JP4297505B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
前記ゲート配線(GL)と平行に形成された容量配線(CL)と、
前記ゲート配線(GL)と前記ゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)を覆って成膜されたゲート絶縁膜(GI)と、
前記ゲート絶縁膜(GI)の上かつ前記ゲート電極(GT)の上方に島状に形成されて前記薄膜トランジスタの能動層を構成する半導体層(nS/S)と、
前記ゲート絶縁膜(GI)の上方で、前記半導体層(nS/S)に個別に接続されたソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)と、
前記ソース電極(SD1)を一部に形成してデータ信号を印加するソース配線(SL)、および前記ドレイン電極(SD2)に接続された画素電極(PX)を有し、
前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)は、前記第1基板上に形成された当該ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜の堤状体(G−BNK)で囲まれて各画素を構成する表示領域(AR)とは当該堤状体(G−BNK)に関して反対側の領域内にインクジェット塗布された導電性溶液の焼成で形成されており、
前記ソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)は、前記ゲート絶縁膜(GI)上に形成されてソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜の堤状体(SD−BNK)で囲まれ、当該堤状体(SD−BNK)に関して前記表示領域(AR)とは反対側の領域内にインクジェット塗布された導電性溶液の焼成で形成されており、
前記画素電極(PX)は、前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜の堤状体(G−BNK)の表示領域(AR)側でかつ前記ソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜の堤状体(SD−BNK)の前記ソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)と前記表示領域(AR)側に形成された画素電極(PX)形成用の絶縁性膜の堤状体(P−BNK)で囲まれた領域内にインクジェット塗布された導電性溶液の焼成で形成されており、
前記第1基板と前記第2基板との貼り合わせた間隙に液晶を封入した液晶表示パネルの各画素を構成する前記表示領域(AR)内では前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜と前記ソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜は前記第2基板に有する前記遮光膜(BM)の領域内にのみ配置した。
前記ゲート配線(GL)と平行に形成された容量配線(CL)と、
前記ゲート配線(GL)と前記ゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)を覆って成膜されたゲート絶縁膜(GI)と、
前記ゲート絶縁膜(GI)の上かつ前記ゲート電極(GT)の上方に島状に形成されて前記薄膜トランジスタの能動層を構成する半導体層(nS/S)と、
前記半導体層(nS/S)に個別に接続されたソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)と、前記ソース電極(SD1)を一部に形成してデータ信号を印加するソース配線(SL)、および前記ドレイン電極(SD2)に接続された画素電極(PX)を有し、
前記第1基板の前記薄膜トランジスタの形成領域では、前記第1基板上に形成された前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜の堤状体(G−BNK)の上にゲート絶縁層(GI)を介して形成されたソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜の堤状体(SD−BNK)が積層され、
前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)と前記画素電極(PX)は同層で、
前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜の堤状体(G−BNK)の表示領域(AR)側の堤状体が前記画素電極(PX)形成用の絶縁性膜の堤状体の機能を兼ねており、
前記画素電極は、前記容量配線を形成するための前記堤状体(G−BNK)とこの堤状体(G−BNK)の上に配置されたゲート絶縁膜(GI)で第1画素電極(PX1)と第2画素電極(PX2)とに分離されており、
前記第1画素電極(PX1)と前記ゲート絶縁膜(GI)の上層に配置された前記ドレイン電極(SD2)とは、両電極の間を橋絡するインクジェット塗布された導電性の接続電極(JED1)で接続され、
前記第2画素電極(PX2)と前記第1画素電極(PX1)とは、両電極の間を橋絡するインクジェット塗布された導電性の接続電極(JED2)で接続した。
Claims (7)
- マトリクス配列した複数の画素毎に薄膜トランジスタが形成された第1基板と、前記画素対応で形成された複数色のカラーフィルタとカラーフィルタの間に形成された遮光膜および対向電極が形成された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との貼り合わせた間隙に液晶を封入した液晶表示パネルを用いて構成された液晶表示装置であって、
前記第1基板上には、
前記薄膜トランジスタ(TFT)のゲート電極(GT)を一部に形成して走査信号を印加するゲート配線(GL)と、
前記ゲート配線(GL)と平行に形成された容量配線(CL)と、
前記ゲート配線(GL)と前記ゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)を覆って成膜されたゲート絶縁膜(GI)と、
前記ゲート絶縁膜(GI)の上かつ前記ゲート電極(GT)の上方に島状に形成されて前記薄膜トランジスタの能動層を構成する半導体層(nS/S)と、
前記ゲート絶縁膜(GI)の上方で、前記半導体層(nS/S)に個別に接続されたソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)と、
前記ソース電極(SD1)を一部に形成してデータ信号を印加するソース配線(SL)、および前記ドレイン電極(SD2)に接続された画素電極(PX)を有し、
前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)は、前記第1基板上に形成された当該ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜の堤状体(G−BNK)で囲まれて各画素を構成する表示領域(AR)とは当該堤状体(G−BNK)に関して反対側の領域内にインクジェット塗布された導電性溶液の焼成で形成されており、
前記ソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)は、前記ゲート絶縁膜(GI)上に形成されてソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜の堤状体(SD−BNK)で囲まれ、当該堤状体(SD−BNK)に関して前記表示領域(AR)とは反対側の領域内にインクジェット塗布された導電性溶液の焼成で形成されており、
前記画素電極(PX)は、前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜の堤状体(G−BNK)の表示領域(AR)側でかつ前記ソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜の堤状体(SD−BNK)の前記ソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)と前記表示領域(AR)側に形成された画素電極(PX)形成用の絶縁性膜の堤状体(P−BNK)で囲まれた領域内にインクジェット塗布された導電性溶液の焼成で形成されており、
前記第1基板と前記第2基板との貼り合わせた間隙に液晶を封入した液晶表示パネルの各画素を構成する前記表示領域(AR)内では前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜と前記ソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜は前記第2基板に有する前記遮光膜(BM)の領域内にのみ配置されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1記載の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタの形成領域では、前記第1基板上に形成された前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜の堤状体(G−BNK)の上にゲート絶縁層(GI)を介して形成されたソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜の堤状体(SD−BNK)と、該堤状体(SD−BNK)の上に前記ソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)を介して形成された前記画素電極(PX)形成用の絶縁性膜の堤状体(P−BNK)とが、この順で配置されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1記載の液晶表示装置において、
前記薄膜トランジスタの形成領域では、前記第1基板上に形成された前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜の堤状体(G−BNK)の上に前記ゲート絶縁層(GI)を介して形成されたソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜の堤状体(SD−BNK)が配置され、
前記ソース配線(SL1)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)と前記画素電極(PX)は同層で、
前記ソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜の堤状体(SD−BNK)の表示領域(AR)側の堤状体が前記画素電極(PX)形成用の絶縁膜の堤状体の機能を兼ねていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3記載の液晶表示装置において、
前記画素電極(PX)と前記ドレイン電極(SD2)は、これらの両電極を橋絡するインクジェット塗布された導電性の接続電極(JED)で接続されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3において、
前記ソース配線(SL)と前記ソース電極(SD1)と前記ドレイン電極(SD2)および前記画素電極(PX)を形成する導電性膜の堤状体(SD−BNK)の当該ドレイン電極(SD2)と当該画素電極(PX)の間には、前記ドレイン電極(SD2)と前記画素電極(PX)を接続するための細溝形状の分離パターン(SPP)を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項5において、
前記ドレイン電極(SD2)と前記画素電極(PX)は、前記堤状体(SD−BNK)に有する前記細溝形状の分離パターン(SPP)の上にインクジェット塗布された導電性の接続電極(JED)で接続されていることを特徴とする液晶表示装置 - マトリクス配列した複数の画素毎に薄膜トランジスタが形成された第1基板と、前記画素対応で形成された複数色のカラーフィルタとカラーフィルタの間に形成された遮光膜および対向電極が形成された第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との貼り合わせた間隙に液晶を封入した液晶表示パネルを用いて構成された液晶表示装置であって、
前記第1基板上には、
前記薄膜トランジスタ(TFT)のゲート電極(GT)を一部に形成して走査信号を印加するゲート配線(GL)と、
前記ゲート配線(GL)と平行に形成された容量配線(CL)と、
前記ゲート配線(GL)と前記ゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)を覆って成膜されたゲート絶縁膜(GI)と、
前記ゲート絶縁膜(GI)の上かつ前記ゲート電極(GT)の上方に島状に形成されて前記薄膜トランジスタの能動層を構成する半導体層(nS/S)と、
前記半導体層(nS/S)に個別に接続されたソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)と、前記ソース電極(SD1)を一部に形成してデータ信号を印加するソース配線(SL)、および前記ドレイン電極(SD2)に接続された画素電極(PX)を有し、
前記第1基板の前記薄膜トランジスタの形成領域では、前記第1基板上に形成された前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜の堤状体(G−BNK)の上にゲート絶縁層(GI)を介して形成されたソース配線(SL)とソース電極(SD1)およびドレイン電極(SD2)形成用の絶縁性膜の堤状体(SD−BNK)が積層され、
前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)と前記画素電極(PX)は同層で、
前記ゲート配線(GL)とゲート電極(GT)および前記容量配線(CL)の形成用の絶縁性膜の堤状体(G−BNK)の表示領域(AR)側の堤状体が前記画素電極(PX)形成用の絶縁性膜の堤状体の機能を兼ねており、
前記画素電極は、前記容量配線を形成するための前記堤状体(G−BNK)とこの堤状体(G−BNK)の上に配置されたゲート絶縁膜(GI)で第1画素電極(PX1)と第2画素電極(PX2)とに分離されており、
前記第1画素電極(PX1)と前記ゲート絶縁膜(GI)の上層に配置された前記ドレイン電極(SD2)とは、両電極の間を橋絡するインクジェット塗布された導電性の接続電極(JED1)で接続され、
前記第2画素電極(PX2)と前記第1画素電極(PX1)とは、両電極の間を橋絡するインクジェット塗布された導電性の接続電極(JED2)で接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
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