶への印加電圧の実効値の低下を防いで
いる。
加を行う薄膜トランジスタのトレイン端子に接続したセ
グメント電極に電荷蓄積用コンデンサを設けて、全体と
して液晶層の容量を増加させることにより、時分割数が
増加しても、液晶への印加電圧の実効値の低下を防いで
いる。
第３図は、本発明の実施例にかかる液晶シャッターアレ
イの１シヤツタ一分の構造を、等価回路つきで示す断面
図である。すなわち、液晶シャッターアレイの１シヤツ
タ一部分は、シャッター開口部と、これに隣接する薄膜
トランジスタ（ＴＰＴ）形成部とよりなる。一対の透明
基板１ａ、ｌｂのうちの一方の基板ｌａ上には、ＴＰＴ
形成部ニおいて、半導体層２（アモルファスシリコン、
テルルなと）、ソース電ｐｒＡ３、ドレイン電極４、ゲ
ート電極５、ゲート絶縁膜６および保護膜７からなるＴ
ＰＴが形成されている。またシャッター開口部の基板１
ａ ｌには、ＴＰＴのトレイン電極４と接続されて透
明セグメント電極１８が形成され、更にこれを覆って保
護膜７ａおよび７が順次形成されている。更にこれら、
各シャッタ一部に設けたＴＰＴおよび透明電極等を連続
して覆うように基板ｌａ上には、配向膜９ａが形成され
ている。また対向基板ｌｂ上には、一様な透明電極８、
ＴＰＴ形成部においてＡ ｌ ／ Ｃｒ等からなる対向
電極兼用の遮光膜１０、更に一様な配向膜９ｂが順次形
成されている。このような一対の基板１ａ、１ｂの配向
膜９ａ、９ｂ間には、Ｐ型液晶２０（正の誘導異方性を
もつネマチック液晶）が挾持されている。
イの１シヤツタ一分の構造を、等価回路つきで示す断面
図である。すなわち、液晶シャッターアレイの１シヤツ
タ一部分は、シャッター開口部と、これに隣接する薄膜
トランジスタ（ＴＰＴ）形成部とよりなる。一対の透明
基板１ａ、ｌｂのうちの一方の基板ｌａ上には、ＴＰＴ
形成部ニおいて、半導体層２（アモルファスシリコン、
テルルなと）、ソース電ｐｒＡ３、ドレイン電極４、ゲ
ート電極５、ゲート絶縁膜６および保護膜７からなるＴ
ＰＴが形成されている。またシャッター開口部の基板１
ａ ｌには、ＴＰＴのトレイン電極４と接続されて透
明セグメント電極１８が形成され、更にこれを覆って保
護膜７ａおよび７が順次形成されている。更にこれら、
各シャッタ一部に設けたＴＰＴおよび透明電極等を連続
して覆うように基板ｌａ上には、配向膜９ａが形成され
ている。また対向基板ｌｂ上には、一様な透明電極８、
ＴＰＴ形成部においてＡ ｌ ／ Ｃｒ等からなる対向
電極兼用の遮光膜１０、更に一様な配向膜９ｂが順次形
成されている。このような一対の基板１ａ、１ｂの配向
膜９ａ、９ｂ間には、Ｐ型液晶２０（正の誘導異方性を
もつネマチック液晶）が挾持されている。
実際の液晶シャッターアレイでは、第３図基板１ａ、１
ｂの上下に、更に一対の偏光板２１と２２をクロスニコ
ルの関係で配し、配向膜９ａ、９ｂ等にはこれら上下偏
光板の偏光軸と４５°をなす方向に水平配向処理を施こ
されており、液晶層２０に電界をかけた時シャッターが
閉じ、電界を取り除いた時にシャッター開となるように
構成ｙれている。
ｂの上下に、更に一対の偏光板２１と２２をクロスニコ
ルの関係で配し、配向膜９ａ、９ｂ等にはこれら上下偏
光板の偏光軸と４５°をなす方向に水平配向処理を施こ
されており、液晶層２０に電界をかけた時シャッターが
閉じ、電界を取り除いた時にシャッター開となるように
構成ｙれている。
シャッター開口部の基板ｌａ上には前述の電荷蓄積用コ
ンデンサの対極となる、ＩＴＯ等からなる透明導電膜１
１、ゲート絶縁Ｉｔ＊６の延長部からなる誘電体層６ａ
、ＴＰＴのドレイン電極４と接続したＩＴＯ等からなる
透明セグメント電極１８が形成され、これら透明導側１
１、誘電体層１６および透明セグメント電極１８により
、本発明に従う電荷蓄積用コンデンサが構成されている
。また、透明電極１８は、更に、ＴＰＴ形成部から延長
する絶縁＄７および配向膜９ａにより覆われる。
ンデンサの対極となる、ＩＴＯ等からなる透明導電膜１
１、ゲート絶縁Ｉｔ＊６の延長部からなる誘電体層６ａ
、ＴＰＴのドレイン電極４と接続したＩＴＯ等からなる
透明セグメント電極１８が形成され、これら透明導側１
１、誘電体層１６および透明セグメント電極１８により
、本発明に従う電荷蓄積用コンデンサが構成されている
。また、透明電極１８は、更に、ＴＰＴ形成部から延長
する絶縁＄７および配向膜９ａにより覆われる。
以下、このようにして構成された液晶シャッターにより
得られる作用効果について説明する。
得られる作用効果について説明する。
前述の様に薄膜トランジスタを用いて、液晶シャッター
を駆動した場合、第２図に示す様な電圧降下が生ずる。
を駆動した場合、第２図に示す様な電圧降下が生ずる。
該電圧降下分は、（１）式及び（３）式で与えられるか
ら、その値を小さくし、液晶に加わる実効電圧を」二げ
るためには、液晶パネル側から見ればＣｃｅｌｌの値を
大きくすればよい。本発明の電荷蓄積用コンデンサＣｅ
を設けることによりＣｃｅｌｌの値は、 Ｃｃｅｌｌ＝ １ ／ （１／ Ｃｉｌ＋１ ／ ＣＬ
Ｃ＋１／Ｃ１２）＋Ｃｅ となる。
ら、その値を小さくし、液晶に加わる実効電圧を」二げ
るためには、液晶パネル側から見ればＣｃｅｌｌの値を
大きくすればよい。本発明の電荷蓄積用コンデンサＣｅ
を設けることによりＣｃｅｌｌの値は、 Ｃｃｅｌｌ＝ １ ／ （１／ Ｃｉｌ＋１ ／ ＣＬ
Ｃ＋１／Ｃ１２）＋Ｃｅ となる。
ここで、ゲート絶縁膜６および保護膜７として、水素原
子なＦ−ピングしたチッ化シリコンＳｉＮ：Ｈ（比誘電
率：約６．６）を用い、その膜厚をそれぞれ３０００人
、２０００人、配向膜９ａとして有機配向膜（比誘電率
：約３）を用い、その膜厚をｔｏｏｏ人とし、液晶は現
在得られる最大の誘電率（ε〃：約３０）を有する材料
を用い、液晶層の厚さをｌｏｐＬｍとして、電荷蓄積用
コンデンサを配置していない構成での１シヤツタ一開口
部（面積５０Ｘ２００ｇｍとする）当りの容量（Ｃｃｅ
ｌｌ）をめると Ｃ１１ｏ ＝ ０ 、８１ ［ｐ ＦｌＣ１２ｏ ＝２
、６６ ［ｐＦ］ ＣＬＣｏ ＝ ０ 、２６ ［ｐＦ’］ となり、°、
Ｃｃｅｌｌ （ｂ） ＝ ０ 、１９ ［ｐ Ｆｌとな
る。
子なＦ−ピングしたチッ化シリコンＳｉＮ：Ｈ（比誘電
率：約６．６）を用い、その膜厚をそれぞれ３０００人
、２０００人、配向膜９ａとして有機配向膜（比誘電率
：約３）を用い、その膜厚をｔｏｏｏ人とし、液晶は現
在得られる最大の誘電率（ε〃：約３０）を有する材料
を用い、液晶層の厚さをｌｏｐＬｍとして、電荷蓄積用
コンデンサを配置していない構成での１シヤツタ一開口
部（面積５０Ｘ２００ｇｍとする）当りの容量（Ｃｃｅ
ｌｌ）をめると Ｃ１１ｏ ＝ ０ 、８１ ［ｐ ＦｌＣ１２ｏ ＝２
、６６ ［ｐＦ］ ＣＬＣｏ ＝ ０ 、２６ ［ｐＦ’］ となり、°、
Ｃｃｅｌｌ （ｂ） ＝ ０ 、１９ ［ｐ Ｆｌとな
る。
・方、第３図に示した本発明の構成（Ｃｅを開１」部下
に同形状で作成した場合）での１シャッター開口部面積
当りの容＊ （Ｃｃｅｌｌ（ａ） ）はＣ１１＝１ 、
３９ ［ｐＦ］ Ｃ１２＝２ 、６６ ［ｐＦ］ ＣＬＣ＝０ 、 ２６ ［ｐＦ］ Ｃｅ ＝１．９５ ［ｐＦ］ より 、’、Ｃｃｅｌｌ（ａ）＝２．１５ ［ｐＦ］となり、
従来に比べ１ケタ以」二容量が増加する。
に同形状で作成した場合）での１シャッター開口部面積
当りの容＊ （Ｃｃｅｌｌ（ａ） ）はＣ１１＝１ 、
３９ ［ｐＦ］ Ｃ１２＝２ 、６６ ［ｐＦ］ ＣＬＣ＝０ 、 ２６ ［ｐＦ］ Ｃｅ ＝１．９５ ［ｐＦ］ より 、’、Ｃｃｅｌｌ（ａ）＝２．１５ ［ｐＦ］となり、
従来に比べ１ケタ以」二容量が増加する。
この結果、液晶への印加電圧の電圧降下分ΔＶＷＱ１．
ΔＶｗ（，２は以下の様になる。
ΔＶｗ（，２は以下の様になる。
ΔＶｗｏ１は薄膜トランジスタ部のゲート・ドレイン重
なり部をＩｇ、ｍとすると、（１）式におけるｃｇａは
、３．２９Ｘ１０−２ ［ＰＦ］ となり、Δｖｇ ＝
５０Ｖ （Ｖｇｈ＝４０Ｖ、■ｇｌ＝−１０Ｖ）とする
と、電荷蓄積用コンデンサＣｅがない場合、 Δ■Ｗｏｅ（無）＝７．３８［Ｖコ となるが 電荷蓄積用コンデンサＣｅをシャッター開口部下に同形
状で作成した場合は、 ΔＶＷｏｔ（有）＝０．７５［Ｖ］ となり、大幅に改善される。第４図に電荷蓄積用コンデ
ンサＣｅの容量と電圧降下ΔＶｗ（，１との関係を示し
た。
なり部をＩｇ、ｍとすると、（１）式におけるｃｇａは
、３．２９Ｘ１０−２ ［ＰＦ］ となり、Δｖｇ ＝
５０Ｖ （Ｖｇｈ＝４０Ｖ、■ｇｌ＝−１０Ｖ）とする
と、電荷蓄積用コンデンサＣｅがない場合、 Δ■Ｗｏｅ（無）＝７．３８［Ｖコ となるが 電荷蓄積用コンデンサＣｅをシャッター開口部下に同形
状で作成した場合は、 ΔＶＷｏｔ（有）＝０．７５［Ｖ］ となり、大幅に改善される。第４図に電荷蓄積用コンデ
ンサＣｅの容量と電圧降下ΔＶｗ（，１との関係を示し
た。
一方、ΔＶＷＯ２は、（３）式におけるＲｏｆｆ及びＲ
ＬＣの値を各々Ｉ Ｘ ｌ Ｏ”Ω、Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ１
１Ωとし、画素密度１６ドツ） ／ ｍ ｍ画像形成速
度を５０ｍｍ／ｓｅｅとすると１行ドツトの形成時間は
１．２５ｍ５ｅｃとなるので第２図における１ｏ、１．
、、、は４時分割の場合１．２５ｍ５ｅｃのｌ／４すな
わち０．３１２５ｍ５ｅｃとなる。したがって、ΔＶｗ
（１２は１．２５ｍ５ｅｃの３７４時間後（＝０．３９
５ｍ５ｅｃ）の電圧降下分となる。０．９３７５ｍ５ｅ
ｃ後のΔＶｗｏ２の値と電荷蓄積用コンデンサＣｅの容
量との関係を第５図に示した。
ＬＣの値を各々Ｉ Ｘ ｌ Ｏ”Ω、Ｉ Ｘ Ｉ Ｏ１
１Ωとし、画素密度１６ドツ） ／ ｍ ｍ画像形成速
度を５０ｍｍ／ｓｅｅとすると１行ドツトの形成時間は
１．２５ｍ５ｅｃとなるので第２図における１ｏ、１．
、、、は４時分割の場合１．２５ｍ５ｅｃのｌ／４すな
わち０．３１２５ｍ５ｅｃとなる。したがって、ΔＶｗ
（１２は１．２５ｍ５ｅｃの３７４時間後（＝０．３９
５ｍ５ｅｃ）の電圧降下分となる。０．９３７５ｍ５ｅ
ｃ後のΔＶｗｏ２の値と電荷蓄積用コンデンサＣｅの容
量との関係を第５図に示した。
なお第３図ではシャッター開口部下に同形状の電荷蓄積
用コンデンサを設けた例を示したが、コンデンサー対極
となる導電膜を基板全面にわたって形成してもよい。
用コンデンサを設けた例を示したが、コンデンサー対極
となる導電膜を基板全面にわたって形成してもよい。
第６図は、本発明で用いる別の液晶シャッタアレイを模
式的に表わした断面図である。この液晶シャッタアレイ
は、ＴＦＴ部６０１が液晶素子６０２の基板と同一基板
６０３′の上で、且つ液晶素子６０２の外部に形成され
ている。特にＴＦＴ部６０１は、液晶素子６０２の基板
６０３とコモン電極６０４を設けた対向基板６０５間の
液晶６０６を封止するために形成したエポキシ系接着剤
などによる封止部材６０７の外側に配置されていること
が好ましい。又、ＴＦＴ部６０１は基板６０３とは別に
ＩＣ回路などの外部回路基板（図示せず）の上に設ける
こともできる。又、図中電荷蓄積用コンデンサは透明導
電［６１０、ゲート絶縁膜から延長された誘電体膜６１
１とドレイン６０８に接続されているシャツタ開口部の
透明セグメント電極６０９によって形成されている。Ｔ
ＦＴ６０１は第２図に示すタイムチャートにより駆動で
きる。すなわち、ゲート線に接続されたゲート電極６１
２にゲートオンパルス印加してオン状態とし、これと同
期させてデータ入力信号をソース線に接続したソース電
極６１３に印加し、その出力信号をドレイン６０８に出
力することによって動作される。又、このＴＦＴ６０１
を構成してイル半ｉ体１１ｉ６１４としてアモルファス
シリコンなとの光導電性を用いた場合には、光による誤
動作を生しるために、絶縁膜６１５を介してＡＩ。
式的に表わした断面図である。この液晶シャッタアレイ
は、ＴＦＴ部６０１が液晶素子６０２の基板と同一基板
６０３′の上で、且つ液晶素子６０２の外部に形成され
ている。特にＴＦＴ部６０１は、液晶素子６０２の基板
６０３とコモン電極６０４を設けた対向基板６０５間の
液晶６０６を封止するために形成したエポキシ系接着剤
などによる封止部材６０７の外側に配置されていること
が好ましい。又、ＴＦＴ部６０１は基板６０３とは別に
ＩＣ回路などの外部回路基板（図示せず）の上に設ける
こともできる。又、図中電荷蓄積用コンデンサは透明導
電［６１０、ゲート絶縁膜から延長された誘電体膜６１
１とドレイン６０８に接続されているシャツタ開口部の
透明セグメント電極６０９によって形成されている。Ｔ
ＦＴ６０１は第２図に示すタイムチャートにより駆動で
きる。すなわち、ゲート線に接続されたゲート電極６１
２にゲートオンパルス印加してオン状態とし、これと同
期させてデータ入力信号をソース線に接続したソース電
極６１３に印加し、その出力信号をドレイン６０８に出
力することによって動作される。又、このＴＦＴ６０１
を構成してイル半ｉ体１１ｉ６１４としてアモルファス
シリコンなとの光導電性を用いた場合には、光による誤
動作を生しるために、絶縁膜６１５を介してＡＩ。
Ｃｒなどによる遮光膜６１６を設けることが好ましい。
尚、図中６１７と６１８はポリイミドなどを用いた配向
制御膜、６１９と６２０はクロスニコルの偏光板を表わ
している。
制御膜、６１９と６２０はクロスニコルの偏光板を表わ
している。
第７図は、前述の液晶シャッタアレイを用いた電子写真
複写機の一例を示すもので、感光ドラム７０１を矢印７
０２の方向に回転駆動させ、まず帯電器７０３により像
保持部材である感光ドラム７０１を一様に帯電させ、液
晶シャッタアレイ７０４を駆動させて、背後に配置した
光源７０５よりの光線を選択的に開閉制御して光信号を
発生させ、この光信号を帯電された感光ドラム７０１に
照射して静電潜像が形成される。
複写機の一例を示すもので、感光ドラム７０１を矢印７
０２の方向に回転駆動させ、まず帯電器７０３により像
保持部材である感光ドラム７０１を一様に帯電させ、液
晶シャッタアレイ７０４を駆動させて、背後に配置した
光源７０５よりの光線を選択的に開閉制御して光信号を
発生させ、この光信号を帯電された感光ドラム７０１に
照射して静電潜像が形成される。
この静電潜像は、現像器７０６のトナーにより現像され
、このトナー像は転写ガイド７０７を通ってきた複写用
紙Ｐ（転写紙）」二に転写帯電器７０８により転写され
る。画像の転写を受けた複写用紙Ｐは分離ベルト装Ｍ７
０９により感光ドラム７０１から順次に分離され１次い
で定着装置７１Ｏで画像が定着されるようになっている
。また。
、このトナー像は転写ガイド７０７を通ってきた複写用
紙Ｐ（転写紙）」二に転写帯電器７０８により転写され
る。画像の転写を受けた複写用紙Ｐは分離ベルト装Ｍ７
０９により感光ドラム７０１から順次に分離され１次い
で定着装置７１Ｏで画像が定着されるようになっている
。また。
転写後感光ドラム７０１の表面にに残留したトナーはク
リーニング装置７１１により除去され、前露光装置７１
２により感光ドラム７０１が除電され、再び次の複写サ
イクルが可゛能になるようにしである。ところで、第７
図に於る液晶シャッタアレイ７０４には前述の第２図に
示す液晶セルを採用している。つまり、露光光源７０５
からの光線を液晶セルを備えた液晶シャッタアレイ７０
４、セルフオフレンズなどのレンズアレー７１３を介し
て感光体７０１の上に結像する際に、図示していない原
稿情報読み取り装置によって得られた画像情報を含んだ
ディジタル信号により液晶駆動回路７１４を動作させて
液晶シャッターアレイを０Ｎ−ＯＦＦさせることにより
、画像情報のパターンを有する光信号を感光体７０１の
」二に露光するようになっている。この実施例に於ては
露光光源７０５が液晶セルの加熱の機能も果しており、
感熱素子７２０に接続された液晶温度制御回路７１６で
液晶冷却用ファン７１７を動作させることにより、液晶
セルの加熱を防１１ニし、液晶セルを一定温度に維持す
るようにすることができる。図中７１８は反射笠、７１
９はレンズアレー７１３を液晶シャッター装置へ装着す
るための部材である免艶豊差】 以上説明した様に、本発明によれば、薄膜トランジスタ
を用いて、液晶シャッターを駆動するに際して、該薄膜
トラジスタのドレイン電極とシャッター開口部の透明電
極との間に電荷蓄積用コンデンサを設けることにより液
晶への印加電圧の実効値を確保し、シャッター開閉時の
コントラストを低下させることなく、高次時分割駆動が
可能な液晶シャッターアレイを用いた画像形成装置が提
供される。
リーニング装置７１１により除去され、前露光装置７１
２により感光ドラム７０１が除電され、再び次の複写サ
イクルが可゛能になるようにしである。ところで、第７
図に於る液晶シャッタアレイ７０４には前述の第２図に
示す液晶セルを採用している。つまり、露光光源７０５
からの光線を液晶セルを備えた液晶シャッタアレイ７０
４、セルフオフレンズなどのレンズアレー７１３を介し
て感光体７０１の上に結像する際に、図示していない原
稿情報読み取り装置によって得られた画像情報を含んだ
ディジタル信号により液晶駆動回路７１４を動作させて
液晶シャッターアレイを０Ｎ−ＯＦＦさせることにより
、画像情報のパターンを有する光信号を感光体７０１の
」二に露光するようになっている。この実施例に於ては
露光光源７０５が液晶セルの加熱の機能も果しており、
感熱素子７２０に接続された液晶温度制御回路７１６で
液晶冷却用ファン７１７を動作させることにより、液晶
セルの加熱を防１１ニし、液晶セルを一定温度に維持す
るようにすることができる。図中７１８は反射笠、７１
９はレンズアレー７１３を液晶シャッター装置へ装着す
るための部材である免艶豊差】 以上説明した様に、本発明によれば、薄膜トランジスタ
を用いて、液晶シャッターを駆動するに際して、該薄膜
トラジスタのドレイン電極とシャッター開口部の透明電
極との間に電荷蓄積用コンデンサを設けることにより液
晶への印加電圧の実効値を確保し、シャッター開閉時の
コントラストを低下させることなく、高次時分割駆動が
可能な液晶シャッターアレイを用いた画像形成装置が提
供される。
第１図は、液晶シャッターアレイの薄膜トランジスタと
シャッター開口部との関係を示す駆動回路図、 第２図（ａ）〜（ｅ）は、液晶シャッターアレイの駆動
タイムチャートであり、（ａ）〜（Ｃ）は、それぞれＴ
ＰＴのゲートおよびソースならびに対向電極への人力信
号波形を、（ｄ）はシャツタ開口部Ｗ、にががる実効電
圧波形を、また（ｅ）はシャッタの明レベルと暗レベル
を示す図である。 第３図は本発明の電荷蓄積用コンデンサを備えた液晶シ
ャッターアレイの１シヤツタ一開口部その等価回路とと
もに示す断面図、 第４図は、電荷蓄積用コンデンサの容量と電圧降下ΔＶ
ｗｏ、との関係を示す図。 第５図は、電荷蓄積用コンデンサの容量と電圧降下Δｖ
Ｗｏ２との関係を示す図。 第６図は、本発明で用いる液晶シャッタアレイの別の態
様を表わす断面図、 第７図は本発明の画像形成装置を模式的に表わす断面図
である。 ｌａ、ｌｂ・・・透明基板、 ２・・・半導体層 ３目・ソース電極 ４・・・ドレイン電極 ５・・−ゲート電極 ６目・ゲート絶縁膜 ８・・・コモン電極 １８・・・透明セグメント電極 ９ａ、９ｂ＊＊・配向膜 １０・・・遮光膜 １１ΦΦΦコンデンサ対極となる導電膜２０拳・・液晶
。 第４ｒｌＡ Ｃｅの容量ｒｐＦ） 第６ｒＩＪ ２０ 手続補正書（方式） 昭和５９年８月（０日 特許庁長官 志賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第８４６１９号 ２、発明の名称 画像形成装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （Ｚｏｏ）キャノン株式会社 ４、代理人 住 所 〒１０５東京都港区東新橋２−７−７（発送日
：昭和５９年７月３１日） ６、補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明の欄」 ［第２図Ｊと補正。 （ロ）第２１頁第４〜５行の「示す図である。」を［示
す。ｊと補正。
シャッター開口部との関係を示す駆動回路図、 第２図（ａ）〜（ｅ）は、液晶シャッターアレイの駆動
タイムチャートであり、（ａ）〜（Ｃ）は、それぞれＴ
ＰＴのゲートおよびソースならびに対向電極への人力信
号波形を、（ｄ）はシャツタ開口部Ｗ、にががる実効電
圧波形を、また（ｅ）はシャッタの明レベルと暗レベル
を示す図である。 第３図は本発明の電荷蓄積用コンデンサを備えた液晶シ
ャッターアレイの１シヤツタ一開口部その等価回路とと
もに示す断面図、 第４図は、電荷蓄積用コンデンサの容量と電圧降下ΔＶ
ｗｏ、との関係を示す図。 第５図は、電荷蓄積用コンデンサの容量と電圧降下Δｖ
Ｗｏ２との関係を示す図。 第６図は、本発明で用いる液晶シャッタアレイの別の態
様を表わす断面図、 第７図は本発明の画像形成装置を模式的に表わす断面図
である。 ｌａ、ｌｂ・・・透明基板、 ２・・・半導体層 ３目・ソース電極 ４・・・ドレイン電極 ５・・−ゲート電極 ６目・ゲート絶縁膜 ８・・・コモン電極 １８・・・透明セグメント電極 ９ａ、９ｂ＊＊・配向膜 １０・・・遮光膜 １１ΦΦΦコンデンサ対極となる導電膜２０拳・・液晶
。 第４ｒｌＡ Ｃｅの容量ｒｐＦ） 第６ｒＩＪ ２０ 手続補正書（方式） 昭和５９年８月（０日 特許庁長官 志賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第８４６１９号 ２、発明の名称 画像形成装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （Ｚｏｏ）キャノン株式会社 ４、代理人 住 所 〒１０５東京都港区東新橋２−７−７（発送日
：昭和５９年７月３１日） ６、補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明の欄」 ［第２図Ｊと補正。 （ロ）第２１頁第４〜５行の「示す図である。」を［示
す。ｊと補正。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光光源及び、該露光光源の露光光路中の光線を光
遮断状態と光透過状態の何れか一方に制御するマイクロ
シャッタ群を備えたプリンタヘッドと、該プリンタヘッ
ドよりの光信号を像保持部材に照射するようになした画
像形成装置において、前記マイクロシャッタ群が複数の
行及び列に沿ってマトリクス状に配置され、該マイクロ
シャッタ群が薄膜トランジスタの端子と接続された電極
を薄膜トランジスタに対応させて複数設けた第１基板と
コモン電極を設けた第２基板との間に液晶を挾持した構
造を有しており、且つ前記薄膜トランジスタと接続され
た電極に対向する面に絶縁膜を間にした導電膜を配置す
ることによって電荷蓄積用コンデンサを形成したことを
特徴とする画像形成装置。 ２、前記導電膜が第１基板の上に配置されている特許１
．請、求の範囲第１項記載の画像形成装置。 ３、前記薄膜トランジスタが半導体としてアモルファス
シリコンを備えた特許請求の範囲第１項記載の画像形成
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084619A JPS60227235A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 画像形成装置 |
| US06/722,398 US4581619A (en) | 1984-04-26 | 1985-04-12 | Image forming apparatus |
| GB08510508A GB2159315B (en) | 1984-04-26 | 1985-04-25 | Electrophotographic printers |
| DE19853515225 DE3515225A1 (de) | 1984-04-26 | 1985-04-26 | Bilderzeugungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59084619A JPS60227235A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60227235A true JPS60227235A (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=13835701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59084619A Pending JPS60227235A (ja) | 1984-04-26 | 1984-04-26 | 画像形成装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4581619A (ja) |
| JP (1) | JPS60227235A (ja) |
| DE (1) | DE3515225A1 (ja) |
| GB (1) | GB2159315B (ja) |
Cited By (3)
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| JPS6353521A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-07 | Seikosha Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US6184963B1 (en) | 1987-06-10 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix LCD devices employing two superposed conductive films having different dimensions for the scanning signal lines |
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| GB2173625B (en) * | 1985-04-10 | 1988-10-05 | Race Electronics Limited | A liquid crystal display device |
| US4838652A (en) * | 1985-05-15 | 1989-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus |
| DE3751311T2 (de) * | 1986-02-17 | 1995-09-28 | Semiconductor Energy Lab | Flüssigkristallvorrichtung mit einer Ladungs-Speicherstruktur. |
| US4636807A (en) * | 1986-03-14 | 1987-01-13 | The Mead Corporation | Apparatus and method for light value gray scale recording |
| JPS63175832A (ja) * | 1987-01-16 | 1988-07-20 | Hosiden Electronics Co Ltd | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
| US4968119A (en) * | 1989-01-10 | 1990-11-06 | David Sarnoff Research Center, Inc. | High-density liquid-crystal active dot-matrix display structure |
| DE69022532T2 (de) * | 1989-10-27 | 1996-03-14 | Nippon Paint Co Ltd | Bildaufzeichnungsverfahren und Filmstruktur dafür. |
| JP2952122B2 (ja) * | 1991-11-22 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 液晶素子、及びこれを用いた表示装置 |
| JP3199913B2 (ja) * | 1993-06-16 | 2001-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶電気光学装置およびその作製方法 |
| JP3083719B2 (ja) * | 1994-07-05 | 2000-09-04 | シャープ株式会社 | 投射型液晶表示装置 |
| TW347477B (en) * | 1994-09-30 | 1998-12-11 | Sanyo Electric Co | Liquid crystal display with storage capacitors for holding electric charges |
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| WO2004016437A1 (ja) | 2002-08-14 | 2004-02-26 | Citizen Watch Co., Ltd. | 液晶露光装置 |
| GB2558714B (en) * | 2016-10-28 | 2020-04-08 | Canon Kk | Photoelectric conversion apparatus and image pickup system |
Family Cites Families (11)
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|---|---|---|---|---|
| GB2064194B (en) * | 1978-02-08 | 1982-08-04 | Sharp Kk | Matrix type liquid crystal display device |
| DE2904596C2 (de) * | 1978-02-08 | 1983-07-28 | Sharp K.K., Osaka | Flüssigkristall-Anzeigematrix |
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| US4391490A (en) * | 1981-04-02 | 1983-07-05 | Xerox Corporation | Interface for proximity coupled electro-optic devices |
| JPS57171378A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-21 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal optical device |
| JPS5875194A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-06 | 株式会社日立製作所 | マトリクス表示装置及び駆動方法 |
| JPS58114978A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-08 | Seiko Epson Corp | 液晶光学的印写装置 |
| JPS58140781A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-20 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
| JPH0712210B2 (ja) * | 1982-06-02 | 1995-02-08 | 株式会社日立製作所 | 撮像表示装置 |
| US4458989A (en) * | 1982-06-16 | 1984-07-10 | Eastman Kodak Company | Electro-optic addressing apparatus and novel modulator configurations for use therein |
| DE3514807C2 (de) * | 1984-04-25 | 1994-12-22 | Canon Kk | Vorrichtung mit einer Flüssigkristallzelle, zum Ansteuern einer Transistoranordnung |
-
1984
- 1984-04-26 JP JP59084619A patent/JPS60227235A/ja active Pending
-
1985
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- 1985-04-25 GB GB08510508A patent/GB2159315B/en not_active Expired
- 1985-04-26 DE DE19853515225 patent/DE3515225A1/de active Granted
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Also Published As
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| GB2159315B (en) | 1988-03-09 |
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| DE3515225C2 (ja) | 1992-03-05 |
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