JP3199913B2 - 液晶電気光学装置およびその作製方法 - Google Patents
液晶電気光学装置およびその作製方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶電気光学装置に適
した電極間の短絡を防止するための短絡防止膜およびそ
の作製方法に関する。
した電極間の短絡を防止するための短絡防止膜およびそ
の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、液晶電気光学装置が盛んに開発さ
れている。液晶電気光学装置は、一対の基板を相対向
し、該基板のそれぞれの内側に電極または電極と薄膜ト
ランジスタ等のスイッチング素子を設け、基板間に液晶
材料を満たして液晶材料の光学応答特性を利用して表示
等を行うものである。
れている。液晶電気光学装置は、一対の基板を相対向
し、該基板のそれぞれの内側に電極または電極と薄膜ト
ランジスタ等のスイッチング素子を設け、基板間に液晶
材料を満たして液晶材料の光学応答特性を利用して表示
等を行うものである。
【０００３】
【従来技術の問題点】この液晶電気光学装置の相対向す
る基板は、それぞれ表面に電極を有し、その間隔は、Ｔ
Ｎ型の装置の場合５〜８μｍ、強誘電性液晶を用いた装
置の場合１〜４μｍ代表的には１．５μｍ程度と極めて
小さい。したがって、基板間に微小な不純物やゴミなど
が存在した場合に、それらにより上下の電極間に短絡が
発生し、表示の不良や欠陥等を引き起こすなど極めて大
きな支障を来すことが問題となっていた。
る基板は、それぞれ表面に電極を有し、その間隔は、Ｔ
Ｎ型の装置の場合５〜８μｍ、強誘電性液晶を用いた装
置の場合１〜４μｍ代表的には１．５μｍ程度と極めて
小さい。したがって、基板間に微小な不純物やゴミなど
が存在した場合に、それらにより上下の電極間に短絡が
発生し、表示の不良や欠陥等を引き起こすなど極めて大
きな支障を来すことが問題となっていた。
【０００４】この対策として従来は酸化珪素（Ｓｉ
Ｏ2 ）膜を１０００Å程度に形成し、短絡防止膜として
いたが、ピンホールが発生しやすかった。また耐圧も１
０００Å厚で５〜２０Ｖ程度と低く、かつ非常にバラツ
キが大きく、短絡防止に対して充分な特性を有している
とは言い難かった。また比誘電率が２〜５と低いため、
液晶材料に加わる電界の損失も生じ、コントラスト等の
装置の特性を低下させていた。
Ｏ2 ）膜を１０００Å程度に形成し、短絡防止膜として
いたが、ピンホールが発生しやすかった。また耐圧も１
０００Å厚で５〜２０Ｖ程度と低く、かつ非常にバラツ
キが大きく、短絡防止に対して充分な特性を有している
とは言い難かった。また比誘電率が２〜５と低いため、
液晶材料に加わる電界の損失も生じ、コントラスト等の
装置の特性を低下させていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶電気光
学装置に適した、電極間の短絡を防止するための高性能
な短絡防止膜を提供することを目的とする。
学装置に適した、電極間の短絡を防止するための高性能
な短絡防止膜を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、透光性電極上に形成されている短絡防止膜
であって、該短絡防止膜は陽極酸化された酸化金属膜よ
りなることを特徴とする短絡防止膜である。
に本発明は、透光性電極上に形成されている短絡防止膜
であって、該短絡防止膜は陽極酸化された酸化金属膜よ
りなることを特徴とする短絡防止膜である。
【０００７】また本発明は、透光性電極上に形成されて
いる短絡防止膜であって、該短絡防止膜は非酸化部分が
残存している陽極酸化された酸化金属膜よりなることを
特徴とする短絡防止膜である。
いる短絡防止膜であって、該短絡防止膜は非酸化部分が
残存している陽極酸化された酸化金属膜よりなることを
特徴とする短絡防止膜である。
【０００８】また本発明は、透光性電極上に形成されて
いる短絡防止膜であって、該短絡防止膜は非酸化部分を
少なくとも前記電極に接している面内において有する陽
極酸化された酸化金属膜よりなることを特徴とする短絡
防止膜である。
いる短絡防止膜であって、該短絡防止膜は非酸化部分を
少なくとも前記電極に接している面内において有する陽
極酸化された酸化金属膜よりなることを特徴とする短絡
防止膜である。
【０００９】また本発明は、透光性電極上に形成されて
いる短絡防止膜であって、該短絡防止膜は透光性領域と
非透光性領域とを少なくとも前記電極に接している面内
において有する陽極酸化された酸化金属膜よりなること
を特徴とする短絡防止膜である。またこの構成におい
て、非透光性領域は格子状に形成されていることを特徴
とするものである。
いる短絡防止膜であって、該短絡防止膜は透光性領域と
非透光性領域とを少なくとも前記電極に接している面内
において有する陽極酸化された酸化金属膜よりなること
を特徴とする短絡防止膜である。またこの構成におい
て、非透光性領域は格子状に形成されていることを特徴
とするものである。
【００１０】また本発明は上記構成の短絡防止膜を有す
る液晶電気光学装置である。
る液晶電気光学装置である。
【００１１】また本発明は、液晶電気光学装置内の電極
上に形成されている短絡防止膜であって、該短絡防止膜
は陽極酸化された酸化金属膜よりなることを特徴とする
短絡防止膜である。
上に形成されている短絡防止膜であって、該短絡防止膜
は陽極酸化された酸化金属膜よりなることを特徴とする
短絡防止膜である。
【００１２】また本発明は、上記構成において、金属膜
はアルミニウム、チタン、タンタル、タングステンより
選ばれた１つまたは複数の金属により主として構成され
ることを特徴とするものである。
はアルミニウム、チタン、タンタル、タングステンより
選ばれた１つまたは複数の金属により主として構成され
ることを特徴とするものである。
【００１３】また本発明は、透光性電極上に金属膜を形
成する工程と、前記電極を陽極として前記金属膜を陽極
酸化する工程とを有することを特徴とする短絡防止膜作
製方法である。
成する工程と、前記電極を陽極として前記金属膜を陽極
酸化する工程とを有することを特徴とする短絡防止膜作
製方法である。
【００１４】また本発明は、薄膜トランジスタを用いた
アクティブマトリクス型液晶電気光学装置の短絡防止膜
を作製するに際し、薄膜トランジスタと対向する透光性
電極上に金属膜を形成する工程と、前記電極を陽極とし
て前記金属膜を陽極酸化する工程とを有することを特徴
とする短絡防止膜作製方法である。
アクティブマトリクス型液晶電気光学装置の短絡防止膜
を作製するに際し、薄膜トランジスタと対向する透光性
電極上に金属膜を形成する工程と、前記電極を陽極とし
て前記金属膜を陽極酸化する工程とを有することを特徴
とする短絡防止膜作製方法である。
【００１５】また本発明は、透光性電極上に金属膜を形
成する工程と、該金属膜上にマスクを形成する工程と、
前記電極を陽極として前記金属膜を陽極酸化する工程
と、前記マスクを除去する工程と、再び前記金属膜を陽
極酸化する工程とを有することを特徴とする短絡防止膜
作製方法である。またこの構成においてマスクは格子状
に形成することを特徴とするものである。
成する工程と、該金属膜上にマスクを形成する工程と、
前記電極を陽極として前記金属膜を陽極酸化する工程
と、前記マスクを除去する工程と、再び前記金属膜を陽
極酸化する工程とを有することを特徴とする短絡防止膜
作製方法である。またこの構成においてマスクは格子状
に形成することを特徴とするものである。
【００１６】アルミニウム、チタン、タンタル、タング
ステン等の金属膜を酒石酸等の弱酸を用いた陽極酸化法
にて酸化すると、透光性の極めて緻密な表面を有する酸
化膜（バリヤー型陽極酸化膜）を形成することができ
る。したがって問題となるようなピンホールはまず発生
しない。加えて、これら酸化金属膜は１０００Å厚で６
０〜８０Ｖと高い耐圧を安定して有する。またその表面
は十分な硬さを有する。したがってこれらの膜は特に液
晶電気光学装置の短絡防止に対して極めて優れた特性を
有する。
ステン等の金属膜を酒石酸等の弱酸を用いた陽極酸化法
にて酸化すると、透光性の極めて緻密な表面を有する酸
化膜（バリヤー型陽極酸化膜）を形成することができ
る。したがって問題となるようなピンホールはまず発生
しない。加えて、これら酸化金属膜は１０００Å厚で６
０〜８０Ｖと高い耐圧を安定して有する。またその表面
は十分な硬さを有する。したがってこれらの膜は特に液
晶電気光学装置の短絡防止に対して極めて優れた特性を
有する。
【００１７】さらに、これらの酸化金属膜の比誘電率
が、ＳｉＯ2 の２〜５に比較して８〜９と極めて高い。
これにより短絡防止膜の存在による、液晶材料に印加さ
れる電界の損失を極めて小さくできる。したがって、液
晶材料に安定かつ十分な電界を印加することができ、表
示装置としては高いコントラストを有するものとするこ
とができる。
が、ＳｉＯ2 の２〜５に比較して８〜９と極めて高い。
これにより短絡防止膜の存在による、液晶材料に印加さ
れる電界の損失を極めて小さくできる。したがって、液
晶材料に安定かつ十分な電界を印加することができ、表
示装置としては高いコントラストを有するものとするこ
とができる。
【００１８】この酸化金属膜を形成するには、基板上の
電極上に形成された金属膜自体に電流を流して陽極酸化
してもよいが、この場合酸化が進むにつれ膜自体の電気
抵抗が大きくなってしまうので、作製に時間がかかり、
膜全体が充分に酸化されないこともある。したがって透
光性が十分でなかったり、あるいは酸化にムラが生じた
りする。
電極上に形成された金属膜自体に電流を流して陽極酸化
してもよいが、この場合酸化が進むにつれ膜自体の電気
抵抗が大きくなってしまうので、作製に時間がかかり、
膜全体が充分に酸化されないこともある。したがって透
光性が十分でなかったり、あるいは酸化にムラが生じた
りする。
【００１９】薄膜トランジスタを用いたアクティブマト
リス型の液晶電気光学装置においては、薄膜トランジス
タに接続された画素電極に対向する対向電極は基板全面
に一枚の電極として形成されているため、この電極上に
金属膜を形成した後、電極に電流を流して陽極酸化を行
うことで、短時間に極めて良質な酸化を行うことができ
る。
リス型の液晶電気光学装置においては、薄膜トランジス
タに接続された画素電極に対向する対向電極は基板全面
に一枚の電極として形成されているため、この電極上に
金属膜を形成した後、電極に電流を流して陽極酸化を行
うことで、短時間に極めて良質な酸化を行うことができ
る。
【００２０】また、酸化前に金属膜の表面にマスクとし
てレジストを設けておくと、その部分は酸化されない。
したがって、レジストを設けて酸化を行った後、レジス
トを除去して更に酸化を行うことで、金属膜の表面は酸
化物となって透光性、絶縁性を有しながらも、電極に接
している側の内部には酸化されないため遮光性または反
射性を有する透光性でない部分を設けることができる。
これを利用して酸化金属膜の電極と接している面内に透
光性領域と非透光性領域を自由に形成でき、たとえば薄
膜トランジスタを有する液晶電気光学装置において、対
向電極の、薄膜トランジスタ、信号電極、走査電極に対
向する部分に非透光性領域を格子状に形成して、光スイ
ッチングが行われる画素領域のみを透光性領域として光
の漏れを無くすいわゆるブラックマトリクスをパターニ
ングすることもできる。従来はブラックマトリクスを作
製するには、クロムやカーボンの膜を成膜、パターニン
グしていたが、本発明においてはこれらの工程が不要と
なった。
てレジストを設けておくと、その部分は酸化されない。
したがって、レジストを設けて酸化を行った後、レジス
トを除去して更に酸化を行うことで、金属膜の表面は酸
化物となって透光性、絶縁性を有しながらも、電極に接
している側の内部には酸化されないため遮光性または反
射性を有する透光性でない部分を設けることができる。
これを利用して酸化金属膜の電極と接している面内に透
光性領域と非透光性領域を自由に形成でき、たとえば薄
膜トランジスタを有する液晶電気光学装置において、対
向電極の、薄膜トランジスタ、信号電極、走査電極に対
向する部分に非透光性領域を格子状に形成して、光スイ
ッチングが行われる画素領域のみを透光性領域として光
の漏れを無くすいわゆるブラックマトリクスをパターニ
ングすることもできる。従来はブラックマトリクスを作
製するには、クロムやカーボンの膜を成膜、パターニン
グしていたが、本発明においてはこれらの工程が不要と
なった。
【００２１】
【作用】このように、本発明の陽極酸化して形成した酸
化金属膜よりなる短絡防止膜は、液晶電気光学装置にお
いて、高い耐圧と硬い表面により短絡を発生を防ぎ、高
い誘電率によりコントラストを向上させ、さらに透光性
領域および非透光性領域を任意に形成してブラックマト
リクスの機能をも有せしめることができ、液晶電気光学
装置の性能と信頼性を大きく向上させることができる。
以下にその実施例を示す。
化金属膜よりなる短絡防止膜は、液晶電気光学装置にお
いて、高い耐圧と硬い表面により短絡を発生を防ぎ、高
い誘電率によりコントラストを向上させ、さらに透光性
領域および非透光性領域を任意に形成してブラックマト
リクスの機能をも有せしめることができ、液晶電気光学
装置の性能と信頼性を大きく向上させることができる。
以下にその実施例を示す。
【００２２】
【実施例】本実施例においては、本発明の短絡防止膜を
有する、強誘電性液晶を用いたアクティブマトリクス型
液晶電気光学装置を作製した。本実施例で作製した液晶
電気光学装置の断面図を図１に示す。
有する、強誘電性液晶を用いたアクティブマトリクス型
液晶電気光学装置を作製した。本実施例で作製した液晶
電気光学装置の断面図を図１に示す。
【００２３】アクティブ素子として薄膜トランジスタを
有する側の基板１上に、下地膜２、薄膜トランジスタ
３、層間絶縁膜４、画素電極５およびその他の電極を設
けた。また対向する基板として、基板６上に、下地膜
７、対向電極８、本発明の短絡防止膜９およびブラック
マトリクス１０、さらに配向膜１１を有し、両基板間に
液晶材料１２を挟持している。
有する側の基板１上に、下地膜２、薄膜トランジスタ
３、層間絶縁膜４、画素電極５およびその他の電極を設
けた。また対向する基板として、基板６上に、下地膜
７、対向電極８、本発明の短絡防止膜９およびブラック
マトリクス１０、さらに配向膜１１を有し、両基板間に
液晶材料１２を挟持している。
【００２４】この装置の作製工程を説明する。まず、ア
クティブ素子として薄膜トランジスタを有する側の基板
を作製した。基板１としてコーニング♯７０５９ガラス
基板（厚さ１．１ｍｍ、３００×４００ｍｍ）上に、下
地膜として酸化珪素膜２、複数の多結晶シリコン薄膜ト
ランジスタ３、酸化珪素よりなる層間絶縁膜４、ＩＴＯ
（酸化インジュームスズ）膜よりなる画素電極５および
その他の電極をそれぞれ公知の方法で形成した。
クティブ素子として薄膜トランジスタを有する側の基板
を作製した。基板１としてコーニング♯７０５９ガラス
基板（厚さ１．１ｍｍ、３００×４００ｍｍ）上に、下
地膜として酸化珪素膜２、複数の多結晶シリコン薄膜ト
ランジスタ３、酸化珪素よりなる層間絶縁膜４、ＩＴＯ
（酸化インジュームスズ）膜よりなる画素電極５および
その他の電極をそれぞれ公知の方法で形成した。
【００２５】次に対向する基板を作製した。作製工程を
図２に示す。基板６としてコーニング♯７０５９ガラス
基板上にスパッタ法により下地膜７となる酸化珪素膜を
２００Åを形成し、同じくスパッタ法により対向電極８
としてＩＴＯ膜を室温〜１５０℃ここでは室温で１００
０Åの厚さに成膜し、２００〜４００℃ここでは３５０
℃の酸素または大気中ここでは酸素中のアニールにより
成就した。
図２に示す。基板６としてコーニング♯７０５９ガラス
基板上にスパッタ法により下地膜７となる酸化珪素膜を
２００Åを形成し、同じくスパッタ法により対向電極８
としてＩＴＯ膜を室温〜１５０℃ここでは室温で１００
０Åの厚さに成膜し、２００〜４００℃ここでは３５０
℃の酸素または大気中ここでは酸素中のアニールにより
成就した。
【００２６】この対向電極上にスパッタ法または電子ビ
ーム蒸着法、ここではスパッタ法によりアルミニウム膜
１３を５００〜２０００Åここでは１０００Å形成し、
図２（Ａ）を得た。
ーム蒸着法、ここではスパッタ法によりアルミニウム膜
１３を５００〜２０００Åここでは１０００Å形成し、
図２（Ａ）を得た。
【００２７】次に形成したアルミニウム膜１３上にフォ
トレジスト１４を塗布し、画素電極に対してブラックマ
トリクスを形成するように格子状にパターニングした。
レジスト材料としてはシプレイ社製ＡＺ１３５０、東レ
製フォトニュース等が使用できるが、ここではＡＺ１３
５０を用いた。
トレジスト１４を塗布し、画素電極に対してブラックマ
トリクスを形成するように格子状にパターニングした。
レジスト材料としてはシプレイ社製ＡＺ１３５０、東レ
製フォトニュース等が使用できるが、ここではＡＺ１３
５０を用いた。
【００２８】次に対向電極８を陽極として陽極酸化を行
った。この陽極酸化は、酒石酸が１〜５％ここでは４％
含まれたエチレングリコール溶液中にて行った。これに
よりまず４００Å程度の厚さまで酸化を行い、緻密な表
面を有する酸化アルミニウム１５を形成した（図２
（Ｂ））。
った。この陽極酸化は、酒石酸が１〜５％ここでは４％
含まれたエチレングリコール溶液中にて行った。これに
よりまず４００Å程度の厚さまで酸化を行い、緻密な表
面を有する酸化アルミニウム１５を形成した（図２
（Ｂ））。
【００２９】次にフォトレジストを剥離して再び陽極酸
化を行った。アルミニウム膜１３のフォトレジストが形
成されていた部分においては、他の部分に比較して酸化
される厚さが小さくなるため、他の部分が全て酸化アル
ミニウムとなっても、この部分は表面側に酸化アルミニ
ウム部分、電極と接している側に酸化されていないアル
ミニウム部分を有せしめることができる。ここではこの
酸化されていないアルミニウム部分は約４００Åの厚さ
とし、透光性を有さないブラックマトリクス１０を形成
できた。それ以外の部分は全て酸化アルミニウムとなっ
て透光性、絶縁性となり、短絡防止膜９を形成できた
（図２（Ｃ））。
化を行った。アルミニウム膜１３のフォトレジストが形
成されていた部分においては、他の部分に比較して酸化
される厚さが小さくなるため、他の部分が全て酸化アル
ミニウムとなっても、この部分は表面側に酸化アルミニ
ウム部分、電極と接している側に酸化されていないアル
ミニウム部分を有せしめることができる。ここではこの
酸化されていないアルミニウム部分は約４００Åの厚さ
とし、透光性を有さないブラックマトリクス１０を形成
できた。それ以外の部分は全て酸化アルミニウムとなっ
て透光性、絶縁性となり、短絡防止膜９を形成できた
（図２（Ｃ））。
【００３０】また酸化アルミニウムの部分は酸化前に比
較して約１．５倍の厚さに膨らんでいた（図示せず）。
酸化アルミニウムの部分は十分に耐圧を得るためには２
００Å以上望ましくは６００Å以上の厚さを有していれ
ばよい。ブラックマトリクスを形成しない場合は、フォ
トレジストを使用せず、一度にアルミニウム膜全体を陽
極酸化し、全面が透光性を有する短絡防止膜となった。
較して約１．５倍の厚さに膨らんでいた（図示せず）。
酸化アルミニウムの部分は十分に耐圧を得るためには２
００Å以上望ましくは６００Å以上の厚さを有していれ
ばよい。ブラックマトリクスを形成しない場合は、フォ
トレジストを使用せず、一度にアルミニウム膜全体を陽
極酸化し、全面が透光性を有する短絡防止膜となった。
【００３１】上記工程で形成したアルミニウム膜の対向
電極側でない方の表面をＳＥＭにて観察したところ、レ
ジストを形成していた部分も含めて極めて緻密な酸化膜
となっていた。透過型光学顕微鏡で観察してもピンホー
ルは全く発見できなかった。このようにして酸化アルミ
ニウムよりなる短絡防止膜を形成できた。この短絡防止
膜は、耐圧６０Ｖ（平均）、比誘電率は８．５を有して
いた。またこの基板の透光性領域の光透過率は７４％、
非透光性領域すなわちブラックマトリクス部では１％以
下であった。
電極側でない方の表面をＳＥＭにて観察したところ、レ
ジストを形成していた部分も含めて極めて緻密な酸化膜
となっていた。透過型光学顕微鏡で観察してもピンホー
ルは全く発見できなかった。このようにして酸化アルミ
ニウムよりなる短絡防止膜を形成できた。この短絡防止
膜は、耐圧６０Ｖ（平均）、比誘電率は８．５を有して
いた。またこの基板の透光性領域の光透過率は７４％、
非透光性領域すなわちブラックマトリクス部では１％以
下であった。
【００３２】次にこの短絡防止膜９上に配向膜１１を形
成するため、ポリイミドをスピンコート法で塗布し、２
８０℃で焼成し、１００Åの厚さとした。。ポリイミド
としては東レ製ＬＰ−６４を用いた。この基板にラビン
グ処理を施して一軸配向処理とした（図２（Ｄ））。一
方薄膜トランジスタを形成した基板は配向処理せず片側
配向の液晶セルとした。
成するため、ポリイミドをスピンコート法で塗布し、２
８０℃で焼成し、１００Åの厚さとした。。ポリイミド
としては東レ製ＬＰ−６４を用いた。この基板にラビン
グ処理を施して一軸配向処理とした（図２（Ｄ））。一
方薄膜トランジスタを形成した基板は配向処理せず片側
配向の液晶セルとした。
【００３３】配向膜１１を形成した基板上には、シリカ
粒子である触媒化成製真絲球をスペーサーとして散布
し、他方の基板にエポキシ樹脂製のシール材をスクリー
ン印刷で形成した。またこの時一方の基板上に導電ペー
ストを滴下し、対向基板の電位をＴＦＴ側のグランド部
に接続する構造とした。両基板はスペーサーにより電極
間の距離を約１．５μｍとして張り合わせ、セルを形成
した。
粒子である触媒化成製真絲球をスペーサーとして散布
し、他方の基板にエポキシ樹脂製のシール材をスクリー
ン印刷で形成した。またこの時一方の基板上に導電ペー
ストを滴下し、対向基板の電位をＴＦＴ側のグランド部
に接続する構造とした。両基板はスペーサーにより電極
間の距離を約１．５μｍとして張り合わせ、セルを形成
した。
【００３４】次に液晶材料１２として、ここでは強誘電
性液晶のチッソ製ＣＳ１０１４を用い、セルと液晶を１
００℃に加熱し、真空下で前述のセルに注入し、この後
５℃／ｈｒで室温へ徐冷した。徐冷後の室温における配
向状態を偏光顕微鏡で観察すると良好な消光位を得、液
晶材料の配向はラビング方向にそって一軸配向となって
いることが確認できた。
性液晶のチッソ製ＣＳ１０１４を用い、セルと液晶を１
００℃に加熱し、真空下で前述のセルに注入し、この後
５℃／ｈｒで室温へ徐冷した。徐冷後の室温における配
向状態を偏光顕微鏡で観察すると良好な消光位を得、液
晶材料の配向はラビング方向にそって一軸配向となって
いることが確認できた。
【００３５】このセルの光学的特性を測定するため、ハ
ロゲンランプを光源とする偏光顕微鏡により、直交ニコ
ル下で液晶セルの透過光強度をフォトマルチプライヤー
にて検出した結果、暗０．２、明４０、コントラスト比
２００を得た。短絡防止膜に設けたブラックマトリクス
により走査電極部や信号電極部から光が漏れる事もなく
良好な液晶電気光学装置とすることができた。
ロゲンランプを光源とする偏光顕微鏡により、直交ニコ
ル下で液晶セルの透過光強度をフォトマルチプライヤー
にて検出した結果、暗０．２、明４０、コントラスト比
２００を得た。短絡防止膜に設けたブラックマトリクス
により走査電極部や信号電極部から光が漏れる事もなく
良好な液晶電気光学装置とすることができた。
【００３６】この液晶セルを５０個作製したが、基板間
の短絡による不良の発生は皆無であった。
の短絡による不良の発生は皆無であった。
【００３７】
【発明の効果】本発明により、液晶電気光学装置の短絡
を発生を防ぎ、装置の特性を向上させ、さらに透光性領
域および非透光性領域を任意に形成してブラックマトリ
クスの機能をも有せしめることができる短絡防止膜を得
ることができ、液晶電気光学装置の性能と信頼性を大き
く向上させる、極めて優れた短絡防止膜とすることがで
きた。またブラックマトリクスの作製においては作製工
程を簡略化できた。
を発生を防ぎ、装置の特性を向上させ、さらに透光性領
域および非透光性領域を任意に形成してブラックマトリ
クスの機能をも有せしめることができる短絡防止膜を得
ることができ、液晶電気光学装置の性能と信頼性を大き
く向上させる、極めて優れた短絡防止膜とすることがで
きた。またブラックマトリクスの作製においては作製工
程を簡略化できた。
【００３８】本発明の短絡防止膜は、透過型のアクティ
ブマトリクス型液晶電気光学装置の他、単純マトリクス
型、さらにこれらの反射型の装置においても極めて有効
なものであり、透光性を有さない電極上においても良好
な特性を有する。また使用する液晶材料の種類は問わな
い。
ブマトリクス型液晶電気光学装置の他、単純マトリクス
型、さらにこれらの反射型の装置においても極めて有効
なものであり、透光性を有さない電極上においても良好
な特性を有する。また使用する液晶材料の種類は問わな
い。
【図１】 実施例における本発明を用いた液晶電気光学
装置の断面図を示す。
装置の断面図を示す。
【図２】 実施例における本発明を用いた短絡防止膜の
作製工程を示す。
作製工程を示す。
１、６ 基板 ２、７ 下地膜 ３ 薄膜トランジスタ ４ 層間絶縁膜 ５ 画素電極 ８ 対向電極 ９ 短絡防止膜 １０ ブラックマトリクス １１ 配向膜 １２ 液晶材料 １３ アルミニウム膜 １４ レジスト １５ 酸化アルミニウム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−116854（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−104112（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−124003（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−284452（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−80346（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−103021（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1343
Claims (11)
- 【請求項１】 対向する基板に挟持された液晶と、 前記液晶と薄膜トランジスタから構成される複数の画素
とを有する液晶電気光学装置において、 前記基板上に前記複数の画素にわたって形成された透光
性電極と、 前記透光性電極を覆う金属酸化膜と、 前記金属酸化膜に含まれ前記薄膜トランジスタ上に設け
られた前記金属酸化膜と同じ元素を有する金属膜とを有
することを特徴とする液晶電気光学装置。 - 【請求項２】 対向する基板に挟持された液晶と、 前記液晶と薄膜トランジスタから構成される複数の画素
とを有する液晶電気光学装置において、 前記一方の基板上に形成された前記薄膜トランジスタ
と、 前記他方の基板上に前記複数の画素にわたって形成され
た透光性電極と、 前記透光性電極を覆う金属酸化膜と、 前記金属酸化膜に含まれ前記薄膜トランジスタ上に設け
られた前記金属酸化膜と同じ元素を有する金属膜とを有
することを特徴とする液晶電気光学装置。 - 【請求項３】 前記金属膜は遮光していることを特徴と
する請求項１または２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記金属酸化膜は短絡防止であることを
特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の液晶電
気光学装置。 - 【請求項５】 前記金属膜を構成する元素はアルミニウ
ム、チタン、タンタルまたはタングステンを有すること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の液晶
電気光学装置。 - 【請求項６】 前記液晶表示装置はアクティブマトリク
ス型であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
一に記載の液晶電気光学装置。 - 【請求項７】 基板上に透光性電極を形成し、 前記透光性電極上に金属膜を形成し、 前記金属膜上にマスクを形成し、 前記電極に電圧をかけ、前記金属膜の陽極酸化膜を形成
し、 前記マスクを除去し、 前記電極に電圧をかけ、前記金属膜の陽極酸化膜を形成
することを特徴とする液晶電気光学装置の作製方法。 - 【請求項８】 基板上に下地膜を形成し、 前記下地膜上に透光性電極を形成し、 前記透光性電極上に金属膜を形成し、 前記金属膜上にマスクを形成し、 前記電極に電圧をかけ、前記金属膜の陽極酸化膜を形成
し、 前記マスクを除去し、 前記電極に電圧をかけ、前記金属膜の陽極酸化膜を形成
することを特徴とする液晶電気光学装置の作製方法。 - 【請求項９】 前記金属膜はアルミニウム、チタン、タ
ンタルまたはタングステンを有することを特徴とする請
求項７または８に記載の液晶電気光学装置の作製方法。 - 【請求項１０】 前記マスクは格子状に形成することを
特徴とする請求項７乃至９のいずれか一に記載の液晶電
気光学装置の作製方法。 - 【請求項１１】 前記液晶電気光学装置はアクティブマ
トリクス型であり、前記基板は薄膜トランジスタと対向
する基板であることを特徴とする請求項７乃至１０のい
ずれか一に記載の液晶電気光学装置の作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16954893A JP3199913B2 (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 液晶電気光学装置およびその作製方法 |
| US08/839,936 US5856853A (en) | 1993-06-16 | 1997-04-18 | Short circuit preventing film of liquid crystal electro-optical device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16954893A JP3199913B2 (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 液晶電気光学装置およびその作製方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11220365A Division JP2000056327A (ja) | 1999-08-03 | 1999-08-03 | 液晶電気光学装置の作製方法 |
| JP22036499A Division JP2000039629A (ja) | 1999-08-03 | 1999-08-03 | 液晶電気光学装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH075451A JPH075451A (ja) | 1995-01-10 |
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ID=15888522
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| JP16954893A Expired - Fee Related JP3199913B2 (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 液晶電気光学装置およびその作製方法 |
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| JP (1) | JP3199913B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6852266B2 (en) * | 2001-01-19 | 2005-02-08 | Korry Electronics Co. | Ultrasonic assisted deposition of anti-stick films on metal oxides |
| US6716734B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-04-06 | Infineon Technologies Ag | Low temperature sidewall oxidation of W/WN/poly-gatestack |
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| JPS60227235A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-12 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| JPS63139320A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクテイブマトリクス基板 |
| KR950000111B1 (ko) * | 1988-11-21 | 1995-01-09 | 미쓰이도오아쓰가가꾸 가부시끼가이샤 | 발광소자(Luminescence element) |
| JP2781192B2 (ja) * | 1989-02-13 | 1998-07-30 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JP2808483B2 (ja) * | 1990-08-30 | 1998-10-08 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| KR0161371B1 (ko) * | 1991-04-30 | 1999-01-15 | 강진구 | 액정 라이트 밸브와 그 제조 방법 |
| KR930005549B1 (ko) * | 1991-06-17 | 1993-06-23 | 삼성전자 주식회사 | 표시패널 및 그의 제조방법 |
| US5545571A (en) * | 1991-08-26 | 1996-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making TFT with anodic oxidation process using positive and negative voltages |
-
1993
- 1993-06-16 JP JP16954893A patent/JP3199913B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-18 US US08/839,936 patent/US5856853A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102647977B1 (ko) * | 2021-12-02 | 2024-03-18 | 굿세라 주식회사 | 데크-핀 연결 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5856853A (en) | 1999-01-05 |
| JPH075451A (ja) | 1995-01-10 |
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