JPS58114978A - 液晶光学的印写装置 - Google Patents
液晶光学的印写装置Info
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- JPS58114978A JPS58114978A JP56213263A JP21326381A JPS58114978A JP S58114978 A JPS58114978 A JP S58114978A JP 56213263 A JP56213263 A JP 56213263A JP 21326381 A JP21326381 A JP 21326381A JP S58114978 A JPS58114978 A JP S58114978A
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- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/1392—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using a field-induced sign-reversal of the dielectric anisotropy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶を用い九光学的印軍装置に関する。詳し
くは、Ｉ＃波数により誘電異方性の反転せるネマチック
型の液晶表示装置を利用し庚光学的印′４装置に関する
。
くは、Ｉ＃波数により誘電異方性の反転せるネマチック
型の液晶表示装置を利用し庚光学的印′４装置に関する
。
（従来ｆｉｌ）
従来、光学的な印写又／ｆｉ豪写Ｓ＊としてレーザープ
リンタが高いｍ＊ｔ−得られるものとして利用されてき
走。しかし、このレーザープリンタは電圧が高く、また
レーザー光の危険性、装置１１１ｆが高価である等の不
具合な点が多かった。このレーザープリンタに代るもの
として、ＬＫＤｌを用い九装置や、液晶を光シヤツター
として用い九装壇の試みが数多くなされており、その−
例として特開昭５５−６４０４号公報や米国特許第４．
２９″１０２２号明細書等々が挙げられる。しかし、こ
れらの発明も商品としての構成に欠け、また印写スピー
ドも遅いため実用化にはほど遠いものである０本発明は
、これらの欠点を除去し、液晶を用いてスピードが早く
、コストパーフォーマンスの良い光学的０１１ｇ装置を
提供する点にある。
リンタが高いｍ＊ｔ−得られるものとして利用されてき
走。しかし、このレーザープリンタは電圧が高く、また
レーザー光の危険性、装置１１１ｆが高価である等の不
具合な点が多かった。このレーザープリンタに代るもの
として、ＬＫＤｌを用い九装置や、液晶を光シヤツター
として用い九装壇の試みが数多くなされており、その−
例として特開昭５５−６４０４号公報や米国特許第４．
２９″１０２２号明細書等々が挙げられる。しかし、こ
れらの発明も商品としての構成に欠け、また印写スピー
ドも遅いため実用化にはほど遠いものである０本発明は
、これらの欠点を除去し、液晶を用いてスピードが早く
、コストパーフォーマンスの良い光学的０１１ｇ装置を
提供する点にある。
以下、本発明の印写装置について、両面や衣食用いかが
ら説明する。
ら説明する。
（本発明の印写装置を用いたシステムの概略）ＩＲ１図
は、本発明の印写装置Ａｔ−用いた印写システムの概略
図である。
は、本発明の印写装置Ａｔ−用いた印写システムの概略
図である。
感光ドラムＢと、本発明の印写装ｆｌｌｌｆＡと転写コ
ロナ放ｍｓ工は、印写スピードに合わせて、全体の駆―
崗路系ＪＫより同期されている。
ロナ放ｍｓ工は、印写スピードに合わせて、全体の駆―
崗路系ＪＫより同期されている。
まず、文字、数字、１形等の印写すべき信号が外部から
本発明の印写鏝置ＡＫ与えられ、本発明の印写装置ｌｆ
Ａにより上記信号に対応せる光信号に変換され、印字ス
ピードと同期をとって回転している感光ドラムＢ土に送
られ、上記感光ドラムＢ上で、上記光信号が到達した部
分の帯電電荷が消滅され、感膏ドラムＢ上に、本発明の
印写ａｍムからの書込信号による＃儂形成工程を形成す
る。
本発明の印写鏝置ＡＫ与えられ、本発明の印写装置ｌｆ
Ａにより上記信号に対応せる光信号に変換され、印字ス
ピードと同期をとって回転している感光ドラムＢ土に送
られ、上記感光ドラムＢ上で、上記光信号が到達した部
分の帯電電荷が消滅され、感膏ドラムＢ上に、本発明の
印写ａｍムからの書込信号による＃儂形成工程を形成す
る。
上紀潜儂形成工程を終えた感光ドラム８士の静電潜像部
は、例えば磁気ローラ一方式による現像器Ｋによって現
像する現像工程に移動し、現像される。
は、例えば磁気ローラ一方式による現像器Ｋによって現
像する現像工程に移動し、現像される。
次に、現像された書込信号に、感光ドラムＢと同期して
移動する記録紙Ｄ ＪｃＫ ｓ転写コロナ放電器ｆｌ用
いて、上記現像され次トナー儂ｋｌｉ’８する。上記記
録紙ＤＫは、光、熱、圧力等が加えられゐ定着器Ｆに工
９定着工根となり、上記畳込信号は記録紙り士に定着さ
れる。
移動する記録紙Ｄ ＪｃＫ ｓ転写コロナ放電器ｆｌ用
いて、上記現像され次トナー儂ｋｌｉ’８する。上記記
録紙ＤＫは、光、熱、圧力等が加えられゐ定着器Ｆに工
９定着工根となり、上記畳込信号は記録紙り士に定着さ
れる。
一方、感光ドラムＢＪ：の転写を終えた感光Ｓはブレー
ドＧＶＣより残留せるトナーが除去される。
ドＧＶＣより残留せるトナーが除去される。
さらに、感光ドラムＢよの残留儂は、ＡＣコロナ放電器
又はランプ等からなる除電器Ｈで除去される除電工程を
経て、コロナ放゛−器工による感光。
又はランプ等からなる除電器Ｈで除去される除電工程を
経て、コロナ放゛−器工による感光。
体を帯電させる帯電工程に送られ、本発明の印写装置ム
による党書込信号を待ち、前記潜儂工慢に送られる。
による党書込信号を待ち、前記潜儂工慢に送られる。
上述の工程が連続的に行なわれて印写が行なわれる。本
発明の印写装置ｌｌＡ／ｌｉ、上述のシステムに適用さ
れるものである。
発明の印写装置ｌｌＡ／ｌｉ、上述のシステムに適用さ
れるものである。
（本発明の印写装置の概ｌ！説明〕
第２図は、本発明の印写装置の概略図である。
（峙＠Ｆｉ概略の断面図であｐ、（ｂ）＠は制御系を含
む概略図、（Ｃ）図は分解斜視図である。
む概略図、（Ｃ）図は分解斜視図である。
液晶パネルａは、ネマチック型で駆ｓｗ４波数力！高鴫
波で誘電異方性が負、低１ｍ１波で正となる液晶物質を
充填させ、上記液晶物＊１−封入した土下着歇表面では
、液晶物質が基板に対して、ｎｅｔ平行となる機な水平
配向処理ｔしており、液晶ｒｉ土丁基板間でツイストさ
れ、上下に偏光子がｆｆ１１１１１Ｍするように偏光軸
の方向を揃えて配嬢されており高鳩波と低ｉｉ＊＊の２
陶波で駆動され、非常に高速で液晶パネルのライトバル
ブ部を開閉する。
波で誘電異方性が負、低１ｍ１波で正となる液晶物質を
充填させ、上記液晶物＊１−封入した土下着歇表面では
、液晶物質が基板に対して、ｎｅｔ平行となる機な水平
配向処理ｔしており、液晶ｒｉ土丁基板間でツイストさ
れ、上下に偏光子がｆｆ１１１１１Ｍするように偏光軸
の方向を揃えて配嬢されており高鳩波と低ｉｉ＊＊の２
陶波で駆動され、非常に高速で液晶パネルのライトバル
ブ部を開閉する。
液Ｉｌｌ ハネルａ １ｔ２ Ｉｌｌｌｌ動駆動る液晶
ドライノ（−ｂは基板ｄ上に取り付けられ、液晶／ぐネ
ルａと基板ｄ＃′ｉ、接続基板Ｘで接続され、ドライ（
ｂより出た液晶の駆動信号ｒ１液晶・（ネルａに伝え液
晶パネルａ會駆動させる。基板ｄ框基板固定具ｗ−１に
よってシャーシＣに固定されている。なお、シャーシＣ
と基板ｄｒｊ絶縁板、接着剤、両面テープ等の絶縁具ｗ
−２ｋ介して、ネジ等の基板固定具ｗ −１に工り増
ジ付けられている。
ドライノ（−ｂは基板ｄ上に取り付けられ、液晶／ぐネ
ルａと基板ｄ＃′ｉ、接続基板Ｘで接続され、ドライ（
ｂより出た液晶の駆動信号ｒ１液晶・（ネルａに伝え液
晶パネルａ會駆動させる。基板ｄ框基板固定具ｗ−１に
よってシャーシＣに固定されている。なお、シャーシＣ
と基板ｄｒｊ絶縁板、接着剤、両面テープ等の絶縁具ｗ
−２ｋ介して、ネジ等の基板固定具ｗ −１に工り増
ジ付けられている。
フレームｎｔＩｉ、本発明の印写装置の外＊ｔ−形成し
、上記フレームｎＫより、本発明の印写装置は１つのま
とまったユニットとなる。
、上記フレームｎＫより、本発明の印写装置は１つのま
とまったユニットとなる。
液晶ドライバーｂの取り付けられ九基板とと、よ記ドラ
イバーｂＶｃ工り駆動される液晶］々ネルａｔモジュー
ル（以下、モジュールと呼ぶ）として上記モジュールは
、取付具ｎ −Ｉ Ｋよって、フレームｎに取り付けら
れる。基板ｄにはコネクタ・が＊ｐ付けられ、不印写装
置の外部から液晶ドライバーｂを駆動させる為の電源ｊ
と、外部信号源のインタＬフェースＩＫ接続される。
イバーｂＶｃ工り駆動される液晶］々ネルａｔモジュー
ル（以下、モジュールと呼ぶ）として上記モジュールは
、取付具ｎ −Ｉ Ｋよって、フレームｎに取り付けら
れる。基板ｄにはコネクタ・が＊ｐ付けられ、不印写装
置の外部から液晶ドライバーｂを駆動させる為の電源ｊ
と、外部信号源のインタＬフェースＩＫ接続される。
タングステンランプｔハロゲンランプ、キャノンランプ
、螢光燈等の光源により放射され走光はよ配光遮蔽板δ
に設けられた光放出口より出て、液晶パネルａｋ照射す
る。
、螢光燈等の光源により放射され走光はよ配光遮蔽板δ
に設けられた光放出口より出て、液晶パネルａｋ照射す
る。
液晶パネルａ ｒｉｔ列、ま九は複数列設けられたライ
トバルブ部を開閉して、印写に必要な光だけを通過させ
る。
トバルブ部を開閉して、印写に必要な光だけを通過させ
る。
液晶パネルａのライトパルプ部ン通過し九光はセルフォ
ックレンズアレイｍにより、焦点が、感肯ドラム（第１
図、Ｂ）の面土になるように、焦点を合わせられる。
ックレンズアレイｍにより、焦点が、感肯ドラム（第１
図、Ｂ）の面土になるように、焦点を合わせられる。
液晶パネルａＫｒｉパネルヒーターでが堆り付けられ、
液晶パネルａのｌ１ｌｌｉ！を土昇、又は下降させる。
液晶パネルａのｌ１ｌｌｉ！を土昇、又は下降させる。
さらに、液晶パネルａＫは、ヒーターセンサｈが取付け
られ、上記センサーｈは、ヒーターコントローラーｇＫ
接続され、センサー゛ｈの信号がセンサーコントローラ
ーｇに伝達され、上記コントローラーｇからヒーターｆ
１ｒ制御するフィードバック系がｍすれている。
られ、上記センサーｈは、ヒーターコントローラーｇＫ
接続され、センサー゛ｈの信号がセンサーコントローラ
ーｇに伝達され、上記コントローラーｇからヒーターｆ
１ｒ制御するフィードバック系がｍすれている。
セルフォックレンズアレイｍＦｉ、ネジ、両面テープ、
接着剤等の取付具ｎ −４によりフレームｎに取り付け
られている。
接着剤等の取付具ｎ −４によりフレームｎに取り付け
られている。
ランプにはネジ、両面テープ、接着剤等の取付具ｎ −
２Ｋよジ、フレームｎに取り付けられている。ランプに
としては、特に螢光燈が良い。ランプｋｉＦｉ湿・ｇセ
ンサーｔが増り付けられており、上記温度センサーｔｔ
／ｉ、ｉｊＡ＃ｆコントローラＵと接続されている。ラ
ンプ用ヒーター−とモーターファンｒｒｉ温度コントロ
ーラーＵと接続され、モーターファンｒＫよってフレー
ムｎ内にランプ用ヒーターａに工って熱せられた空気が
送られ、ランプｋｔ＊九める。ランプ駆動系り付けられ
た温度センサーｔは、ランプ用ヒーターｓＫよって暖め
られたランプにの温度を検知し、温度コントローラＵに
伝達する。ｍ度コントローラＵはモーターファンｒとラ
ンプ用ヒーターｅとランプ駆動系ｐを制御し、ランプに
の管４！！温度を一定に保つ、ランプｋＫｔｆｉ、ラン
プにの管壁ｍａｗ一定に保つよ述の様なフィードバック
系がｉｌまれている。
２Ｋよジ、フレームｎに取り付けられている。ランプに
としては、特に螢光燈が良い。ランプｋｉＦｉ湿・ｇセ
ンサーｔが増り付けられており、上記温度センサーｔｔ
／ｉ、ｉｊＡ＃ｆコントローラＵと接続されている。ラ
ンプ用ヒーター−とモーターファンｒｒｉ温度コントロ
ーラーＵと接続され、モーターファンｒＫよってフレー
ムｎ内にランプ用ヒーターａに工って熱せられた空気が
送られ、ランプｋｔ＊九める。ランプ駆動系り付けられ
た温度センサーｔは、ランプ用ヒーターｓＫよって暖め
られたランプにの温度を検知し、温度コントローラＵに
伝達する。ｍ度コントローラＵはモーターファンｒとラ
ンプ用ヒーターｅとランプ駆動系ｐを制御し、ランプに
の管４！！温度を一定に保つ、ランプｋＫｔｆｉ、ラン
プにの管壁ｍａｗ一定に保つよ述の様なフィードバック
系がｉｌまれている。
輝度センサｑは、ランプにの光が照射されるフレームｎ
内の一部分に配−され、輝度センサーコントローラＶと
共にフィードバック系を構成し、本印写装置から出て、
感光ドラム上に照射する光が、常に単位面積当り一定の
強さであるように、ランプにの光の強さ萱コントロール
している。
内の一部分に配−され、輝度センサーコントローラＶと
共にフィードバック系を構成し、本印写装置から出て、
感光ドラム上に照射する光が、常に単位面積当り一定の
強さであるように、ランプにの光の強さ萱コントロール
している。
（ＩＩ畠パネル構造説明）
第３ｉ１１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の印写装置を構成
する液晶パネルａ１図示したものである。図（ａ）Ｊｄ
、液晶パネルａ全体の斜視図である。図（ｂ）は液晶
ノくネルａのライトバルブａ −１部の拡大図であり、
図（ａ）は図（１））のライトバルブ部−１部のＡ−ム
′断面図である。
する液晶パネルａ１図示したものである。図（ａ）Ｊｄ
、液晶パネルａ全体の斜視図である。図（ｂ）は液晶
ノくネルａのライトバルブａ −１部の拡大図であり、
図（ａ）は図（１））のライトバルブ部−１部のＡ−ム
′断面図である。
液晶物［ａ −２は、上基板ａ −３と下基板ａ−４間
にシール剤ａ −５１を介して封増され充填されており
、液晶層の厚さは３〜７μｍ間で）（ネルａの部分部分
によりムラが生じないように、シール剤ａ−５、又ｒｉ
濠畠ａ−２中に一定厚又は径のグラスファイバー、ガラ
ス粒子、等奮起してセル厚管通をしている。
にシール剤ａ −５１を介して封増され充填されており
、液晶層の厚さは３〜７μｍ間で）（ネルａの部分部分
によりムラが生じないように、シール剤ａ−５、又ｒｉ
濠畠ａ−２中に一定厚又は径のグラスファイバー、ガラ
ス粒子、等奮起してセル厚管通をしている。
上下着板ａ−３ｔａ−４は透明なガラス又はプラスチッ
ク拐科より構成される。
ク拐科より構成される。
よ下着＆ａ−５ｅａ−４上Ｋｒｉ、液晶物質ａ−２と接
する側の基板面に８１０． ａ −１１’ｌスパッタ、
蒸着、ディッピング等の方法で層形成し、液晶パネル区
外部あるいは基板ａ−３ｔａ−４内部のＮａ＋等のアル
カリイオンの液晶物質ａ −２への侵入、接触及び湿気
の液晶中への侵入を防ぐ。
する側の基板面に８１０． ａ −１１’ｌスパッタ、
蒸着、ディッピング等の方法で層形成し、液晶パネル区
外部あるいは基板ａ−３ｔａ−４内部のＮａ＋等のアル
カリイオンの液晶物質ａ −２への侵入、接触及び湿気
の液晶中への侵入を防ぐ。
８１０、層ａ−１１の層厚は、約４００１〜２０００１
間である。４００１より薄いとアルカリイオンや温度の
侵入防止に対して効果が薄い。２０００１工９厚いと８
１０３層ａ−１１自体にヒビ割れｉ生じやすくなり、か
つ剃料費、工数がかかる。
間である。４００１より薄いとアルカリイオンや温度の
侵入防止に対して効果が薄い。２０００１工９厚いと８
１０３層ａ−１１自体にヒビ割れｉ生じやすくなり、か
つ剃料費、工数がかかる。
上記ｓｔｏ、ｌ１ａ−１１の上にＩｎｌｏｇ又は８ｎＯ
１の透明電極パターンａ−１２ｍ ａ−１５′に化学エ
ツチング、プラズマエツチング等の手段に工す形成する
。透明電極ａ １２＊１３は８ｎＯ１よりｄｎｌｏｌ
の方が、同じ厚さの場合はるかに抵抗値が低い。液晶物
質ａ −２は低＃波のみならず、高鞠波でも駆動され、
高速の応答スピードを実現させる為に、液晶物質ａ −
２の容量と、ドライノ＜−ｂから液晶物＠ ａ −２Ｖ
Ｃ至る抵抗で決定される時定数は、極力小さくする必要
があり、透明電極ａ−１２＊１３は抵抗値の小さいＩｎ
、０．の万が良い。
１の透明電極パターンａ−１２ｍ ａ−１５′に化学エ
ツチング、プラズマエツチング等の手段に工す形成する
。透明電極ａ １２＊１３は８ｎＯ１よりｄｎｌｏｌ
の方が、同じ厚さの場合はるかに抵抗値が低い。液晶物
質ａ −２は低＃波のみならず、高鞠波でも駆動され、
高速の応答スピードを実現させる為に、液晶物質ａ −
２の容量と、ドライノ＜−ｂから液晶物＠ ａ −２Ｖ
Ｃ至る抵抗で決定される時定数は、極力小さくする必要
があり、透明電極ａ−１２＊１３は抵抗値の小さいＩｎ
、０．の万が良い。
ドライバーｂの１つの端子から、それに対応した液晶パ
ネルａの１つのライトノくルブａ−１ｉ１ｉ１テの抵抗
値は数百Ω以内に抑えられている。図（ｂ）に於て、実
線部分が下基板ａ −４に形成され大信号電極ａ−１３
に示し、点線部分が上基板ａ −３に形成され九走査電
極ａ−１２１示す。
ネルａの１つのライトノくルブａ−１ｉ１ｉ１テの抵抗
値は数百Ω以内に抑えられている。図（ｂ）に於て、実
線部分が下基板ａ −４に形成され大信号電極ａ−１３
に示し、点線部分が上基板ａ −３に形成され九走査電
極ａ−１２１示す。
上下基＠＆ ５ｅ４の走査用透明電極ａ−１２、信号用
透明電極＆−１３、土には、部分選択的にムＵ−ムｇ
ｅ Ｏｕ ＋ Ｎ ｉ等の金属Ｉｊ＆−１４１Ｈ形成さ
せる。金属材料としてはＮ１が最も安価である。
透明電極＆−１３、土には、部分選択的にムＵ−ムｇ
ｅ Ｏｕ ＋ Ｎ ｉ等の金属Ｉｊ＆−１４１Ｈ形成さ
せる。金属材料としてはＮ１が最も安価である。
金属層＆−１４の形成はスノくツタ、蒸着曾メッキ等の
方法がある。例えばＮ１メッキは、Ｎ１メッキを行なう
必要のない部分に、あらかじめスクリーン印刷、フォト
レジスト・塗布等でマスクｔしておき、プラスチックの
メッキ等でよく行なわれている公知の無電解Ｎ１メッキ
を行なう。この無電％Ｎｉメッキにより、マスクがされ
ていない透明ＩＩｌ債ａ−１２．１３パターン部分にの
み、選択的ＫＮｉ層の形成が行なわれる。金属層ａ−１
４ｒまピンホールがない様に行ない、かつ、光が透過し
ない層厚とする。
方法がある。例えばＮ１メッキは、Ｎ１メッキを行なう
必要のない部分に、あらかじめスクリーン印刷、フォト
レジスト・塗布等でマスクｔしておき、プラスチックの
メッキ等でよく行なわれている公知の無電解Ｎ１メッキ
を行なう。この無電％Ｎｉメッキにより、マスクがされ
ていない透明ＩＩｌ債ａ−１２．１３パターン部分にの
み、選択的ＫＮｉ層の形成が行なわれる。金属層ａ−１
４ｒまピンホールがない様に行ない、かつ、光が透過し
ない層厚とする。
図（ｂ）ｒｉ、液晶パネルａが竹デユーティー駆動され
る場合のＨａパネルａパターンである。上基板ａ−３に
形成された信号用電極ａ−１３Ｆｉ、液晶パネルａの上
下に振り分けられて、液晶パネルａの信号用電極ａ −
１５’Ｉ’ｌ、パネルａの両サイドの端子を形成し、両
側端子となっている。液晶パネルａの士＠］端子に出る
信号用電型ａ−１５パターンと、下＊＊子に出る信号用
電極パターンは、１つずつ交互に出ている。信号用電極
ａ ｌ５Ｆｉｓ端子部からライトパルプａ−を部の近
傍までは金＠４ ａ −１４が形成されている。走査用
電極ａ −１２の走る部分下の信号用電極ａ−１３ｒｉ
透明電極で構成されている。上着板＆−１１に構成さｎ
次走査用１１極ａ−１２ｔ′ｉライトバルブａ−１８１
１ｋ除いて全て金属ｍａ−１４で憶われている。なお、
液晶パネルａＯ上基板ａ −５と下基板ａ −４は、下
基板ａ −４Ｆｉ端子部が外側に出る様に構成され上基
板ａ −Ｓ Ｆｉ、走査用電極ａ−１２が、ノ（ネル１
の外側に出る様に構成されており、走査用電極＆−１２
の金属層ａ−１４にリード線會）−ンダ付けにより１１
！続し、ドライバーｂＫ接続させる。
る場合のＨａパネルａパターンである。上基板ａ−３に
形成された信号用電極ａ−１３Ｆｉ、液晶パネルａの上
下に振り分けられて、液晶パネルａの信号用電極ａ −
１５’Ｉ’ｌ、パネルａの両サイドの端子を形成し、両
側端子となっている。液晶パネルａの士＠］端子に出る
信号用電型ａ−１５パターンと、下＊＊子に出る信号用
電極パターンは、１つずつ交互に出ている。信号用電極
ａ ｌ５Ｆｉｓ端子部からライトパルプａ−を部の近
傍までは金＠４ ａ −１４が形成されている。走査用
電極ａ −１２の走る部分下の信号用電極ａ−１３ｒｉ
透明電極で構成されている。上着板＆−１１に構成さｎ
次走査用１１極ａ−１２ｔ′ｉライトバルブａ−１８１
１ｋ除いて全て金属ｍａ−１４で憶われている。なお、
液晶パネルａＯ上基板ａ −５と下基板ａ −４は、下
基板ａ −４Ｆｉ端子部が外側に出る様に構成され上基
板ａ −Ｓ Ｆｉ、走査用電極ａ−１２が、ノ（ネル１
の外側に出る様に構成されており、走査用電極＆−１２
の金属層ａ−１４にリード線會）−ンダ付けにより１１
！続し、ドライバーｂＫ接続させる。
上記金属層ａ−１４の上に８１０２層ａ −１４Ｖ形成
させる。これは、上下基板！Ｌ−３１！Ｌ−４よに形成
した８１０１４ａ−１１と同様のスノ（ツタ、蒸着等の
方法で形成さｎる。
させる。これは、上下基板！Ｌ−３１！Ｌ−４よに形成
した８１０１４ａ−１１と同様のスノ（ツタ、蒸着等の
方法で形成さｎる。
上記８１０！層ａ−１６上に、ポリイミド會ポリイミド
アミドーシラン等の配同剤噛ａ−１７’ｔディッピング
！スプレー等の方法で形成する。次にラビングにより、
水平配向処理を行なう。
アミドーシラン等の配同剤噛ａ−１７’ｔディッピング
！スプレー等の方法で形成する。次にラビングにより、
水平配向処理を行なう。
（本液晶パネル構造による効果］
第５ｉｌｌ（ａ）〜（ｂ）に示した構造の液晶ノ（ネル
を構成すると、下記効果がある。
を構成すると、下記効果がある。
第１Ｋ、液晶パネルａが磯デユーティ−で駆動される為
、スタチック駆動に比べてドライノ（−（・ｗ４２図ｂ
）ｅ数が半減出来る。
、スタチック駆動に比べてドライノ（−（・ｗ４２図ｂ
）ｅ数が半減出来る。
＠２Ｋ、信号用ＩＩ極ａ−１５と走査用電極ａ−１２の
端子部にＮ１等の金属層ａ−１４が形成されており、ド
ライバーｂが搭載される基板ｄとの接続が、例えばフレ
キシブル基板Ｘ’を介し九ノ・ンダ付で可能となり接続
抵抗を小さくでき、かつ接続の（１１頼性が高まる。
端子部にＮ１等の金属層ａ−１４が形成されており、ド
ライバーｂが搭載される基板ｄとの接続が、例えばフレ
キシブル基板Ｘ’を介し九ノ・ンダ付で可能となり接続
抵抗を小さくでき、かつ接続の（１１頼性が高まる。
′ａ３に、透明（ｑ４ａ −１２１ａ−１５士にさらに
金ｘ＋＊ａ−１４が形成さｎている為、ドライノ（−（
第２回ｂ）から液晶物質ａ −２に至る電気抵抗を小さ
くでき、時定数を低く抑えられる。これは、高−波で液
晶を駆動させ、高速応答を実現させる不発明の印写装＊
Ｇｍ１図ム）に於てげ、特に重要である。
金ｘ＋＊ａ−１４が形成さｎている為、ドライノ（−（
第２回ｂ）から液晶物質ａ −２に至る電気抵抗を小さ
くでき、時定数を低く抑えられる。これは、高−波で液
晶を駆動させ、高速応答を実現させる不発明の印写装＊
Ｇｍ１図ム）に於てげ、特に重要である。
ｗ４４に、液晶パネルａのライトパルプ部ａ −１の走
査用電極ａ−１２部にライトバルブａ−１部を除いて全
１ｇ４層ａ −１４’Ｉｔ形成し、反対側の信号用ｌａ
ｍａ−１ｓのライトパルプ１１−１部には金属層ａ −
１４１１−形成させず透明な為、光学系の位置合わせが
容易である。
査用電極ａ−１２部にライトバルブａ−１部を除いて全
１ｇ４層ａ −１４’Ｉｔ形成し、反対側の信号用ｌａ
ｍａ−１ｓのライトパルプ１１−１部には金属層ａ −
１４１１−形成させず透明な為、光学系の位置合わせが
容易である。
第５に、金属層ａ−１４により、光の遮断が行なわれる
為、ライトバルブ＆ −１部以外の部分の？４れがなく
、感光ドラム（第２図Ｂ）土のａ偉め８Ａ比が土がり、
鮮明な印写が実現できる。
為、ライトバルブ＆ −１部以外の部分の？４れがなく
、感光ドラム（第２図Ｂ）土のａ偉め８Ａ比が土がり、
鮮明な印写が実現できる。
第６に、金属層＆−１４による光の遮断が行なわれる為
、走査用１１４１ａ−１２の巾ｔ、ライトパルプａ−１
径に比較して大きく取れ、従って、走査用ミーミー１２
ラインの抵抗値を低く抑えられ液晶ａ−２の高速応答性
の実現に役立つ。
、走査用１１４１ａ−１２の巾ｔ、ライトパルプａ−１
径に比較して大きく取れ、従って、走査用ミーミー１２
ラインの抵抗値を低く抑えられ液晶ａ−２の高速応答性
の実現に役立つ。
（液晶）
１１５図の液晶パネルａＫ充填される液晶物質は、ネマ
チック型であり、 Ｒ１−Ｃ）Ｃｏｏ−ｅ−ＯＲ−（化合物１）Ｒ８０＋Ｃ
ＯＯ−０−Ｃ００−ＣＦｃソＮ（化合物３）の混合物で
ある。ここで、Ｒ１−Ｒ２・Ｒ／〜Ｂ３′は、アルキル
基 ＣｎＨ２ｎ＋１− アルコキシ基 ＣｎＨ１ｎ＋１０− シアノ基 −Ｃ三ｙ のいずれかであｐ、ｎ１ｊｌ〜２０である。
チック型であり、 Ｒ１−Ｃ）Ｃｏｏ−ｅ−ＯＲ−（化合物１）Ｒ８０＋Ｃ
ＯＯ−０−Ｃ００−ＣＦｃソＮ（化合物３）の混合物で
ある。ここで、Ｒ１−Ｒ２・Ｒ／〜Ｂ３′は、アルキル
基 ＣｎＨ２ｎ＋１− アルコキシ基 ＣｎＨ１ｎ＋１０− シアノ基 −Ｃ三ｙ のいずれかであｐ、ｎ１ｊｌ〜２０である。
化合物１は、粘度低減の為に用いられる。化合物１１Ｉ
ｉ、粘纜が低い上に、緩和８波数も低くとれる有用な化
合物で、ある。例えばビフェニール液晶と比較して、化
合＠ Ｉ Ｈ１駆動周波数が１桁小さい。・又、広い動
作１度範囲を持つ。
ｉ、粘纜が低い上に、緩和８波数も低くとれる有用な化
合物で、ある。例えばビフェニール液晶と比較して、化
合＠ Ｉ Ｈ１駆動周波数が１桁小さい。・又、広い動
作１度範囲を持つ。
化合＠２は、液晶分子の高周波における誘電異方性の絶
対値を大きく取る為に使用する。
対値を大きく取る為に使用する。
化合物３σ、液晶分子の低周波における透電異方性の絶
対値を大きくするため′に用いる。
対値を大きくするため′に用いる。
第１表は、本発明の印写装ｆＪ１１に便用する液晶物質
の実ＩＭガである。
の実ＩＭガである。
第１表
第４図−）Ｆｉ、第１表に示す液晶を使用したときの誘
電異方性の周波数による変化を示す、液晶分子の翅軸方
向の誘電異方性Ｃ１は、はぼ１．８で１＃波数による変
化はないが、長軸方向の誘電異方性ｔ、、ｒｉ、低周波
では正であるが、為周波では負となる。従って、全体の
誘電異方性Δｔ＝ｔ１１−ｔＪＬに低いｌＩ［数で正の
値ｔと９、約１５ ＫＨｚで零、それよりＩＩＩＩ％／
′ｈ＃波数で負の値ｔとる。従って、低周波で駆動し次
ときは、液晶は長軸方向が基板に垂直罠配向し、為周波
で駆動すると、液晶は長軸方向が、基ＩＩｊＬＫ対して
平行に配向する。
電異方性の周波数による変化を示す、液晶分子の翅軸方
向の誘電異方性Ｃ１は、はぼ１．８で１＃波数による変
化はないが、長軸方向の誘電異方性ｔ、、ｒｉ、低周波
では正であるが、為周波では負となる。従って、全体の
誘電異方性Δｔ＝ｔ１１−ｔＪＬに低いｌＩ［数で正の
値ｔと９、約１５ ＫＨｚで零、それよりＩＩＩＩ％／
′ｈ＃波数で負の値ｔとる。従って、低周波で駆動し次
ときは、液晶は長軸方向が基板に垂直罠配向し、為周波
で駆動すると、液晶は長軸方向が、基ＩＩｊＬＫ対して
平行に配向する。
本液晶には、さらに光学活性剤
Ｃ＠ Ｈｌｇ−０−ｏ−ＣＯＯ−Ｏ−０００−２−ｄ−
（１４Ｈｌｑが、２〜ｓｓ添加されている。こｎＫより
、固有ら旋ピッチ約４μｍの長鳩期コレステリック相の
液晶構造を有する。
（１４Ｈｌｑが、２〜ｓｓ添加されている。こｎＫより
、固有ら旋ピッチ約４μｍの長鳩期コレステリック相の
液晶構造を有する。
上述の様に構成された液晶パネルａは、緩和周ａ数が２
５℃で５ ＫＨｚと低かった。従って、その分駆動が簡
単であり、かつ消費１力が少なくて済んだ。又、低周波
Ｏ−での′ｔｓ１１ＩＩ異方性が、例えば５００Ｈ，Ｚ
で６と大きく、かつ高１１１ｆｆ数例えば、７０ＫＨｚ
で５と大きく、液晶分子ａ−１の配向側、御には充分で
あった。父、液晶分子の粘性が、約１０ｃｐｓと低く、
すぐれた応答性を示し、ｌ＆鞠波駆動に適しており、例
えば７０ ＫＨｇの高周波ＩＩＡ＃ＪＫ対しても、充分
に速い応答性ｒ示し九。ＳＯＶの１圧を印加し、低周波
は５００Ｈｚ、高周波は７０ＫＨｚで３０℃の零註気中
で駆動させると、立上り、立Ｆが９、共にα１〜０５ｍ
５の応答スピードが得られた。こｎは、通常の液晶パネ
ルの応答スピードが数十〜数百ｍＢであるのに対し、２
ケタ程速いものである。この優ｎ九応答スピードにエフ
本発明の印写装置（第１図Ａ）は非常に高速の印写シス
テムｔ−実現できる。
５℃で５ ＫＨｚと低かった。従って、その分駆動が簡
単であり、かつ消費１力が少なくて済んだ。又、低周波
Ｏ−での′ｔｓ１１ＩＩ異方性が、例えば５００Ｈ，Ｚ
で６と大きく、かつ高１１１ｆｆ数例えば、７０ＫＨｚ
で５と大きく、液晶分子ａ−１の配向側、御には充分で
あった。父、液晶分子の粘性が、約１０ｃｐｓと低く、
すぐれた応答性を示し、ｌ＆鞠波駆動に適しており、例
えば７０ ＫＨｇの高周波ＩＩＡ＃ＪＫ対しても、充分
に速い応答性ｒ示し九。ＳＯＶの１圧を印加し、低周波
は５００Ｈｚ、高周波は７０ＫＨｚで３０℃の零註気中
で駆動させると、立上り、立Ｆが９、共にα１〜０５ｍ
５の応答スピードが得られた。こｎは、通常の液晶パネ
ルの応答スピードが数十〜数百ｍＢであるのに対し、２
ケタ程速いものである。この優ｎ九応答スピードにエフ
本発明の印写装置（第１図Ａ）は非常に高速の印写シス
テムｔ−実現できる。
第４図（、ｃ） ｒｉｌ、 ＪＥ顧９液晶−（ネルａの
液晶構造を示している。基板ａ ３ ＊ ａ ４Ｋ
ｎｓ ラビング、８１０又は８１０．の蒸着により、液
晶分子ａ −２の配向処理がされている。例えばラビン
グの場合は上基板ａ −５は、紙面に垂直に、土から下
に向けてラビングされ、下基板ａ −４ｒ１紙面に平行
に、左から右のラビングがされている。±下基板ａ−３
＊ａ４を入れ替えても良い。８１０ ｅ Ｓｉｎｇの蒸
着で、等価的な状ａｔつく９出してもよい。土下基１１
ａ ３ｔ＆ ４に、このような配向処３ｍｋすると
、液晶分子ａ −２Ｆｉ頭と尾を第４幽（ｅ）の様に向
けて配向される。即ち、液晶分子＆−２＃−を約４５０
°回転さｎて配向する。
液晶構造を示している。基板ａ ３ ＊ ａ ４Ｋ
ｎｓ ラビング、８１０又は８１０．の蒸着により、液
晶分子ａ −２の配向処理がされている。例えばラビン
グの場合は上基板ａ −５は、紙面に垂直に、土から下
に向けてラビングされ、下基板ａ −４ｒ１紙面に平行
に、左から右のラビングがされている。±下基板ａ−３
＊ａ４を入れ替えても良い。８１０ ｅ Ｓｉｎｇの蒸
着で、等価的な状ａｔつく９出してもよい。土下基１１
ａ ３ｔ＆ ４に、このような配向処３ｍｋすると
、液晶分子ａ −２Ｆｉ頭と尾を第４幽（ｅ）の様に向
けて配向される。即ち、液晶分子＆−２＃−を約４５０
°回転さｎて配向する。
ＩＩ４幽（ｂ）Ｆｉ、光学活性剤を添加したときの、光
学活性剤のａ＃と、液晶層厚の相関による液晶分子ａ−
２の回転角度を表わして゛いる。斜線部が液晶分子ａ−
２の配向が４５０°のライス）ｌ（形成する場合であっ
た。即ち、光学活性剤が２ｗｔ％のときは、液晶層厚は
、約４〜６ｓｒｎＫしなくてはならず、３ｗｔ％のとき
は、約３〜４．５μｍｆｃ（。
学活性剤のａ＃と、液晶層厚の相関による液晶分子ａ−
２の回転角度を表わして゛いる。斜線部が液晶分子ａ−
２の配向が４５０°のライス）ｌ（形成する場合であっ
た。即ち、光学活性剤が２ｗｔ％のときは、液晶層厚は
、約４〜６ｓｒｎＫしなくてはならず、３ｗｔ％のとき
は、約３〜４．５μｍｆｃ（。
なくてはならない。こｎＦｉ、液晶パネルの間隙を決め
、次いで光学活性剤の濃［２決めるか、逆に、の層厚を
決めればよく、その操作は極めて容易である。
、次いで光学活性剤の濃［２決めるか、逆に、の層厚を
決めればよく、その操作は極めて容易である。
′ａ４図（ｄ）Ｆｉ肯学活性剤の添加量を変えたときの
液晶パネルの応答スピードを表わしている。液晶パネル
ａへの印加信号は、０〜０５ｍ５１１！ｌｌｌハ、ライ
トパルプを開ける信号を入れ、α５〜ｔｍｓ間は閉じる
信号を入れている。これを見ると、光学活性剤が全くな
い状態、即ち９０’ 配向の状態では光の透過率は５０
ｔｌＩ１ｍ度であり、がっ、応答スピードも悪い。そし
て、光学活性剤の添加量がＺ Ｏ〜Ａ Ｏｗ ｔ ％の
間、即ち１ｍ１ＩＳＯ配置’ａＪ＄約４ｓｏ”で光の透
過率が１００憾となり、かつ、ＯＮ。
液晶パネルの応答スピードを表わしている。液晶パネル
ａへの印加信号は、０〜０５ｍ５１１！ｌｌｌハ、ライ
トパルプを開ける信号を入れ、α５〜ｔｍｓ間は閉じる
信号を入れている。これを見ると、光学活性剤が全くな
い状態、即ち９０’ 配向の状態では光の透過率は５０
ｔｌＩ１ｍ度であり、がっ、応答スピードも悪い。そし
て、光学活性剤の添加量がＺ Ｏ〜Ａ Ｏｗ ｔ ％の
間、即ち１ｍ１ＩＳＯ配置’ａＪ＄約４ｓｏ”で光の透
過率が１００憾となり、かつ、ＯＮ。
ＯＦＦの応答スピードも蛾も速い。そして、光学活性剤
の添加量がムＯｗｔ％ｉ（越え、液晶の配向角が６３０
°以よになると、液晶パネルのライトパルプの応答スピ
ードは遅くなり、かつ光透過性も１００俤に達すること
ができず、落ちてくる。
の添加量がムＯｗｔ％ｉ（越え、液晶の配向角が６３０
°以よになると、液晶パネルのライトパルプの応答スピ
ードは遅くなり、かつ光透過性も１００俤に達すること
ができず、落ちてくる。
第４図（ａ）は、このようにして製造され走液晶パネル
に高１１＆（約７０ ＫＨｇ ）の電界（約５０１）會
印加し、ｆＩＩＪ＆ライトバルブを開けて光を透過させ
、温度−透過介エネルギー関係ｔプロットし九グラフで
ある。縦軸は透過光エネルギーの相対値を示す。このグ
ラフから液晶ライトノくルプは、液晶パネルａの温度が
、３５℃〜４７℃の間に、最も光エネルギーを透過させ
、それ以下でも以上でも液晶ライトパルプの光透過エネ
ルギー強度が弱まることがわかつ次。これは、液晶パネ
ルに印加する電圧が５〜４０Ｖのどの１圧でも成り立ち
、かつ、高１ｉｌｔＩＬ電界のｗ４ｍ数が、２０ＫＨｚ
〜３００連１のどの一波数でも同様に成り立った。又
、七ル犀が５〜１２μ間で同様の関係が成立した。本液
晶パネル１は、第２図に示す様に、液晶パネルｈＫヒー
ターｆと、温硬センサーｈｋｍｆｆ付け、サラにヒータ
ーｆとｆｉｌｌセンサーｈｙヒーターコントローラＲＫ
接続してフィードバック系葡構成し、涼蟲パネルａが一
定のｉ１度に保たれる様に制御している。なお、醐足ｉ
ｉ＊は２５℃であった。
に高１１＆（約７０ ＫＨｇ ）の電界（約５０１）會
印加し、ｆＩＩＪ＆ライトバルブを開けて光を透過させ
、温度−透過介エネルギー関係ｔプロットし九グラフで
ある。縦軸は透過光エネルギーの相対値を示す。このグ
ラフから液晶ライトノくルプは、液晶パネルａの温度が
、３５℃〜４７℃の間に、最も光エネルギーを透過させ
、それ以下でも以上でも液晶ライトパルプの光透過エネ
ルギー強度が弱まることがわかつ次。これは、液晶パネ
ルに印加する電圧が５〜４０Ｖのどの１圧でも成り立ち
、かつ、高１ｉｌｔＩＬ電界のｗ４ｍ数が、２０ＫＨｚ
〜３００連１のどの一波数でも同様に成り立った。又
、七ル犀が５〜１２μ間で同様の関係が成立した。本液
晶パネル１は、第２図に示す様に、液晶パネルｈＫヒー
ターｆと、温硬センサーｈｋｍｆｆ付け、サラにヒータ
ーｆとｆｉｌｌセンサーｈｙヒーターコントローラＲＫ
接続してフィードバック系葡構成し、涼蟲パネルａが一
定のｉ１度に保たれる様に制御している。なお、醐足ｉ
ｉ＊は２５℃であった。
上述の様に作らｎた本発明の液晶パネルａｔｆ、対禰境
性、エージング性も極めて優ｎたものであつた。例えば
６０℃ｔ９１１ＲＨで１ケ月間放置しても配向、消費Ｉ
ｒ度直に何ら問題は生じなかった。又、８０℃の雰囲気
中に３ケ月間放置しても同様に伺ら問題は生ぜず −３
０℃の雰囲気中に１週間放置しても図の異型も生じなか
った。
性、エージング性も極めて優ｎたものであつた。例えば
６０℃ｔ９１１ＲＨで１ケ月間放置しても配向、消費Ｉ
ｒ度直に何ら問題は生じなかった。又、８０℃の雰囲気
中に３ケ月間放置しても同様に伺ら問題は生ぜず −３
０℃の雰囲気中に１週間放置しても図の異型も生じなか
った。
本液晶パネルａ＃ｉ、この様に、従来のＤＩ３Ｍ型の液
晶パネルとは完全に異な９、信頼性、エージング性にお
いても充分実用に耐え得るものである。
晶パネルとは完全に異な９、信頼性、エージング性にお
いても充分実用に耐え得るものである。
従来、ＤＳＭ型の液晶表示パネルは、ｆ＊乱用にドーパ
ン）を添加している為、信頼性の点で問題があり、かつ
、消費電流も大キく、はとんど実用化さｎなかつ次が、
本願の印写ａ壇は、ツイストネマチック型を用い、信頼
性を基本的に改善し、かつ、消費電流も改善している。
ン）を添加している為、信頼性の点で問題があり、かつ
、消費電流も大キく、はとんど実用化さｎなかつ次が、
本願の印写ａ壇は、ツイストネマチック型を用い、信頼
性を基本的に改善し、かつ、消費電流も改善している。
又、液晶パネルａのｍ１會一定に保つことにエリ、高速
の印写を実現されている。
の印写を実現されている。
（液晶駆動方法）
液晶の駆動はスタチック、又はＡデユーティ−のダイナ
ミック駆動で行なわｎる。低１１ｍと高鳩直の２周波駆
ｄｌｂ’ｖ行ない、高速スイッチングを行ｅ５＊ＩＩｇ
５図（ａ）ｒｉ、液晶ライトノくルブの駆動概念図を示
す。
ミック駆動で行なわｎる。低１１ｍと高鳩直の２周波駆
ｄｌｂ’ｖ行ない、高速スイッチングを行ｅ５＊ＩＩｇ
５図（ａ）ｒｉ、液晶ライトノくルブの駆動概念図を示
す。
液晶は、高周波に於て誘電異方性ΔＣが負であり、低周
波に於てΔｅが正である。液Ｉ＃＆は、上下基板ａ
Ｓｓａ ４に対して平行に配向され、一定角度でツイ
ストしている。上下偏光板は液晶ノ（ネルａＫ電界を印
加じない状−で、光が透過するよう一１液晶パネルａの
上下に配されている。上下偏光板の偏光軸は、互いに約
９０６となっている。
波に於てΔｅが正である。液Ｉ＃＆は、上下基板ａ
Ｓｓａ ４に対して平行に配向され、一定角度でツイ
ストしている。上下偏光板は液晶ノ（ネルａＫ電界を印
加じない状−で、光が透過するよう一１液晶パネルａの
上下に配されている。上下偏光板の偏光軸は、互いに約
９０６となっている。
従って液晶印加電界の周波数が低く、ΔＣが正の状態で
は、液晶は長軸方向が上下基板ａ Ａ ｅ ａ−４に
対して概垂直に配向し一液晶・（ネルに入射し走光はカ
ットされ、感光ドラムに伝えられない。
は、液晶は長軸方向が上下基板ａ Ａ ｅ ａ−４に
対して概垂直に配向し一液晶・（ネルに入射し走光はカ
ットされ、感光ドラムに伝えられない。
逆に、液晶印加電界の周波ａか高く、Δ１１の状態では
、漬畠は長軸方向が上下２ｉｉ ＠ ａ −３・ａ−４
に対して概平行に配向され、液晶〕（ネルａに入射し走
光はカットされずに）（ネルａ１ｃｍ通り抜け、感光ド
ラム（ｗ４１図Ｂ）Ｋ伝えられる。
、漬畠は長軸方向が上下２ｉｉ ＠ ａ −３・ａ−４
に対して概平行に配向され、液晶〕（ネルａに入射し走
光はカットされずに）（ネルａ１ｃｍ通り抜け、感光ド
ラム（ｗ４１図Ｂ）Ｋ伝えられる。
ｗ４５図（ｂ）Ｆｉ、’Ａデユーティー駆動される時の
液晶の駆動波形を示す。００Ｍ−１、Ｃ０Ｍ−２は走査
用電極に印加される走査信号である。Ｔ、？’！１局期
である。ＯＯＭ −Ｉ Ｋついて説明すると、最初の半
周期中の時間７８間に波高値が＋Ｖ、〜−ｖ１の高周波
が印加されて選択状態となり７３間で低周波が印加され
て非選択状態となり、次の半分の周期（Ｔ４＋Ｔ１Ｂ）
で同じく波高値が＋ｖ１〜−Ｖ、の低周波電圧が印加さ
ｎて、００Ｍ−１の非選択状態とする。（ｇＫＯＯＭ−
２ｄＣＯＭ−１と逆’１ｃｓＦＲ期ＴＩの最初の半周期
（Ｔ、＋Ｔ、）で波高値が＋Ｖ、〜−ｖ１の低８波電圧
が印加されて非選択状態であるが、後半の半周期中のＴ
４で波高値が＋Ｖ、〜−ｖ１の高周波電圧が印加されて
、選択状態となる。
液晶の駆動波形を示す。００Ｍ−１、Ｃ０Ｍ−２は走査
用電極に印加される走査信号である。Ｔ、？’！１局期
である。ＯＯＭ −Ｉ Ｋついて説明すると、最初の半
周期中の時間７８間に波高値が＋Ｖ、〜−ｖ１の高周波
が印加されて選択状態となり７３間で低周波が印加され
て非選択状態となり、次の半分の周期（Ｔ４＋Ｔ１Ｂ）
で同じく波高値が＋ｖ１〜−Ｖ、の低周波電圧が印加さ
ｎて、００Ｍ−１の非選択状態とする。（ｇＫＯＯＭ−
２ｄＣＯＭ−１と逆’１ｃｓＦＲ期ＴＩの最初の半周期
（Ｔ、＋Ｔ、）で波高値が＋Ｖ、〜−ｖ１の低８波電圧
が印加されて非選択状態であるが、後半の半周期中のＴ
４で波高値が＋Ｖ、〜−ｖ１の高周波電圧が印加されて
、選択状態となる。
即ち、周期Ｔ、中で時間Ｔ！間がＣ０Ｍ−１ラインの選
択時間、Ｕ！ ｌｅ ＴＡ閣が００Ｍ−２ラインの選択
時間であるが、暗闇Ｔ、間とＴＩＩ′１５Ｆ′ｉ非選択
時間である。本発明に於て１ｄＴ１ｔｊ２ｍｓｔＴ１と
Ｔ４ハα６ｍａ ＊ ＴＢとＴＡＵα４ｍｓ＋で実験し
＆、時間Ｔｌ ＊ ７４間に第５図（ｂ）に示す低周波
波形を印加させて、液晶シャッターを閉じるのはシャッ
ター効果菅良くするためである。
択時間、Ｕ！ ｌｅ ＴＡ閣が００Ｍ−２ラインの選択
時間であるが、暗闇Ｔ、間とＴＩＩ′１５Ｆ′ｉ非選択
時間である。本発明に於て１ｄＴ１ｔｊ２ｍｓｔＴ１と
Ｔ４ハα６ｍａ ＊ ＴＢとＴＡＵα４ｍｓ＋で実験し
＆、時間Ｔｌ ＊ ７４間に第５図（ｂ）に示す低周波
波形を印加させて、液晶シャッターを閉じるのはシャッ
ター効果菅良くするためである。
１３ａｌｌ ＯＮ Ｆ’、セグメントＣ！ＯＭ１．（！
Ｏ’Ｍ２ラインの交点を共に点灯させる為に、セグメン
トに印加する駆動波形である。即ち、時間Ｔ、内で波高
値がｖ、 〜−ｖｌで、（７０Ｍ １と００Ｍ２の高周
波波形と逆相の電圧が印加される。ＣＯＭｌ−８ａｌｌ
ＯＭｔｊ、走査用″４１＠ａ−１２００Ｍ１と８５Ｌ１
１ ＯＮ波形が印加された信号用電極ａ−１３の交点の
液晶に印加される駆動波形を示す。上記交点の液晶印加
ｌｅ形は時間７３間は波高値が２Ｖ１〜−２ｖ１の高周
波形が印加され、△Ｃは負となり、液晶′４！Ｊ貴は長
軸方向が上下基板ａ３ｓａ４に平行になるように配向さ
れ、ライトパルプａ −１が闘い良状態となり、上記交
点部分に入射した光は感光ドラム１１図Ｂ）Ｋ伝えら詐
る。７４間に、波高値が２ｖ、〜０の高１ＩｌｌｆＩＬ
波形が印加され、７４間は波高値が（ｌ〜−２Ｖ、の高
ｌｌ１ｌｔＩｊｔ１２［形が印加され、光ｔカットする
。全体としてみると、Ｔ１間で、ライトパルプが開けら
れ、感光ドラムｔＩＩＡ′ｙｔするのに充分な光エネル
ギーが透過さｎるので、交点部分に対応した漕倫が感光
ドラム土に形成さｎ今。
Ｏ’Ｍ２ラインの交点を共に点灯させる為に、セグメン
トに印加する駆動波形である。即ち、時間Ｔ、内で波高
値がｖ、 〜−ｖｌで、（７０Ｍ １と００Ｍ２の高周
波波形と逆相の電圧が印加される。ＣＯＭｌ−８ａｌｌ
ＯＭｔｊ、走査用″４１＠ａ−１２００Ｍ１と８５Ｌ１
１ ＯＮ波形が印加された信号用電極ａ−１３の交点の
液晶に印加される駆動波形を示す。上記交点の液晶印加
ｌｅ形は時間７３間は波高値が２Ｖ１〜−２ｖ１の高周
波形が印加され、△Ｃは負となり、液晶′４！Ｊ貴は長
軸方向が上下基板ａ３ｓａ４に平行になるように配向さ
れ、ライトパルプａ −１が闘い良状態となり、上記交
点部分に入射した光は感光ドラム１１図Ｂ）Ｋ伝えら詐
る。７４間に、波高値が２ｖ、〜０の高１ＩｌｌｆＩＬ
波形が印加され、７４間は波高値が（ｌ〜−２Ｖ、の高
ｌｌ１ｌｔＩｊｔ１２［形が印加され、光ｔカットする
。全体としてみると、Ｔ１間で、ライトパルプが開けら
れ、感光ドラムｔＩＩＡ′ｙｔするのに充分な光エネル
ギーが透過さｎるので、交点部分に対応した漕倫が感光
ドラム土に形成さｎ今。
次に、走査用電極ａ−１２００Ｍ２と８ａ１１ＯＮ波形
が印加された交点の液晶に印加される合成波形は、Ｏ０
Ｍ２−８ａｌｌ ＯＮである。同期Ｔ。
が印加された交点の液晶に印加される合成波形は、Ｏ０
Ｍ２−８ａｌｌ ＯＮである。同期Ｔ。
の前半、即ち、００Ｍ１電極の走査時７８間は、液晶ラ
イトパルプは閉じられているが、周期Ｔ１の後半、即ち
００Ｍ２電極の走査時７４間は、液晶ライトパルプが開
けらｎていることが示されている。
イトパルプは閉じられているが、周期Ｔ１の後半、即ち
００Ｍ２電極の走査時７４間は、液晶ライトパルプが開
けらｎていることが示されている。
即ち、周期Ｔ、の後半、００Ｍ２Ｏ選択時Ｔ番間に、液
晶ライトパルプａ −１ｆ通じて感光ドラムに、よ記交
点に対応した潜儂ｒ形成するに充分な光エネルギーが与
えられる。
晶ライトパルプａ −１ｆ通じて感光ドラムに、よ記交
点に対応した潜儂ｒ形成するに充分な光エネルギーが与
えられる。
即ち、５ａ１１ＯＮ ｊＨ号が信号用′Ｉｌｌ極に印加
されルト、上記ＩＩ 極ト走査用電＠ＣＯＭ １ｅ Ｃ
０Ｍ２の両者の交点部分のライトパルプが開けられ、感
光ドラム士に潜像ｒ形成させるだけの充分な光エネルギ
ーが通過する。
されルト、上記ＩＩ 極ト走査用電＠ＣＯＭ １ｅ Ｃ
０Ｍ２の両者の交点部分のライトパルプが開けられ、感
光ドラム士に潜像ｒ形成させるだけの充分な光エネルギ
ーが通過する。
＠５１Ｗ（ｂｌＤ信愕５ａ１１ＯＦＦ Ｊｄ走査用電４
ｍ−１２ｃｏＭｔと００Ｍ２の交点のライトバルブａ
−１會共に閉じる為に信号用１１檀ａ−１３に印加され
る信号である。
ｍ−１２ｃｏＭｔと００Ｍ２の交点のライトバルブａ
−１會共に閉じる為に信号用１１檀ａ−１３に印加され
る信号である。
走査用＠極ｈ−１２００ＭＩと、８ａ’１ｌＯＦＦ個号
が印加され喪信号用電ｍａ−１３の交点部分の液晶に印
加されるＣＯＭＩと８ａｌｌＯＦＦの合成波形は、ｃｏ
Ｍｌ−Ｅｉａｌｌ ＯＦＦである。即ち、周期Ｔ、の前
半、ａ ＯＭ １１％の走食時Ｔ、関ｌ／ｃｒｊライト
パルプが閉じられている。ま九、周期Ｔ１の後半、００
Ｍ２電極の走査時７４間は、合成波形は波高値が２’Ｖ
ｔ〜−２Ｖ、の低ｍ波であり、この時、液晶のΔＣは正
であり、液晶は長軸方向が土工基板ａ−３ｅａ−４にほ
ぼ垂直に配向し、光ＩＩ′ｉ遮断される。つまり、周期
Ｔ、の全体にわ走って走査弔電４ＣＯＭ１と８ａｌｌ
ｏｙｙｒ＠号の印加された信号用電極の交点部分のライ
トパルプは閉じられ、感光ドラム上に上記交点部分の漕
儂は形成さｎない。
が印加され喪信号用電ｍａ−１３の交点部分の液晶に印
加されるＣＯＭＩと８ａｌｌＯＦＦの合成波形は、ｃｏ
Ｍｌ−Ｅｉａｌｌ ＯＦＦである。即ち、周期Ｔ、の前
半、ａ ＯＭ １１％の走食時Ｔ、関ｌ／ｃｒｊライト
パルプが閉じられている。ま九、周期Ｔ１の後半、００
Ｍ２電極の走査時７４間は、合成波形は波高値が２’Ｖ
ｔ〜−２Ｖ、の低ｍ波であり、この時、液晶のΔＣは正
であり、液晶は長軸方向が土工基板ａ−３ｅａ−４にほ
ぼ垂直に配向し、光ＩＩ′ｉ遮断される。つまり、周期
Ｔ、の全体にわ走って走査弔電４ＣＯＭ１と８ａｌｌ
ｏｙｙｒ＠号の印加された信号用電極の交点部分のライ
トパルプは閉じられ、感光ドラム上に上記交点部分の漕
儂は形成さｎない。
ｌＩ５図６）の波形（：！０Ｍ２−日ａｌｌ ＯＦＦは
、走査弔電＠ ａ−１２００Ｍ ２と８ａｌｌ ＯＦＦ
信号の印加され九傭号用電極ａ−１３の交点部分に印加
さｎる駆ａｍ合成波形である。ＯＯＭ １−８ ａｌｌ
ＯＦＦ波形の説明と同様に、周期Ｔ、の全体にわ次っ
てライトパルプは閉じられ、光は感光ドラムよへ伝えら
れない。
、走査弔電＠ ａ−１２００Ｍ ２と８ａｌｌ ＯＦＦ
信号の印加され九傭号用電極ａ−１３の交点部分に印加
さｎる駆ａｍ合成波形である。ＯＯＭ １−８ ａｌｌ
ＯＦＦ波形の説明と同様に、周期Ｔ、の全体にわ次っ
てライトパルプは閉じられ、光は感光ドラムよへ伝えら
れない。
即ち、Ｓ ａｌｌ ＯＦＦ 信号が信号用ＩＩｅａ−１
！５に印加されると、上記信号用電極ａ−１３と、走査
弔電４ａ−１２ＣＯＭ１ ｔ Ｃ０Ｍ２の交点部分のラ
イトパルプａ −１ｆｉ 周期Ｔ、の全体にわたって閉
じられ、光エネルギーを感光ドラム上へ伝えない。
！５に印加されると、上記信号用電極ａ−１３と、走査
弔電４ａ−１２ＣＯＭ１ ｔ Ｃ０Ｍ２の交点部分のラ
イトパルプａ −１ｆｉ 周期Ｔ、の全体にわたって閉
じられ、光エネルギーを感光ドラム上へ伝えない。
次に、信号用電槽ａ−１３駆動傷号８．ｔ／Ｃついて述
べる。信号ｓ＊ｔ［ｓ図（ｂ） Ｋ示されている通りで
あり、同じく、ＩＷ１因に示されている波形ＣＯＭ １
−８．ｒｊ、走査用電極ＣＯＭｌと、信号８８の印加さ
れた信号用電極の交点部分の液晶に印加される合成駆動
波形であり、同じく波形Ｃ！ＯＭＺ ａｔは、走査用
電極＆−１２００Ｍ２と、信号８８の印加された信号用
電極ａ−１３の交点部分の液晶に印加さｎる合ＦｆＬ波
形である。こｎらの合！ｉｉ、披形を見ると、今までの
説明から、信号８．の印加された信号用電極ａ−１５と
、走査用電極ａ −１２００Ｍ’ １の交点部分のライ
トパルプは開けられて、光【通過させ、上記信号用電極
ａ−１５と、走査用電極ａ−１２ＣＯＭ２の交点部分の
ライトパルプａ −１＃−１閉じられ、光′に３１１断
する。
べる。信号ｓ＊ｔ［ｓ図（ｂ） Ｋ示されている通りで
あり、同じく、ＩＷ１因に示されている波形ＣＯＭ １
−８．ｒｊ、走査用電極ＣＯＭｌと、信号８８の印加さ
れた信号用電極の交点部分の液晶に印加される合成駆動
波形であり、同じく波形Ｃ！ＯＭＺ ａｔは、走査用
電極＆−１２００Ｍ２と、信号８８の印加された信号用
電極ａ−１３の交点部分の液晶に印加さｎる合ＦｆＬ波
形である。こｎらの合！ｉｉ、披形を見ると、今までの
説明から、信号８．の印加された信号用電極ａ−１５と
、走査用電極ａ −１２００Ｍ’ １の交点部分のライ
トパルプは開けられて、光【通過させ、上記信号用電極
ａ−１５と、走査用電極ａ−１２ＣＯＭ２の交点部分の
ライトパルプａ −１＃−１閉じられ、光′に３１１断
する。
次に、信号用電接ａ−１３駆動信１号Ｓ、について述べ
る。信号８．は第５図（ｂ） Ｋ示されている通りであ
り、同じく、同図に示されている波形ＣＯＭＩＢｔｕ、
走査弔電＄ａ−１２ＣＯＭ１と、信号Ｓ。
る。信号８．は第５図（ｂ） Ｋ示されている通りであ
り、同じく、同図に示されている波形ＣＯＭＩＢｔｕ、
走査弔電＄ａ−１２ＣＯＭ１と、信号Ｓ。
の印加され＆備考用電極ａ−１３の交点部分の液ａＫ印
加される合成駆動波形であり、同じく波形（！ＯＭ２
ｓ＊ｆｌ、走査用電極＆−１２Ｃ！ＯＭ２と、信号Ｓ
、の印加された信号！！４１１１極ａ−１３の交点部分
の諺晶に印加される合成波形である。こｎらの合成波形
を見ると、今までの１！明から、信号Ｓ８の印加さｎた
信号用電極ａ−１３と、走査用電極ａ−１２００Ｍ１の
交点部分のライトパルプは開けられて光音通過させ、上
記信号用電極ａ−１３と、走査用ＩＩ憔ａ−１２００Ｍ
２の交点部分のライトパルプ＆ −１は閉じられ、光を
遮断する。
加される合成駆動波形であり、同じく波形（！ＯＭ２
ｓ＊ｆｌ、走査用電極＆−１２Ｃ！ＯＭ２と、信号Ｓ
、の印加された信号！！４１１１極ａ−１３の交点部分
の諺晶に印加される合成波形である。こｎらの合成波形
を見ると、今までの１！明から、信号Ｓ８の印加さｎた
信号用電極ａ−１３と、走査用電極ａ−１２００Ｍ１の
交点部分のライトパルプは開けられて光音通過させ、上
記信号用電極ａ−１３と、走査用ＩＩ憔ａ−１２００Ｍ
２の交点部分のライトパルプ＆ −１は閉じられ、光を
遮断する。
なお、波高値ｖ１は＃Ｖ〜数十Ｖである。本装置Ｆｉｓ
ｏｖで試作した。又、低周波の１ｉ１８ｔｉＬ数は数百
Ｈｍであり、嶌ｉｉｉ＋波の周波数は数十〜数百Ｈｚで
ある。本ｆａｍｅ１１ｓ ｏ ＫＨｚで試作し念。又、
液晶の立上・立下スピードｎ （１１〜０５ｍ８であり
、周期Ｔ１は数ｍ８である。本Ｉｆ！ｆ１１け２ｍｓで
試作した。
ｏｖで試作した。又、低周波の１ｉ１８ｔｉＬ数は数百
Ｈｍであり、嶌ｉｉｉ＋波の周波数は数十〜数百Ｈｚで
ある。本ｆａｍｅ１１ｓ ｏ ＫＨｚで試作し念。又、
液晶の立上・立下スピードｎ （１１〜０５ｍ８であり
、周期Ｔ１は数ｍ８である。本Ｉｆ！ｆ１１け２ｍｓで
試作した。
このように駆動すると、磯デユーティー駆動である為、
スタチック駆動に比較してドライ バー（第２図ｂ）の
数が半減できる。
スタチック駆動に比較してドライ バー（第２図ｂ）の
数が半減できる。
又、波高値がせいぜい数十Ｖである為、ドライバーが、
集積度Ｏ，ｔｉ５イｃ Ｍ ＯＳ 、 ＰＭ０８１ Ｎ
ＭＯＢ等のＭＯＳ型で製造できる利点があり、ドライバ
ーを安価に入手できる。
集積度Ｏ，ｔｉ５イｃ Ｍ ＯＳ 、 ＰＭ０８１ Ｎ
ＭＯＢ等のＭＯＳ型で製造できる利点があり、ドライバ
ーを安価に入手できる。
さらに、本例の実施例の様に、低鞠波と高周波の電圧を
等しくすることにより、駆動用電源の電源レベルの数が
２つで良い。
等しくすることにより、駆動用電源の電源レベルの数が
２つで良い。
（ドライバー）
本１１Ｉｌ＃ｉｌハネル上に於いてマイクロシャッター
管１００μｍピッチで２０００個、２’０５１の長さに
直線状に作つ念。駆動方＠は、時系列の画素データに対
応して、マイクロシャッターを開閉できるような駆動用
集積回路を試作し、パネル上に実装した。駆動用集積回
路は１個当り、５０本の出力ドライバーを持つので、２
０００（ｉｌｍのマイクロシャッターに対して、パネル
の両側にそれぞｊＬ２０個づつ、計４０個１＊装し友。
管１００μｍピッチで２０００個、２’０５１の長さに
直線状に作つ念。駆動方＠は、時系列の画素データに対
応して、マイクロシャッターを開閉できるような駆動用
集積回路を試作し、パネル上に実装した。駆動用集積回
路は１個当り、５０本の出力ドライバーを持つので、２
０００（ｉｌｍのマイクロシャッターに対して、パネル
の両側にそれぞｊＬ２０個づつ、計４０個１＊装し友。
駆動する九めに必要な各４１１１−ｊ！波形のタイミン
グチャートと、それを実現する友めの回路ブロック１葡
第６図（ａ）と第６１伽）Ｋ示す。
グチャートと、それを実現する友めの回路ブロック１葡
第６図（ａ）と第６１伽）Ｋ示す。
１００１は動作開始のリセット信号、１００２は１ライ
ンのデータの開始を示すラインスタート信号、１ｏ’ｏ
＝はデータを要求するリクエストクロックで、ラインス
タート信号に同期して１ライン分ｚ゛ｏｏｏパルス送ら
れ、仁のクロックに同期してデータを受は取る。１００
４Ｈ液畠駆動用秦積回路のシフトレジスタのデータを転
送する九めＯシフトクロック、１００５はデータ転送が
終った直後にデータｔラッチするラッチパルスである。
ンのデータの開始を示すラインスタート信号、１ｏ’ｏ
＝はデータを要求するリクエストクロックで、ラインス
タート信号に同期して１ライン分ｚ゛ｏｏｏパルス送ら
れ、仁のクロックに同期してデータを受は取る。１００
４Ｈ液畠駆動用秦積回路のシフトレジスタのデータを転
送する九めＯシフトクロック、１００５はデータ転送が
終った直後にデータｔラッチするラッチパルスである。
ｔ００４．ｔｏ０７＋ｔｏ０８は液晶に印加される駆勘
疲形で、ｔｏ０８ｔ１共通電他信号であり、１００６の
ＯＮ信号の時ｖｃＩＩ！晶マイクロシャッターが關き、
１００７のｏｒ１信号の時に閉じる。
疲形で、ｔｏ０８ｔ１共通電他信号であり、１００６の
ＯＮ信号の時ｖｃＩＩ！晶マイクロシャッターが關き、
１００７のｏｒ１信号の時に閉じる。
ＯＮ信号、共通電極信号は高−波ｆｈと低１ｉ！１波ｆ
１の組み合わせで構成され、互いに位相が反転している
。０ＦＩＰ’ｆｇ号ＦｉＯＮｇｊ号のｆｊと同相の低ｍ
波である。またＯＮＮ信号１鴫期のうち高聞［ｆｊの期
間を開口時間と呼ぶ。次にこれ會実現する回路構成であ
るが、ｉＬ２ＭＨｚの基本クロック１０１０１デバイダ
１０１１で分局して各種波形を作る。１０１５で２ｍ５
ＮＱ１期のラインスタート信号を作９、すべてこの信号
で同期ｔかけている。
１の組み合わせで構成され、互いに位相が反転している
。０ＦＩＰ’ｆｇ号ＦｉＯＮｇｊ号のｆｊと同相の低ｍ
波である。またＯＮＮ信号１鴫期のうち高聞［ｆｊの期
間を開口時間と呼ぶ。次にこれ會実現する回路構成であ
るが、ｉＬ２ＭＨｚの基本クロック１０１０１デバイダ
１０１１で分局して各種波形を作る。１０１５で２ｍ５
ＮＱ１期のラインスタート信号を作９、すべてこの信号
で同期ｔかけている。
１０１２で２０００パルスｔカウントし、１０２０でリ
クエストクロックを作り、ラインスタート信号と共に１
外部機器である時系列−案信号発生部１０２４へ出力す
る。画素発生部１０２４からリクエストクロックに同期
して送られてき九データは５インターデイジタルく実装
され虎駆動用集積回路１０２２へ送る九め、１０１９で
モータを分配する。
クエストクロックを作り、ラインスタート信号と共に１
外部機器である時系列−案信号発生部１０２４へ出力す
る。画素発生部１０２４からリクエストクロックに同期
して送られてき九データは５インターデイジタルく実装
され虎駆動用集積回路１０２２へ送る九め、１０１９で
モータを分配する。
開口時間７１０１６で決め、１０１７でＯＮ信号、ＯＦ
Ｆ信号、共通電極信号を作る。１０１５でラッチパルス
、１０１４でシフトクロックを作９、ＯＮ信号０ＦＩＦ
信号データと共に駆動用工０１０２２へ出力する。ま九
共通電極信号は出力）くツファ１０１８で！５ＯＶＫ変
換し、共通電極１ａ２５に印加する。１０２１は画素発
生部１０２４から送られるリセット信号を受は取り、各
部へスタート、ストップｔかけるコントロール部である
。
Ｆ信号、共通電極信号を作る。１０１５でラッチパルス
、１０１４でシフトクロックを作９、ＯＮ信号０ＦＩＦ
信号データと共に駆動用工０１０２２へ出力する。ま九
共通電極信号は出力）くツファ１０１８で！５ＯＶＫ変
換し、共通電極１ａ２５に印加する。１０２１は画素発
生部１０２４から送られるリセット信号を受は取り、各
部へスタート、ストップｔかけるコントロール部である
。
漬晶躯勘を安価に実現させる為に、第６図（ｃ）に示す
構成のドライバーを使用した。第６［１（ｃ）は、ドラ
イバーのブロック図である。。本ドライノ（−ハ信号用
電億の駆動用に使用さｎる。ビットａはＮである６Ｍは
多い穫良いが、現状では数十である。
構成のドライバーを使用した。第６［１（ｃ）は、ドラ
イバーのブロック図である。。本ドライノ（−ハ信号用
電億の駆動用に使用さｎる。ビットａはＮである６Ｍは
多い穫良いが、現状では数十である。
信号用電極駆動用の信号は、ＤＩｌ、Ｎに送らｎる。
Ｄ１夏から入ったデータは、シフトクロック８．０によ
ってシフトレジスタ１０５０内を転送さｎる。
ってシフトレジスタ１０５０内を転送さｎる。
転送が終わると、データにＤＡ Ｔ ＯＨ信号によって
ラッチ１０ｓヘラツチされ、データに応じてセレクトグ
ー）１０５２で点灯、非点打音選択し、レベルインター
フェース１０３５でドライブ信号Ｖａｓｅに変換さｎて
レベル変換して、漬Ｊｌｋ駆−するＮビットドライバー
１０５４によって、液晶がドライブさｎる。木工０１個
につ％Ｎ本の信号用電極が駆動さｎる。スタティック駆
動の場合に／ｆｉ１つのドライバーＩＣでＮ個のドアイ
ブができるが、捧デユーティー駆動の場合は、２Ｎ個の
ドライブができる。ドライバーは、ＴＴＬＩＩ”Ｌの他
、ｆｆｉＤＭＯ８１０ＭＯ８＋ ＰＭＯＳ −ＮＭＯ８
等のＭＯ８型ＩＯで構成される。
ラッチ１０ｓヘラツチされ、データに応じてセレクトグ
ー）１０５２で点灯、非点打音選択し、レベルインター
フェース１０３５でドライブ信号Ｖａｓｅに変換さｎて
レベル変換して、漬Ｊｌｋ駆−するＮビットドライバー
１０５４によって、液晶がドライブさｎる。木工０１個
につ％Ｎ本の信号用電極が駆動さｎる。スタティック駆
動の場合に／ｆｉ１つのドライバーＩＣでＮ個のドアイ
ブができるが、捧デユーティー駆動の場合は、２Ｎ個の
ドライブができる。ドライバーは、ＴＴＬＩＩ”Ｌの他
、ｆｆｉＤＭＯ８１０ＭＯ８＋ ＰＭＯＳ −ＮＭＯ８
等のＭＯ８型ＩＯで構成される。
このようにＮビットのドライバーを構成すると本発明の
印写装置が小型化でき、かつ、実装も容易で、集積化さ
れることによりコスートが下がる。
印写装置が小型化でき、かつ、実装も容易で、集積化さ
れることによりコスートが下がる。
さらに、インターフェースが容誦となり、外部信号に応
じ虎ライトパルプの開閉も容易になる。
じ虎ライトパルプの開閉も容易になる。
（光源）
本発明の印写装置のランプ（第２図ｋ）Ｆｉ、タングス
テンランプ、キセノンランプやハロゲンランプても良い
が、螢光燈が最適である。第７囚体）は本発明の印写装
置（第１図Ａ］のランプ（第２図ｋ）として、壷元燈を
使用した夾鞠例である。
テンランプ、キセノンランプやハロゲンランプても良い
が、螢光燈が最適である。第７囚体）は本発明の印写装
置（第１図Ａ］のランプ（第２図ｋ）として、壷元燈を
使用した夾鞠例である。
ガラス−＃ｔｋ−１内部に光放出部即ちアパーチャー部
に一２１除いて反射層に−３が形成され、その内部に螢
光物質の層に−４が形成されている。螢光物質に−４か
ら放射された螢光は、反射層ｋ −５Ｋよって反射され
、液晶パネル（第２図＆）のライトバルブＳ（第３図−
ａ−１）Ｖ照明する様に開けられ虎アパーチャ一部に−
２１１−通過する。
に一２１除いて反射層に−３が形成され、その内部に螢
光物質の層に−４が形成されている。螢光物質に−４か
ら放射された螢光は、反射層ｋ −５Ｋよって反射され
、液晶パネル（第２図＆）のライトバルブＳ（第３図−
ａ−１）Ｖ照明する様に開けられ虎アパーチャ一部に−
２１１−通過する。
このようなアパーチャ一部に−２１−有する螢光燈にの
構造は、効率良く、強い光ｈｇ光ドラム（第１図、Ｂ）
に伝える為に有効である。
構造は、効率良く、強い光ｈｇ光ドラム（第１図、Ｂ）
に伝える為に有効である。
第７ＩＮ１１（（９）は本発明の１実施例として用いる
螢光物質に−４の波長特性を示すが縦方向が螢光物質に
−４の相対エネルギーであり、横方向が波長である。こ
れＦｉ ＢＩＬＭｇＡＪｉｌ ０１４ＰｓＭｕである。
螢光物質に−４の波長特性を示すが縦方向が螢光物質に
−４の相対エネルギーであり、横方向が波長である。こ
れＦｉ ＢＩＬＭｇＡＪｉｌ ０１４ＰｓＭｕである。
螢光態勢としては、このような波長が感光ドラム（第１
図、Ｂ）の感光物質に−４の波長特性に合わせ、ある一
定の波長域のみ相対放出エネルギーを有しかつ半値巾が
狭く、高輝度で、かつ長寿命の螢光体菅健用する。又は
、成長ビークが数ケ所あっても、−ケ所、感光ドラムｗ
４１図Ｂの感光物質の感じる波長のみピークが強く、残
りのピークは、無視できる程度でもよい。
図、Ｂ）の感光物質に−４の波長特性に合わせ、ある一
定の波長域のみ相対放出エネルギーを有しかつ半値巾が
狭く、高輝度で、かつ長寿命の螢光体菅健用する。又は
、成長ビークが数ケ所あっても、−ケ所、感光ドラムｗ
４１図Ｂの感光物質の感じる波長のみピークが強く、残
りのピークは、無視できる程度でもよい。
第７１ｇ（ａ）Ｋ示す様な構造の螢光燈と、第７図（ｂ
）を用いて説明した光体【用いると、印写の８／Ｎ比が
高く、鮮明な印写が実現できる。
）を用いて説明した光体【用いると、印写の８／Ｎ比が
高く、鮮明な印写が実現できる。
（ランプ駆１ｆｔ）
第７図（ａ）ｒｉ管理温度と相対輝實の図である。つま
り、管壁温電が３５℃〜４５℃間で螢光燈の輝度は成鳥
となる。そこで、管壁にｉ！【センサ（第２図ｔ ）ｖ
ｗｐ付け、管壁の温度に’ｌＫ検知し、ランプの駆動系
（第２図ｐ）ｖＣフィートノ（ツクをかけて、明るさが
常に一定となるようＫしている。
り、管壁温電が３５℃〜４５℃間で螢光燈の輝度は成鳥
となる。そこで、管壁にｉ！【センサ（第２図ｔ ）ｖ
ｗｐ付け、管壁の温度に’ｌＫ検知し、ランプの駆動系
（第２図ｐ）ｖＣフィートノ（ツクをかけて、明るさが
常に一定となるようＫしている。
又、ランプの駆動系（第２Ｌｉ！Ｊｐ）Ｉｌｌ、本発明
の印写！ｉｆ１の外部の空気を、ヒーター（第２図Ｂ）
を通してフレーム８２図ｎ内に送り込むファン（′ａ２
図ｒ）と連結されている。これは、１述の管壁温度を一
定に保つ効果がある。さらに、管内には、管内部質との
反応による水銀蒸気圧の減少を見込んで過量の水＊に両
人しであるが、よ調水 ＃！は、冷却しやすいア
パーチャｇ（１！７図に−２）に沈着し、光出力を防げ
る。７ア／（第２図ｒ）によ！フレーム（第２図ｎ）内
に送り込まれる空気は、アパーチャ部が管の他の場所に
比べてより冷却するの菅防ぎ、アパーチャ部（第７図に
−２）へ水銀が連着し、光出力が妨げられるのｔ肪ぐ効
果がある。
の印写！ｉｆ１の外部の空気を、ヒーター（第２図Ｂ）
を通してフレーム８２図ｎ内に送り込むファン（′ａ２
図ｒ）と連結されている。これは、１述の管壁温度を一
定に保つ効果がある。さらに、管内には、管内部質との
反応による水銀蒸気圧の減少を見込んで過量の水＊に両
人しであるが、よ調水 ＃！は、冷却しやすいア
パーチャｇ（１！７図に−２）に沈着し、光出力を防げ
る。７ア／（第２図ｒ）によ！フレーム（第２図ｎ）内
に送り込まれる空気は、アパーチャ部が管の他の場所に
比べてより冷却するの菅防ぎ、アパーチャ部（第７図に
−２）へ水銀が連着し、光出力が妨げられるのｔ肪ぐ効
果がある。
（セルフォックレンズン
セルフォックレンズアレイ（第２１９４ ｍ ） ｔ’
、本発明の印写装−の液晶セル（第２図ａ）の下Ｋｆ１
１１°〈０本発明の印写装置に使用するセルフォックレ
ンズアレイ（第２１ｋｍ）は、光集束性がガラスファイ
バーの商品名（日本板硝子製ンである。
、本発明の印写装−の液晶セル（第２図ａ）の下Ｋｆ１
１１°〈０本発明の印写装置に使用するセルフォックレ
ンズアレイ（第２１ｋｍ）は、光集束性がガラスファイ
バーの商品名（日本板硝子製ンである。
９８図は本発明の印写ＷＲ壇に使用するセルフォックレ
ンズアレイｍである。ＦＲｐＨ板ｍ−２の間にセルフォ
ックレンズｍ−１′９を配し、間隙が黒色シリコーン−
１ｆ１ｍ −３ｆ充填されている。セルフォックレンズ
アレイｍ−１は、概短骨形ｔしており、個々のセルフォ
ックレンズｍ−１ｕ、液晶パネル（第２図ａ）の各々の
ライトバルブ（第Ｓ図ａ−１）と１対１に光軸が揃うよ
うに位置合わせｔされている。従って、光軸と垂直な断
面は、概、液晶パネルのライトバルブ部（講３図ａ−１
）と同程度の面積である。又、光軸に平行方向の高さは
、数■〜数１であり、小型である。セルフォックレンズ
はファイバー自体に自己集′束性を有し、セルフォック
レンズ（１１１２図ｍ）の一端に入射した光は、ガラス
の屈折率が連続的に変化しているために光軸のまわ９ｒ
蛇行″しながら進み、これ罠より、ガラスファイバー自
体が、レンズと等価な作用ｔｍつ。本発明のセルフォッ
クレンズアレイｍは上記特性を有するレンズｔ％ｉｌ晶
パネルの微小窓と１対１に、窓の数と同等、それぞれの
微小窓と同じ位置に配したもの會一体としている。全体
の高さＩｄ Ｉｌｌ ｍへせいぜい数個以内であり、長
さ、巾はそｎぞれ少なくとも液晶パネルのライトバルブ
ｆｉｌｌ（１１１３図ａ−１）の分布する長さ、巾、必
要である。
ンズアレイｍである。ＦＲｐＨ板ｍ−２の間にセルフォ
ックレンズｍ−１′９を配し、間隙が黒色シリコーン−
１ｆ１ｍ −３ｆ充填されている。セルフォックレンズ
アレイｍ−１は、概短骨形ｔしており、個々のセルフォ
ックレンズｍ−１ｕ、液晶パネル（第２図ａ）の各々の
ライトバルブ（第Ｓ図ａ−１）と１対１に光軸が揃うよ
うに位置合わせｔされている。従って、光軸と垂直な断
面は、概、液晶パネルのライトバルブ部（講３図ａ−１
）と同程度の面積である。又、光軸に平行方向の高さは
、数■〜数１であり、小型である。セルフォックレンズ
はファイバー自体に自己集′束性を有し、セルフォック
レンズ（１１１２図ｍ）の一端に入射した光は、ガラス
の屈折率が連続的に変化しているために光軸のまわ９ｒ
蛇行″しながら進み、これ罠より、ガラスファイバー自
体が、レンズと等価な作用ｔｍつ。本発明のセルフォッ
クレンズアレイｍは上記特性を有するレンズｔ％ｉｌ晶
パネルの微小窓と１対１に、窓の数と同等、それぞれの
微小窓と同じ位置に配したもの會一体としている。全体
の高さＩｄ Ｉｌｌ ｍへせいぜい数個以内であり、長
さ、巾はそｎぞれ少なくとも液晶パネルのライトバルブ
ｆｉｌｌ（１１１３図ａ−１）の分布する長さ、巾、必
要である。
（セルフォックスレンズの効果］
これにより、等倍結儂會感光ドラム（ｗ４２図Ｂ）に結
ぶことが可能となつ九。従来、書写機に用いらｎてきた
球面レンズは、解儂力が、中心部に比べて−辺部で低下
する。光量が周辺で落ちる形状が球面をもち大きい。一
体一儂面関距離が６００箇〜１２００ｍと長く、装置が
大きくなる。光学系にミラー、フレーム等が必要で複雑
になり、コスト高となる等の欠点を有していた。こｎに
対し土紀セルフォックレンズを本発明の印写装置に使用
することＫより、解儂力が食中にわ念って均一である。
ぶことが可能となつ九。従来、書写機に用いらｎてきた
球面レンズは、解儂力が、中心部に比べて−辺部で低下
する。光量が周辺で落ちる形状が球面をもち大きい。一
体一儂面関距離が６００箇〜１２００ｍと長く、装置が
大きくなる。光学系にミラー、フレーム等が必要で複雑
になり、コスト高となる等の欠点を有していた。こｎに
対し土紀セルフォックレンズを本発明の印写装置に使用
することＫより、解儂力が食中にわ念って均一である。
光量が、食中にわ九って均一である。形状が短量状で小
型、軽量である。物体−偉面同距離が６０〜８０鴫と嫂
い、光学系がシンプルでコンパクトにでき、コストダウ
ンができる等の利点が可能となった。
型、軽量である。物体−偉面同距離が６０〜８０鴫と嫂
い、光学系がシンプルでコンパクトにでき、コストダウ
ンができる等の利点が可能となった。
（ヒーター）
本発明の印写装−第１図ムの液晶パネル（第２図ａ）の
１ｌｆｔ一定に保つヒーターｗ４２図ｔについて述べる
。
１ｌｆｔ一定に保つヒーターｗ４２図ｔについて述べる
。
第９図は、ヒーターでか液晶パネルｈＫ堆９付けられ九
部分の概略実１１１＠ｌ：示す。まず、ム１゜Ｆ＠ｍｏ
ｕｓ等の金Ｉ１４歇ｆ−１に抵抗体ｆ−２１ｊ載せた支
持体ｆ−５が接着剤、両面テープ等の契合ガラス、又は
、ＡＪ＊ＦｅｔＣｕ等の金属板ｆ−５Ｋカーボン、鎖環
ｔデツピング、スクリーン白側、スプレー塗布、ハケ塗
シ等に層形成し、抵抗体ｆ−２に形成し、上記抵抗体ｆ
−２Ｋｌｆｉｇ管流してジュール熱を発生させること
Ｋより構成される。
部分の概略実１１１＠ｌ：示す。まず、ム１゜Ｆ＠ｍｏ
ｕｓ等の金Ｉ１４歇ｆ−１に抵抗体ｆ−２１ｊ載せた支
持体ｆ−５が接着剤、両面テープ等の契合ガラス、又は
、ＡＪ＊ＦｅｔＣｕ等の金属板ｆ−５Ｋカーボン、鎖環
ｔデツピング、スクリーン白側、スプレー塗布、ハケ塗
シ等に層形成し、抵抗体ｆ−２に形成し、上記抵抗体ｆ
−２Ｋｌｆｉｇ管流してジュール熱を発生させること
Ｋより構成される。
抵抗体ｆ−２は導電ペースト、又は抵抗ペーストとして
市畝されている。抵抗体ｔ−２ｒｉ、各部で層厚、巾が
異らず、一定となるようにされ、抵抗値が各部で異らな
いようにする。上記抵抗体ｆ −２に電ｌ５ｉ１１：Ｒ
，シ、発熱した熱は、サーミスタ等の温度検知手段ｆ−
５にエフ検知され、上記信号が第１図のヒーターコント
ローラーｇＫ伝達すレ、上記コントローラーｇからヒー
ターｆｋ＠ａしてヒーターｆのＳ度を一定に保つフィー
ドバック系が構成さｎる。サーミスター等のｉＩｍ検出
手段で−５は、金属板又は抵抗層ｆ−２，１−に接着剤
、両面テープ等ｆ−４で固定されている。
市畝されている。抵抗体ｔ−２ｒｉ、各部で層厚、巾が
異らず、一定となるようにされ、抵抗値が各部で異らな
いようにする。上記抵抗体ｆ −２に電ｌ５ｉ１１：Ｒ
，シ、発熱した熱は、サーミスタ等の温度検知手段ｆ−
５にエフ検知され、上記信号が第１図のヒーターコント
ローラーｇＫ伝達すレ、上記コントローラーｇからヒー
ターｆｋ＠ａしてヒーターｆのＳ度を一定に保つフィー
ドバック系が構成さｎる。サーミスター等のｉＩｍ検出
手段で−５は、金属板又は抵抗層ｆ−２，１−に接着剤
、両面テープ等ｆ−４で固定されている。
液晶Ｆ１ａ度が低すぎると粘性が高くなってスピードが
堪ち、ｍｇｆが扁すぎると等方性になる。さらに１ある
一定の電圧を印加して液晶ライトパルプ（第５図ａ−１
）の開閉ｔするとき、駆動用のｉｉ＊範囲がある一定温
度範囲内になくてはならない。ヒーターは液晶パネル駆
動に最適な場変範囲内にする効果がある。さらに、液晶
パネルｌｌ１２図１の温度変化により、液晶パネルの光
透過率が変化し、感光ドラムの潜儂に濃度、太さ等のバ
ラッ中が出るのｔ防ぐ効果がある。
堪ち、ｍｇｆが扁すぎると等方性になる。さらに１ある
一定の電圧を印加して液晶ライトパルプ（第５図ａ−１
）の開閉ｔするとき、駆動用のｉｉ＊範囲がある一定温
度範囲内になくてはならない。ヒーターは液晶パネル駆
動に最適な場変範囲内にする効果がある。さらに、液晶
パネルｌｌ１２図１の温度変化により、液晶パネルの光
透過率が変化し、感光ドラムの潜儂に濃度、太さ等のバ
ラッ中が出るのｔ防ぐ効果がある。
（組立〕
次に、本発明の印写装置（第１図ム］の組立について説
明する。第１０図（ａ）から（１）は、本発明の印写＊
＊の組立を１示したものである。
明する。第１０図（ａ）から（１）は、本発明の印写＊
＊の組立を１示したものである。
まず、図−）に示す液晶ドライバーのリードの形状１ｆ
−ｔスフパターン層形成し、図（ｂ）に示すマスクＭ−
１とマスク固定治具ｚ −２と、案内板ｚ−５上に、案
内ビンｚ −４によって位置同定されたドライバー搭載
基″＠ｄとを相互に位−会わせし、スキージｇ −５Ｋ
より、半田クリームｇ−４ｋａ歇上に印刷する。半田ク
リームｇ−２ｃＰＫは、小さな半田ボールとフラックス
が、適当な粘度で混合されている。
−ｔスフパターン層形成し、図（ｂ）に示すマスクＭ−
１とマスク固定治具ｚ −２と、案内板ｚ−５上に、案
内ビンｚ −４によって位置同定されたドライバー搭載
基″＠ｄとを相互に位−会わせし、スキージｇ −５Ｋ
より、半田クリームｇ−４ｋａ歇上に印刷する。半田ク
リームｇ−２ｃＰＫは、小さな半田ボールとフラックス
が、適当な粘度で混合されている。
次に、図（ｃ）に示す横に、駆動用工Ｃｔ４２図ｂ１（
半田クリームｚ −６の載った１ｗ晶ドライバー基板ｄ
土に載せる。ＩＣｂは、一般にフラットパッケージ型で
ある。これは、印写密麿が大きく、１回の印写のドツト
数が多い程、ドツトに対応したドライバーのドライブ数
が多い為、フラットパッケージ型が有利な為と、さらに
、本発明の印写装置全体【小型にする効果がある。図（
Ｃ）の様にｚｃ’ｂ會基板ｄ土に載せると、ＩＣｂの基
板ｄとハンダ付ｔする箇所は、基板ｄ１ハンダクリーム
ｚ −６、ＩＣｂのリードの順でｘｃｂが登載さｎてい
る。
半田クリームｚ −６の載った１ｗ晶ドライバー基板ｄ
土に載せる。ＩＣｂは、一般にフラットパッケージ型で
ある。これは、印写密麿が大きく、１回の印写のドツト
数が多い程、ドツトに対応したドライバーのドライブ数
が多い為、フラットパッケージ型が有利な為と、さらに
、本発明の印写装置全体【小型にする効果がある。図（
Ｃ）の様にｚｃ’ｂ會基板ｄ土に載せると、ＩＣｂの基
板ｄとハンダ付ｔする箇所は、基板ｄ１ハンダクリーム
ｚ −６、ＩＣｂのリードの順でｘｃｂが登載さｎてい
る。
次に、図は）に示す様に、ＩＣｂの載り九基板ｄ葡遠赤
外炉ｚ−１ｔＫ入れる。遠赤外炉ｚ−１１には予熱部ｚ
−１２と、遠赤外線ｔｘ−１５加熱部がある。図（ｅ）
ｒｉ、遠赤外炉ｚ−１１の温度分布を示す。遠赤外炉ｚ
−１１に入った基＠ａは１５０℃〜２００℃の予熱部５
ｉ−１２＠通って予熱され次に、遠赤外線の照射される
遠赤外ｆｌｉｇ−１３で２００℃以上の＋１１１Ｍでハ
ンダクリームｔｓ −４中のハンダが尋け、ＩＣｂと１
板ｄがハンダ付けさｎる。
外炉ｚ−１ｔＫ入れる。遠赤外炉ｚ−１１には予熱部ｚ
−１２と、遠赤外線ｔｘ−１５加熱部がある。図（ｅ）
ｒｉ、遠赤外炉ｚ−１１の温度分布を示す。遠赤外炉ｚ
−１１に入った基＠ａは１５０℃〜２００℃の予熱部５
ｉ−１２＠通って予熱され次に、遠赤外線の照射される
遠赤外ｆｌｉｇ−１３で２００℃以上の＋１１１Ｍでハ
ンダクリームｔｓ −４中のハンダが尋け、ＩＣｂと１
板ｄがハンダ付けさｎる。
このように、フラットパッケージのＩＣｂと、基１１（
ｌのハンダ付ｔ１ハンダクリームｚ−６の基板ｄへの印
刷、次いで遠赤外炉ｚ−１１での／・ンダ付けという工
程ｔとると、通常の）・ンダゴテによるハンダ付けと比
べて工数が大巾に低減できる。
ｌのハンダ付ｔ１ハンダクリームｚ−６の基板ｄへの印
刷、次いで遠赤外炉ｚ−１１での／・ンダ付けという工
程ｔとると、通常の）・ンダゴテによるハンダ付けと比
べて工数が大巾に低減できる。
基板ｄＫ搭載するフラットパッケージの工Ｏｂが多い柵
、本発明の上記ハンダ付方法の一般のハンダゴテによる
ハンダ付方法に比べ念有位性が広がる。
、本発明の上記ハンダ付方法の一般のハンダゴテによる
ハンダ付方法に比べ念有位性が広がる。
図げ）は、ハンダ付さｎた基板ｄの洗浄方法ｒ示す。基
板ｄに引掛治具ｚ−２１に引掛けられ、フレオン、ダイ
クロン、イソプロピルアルコール等のアルコール類、等
の洗浄液ｚ−２２中に漬けられる。洗浄液ｚ−２２は、
超音波発生器ｇ６−２３から、超°音波が加えられてい
る。超音波により、基板ｄの洗浄が、ニジ細かな点まで
洗浄さｎると共に１洗浄時藺も短棚さｎる。本発明の印
写装置の液晶は、低ｌ１ｌＩＩＬのみならず、Ａｌ１ｆ
ｆによっても厘゛動される為、わずかな汚ｎでも、リー
ドと匍のリード、１１Ｊｌｆ等のり−ク會引き起こして
しまうがこの洗浄により、完全に汚ｎが落ち、信頼性が
上がる。
板ｄに引掛治具ｚ−２１に引掛けられ、フレオン、ダイ
クロン、イソプロピルアルコール等のアルコール類、等
の洗浄液ｚ−２２中に漬けられる。洗浄液ｚ−２２は、
超音波発生器ｇ６−２３から、超°音波が加えられてい
る。超音波により、基板ｄの洗浄が、ニジ細かな点まで
洗浄さｎると共に１洗浄時藺も短棚さｎる。本発明の印
写装置の液晶は、低ｌ１ｌＩＩＬのみならず、Ａｌ１ｆ
ｆによっても厘゛動される為、わずかな汚ｎでも、リー
ドと匍のリード、１１Ｊｌｆ等のり−ク會引き起こして
しまうがこの洗浄により、完全に汚ｎが落ち、信頼性が
上がる。
１敬）は、液晶ドライバー搭載基板ｄと、液晶パネルａ
ｌ電気的に接続させるフレキシブル基板ｘのドライバー
用基板ｄ゛へのハンダ付けｔ示している。フレキシブル
基板Ｘは、適当な接続線数ずつ分けられて切ｔ）離され
、案内板ｚ−３１の土に置かｎている。次に、ドライバ
ー用基板ｄと、フレキシブル基板ｘ ｆｉ 、両者會相
互に案内する案内板ｚ−５１により、フレキシブル着板
Ｘと、ＩＣ用基板ｄＦｉ、相互の接続部が１対１に位置
合わせさＬ１ハンダ付が可能な様に、：ｌ１Ｉｌｆに加
熱さｎ＋熱圧着治其ｚ−３２にドライバー用基板ｄとフ
レキシブル基板Ｘの接続部に熱圧層することにより、ハ
ンダ付でｎる。ドライバー用基板ｄとフレキシブル基板
Ｘの接続′＠′は、あらがじめハンダメッキしておくと
、ハンダ付が容易である。フレキシブル基板Ｘは数１が
適当である。短かすぎると７レキシブル基板ｘｏｌＢが
多すぎ、長過ぎるとフレキシブル基板Ｘの寸法公差が小
さくと牡ないため、ドライバー用基板ｄとの接続が困難
となる。
ｌ電気的に接続させるフレキシブル基板ｘのドライバー
用基板ｄ゛へのハンダ付けｔ示している。フレキシブル
基板Ｘは、適当な接続線数ずつ分けられて切ｔ）離され
、案内板ｚ−３１の土に置かｎている。次に、ドライバ
ー用基板ｄと、フレキシブル基板ｘ ｆｉ 、両者會相
互に案内する案内板ｚ−５１により、フレキシブル着板
Ｘと、ＩＣ用基板ｄＦｉ、相互の接続部が１対１に位置
合わせさＬ１ハンダ付が可能な様に、：ｌ１Ｉｌｆに加
熱さｎ＋熱圧着治其ｚ−３２にドライバー用基板ｄとフ
レキシブル基板Ｘの接続部に熱圧層することにより、ハ
ンダ付でｎる。ドライバー用基板ｄとフレキシブル基板
Ｘの接続′＠′は、あらがじめハンダメッキしておくと
、ハンダ付が容易である。フレキシブル基板Ｘは数１が
適当である。短かすぎると７レキシブル基板ｘｏｌＢが
多すぎ、長過ぎるとフレキシブル基板Ｘの寸法公差が小
さくと牡ないため、ドライバー用基板ｄとの接続が困難
となる。
図（６）は、液晶パネルａとドライバー用基板ｄのハン
ダ付による接続を示す。案内板ｚ−４１土に液晶パネル
ａと、フレキシブル基板Ｘの７・ンダ付けされ友ドライ
バー用基板ｄが、フレキシブル基・１ｌｘＯ＊晶パネル
ａへの接続部が、液晶ノくネルａの端子部の所定箇所と
１対１に正確に位置対応さｎるように案内されており、
接続部に、適度に加熱された熱圧着治具ｚ−４２で、熱
圧層することにより、フレキシブル基板ｘと液晶パネル
ａのノ１ンダ付けによる接続が行なわｎる。この際、フ
レキシブル基＠Ｘ、の端子接続部が、ノ・ンダメッキさ
れていて、液晶パネルａの端子部が、透明電極の端子上
ＫＮｉメッキ等の金嘴メッキがされ、さらＫそのＪｃＫ
ハンダ層があるか、若しくは透明電極の端子よに直蝋ハ
ンダ層があると、相互に接続される物体が、同種の金属
の為、熱圧着治具ｚ−４２によるハンダ付が簡単である
。透明’ｌ極の１子よにＮ１等の金属ｌ―が形成さｎて
いると春、その上にハンダ層を形成するには、メッキ、
ハンダクリームの印刷の他、金属層Ｊ：に、あらかじめ
、加熱により溶は念ハ／ダτ走らして、ハンダ層を形成
してもよい。
ダ付による接続を示す。案内板ｚ−４１土に液晶パネル
ａと、フレキシブル基板Ｘの７・ンダ付けされ友ドライ
バー用基板ｄが、フレキシブル基・１ｌｘＯ＊晶パネル
ａへの接続部が、液晶ノくネルａの端子部の所定箇所と
１対１に正確に位置対応さｎるように案内されており、
接続部に、適度に加熱された熱圧着治具ｚ−４２で、熱
圧層することにより、フレキシブル基板ｘと液晶パネル
ａのノ１ンダ付けによる接続が行なわｎる。この際、フ
レキシブル基＠Ｘ、の端子接続部が、ノ・ンダメッキさ
れていて、液晶パネルａの端子部が、透明電極の端子上
ＫＮｉメッキ等の金嘴メッキがされ、さらＫそのＪｃＫ
ハンダ層があるか、若しくは透明電極の端子よに直蝋ハ
ンダ層があると、相互に接続される物体が、同種の金属
の為、熱圧着治具ｚ−４２によるハンダ付が簡単である
。透明’ｌ極の１子よにＮ１等の金属ｌ―が形成さｎて
いると春、その上にハンダ層を形成するには、メッキ、
ハンダクリームの印刷の他、金属層Ｊ：に、あらかじめ
、加熱により溶は念ハ／ダτ走らして、ハンダ層を形成
してもよい。
以上の工程により、液晶バネＡＪａとドライバー用１板
ｄが、フレキシブル゛基板ｄｔ介して、相互にハンダ付
けによる暖気的、及び機械的接続が行なわれる。
ｄが、フレキシブル゛基板ｄｔ介して、相互にハンダ付
けによる暖気的、及び機械的接続が行なわれる。
次に、図（ｆ）と同様な方法で、フレオン等の洗浄液に
より超音波洗浄が行なわｎ１フラツクス等、汚れが除去
さｎる。
より超音波洗浄が行なわｎ１フラツクス等、汚れが除去
さｎる。
次に、以上の工程で一体となったドライバー用基板ｄと
フレキシブル基板Ｘと液晶パネルａｌｌ−、シリコン、
エホキシ等の充填した槽にディッピングさｎ１耐湿コー
テイング【行なう。これに工９汚ｎがドライバー基板（
Ｌ４Ｃ付層して、シ望−ト、リークを発生させるのｔ防
ぐことができる。又、液晶パネルａはドライバーｂＫよ
って、高ｌＩＩ波で駆動さｎ１欽十Ｖの一般の電卓や時
針のドライブより高い電圧で駆動されるが、ネコ−ティ
ングにより梅雨期等の高温雰囲気中で、電気的リーク、
シＷ−）が発生するのを防ぐことができ、機械の信頼性
が上がる。なお耐湿コーティングは、ドライバー用基［
ｄだけでも効果がある。又、ディッピングでなく、スプ
レー、）飄ケ塗り等の方法で行逢われてもよい。
フレキシブル基板Ｘと液晶パネルａｌｌ−、シリコン、
エホキシ等の充填した槽にディッピングさｎ１耐湿コー
テイング【行なう。これに工９汚ｎがドライバー基板（
Ｌ４Ｃ付層して、シ望−ト、リークを発生させるのｔ防
ぐことができる。又、液晶パネルａはドライバーｂＫよ
って、高ｌＩＩ波で駆動さｎ１欽十Ｖの一般の電卓や時
針のドライブより高い電圧で駆動されるが、ネコ−ティ
ングにより梅雨期等の高温雰囲気中で、電気的リーク、
シＷ−）が発生するのを防ぐことができ、機械の信頼性
が上がる。なお耐湿コーティングは、ドライバー用基［
ｄだけでも効果がある。又、ディッピングでなく、スプ
レー、）飄ケ塗り等の方法で行逢われてもよい。
ｖＡ（ｉ）は、以±の工程で一体となったドライノ（−
用基職ｄと、フレキシブル基［Ｘと液晶）（ネルａのハ
ンダ付による接続部に補強剤ｚ−５１を塗布した図であ
る。補強剤ｚ −５１Ｋはエポキシ接着剤、ウレタｙａ
＊剤、シリコン接着剤等がある。
用基職ｄと、フレキシブル基［Ｘと液晶）（ネルａのハ
ンダ付による接続部に補強剤ｚ−５１を塗布した図であ
る。補強剤ｚ −５１Ｋはエポキシ接着剤、ウレタｙａ
＊剤、シリコン接着剤等がある。
補強剤ｇ ５１ ｔ’ｌ、フレキシブル基板Ｘとドラ
イバー用基板ｄの接続部の補強に於ては、フレキシブル
１職ｘとドライバー用基＠ａの両者に補強剤厘−５１が
かかり、液晶）（ネルａとフレキシブル基１１ＸＯ＊−
に於ては、）くネルａとフレキシブル１職Ｘの両者に補
強剤がかかり、両者を強力に接着する。フレキシブル基
Ｉｌｘとドライノ（−用基也ｄ１又、フレキシブル基＠
Ｘと液晶）くネルａの接一定の機械的強ＩＮはあるが、
補強剤Ｚ−５１１用いること罠より、上記両者の接続は
、非常に強く又、補強剤ｚ−５１により、汚れの侵入、
水分の侵入を防ぎ、ハンダの劣化を防止して、上記両者
の接続ｖｍ軸性の高いものとすることかで舞る。
イバー用基板ｄの接続部の補強に於ては、フレキシブル
１職ｘとドライバー用基＠ａの両者に補強剤厘−５１が
かかり、液晶）（ネルａとフレキシブル基１１ＸＯ＊−
に於ては、）くネルａとフレキシブル１職Ｘの両者に補
強剤がかかり、両者を強力に接着する。フレキシブル基
Ｉｌｘとドライノ（−用基也ｄ１又、フレキシブル基＠
Ｘと液晶）くネルａの接一定の機械的強ＩＮはあるが、
補強剤Ｚ−５１１用いること罠より、上記両者の接続は
、非常に強く又、補強剤ｚ−５１により、汚れの侵入、
水分の侵入を防ぎ、ハンダの劣化を防止して、上記両者
の接続ｖｍ軸性の高いものとすることかで舞る。
（その他）
本発明の印写装置概要を示した１第２図のフレームｎｔ
ｊ鉄、ステンレス、アルミニウム等の金属又は、プラス
チックでｍ成され、本発明の印写類＊に１つのユニット
としている。縦、横、高さが数個〜十個備で、巾が、記
録紙・上へ記録する印写の巾程菫である。勿論、これよ
り小型化することも可能である。フレームｎＦｉ光迩断
要素も兼ねており、例えば黒色塗装さｎている。これに
工９感光ドラム（第１図Ｂ）Ｊ：への感光を防ぐことが
できる。父、フレームｎには、モーターファンへシステ
ム外部の空気を取り入れる通気口、及び、上記空気ｔ＃
Ｐ気する排気口がｆ＆置されている。こｎにより、ラン
プに１液晶パネルａ等の１１１度調整が的確に行なわれ
る。又、システムの外気を導入すると、印写袋盲内で温
ｌｆよ昇があジ、光源が冷却さｎないことと、トナーの
本印写装置への混入を防止する効果がある。
ｊ鉄、ステンレス、アルミニウム等の金属又は、プラス
チックでｍ成され、本発明の印写類＊に１つのユニット
としている。縦、横、高さが数個〜十個備で、巾が、記
録紙・上へ記録する印写の巾程菫である。勿論、これよ
り小型化することも可能である。フレームｎＦｉ光迩断
要素も兼ねており、例えば黒色塗装さｎている。これに
工９感光ドラム（第１図Ｂ）Ｊ：への感光を防ぐことが
できる。父、フレームｎには、モーターファンへシステ
ム外部の空気を取り入れる通気口、及び、上記空気ｔ＃
Ｐ気する排気口がｆ＆置されている。こｎにより、ラン
プに１液晶パネルａ等の１１１度調整が的確に行なわれ
る。又、システムの外気を導入すると、印写袋盲内で温
ｌｆよ昇があジ、光源が冷却さｎないことと、トナーの
本印写装置への混入を防止する効果がある。
第２図の迩蔽板０は、図の様に、ランプにより放射さｒ
ｔ九九光、液晶ノくネルａのライトノくルブ部を照明す
る工うに液晶ノくネルａのライトノくルプ部と同１１ｆ
、又は若干大きな穴があけられている。
ｔ九九光、液晶ノくネルａのライトノくルブ部を照明す
る工うに液晶ノくネルａのライトノくルプ部と同１１ｆ
、又は若干大きな穴があけられている。
調料は、鉄、ステンレス、アルミニウム等の金属、又は
プラスチックで構成さｎるが、金属の力が熱変形が小さ
く良い。
プラスチックで構成さｎるが、金属の力が熱変形が小さ
く良い。
ｆ＆ｌＥ迩蔽１［０［より、ランプｋにエフ熱せらｎた
ランプに近傍の空気が直接液晶）（ネルａにあたり、液
晶パネルａの温１１に過度に±昇させ九り、偏光Ｉｌを
変形、劣化させるのｔ防ぐ効果がある。
ランプに近傍の空気が直接液晶）（ネルａにあたり、液
晶パネルａの温１１に過度に±昇させ九り、偏光Ｉｌを
変形、劣化させるのｔ防ぐ効果がある。
又、同機に、ドライバーｂを過度に４１上昇させ、ドラ
イバーｂが誤動作し喪９劣化しｆＣ９するのｔ騎ぐ効果
−ある。
イバーｂが誤動作し喪９劣化しｆＣ９するのｔ騎ぐ効果
−ある。
第１１図は、本発明の印写鰻重の＃！２の実施例で＆１
ｊｂ、Ｍ・りていみのはロッドレンズｙが追加すｎてい
るだけであり、他の１１１ｓ品はすべて＄２図の実施例
と同様であり、記号は同じもの１便い、同じ説明は省略
する。
ｊｂ、Ｍ・りていみのはロッドレンズｙが追加すｎてい
るだけであり、他の１１１ｓ品はすべて＄２図の実施例
と同様であり、記号は同じもの１便い、同じ説明は省略
する。
第１２１伝）は、第１１図に示す本発明の印写装部ノロ
ツドレンズｙｔ使用した場合の、前軸関係を示し恵ａ略
図である。ランプにと、ロッドレンズｙ１液晶パネルａ
１ セルフォックレンズアレイｍは第１２図に示す様に
光軸を揃えて配置さｎてイル。液晶パネルａの上下には
、そｎぞれ上下偏光板が配さｎている。う／プにより放
射１さｎ走光に、ロッドレンズｙにより、液晶ノ（ネル
ａのライトバルブ部に集光さｎ、必要な光だけｔ１！１
過されセルフォックレンズアレイｍＫｊつて感光ドラ五
Ｂ［１士に焦点ｔ＆わせる様に集光される。
ツドレンズｙｔ使用した場合の、前軸関係を示し恵ａ略
図である。ランプにと、ロッドレンズｙ１液晶パネルａ
１ セルフォックレンズアレイｍは第１２図に示す様に
光軸を揃えて配置さｎてイル。液晶パネルａの上下には
、そｎぞれ上下偏光板が配さｎている。う／プにより放
射１さｎ走光に、ロッドレンズｙにより、液晶ノ（ネル
ａのライトバルブ部に集光さｎ、必要な光だけｔ１！１
過されセルフォックレンズアレイｍＫｊつて感光ドラ五
Ｂ［１士に焦点ｔ＆わせる様に集光される。
第１２図（ｂ）は、ロッドレンズｙの外媛會示し良もの
である。図（ｂ）に示す様に、ロッドレンズ７ｒ１円柱
形の丸棒であり、調料は、・ガラス又はアクリル樹ハ旨
、スチレン樹月旨尋のプラスチック樹脂である。
である。図（ｂ）に示す様に、ロッドレンズ７ｒ１円柱
形の丸棒であり、調料は、・ガラス又はアクリル樹ハ旨
、スチレン樹月旨尋のプラスチック樹脂である。
この工すにロッドレンＸｙｋ便、用すると、ランプに１
例えば螢光燈の管壁ｉｉ度が数十℃とな９、ロッドレン
ズｙがない場合、偏光板の焼損劣化、液晶パネルａの劣
化が起きるが、ロッドレンズｙがあることにエムこｎら
の欠点ｔなくす効果がある。
例えば螢光燈の管壁ｉｉ度が数十℃とな９、ロッドレン
ズｙがない場合、偏光板の焼損劣化、液晶パネルａの劣
化が起きるが、ロッドレンズｙがあることにエムこｎら
の欠点ｔなくす効果がある。
第２に％液晶パネルａがランプに管壁のｉｉｆ、、Ｉ：
昇１１ｃＬ９、液晶パネルａＫ＊ジ付けらｒｔたヒータ
ー第２図ｆによる液晶パネルａのｍ度制御がきかなくな
り九ｐ１又は、パネルａのよ・下でｌｌ１ｆが異つ光９
するのを防ぐ効果がある。
昇１１ｃＬ９、液晶パネルａＫ＊ジ付けらｒｔたヒータ
ー第２図ｆによる液晶パネルａのｍ度制御がきかなくな
り九ｐ１又は、パネルａのよ・下でｌｌ１ｆが異つ光９
するのを防ぐ効果がある。
（印写）
本印写偵１に印写する＃１費を説明する。本発明の実施
例において捧デユーティー駆動したときの２列のライト
パルプ列の距離が２５０μｍの場合の実施例を記述する
。１１ｉ１１期’ｒ＝は２１１０８である。
例において捧デユーティー駆動したときの２列のライト
パルプ列の距離が２５０μｍの場合の実施例を記述する
。１１ｉ１１期’ｒ＝は２１１０８である。
感光ドラムが回転し、感光体ｒ１１ｍ期２ｍθ当９１０
０７１１１進ませた。すると、１秒１４に１００μｍｘ
（１０００ｍｓ７２ｍｓ）＝５００００ｊ１ｍ１００Ｏ
＋、即ち５ｍＮ印写できた。
０７１１１進ませた。すると、１秒１４に１００μｍｘ
（１０００ｍｓ７２ｍｓ）＝５００００ｊ１ｍ１００Ｏ
＋、即ち５ｍＮ印写できた。
（本発明の印写ｍｗ’を用いた印写システムの利点］
本発明の印写装置を用いた印写システムは、走行系が本
質的に感光系と現像、定着系だけなのでインパクトプリ
ンタ等の様な騒音がほとんどない。
質的に感光系と現像、定着系だけなのでインパクトプリ
ンタ等の様な騒音がほとんどない。
又、レーザープリンタの様ＩＣ精密高速光学走査系菅使
う必要がなく安価である。又、液晶のライトパルプ部の
オンオフによす潜偉形式が行なわｎル−ザーに比較して
電圧が低く、かつ、使用光はレーザー費線の様にエネル
ギー密業が高くないため、危険性がなく、安全である。
う必要がなく安価である。又、液晶のライトパルプ部の
オンオフによす潜偉形式が行なわｎル−ザーに比較して
電圧が低く、かつ、使用光はレーザー費線の様にエネル
ギー密業が高くないため、危険性がなく、安全である。
又、本発明の印写部−は、従来の高価なレーザー印与シ
ステム、ｏＦＦｋ−使用し念印写システムマルチスタイ
ラス蛍曜印写システムにおいて、光書込部會交換すｎば
実現でき、従来の技術的に安ボ、かつ安価な現１象、定
着、除去、帯′１１１ｓＦｉ、そのまま使用できるメリ
ットがある。又、書込に際し、セルフォックレンズを使
用する逢め、印写装置、のみならず印写システム全体が
小型化、軽量化でき、さらに、印与せる記録に、ゆがみ
、ひずみが出ない。さらに、インターフェースは、簡単
な液晶のドライブ信号の書込だけであるため、コントロ
ールが容易であり、かつ、安価に作成できる。さらに、
印写の稍Ｉｆｔ′ｉ、液晶のライトノ（ルプのパターン
のピッチ、及び大きさで任意に変えられ、パルプの形状
も任意にかえられる。又、液晶のライトパルプのパター
ンはミクロンオーダーで構成でき、他の印写ｆａ璽と比
横しても、非常に高分解能の印写が可能である。さらに
、本発明の印写１ｌｌｆｌｌＩＩは、従来の液晶と、２
ケタ程オーダーの速い高速の応答性を有する液晶パネル
１ｅ１２用しており、高速の印写が可能である。さらに
、上記液晶パネルはライトパルプ部が一列、または数列
に並んでおり、−ばに−列ｔたは数列のライトノ（ルプ
ｒ開閉して、印写することができ、高速印写が可能であ
る。
ステム、ｏＦＦｋ−使用し念印写システムマルチスタイ
ラス蛍曜印写システムにおいて、光書込部會交換すｎば
実現でき、従来の技術的に安ボ、かつ安価な現１象、定
着、除去、帯′１１１ｓＦｉ、そのまま使用できるメリ
ットがある。又、書込に際し、セルフォックレンズを使
用する逢め、印写装置、のみならず印写システム全体が
小型化、軽量化でき、さらに、印与せる記録に、ゆがみ
、ひずみが出ない。さらに、インターフェースは、簡単
な液晶のドライブ信号の書込だけであるため、コントロ
ールが容易であり、かつ、安価に作成できる。さらに、
印写の稍Ｉｆｔ′ｉ、液晶のライトノ（ルプのパターン
のピッチ、及び大きさで任意に変えられ、パルプの形状
も任意にかえられる。又、液晶のライトパルプのパター
ンはミクロンオーダーで構成でき、他の印写ｆａ璽と比
横しても、非常に高分解能の印写が可能である。さらに
、本発明の印写１ｌｌｆｌｌＩＩは、従来の液晶と、２
ケタ程オーダーの速い高速の応答性を有する液晶パネル
１ｅ１２用しており、高速の印写が可能である。さらに
、上記液晶パネルはライトパルプ部が一列、または数列
に並んでおり、−ばに−列ｔたは数列のライトノ（ルプ
ｒ開閉して、印写することができ、高速印写が可能であ
る。
以Ｊの襟に、本発明の印写装置ｕｔ、従来の印４システ
ムの現像、定着、除電、帝電尋の工程、及び部品ｔその
まま使用でき、単に印写部にけｔ取替えるだけで安価、
高速の印写システム１＊現できる。
ムの現像、定着、除電、帝電尋の工程、及び部品ｔその
まま使用でき、単に印写部にけｔ取替えるだけで安価、
高速の印写システム１＊現できる。
礪１囮は、本発明の印写１７ＩＩ置會用いた印写システ
ム。 ｗ／４２図は本発明の印写装置の概略図。 第３図（ａ） 〜（ｃ）は、本発明の印写１！ ！ｌ
ｋ ｌＩ ｂｌする液晶パネル。 ＃１４図（ａ）〜（θ）は、本発明の印写装置ｖ構成す
る液晶パネルの特性図。 第５図（ａ）〜（ｂ）は本発明の液晶パネルの駆動概念
図。 第６図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の印４装置の′Ｗｋ晶
ドラドライバー構成 図＠７図（ａ） 〜（ｃ）は、不発明の印４ｆｉＲ１１
１Ｆのランプの説明図。 ＃！８図は、本発明の印写装置屓に使用するセルフォッ
クレンズアレイの説明図。 第９図は、不発明の印写Ｉｉ！ｒ１１に使用する液晶ヒ
ーターの説明図。 第１０図は、不発明の印写装−を製造する工程の説明図
。 第１１図は、ロッドレンズｙｋ使った本発明の印写装置
のｗ４２の実施例。 第１２図（ｈ）〜（ｂ）は、ロッドレンズについての説
明図。 以 土 出願人 信州楕器株式会社 株式会社謔訪稍工舎 代理人 弁理士 最 土 務 第１図 （α） 第２図 （１）） 第２図 第４ （ｄ） 温度（１Ｃ） ＜ｅ） 図 （ｄ） 第５１４ （レノ 第５図 ’ＡｉＬ＋ｍｐ＋ （ｂ） （Ｃ） 第７図 第ｑ図 （）−１） 第１Ｏ図 第１／図 （０） ＠／２１１１ 手続補正書（自発） 昭和５昭砺弊 月２２日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第２１３２６５号 ２、発明の名称 液晶光学的両軍装置 ３、補正をする者 ４代理人 〒１５０東京都渋谷区神宮前２丁目６番８号６、補正の
対象 一一書、ａｍ 手続補正書 （自発） １、 明細書３頁上から１２行目 「本発 の」とあるを 「本発明の１に補正します。 ２ 同５頁上から２行目 「コロナ放電器工」とある會 「コロナ放電器！」に補正します。 五 同７頁上から１行目 「インタ１フエース」とあるを 「インターフェース」に補正します。 ４、 同７頁上から４行目 「光遮蔽＠Ｏ」とあるを 「光遮蔽板０」に補正します。 ５、 同１５頁、上から１２行目〜１５行目ｒ Ｒｓ
−０−Ｃｏｏ−／Ｑ−ＯＲｔ’ （化合物１）ＮＣＮ とあるを ｒＲｔ−■−ｃｏｏ−（）−〇ＲＩ’ （化合物１）
２− に補正します。 瓜 Ｐ１１５頁下から４〜５行目 「アルキル基 ＯｎＨ意ｎ＋１− アルコキシ基０ｎＨ３ｎ＋ｌＱ Ｊ とあるを ［アルキル基 ０ｎＨ１ｎ＋＋− アルコキシ基ＣｎＨ１ｎ＋瞥０−」 に補正します。 ２ 回１６，１．７員の第１表を下記の如く補正します
。 ＆ 同２０頁、上から３行目 「落ちてくる。」の後に下記文を挿入します１［なお、
以上の説明から明らがな様に、液晶のツイスト角は４５
０′が最適であるが、４５０＠を中心にして９０°ずれ
た３６０ｕ〜５４００の間での使用も可能である。」 ９、 同２１頁、上から３〜４行目 「相対値を示す。」の次に下肥の文を挿入します。 「なお、第４図（ｅ）の中に１いである小さなグラフは
透過エネルギー日の！義をしたものである。小さなグラ
フの横軸ｔよ時間（単位：ｍｓ）で、縦軸に透過率（チ
）を表わす。液晶ライトパルプを０〜１ｍ−の間開けた
場合には、理想的には透過率は開けた瞬間ＯｍＢで１０
０％に１１、時間経過が１ｍ１ｇｔで透ｍ率ｕ１ｏａｔ
ｓである。すると、液晶ライトパルプを透過する光のエ
ネルギー８ｎ、横軸方向の時間軸が０〜１ｍ−１縦軸方
向の透過率が０〜１００％で囲まれる四角形の面積で相
対的に表現され、これｔｌｏｏｌｓとします。そして第
、４図（θ）のグラフ゛ の作成については、図（（
１）と同様に０〜α５ｍ６０間液晶ライトバルブを開け
、０．５〜１ｍｓの間、液晶ライトパルプを閉じた。す
ると、液晶ライトパルプを透過する光の応答は小さなグ
ラフに示した一線のようになる。前述と同じ理由により
、液晶ライトパルプを透過する光のエネルギーは、応１
１ＦＩｌｌＩＩ纏で囲まれた格子状にａｔ−引いた面積
で相対的に表わされ、この面積の先述した１＠的な場合
の面積に対する割合ｔ１大きなグラフの縦軸の光透過エ
ネルギーＳと定義した。」 １α 同２２頁、下から５行目 「されている。」とあるのを「させでいる、」と補正し
ます。 １１、 回２３頁、上から２行目 「示す。」の次に下記文を挿入します。 ［第５Ｆａ（ａ）は液晶ライトパルプの駆動概念図であ
り、Ａデユーティのダイナミック駆動の場合の駆動波形
の実總例である。詳細については第５図（ｂ）で説明す
るため、簡単に説明する。図中、Ｔｌは繰り返し周期で
あり、００Ｍ１と（：！ＯＭ２はＴ１の周期毎に同じ駆
動波形が形成される。ＦｏＮｆｉ液晶ライトバルブを開
けるために印加する信号であり、高周波信号の印加時間
ＴＩが液晶ライトパルプを開けるのく要する時間である
。７０Ｍは低周波信号であり、液晶ライトパルプを閉じ
るのに使用される。Ｌｉｎｅ ５ｔａｒｔ信号はタイミ
ング信号であり、繰り返し周期Ｔ１の同期をとる。」 １２、同２５頁、上から４行目 「低周波」とあるのを「低周波」と補正します。 １＆１ｌ１３１頁、上から７行目 「示す。１の次に下記の文を挿入します。 「１ｋＪ？、第６図は本発明の理解をよくするため、ス
タチック駆動した場合で記載した。」１屯 Ｗ２Ｂ５頁
、下から４行目 「ラッチ１０５」とあるを「ラッチｉｏ！ＳＩＪに補正
します。 １！Ｌ 岡Ｓ６真、上から６行目 「管理温度」とあるのを「管壁温度」に補正します。 １＆ 岡５７頁、上から６行目 「（セルフォックレンズ）」とある會 「（自己集束性レンズアレイ）」に補正します。 １７．１ｉ１１３７ｊ［、上から７行目「セルフォック
レンズプレイ」とあるを「自己集束性レンズアレイ」に
補正します。 １ａ 岡３７頁、上から９〜１１行目「セルフォック
レンズアレイ（第２図ｍ）は、光集束性がガラスファイ
バーの商品名（日本書硝子製）である。」とあるを 「自己集束性レンズアレイ（第２ ｎ ｍ ） ｕ、例
えば商品名がセルフォックレンズアレイ（日本板硝子製
）の光集束性ガラスファイバーがある。」と補正します
。 １９、同５７頁、上から１２〜１３行目「セルフォック
レンズアレイｍＪとあるを「自己集束性レンズアレイｍ
Ｊ［補正します。 ２０、 同３７頁、上から１５行目 ｒｐｉｐ側金」とあるを ［７ＲＰ （Ｆｉｂｅｒ Ｒｅ１ｎｆｏｒｃｅｄ
Ｐｌａｓｔｉｃの略、ガラスＭｔ維入りプラスチック
）＠ψ」に補正します。 ２１、Ｐ２Ｓ５頁、上から１４行目 「セルフォックレンズｍ−１」とあるを「自己集束性レ
ンズｍ−１」に補正します。 ２２、同３７頁、上から１５〜１７行目［セルフォック
レンズアレイｍ−１ｕ、ａｍ冊形をしており、個々のセ
ルフォックレンズｍ１−１は」とあるを 「自己集束性レンズｍ−１は、機内筒形をしており、個
々の自己集束性レンズｍ −Ｉ ＦｉＪに補正します。 ２＆ 轡３８頁も上から５〜４行目 「セルフォックレンズは」とあるを 「自己集束性レンズは」に補正します。 ２４ 岡５８頁、上から５〜６行目 「セルフォックレンズ」とあるを 「自己集束性レンズ」Ｋ補正します。 ２− ｐＨ５８真、上がら９行目 「本尭明のセル７オツクレンズ」トあルヲｒ本発明に使
用する自己集束性レンズアレイ」に補正します。 ２＆ｐｉ１３３８頁、上から１５行目 「数−へせいぜい」とあるを、「数腸〜せいぜい」と補
正します。 ２７、ＰＩＳ＠’７ｇ、下か、ら４行目「（セルフォッ
クレンズの効果）」とあるｔ「−（自己集束性レンズの
効果）」に補正します。 ２ａ 同３９頁、上から６行目 「セルフォックレンズを」とあるを 「自己集”束性レンズを」に補正します。 ２９、 同３９頁、下から６行目 「＠２図ｔ」とあるを 「第２図ｊＢｃ補正します。 ３α 同５ｏ頁、上から７行目、１５行目「セルフォッ
クレンズアレイ」とあるのを「自己集束性レンズプレイ
」と補正します。 ５１、 同５２頁、下から８行目 ｒｏＦＦＪとあるを ｒｏ：ｒＴ（オプティカル・ファイバーチューブの略）
」と補正します。 ３２、 同５２頁、下から２行目 「セルフォックレンズＪとあるを 「自己集束性レンズ」に補正します。 ５五 同５４頁、下から５〜４行目、図面の簡単な説明
中 「セルフ−オツクレンズアレイ」とあるを「自己集束性
レンズアレイ」に補正します。 ５４− 第５図（ｂ）、第４図（θ）を別紙の如く補正
します。 以 上
ム。 ｗ／４２図は本発明の印写装置の概略図。 第３図（ａ） 〜（ｃ）は、本発明の印写１！ ！ｌ
ｋ ｌＩ ｂｌする液晶パネル。 ＃１４図（ａ）〜（θ）は、本発明の印写装置ｖ構成す
る液晶パネルの特性図。 第５図（ａ）〜（ｂ）は本発明の液晶パネルの駆動概念
図。 第６図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の印４装置の′Ｗｋ晶
ドラドライバー構成 図＠７図（ａ） 〜（ｃ）は、不発明の印４ｆｉＲ１１
１Ｆのランプの説明図。 ＃！８図は、本発明の印写装置屓に使用するセルフォッ
クレンズアレイの説明図。 第９図は、不発明の印写Ｉｉ！ｒ１１に使用する液晶ヒ
ーターの説明図。 第１０図は、不発明の印写装−を製造する工程の説明図
。 第１１図は、ロッドレンズｙｋ使った本発明の印写装置
のｗ４２の実施例。 第１２図（ｈ）〜（ｂ）は、ロッドレンズについての説
明図。 以 土 出願人 信州楕器株式会社 株式会社謔訪稍工舎 代理人 弁理士 最 土 務 第１図 （α） 第２図 （１）） 第２図 第４ （ｄ） 温度（１Ｃ） ＜ｅ） 図 （ｄ） 第５１４ （レノ 第５図 ’ＡｉＬ＋ｍｐ＋ （ｂ） （Ｃ） 第７図 第ｑ図 （）−１） 第１Ｏ図 第１／図 （０） ＠／２１１１ 手続補正書（自発） 昭和５昭砺弊 月２２日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第２１３２６５号 ２、発明の名称 液晶光学的両軍装置 ３、補正をする者 ４代理人 〒１５０東京都渋谷区神宮前２丁目６番８号６、補正の
対象 一一書、ａｍ 手続補正書 （自発） １、 明細書３頁上から１２行目 「本発 の」とあるを 「本発明の１に補正します。 ２ 同５頁上から２行目 「コロナ放電器工」とある會 「コロナ放電器！」に補正します。 五 同７頁上から１行目 「インタ１フエース」とあるを 「インターフェース」に補正します。 ４、 同７頁上から４行目 「光遮蔽＠Ｏ」とあるを 「光遮蔽板０」に補正します。 ５、 同１５頁、上から１２行目〜１５行目ｒ Ｒｓ
−０−Ｃｏｏ−／Ｑ−ＯＲｔ’ （化合物１）ＮＣＮ とあるを ｒＲｔ−■−ｃｏｏ−（）−〇ＲＩ’ （化合物１）
２− に補正します。 瓜 Ｐ１１５頁下から４〜５行目 「アルキル基 ＯｎＨ意ｎ＋１− アルコキシ基０ｎＨ３ｎ＋ｌＱ Ｊ とあるを ［アルキル基 ０ｎＨ１ｎ＋＋− アルコキシ基ＣｎＨ１ｎ＋瞥０−」 に補正します。 ２ 回１６，１．７員の第１表を下記の如く補正します
。 ＆ 同２０頁、上から３行目 「落ちてくる。」の後に下記文を挿入します１［なお、
以上の説明から明らがな様に、液晶のツイスト角は４５
０′が最適であるが、４５０＠を中心にして９０°ずれ
た３６０ｕ〜５４００の間での使用も可能である。」 ９、 同２１頁、上から３〜４行目 「相対値を示す。」の次に下肥の文を挿入します。 「なお、第４図（ｅ）の中に１いである小さなグラフは
透過エネルギー日の！義をしたものである。小さなグラ
フの横軸ｔよ時間（単位：ｍｓ）で、縦軸に透過率（チ
）を表わす。液晶ライトパルプを０〜１ｍ−の間開けた
場合には、理想的には透過率は開けた瞬間ＯｍＢで１０
０％に１１、時間経過が１ｍ１ｇｔで透ｍ率ｕ１ｏａｔ
ｓである。すると、液晶ライトパルプを透過する光のエ
ネルギー８ｎ、横軸方向の時間軸が０〜１ｍ−１縦軸方
向の透過率が０〜１００％で囲まれる四角形の面積で相
対的に表現され、これｔｌｏｏｌｓとします。そして第
、４図（θ）のグラフ゛ の作成については、図（（
１）と同様に０〜α５ｍ６０間液晶ライトバルブを開け
、０．５〜１ｍｓの間、液晶ライトパルプを閉じた。す
ると、液晶ライトパルプを透過する光の応答は小さなグ
ラフに示した一線のようになる。前述と同じ理由により
、液晶ライトパルプを透過する光のエネルギーは、応１
１ＦＩｌｌＩＩ纏で囲まれた格子状にａｔ−引いた面積
で相対的に表わされ、この面積の先述した１＠的な場合
の面積に対する割合ｔ１大きなグラフの縦軸の光透過エ
ネルギーＳと定義した。」 １α 同２２頁、下から５行目 「されている。」とあるのを「させでいる、」と補正し
ます。 １１、 回２３頁、上から２行目 「示す。」の次に下記文を挿入します。 ［第５Ｆａ（ａ）は液晶ライトパルプの駆動概念図であ
り、Ａデユーティのダイナミック駆動の場合の駆動波形
の実總例である。詳細については第５図（ｂ）で説明す
るため、簡単に説明する。図中、Ｔｌは繰り返し周期で
あり、００Ｍ１と（：！ＯＭ２はＴ１の周期毎に同じ駆
動波形が形成される。ＦｏＮｆｉ液晶ライトバルブを開
けるために印加する信号であり、高周波信号の印加時間
ＴＩが液晶ライトパルプを開けるのく要する時間である
。７０Ｍは低周波信号であり、液晶ライトパルプを閉じ
るのに使用される。Ｌｉｎｅ ５ｔａｒｔ信号はタイミ
ング信号であり、繰り返し周期Ｔ１の同期をとる。」 １２、同２５頁、上から４行目 「低周波」とあるのを「低周波」と補正します。 １＆１ｌ１３１頁、上から７行目 「示す。１の次に下記の文を挿入します。 「１ｋＪ？、第６図は本発明の理解をよくするため、ス
タチック駆動した場合で記載した。」１屯 Ｗ２Ｂ５頁
、下から４行目 「ラッチ１０５」とあるを「ラッチｉｏ！ＳＩＪに補正
します。 １！Ｌ 岡Ｓ６真、上から６行目 「管理温度」とあるのを「管壁温度」に補正します。 １＆ 岡５７頁、上から６行目 「（セルフォックレンズ）」とある會 「（自己集束性レンズアレイ）」に補正します。 １７．１ｉ１１３７ｊ［、上から７行目「セルフォック
レンズプレイ」とあるを「自己集束性レンズアレイ」に
補正します。 １ａ 岡３７頁、上から９〜１１行目「セルフォック
レンズアレイ（第２図ｍ）は、光集束性がガラスファイ
バーの商品名（日本書硝子製）である。」とあるを 「自己集束性レンズアレイ（第２ ｎ ｍ ） ｕ、例
えば商品名がセルフォックレンズアレイ（日本板硝子製
）の光集束性ガラスファイバーがある。」と補正します
。 １９、同５７頁、上から１２〜１３行目「セルフォック
レンズアレイｍＪとあるを「自己集束性レンズアレイｍ
Ｊ［補正します。 ２０、 同３７頁、上から１５行目 ｒｐｉｐ側金」とあるを ［７ＲＰ （Ｆｉｂｅｒ Ｒｅ１ｎｆｏｒｃｅｄ
Ｐｌａｓｔｉｃの略、ガラスＭｔ維入りプラスチック
）＠ψ」に補正します。 ２１、Ｐ２Ｓ５頁、上から１４行目 「セルフォックレンズｍ−１」とあるを「自己集束性レ
ンズｍ−１」に補正します。 ２２、同３７頁、上から１５〜１７行目［セルフォック
レンズアレイｍ−１ｕ、ａｍ冊形をしており、個々のセ
ルフォックレンズｍ１−１は」とあるを 「自己集束性レンズｍ−１は、機内筒形をしており、個
々の自己集束性レンズｍ −Ｉ ＦｉＪに補正します。 ２＆ 轡３８頁も上から５〜４行目 「セルフォックレンズは」とあるを 「自己集束性レンズは」に補正します。 ２４ 岡５８頁、上から５〜６行目 「セルフォックレンズ」とあるを 「自己集束性レンズ」Ｋ補正します。 ２− ｐＨ５８真、上がら９行目 「本尭明のセル７オツクレンズ」トあルヲｒ本発明に使
用する自己集束性レンズアレイ」に補正します。 ２＆ｐｉ１３３８頁、上から１５行目 「数−へせいぜい」とあるを、「数腸〜せいぜい」と補
正します。 ２７、ＰＩＳ＠’７ｇ、下か、ら４行目「（セルフォッ
クレンズの効果）」とあるｔ「−（自己集束性レンズの
効果）」に補正します。 ２ａ 同３９頁、上から６行目 「セルフォックレンズを」とあるを 「自己集”束性レンズを」に補正します。 ２９、 同３９頁、下から６行目 「＠２図ｔ」とあるを 「第２図ｊＢｃ補正します。 ３α 同５ｏ頁、上から７行目、１５行目「セルフォッ
クレンズアレイ」とあるのを「自己集束性レンズプレイ
」と補正します。 ５１、 同５２頁、下から８行目 ｒｏＦＦＪとあるを ｒｏ：ｒＴ（オプティカル・ファイバーチューブの略）
」と補正します。 ３２、 同５２頁、下から２行目 「セルフォックレンズＪとあるを 「自己集束性レンズ」に補正します。 ５五 同５４頁、下から５〜４行目、図面の簡単な説明
中 「セルフ−オツクレンズアレイ」とあるを「自己集束性
レンズアレイ」に補正します。 ５４− 第５図（ｂ）、第４図（θ）を別紙の如く補正
します。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ！１１ 螢光管から成る光源と、該光源からの光及び
熱ｈａ蔽板と、該遮蔽板圧設けられたスリット管通過し
九−記光源からの光が照射される液晶パネルと、前記遮
蔽板の外側に配され液晶パネルに形成され喪豪数のライ
トパルプ會選択的に開閉駆動するドライバと、前記液晶
パネルの下方に配されたセル７オツクレンズとｔ有し、
前記光源、スリツＦ％渣畠ハネル、セルフォックレンズ
ｔ−ｉ１線上に配置し九ことｔ４１書とする液晶光学的
印写１１１・ （ｍｉｌＪｌを２枚の１板間に対人させて液晶セル會構
成し、士起筐晶が、誘電異方性が零となる交差−纜歇會
畳として、よ記交差刷仮−よｐ低い駆動＊＊赦では一電
異万性が正、上記交差鞠波数ＬＤＡｖｈ交差−波数では
誘電異方性が負となるネマチック液晶であり、上記基板
は、上記基板壁面の液晶分子が基板に平行になるように
配向処理され、上記配向処理、及び上記液晶へ添加され
る光学活性剤により、上記液晶が上記基板間で４５００
ツイストされ、Ｊ：記？ｗ晶セルのＪ下に偏光板を配し
上記液晶に、上記交差鞠波数より低い駆動周波数電界と
、藁い駆＠局波数電界を印加させて上記液晶の配向音制
御し、光の透過、１断を行なうことｔ％俸とじ九液晶光
学的印写装置。
Priority Applications (4)
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Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP56213263A JPS58114978A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 液晶光学的印写装置 |
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| JP58047743A Division JPS58193517A (ja) | 1983-03-22 | 1983-03-22 | 液晶光学的印写装置 |
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