TW200807124A - Liquid crystal display device - Google Patents

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TW200807124A
TW200807124A TW095138669A TW95138669A TW200807124A TW 200807124 A TW200807124 A TW 200807124A TW 095138669 A TW095138669 A TW 095138669A TW 95138669 A TW95138669 A TW 95138669A TW 200807124 A TW200807124 A TW 200807124A
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TW
Taiwan
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gate
substrate
liquid crystal
crystal display
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TW095138669A
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Makoto Abe
Tsutomu Tanaka
Makoto Tsumura
Original Assignee
Future Vision Inc
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Description

200807124 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種液晶顯示裝置，尤其係關於一種使用 主動矩陣型之液晶顯不面板之液晶顯不裝置。 【先前技術】 液晶顯示裝置，係組合液
光等之周邊裝置而構成。構成典型之主動矩陣型向列電場 型（所明ΤΝ型）之液晶顯示裝置之液晶顯示面板，係在藉由 第1基板（主動矩陣基板或薄板電晶體基板：TFT基板）所構 成之第1面板、與由第2基板（相對基板或彩色濾光片基板〕 所構成之第2面板之間封入液晶Lc而形成。 於曰本專利文獻1等中，提出有利用喷墨方式形成配置 於第1基板内表面之各種佈線、構成薄膜電晶體之各種電 極、像素電極、或半導體層等，藉此削減液晶顯示面板製 造之光學製程，以低成本提供高性能之液晶顯示面板之技 術。藉由喷墨方式形成佈線等，係在基板之内表面塗佈絕 緣性薄膜（絕緣膜），對該絕緣膜上被與佈線及電極之形狀 :仿之堤狀體(亦稱作堤)所包圍之圖案予以加工，在被該 疋=已圍之區域内’错由喷墨塗佈溶劑中分散有導電粒子 之溶液（導電性墨水），焙燒後形成。 圖27係模式性說明利用喷黑 上之構1… 心墨方式形成於第1基板内表面 上之構k之一例之剖面圖。另 佈線等之形成f程之Q ^ θ ，係說明使用堤之 ^力乂氣柱之圖。在圖27、圖由, 之篦1其缸QTm, 圖28中’在以玻璃為佳 之弟^基板sum之内表面，塗 4 7丨以具有閘極佈 115365.doc 200807124 線、閘極、及電容佈線之圖案之遮罩，進行曝光，顯影 後’形成除去此等閘極佈線、閘極、及電容佈線之圖案部 分而形成之堤（閘極堤）G_BNK(堤圖案化）。該閘極堤g_ BNK之圖案内為親液性，其他部分為疏液性（疏親液處 理）。 +然後，在該閘極堤G_BNK之内部，藉由噴墨（ij)之噴嘴 噴出V電性溶液（金屬墨水、例如分散銀粒子之墨水）而 進行塗佈，焙燒，藉此可以得到閘極佈線（未圖示）、閘極 GT、及電容佈線CT(IJ吐出閘極佈線/電極）。並且，其後 有藉由追加加熱，使佈線之比電阻確保於特定值之製程 (至屬纟。K堤追加加熱））。為使佈線之比電阻確保於特 定值之追加加熱以盡可能高之溫度為宜。此外，位於像素 電極下層之閘極佈線及閘極之形成用堤（閘極、 及源極/汲極之形成用堤（源極/汲極堤SD_BNK)，會因佈線 焙燒時之追加過熱而著色，故為了避免堤之著色，以盡量 降低佈線之焙燒溫度爲宜。 [專利文獻3]日本特開2005-12181號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 為了使佈線之比電阻確保於特定值、及避免堤之著色， 先别，係進打在大氣中之低溫焙燒及在n2中之高溫焙燒之 2步焙燒。因此，製程時間增長，產率降低。此外，位於 像素電極之下層（顯示區域）之堤著色，造成透光率降低及 色差等，意味着顯示品質劣化，且3〇〇〇c般之高溫焙燒裝 】15365.doc 200807124 置饧袼问。亚且，使用N2會抬高經營成本，並使由於焙燒 產生之者色為最小限度之樹脂材料受到限制等，成為妨礙 製品成本降低之要因。 “本發明之目的在於解決上述先前技術之問題，消除透光 率低下及色差，提供一種具有高亮度之顯示品質且低成本 之液晶顯示裝置。 本發明之液晶顯示裝置，其係使用下述液晶顯示面板而 構成者，該液晶顯示面板，包含在矩陣排列之複數之於每 個像素上形成有薄膜電晶體之第丨基板、形成有在對應前 述像素所形成之複數色之彩色渡光片肖彩色渡光片之間形 成有遮光膜及相對電極之第2基板，且在前述第丨基板與前 述第2基板之貼合間隙封入有液晶。 立本發明中，在前述第1基板1上，包含：閘極佈線，其係 部分地形成前述薄膜電晶體之閘極而施加掃描信號者，·間 極絕緣膜，其係覆蓋前述閘極佈線而成膜者；半導體層， 其係島狀地形成於前述閘極絕緣膜上，構成前述薄膜電晶 體之主動層者；源極及汲極，其係個別連接於前述閘極絕 緣膜上及半導體層者；資料佈線，其係部分地形成前述源 極而供給顯示信號者；及像素電極，其係連接於前述汲極 者；且 前述閘極佈線及閘極、前述源極及汲極、及前述像素電 極，係藉由使喷墨塗佈於由絕緣性膜之堤狀體所包圍之區 域内之導電性溶液焙燒而形成者；前述絕緣性膜之堤狀 體，僅配置於在前述第2基板上具有之前述遮光膜之區域 H5365.doc 200807124 内。 此外’本發明作為對於形成於前述第2基板之遮光膜之 寬度、及配置於前述第i基板之前述電容佈線之寬度，係 考慮到該遮光膜及電容佈線在寬度方向兩側之對位裕度 者’而抑制了由於第1基板與第2基板之對位偏移所產生之 對比度下降。 [發明之效果] _ 依知本發明，形成液晶顯示面板所需之製程數量被大幅 度地削減，透光率提高，可以以低成本提供高顯示品質之 液晶顯示裝置。 【實施方式】 以下，參照貫施例之圖面，對本發明之最佳實施形態進 行詳細說明。並且，堤狀體亦可稱作用於構成保持形成佈 線及電極專之導電性溶液之溝而沿該溝之兩側設置之壁， 以下將該堤狀體稱作堤（BNK)進行說明。 • [實施例1] 圖1係說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施例丨之液晶 顯示面板之第1基板（薄膜電晶體基板）之丨像素之圖，圖l(a) 顯示平面，圖1(b)顯示沿圖1(a)之A_A，線之剖面。於以玻 璃為佳之第1基板SUB 1上形成有包含複數之閘極佈線G]L、 及交叉於該閘極佈線之複數之源極佈線SL，並在由2根閘 極佈線GL及2根源極佈線SL所包圍之區域（像素區域）形成i 像素。而且，由於源極佈線SL具有向薄膜電晶體供給顯示 資料之功能，故亦被稱作資料佈線。此外，薄膜電晶體， 115365.doc 200807124 其源極與波極在動作巾交替，故亦可稱作汲極佈線，但此 處將其作為源極佈線；§ L進行說明。 1像素係由薄膜電晶體TFT及像素電極ρχ所構成。並 且，本實施例中，在橫跨顯示區域内之大約中央部分、與 閘極佈線並行之方向配置有電容佈線CL。薄膜電晶體TFT 配置於閘極佈線GL與源極佈線SL之交又部附近。該薄膜 電晶體TFT係由從閘極佈線延伸之閘極GT、半導體膜、 源極SD1、及汲極SD2所構成。半導體膜si在矽之上層積 層n+矽之接點層，除去該接點層之中央部分而形成有通 道。在該通道部分形成有保護膜PF。 ”、、員示/σ圖1 (a)之A-A’線之剖面之圖1 (b)中，在第j基板 SUB1上形成有閘極堤G-BNK，其係閘極佈線、閘極 GT、及電容佈線CL之形成用堤。該閘極堤僅配置 於薄膜電晶體TFT之區域内、電容佈線CL之形成部分、及 閘極佈線GL之形成部分。並且，在薄膜電晶體TFT之汲極 SD2上連接有由以IT〇為宜之透明導電膜所構成之像素電 極ΡΧ 〇 薄膜電晶體TFT之閘極GT，係在藉由形成於薄膜電晶體 形成區域之閘極堤G_BNK所形成之溝内，藉由喷墨塗佈以 銀（Ag)溶液為宜之導電性墨水，焙燒後形成。此外，電容 佈線CL，藉由形成於像素區域之閘極堤G-BNK所形成。 並且，閘極佈線GL，藉由形成於像素區域外之閘極堤G_ BNK所形成。在其上形成閘極絕緣膜GI。源極sm及沒極 SD2藉由設置於閘極絕緣膜⑴上之源極/汲極堤（以下，亦 115365.doc -10- 200807124 t僅稱作源極堤之情形）sd、bnk所形成。如後所述，此等 間極:k G-ΒΝκ之上$，處於藉由第2基板上所具有之遮光 膜（黑色矩陣）所遮蓋之位置。 ^圖2係顯示向圖叩)所示之第1基板貼合作為相對基板之 分 反並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示面板之1像 素之nj面杈式圖。圖2中，為了避免說明之繁雜，省略第2 基板上具有之相對電極之圖示。在第1基板SUB1之最上面 • f成有第1配向膜〇RI1，在第2基板SUB2之最上面形成有 第2配向膜〇RI2。在形成於第2基板SUB2之最上®之第2配 向膜ORI2之下層’全面形成未圖示之相對電極，在該相對 電極之下層形成有彩色濾光片CF及遮光膜bm。遮光膜 M配置於成為薄膜電晶體TFT區域之SD堤SD-BNK區域 ，、遮孤閘極佈線GL之位置、及遮蓋形成電容佈線CL之閘 極堤G-BNK之位置。 本實施例中，在像素電極形成區域内具有電容佈線 • CL。藉由由該電容佈線CL之上層遮蓋形成電容佈線以 閑極堤G-BNK之部分，分離像素之顯示區域AR。液晶lc 之光閘效應在顯示區域AR内有效。 圖3係按順序說明用於製造本發明之實施例〗之第丨基板 之製程之1像素之平面圖。依次參照圖〗及圖3之（^^)…說 明該製程。首先，初期洗淨以玻璃板為宜之第1基板SUB1 内表面後，塗佈閘極堤用之感光性樹脂膜，圖案化為閘極 佈線、閘極、及電容佈線之配置形狀後形成閘極堤^ BNK。進行使閘極堤G_BNK之表面及外側成為疏液性之疏 115365.doc 200807124 液處理、及使閘極堤G-ΒΝΚ之内側忐&如、六u >上 〜門训戚為親液性之親液處 理。 在閘極堤G-BNK之内側（溝）藉由噴墨噴嘴塗佈以銀溶液 為宜之導電性墨水，培燒後，形成閘極佈線gl、閑極 GT、及電容佈線CT。覆蓋包含閘極佈線gl、閘極gt、電 容佈線GT、及此等之兩側之閘極堤匕峨之帛丄基板subi
内表面，蒸鍍氮化矽SiN，形成閘極絕緣膜以。在閘極絕 緣膜GI上，依次蒸鍍非晶矽半導體膜卜si)s、n+矽半導體 膜（n+Si)nS，並使非晶矽半導體膜8及n+矽半導體膜nS以 光學製程形成為島狀。n+矽半導體膜nS，與非晶矽半導體 膜S相比較為極薄，成為與後述之源/汲極之接點層。 將n+矽半導體膜nS分離為源極側與汲極側。分離之部分 門成為通道。覆蓋露出該通道部分之非晶石夕半導體膜s 後，埋入保護膜抒。在閘極絕緣膜⑺上形成源極/汲極堤 SD-BNK。该源極/汲極堤SD_BNK，以與閘極堤同 樣之方法形成。此外，該源極/汲極堤sd_bnk，形成於藉 由配置於薄膜電晶體TFT上方之第2基板内表面上具有之遮 一 Λ斤‘風之位置。在源極/汲極堤SD-bnk内藉由喷墨塗 ‘電丨生墨水，培燒後形成源極SD1、汲極SD2。汲極SD2 係成為具有與下層構造相仿之階差者。 、尺在包含溥膜電晶體TFT上層之源極佈線SL上、及 位於鄰接像素間之閘極佈線GL上，以包圍該像素區域之 方式形成像素堤p_BNK。該像素堤p_BNK之上面處理為疏 液性，包含兩側之壁面之汲極SD2、及閘極絕緣膜⑺之表 Π 5365.doc •12- 200807124 面處理為親液性。在該像素堤p_BNK之間藉由喷墨塗佈以 IT〇為宜之透明導電粒子溶液，培燒後成為像素電極PX。 圖3之⑻顯示形成於第2基板SUB2内表面上之遮光膜（黑色 矩陣）BM之圖案。 依照實施例！，由於在像素區域AR之下層無堤層，故即 使由於為使佈線之比電阻確保為特定值之培燒而產生堤之
著色’亦不影響像素區域从之紐光率，可得到高亮度 且顏色再現性良好之液晶顯示裝置。 [實施例2] 〜/队日日糊个衣1 1施例： 不面板之第1基板（薄膜電晶體基板）之1像素之圖 系為苞"ΓΓΓ SSL· JCL Γ?η Λ /. ν 曰曰 顯 圖 y w _肌仗、ι/人/ i Ί豕l <圚 j 4 (a)係顯不平面，圖4 Y α贷it -、 ^ ()係，、、'員示沿圖4(a)之Α·Α，線之剖面。 ^係顯示向圖4(b)所示之第1基板貼合作為相對基板之第2 :二並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示面板之】像素 。’面換式圖。圖5中，為了避免說明之繁雜，亦省略第2 :二二有之相對電極之圖示。圖6，係按順序說明用於 施例2之第1基板之製程之】像素之平面圖。 图4中，包含形成於以玻璃為 數之間極佈線GL、及六 弟基板咖1上之複 ^SL ., 又又於5亥閘極佈線之複數之源極佈 作中交替，故亦…'。薄膜電晶體，其源極與汲極在動 進行說明。；1像、^%作/及極佈線’但此處作為源極佈線SL 成。 像素係由薄膜電晶體丁打及像素電極找所構 U5365.doc -13- 200807124 本實施例中，在橫跨源極電極形成區域内之大約中央部 分、與閘極佈線並行之方向上配置有電容佈線CL。薄膜電 曰曰體TFT配置於閘極佈線GL與源極佈線SL之交叉部附近。 该溥膜電晶體TFT係由從閘極佈線延伸之閘極gt、半導體 膜SI、源極SD1、及汲極SD2所構成。半導體膜SI係在矽 之上層積層n+矽之接點層，除去該接點層之中央部分，形 成有通道。在該通道部分填充有保護膜PF。 φ 圖4(b)中，在第1基板SUB1上形成有閘極堤G-BNK，其 係閘極佈線GL、閘極GT、及電容佈線CL之形成用堤。該 閘極堤G-BNK僅配置於薄膜電晶體TFT之區域内、電容佈 線CL之形成部分、及閘極佈線GL之形成部分。並且，由 以ITO為宜之透明導電膜所製成之像素電極ρχ，藉由連接 電極JED連接於薄膜電晶體TFT之汲極SD2。 薄膜電晶體TFT之閘極GT，在由形成於薄膜電晶形成區 域之閘極堤G-BNK所形成之溝内，藉由喷墨塗佈以銀（Ag) • 溶液為宜之導電性墨水，焙燒而形成。此外，電容佈線 CL ’藉由形成於像素區域之閘極堤g_bnk所形成。並 且，閘極佈線GL，藉由形成於像素區域外之閘極堤& BNK所形成。在其上形成閘極絕緣膜⑺。源極sd〗及汲極 SD2藉由設置於閘極絕緣膜^上之se^sd_bnk所形成。 如後所述，此等之閘極堤G-BNK之上方，處於藉由第2基 板上具有之遮光膜（黑色矩陣）所遮蓋之位置。 圖5係顯示向圖4(b)所示之第丨基板貼合作為相對基板之 第2基板，並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示面板之丨像 115365.doc -14- 200807124 素之剖面模式圖。圖5與圖1同樣，為了避免說明之繁雜， 亦省略第2基板上之相對電極之圖示。在第工基板§υΒι之 最上面形成有第1配向膜〇Rn，在第2基板sub22最上面 形成有第2配向膜0RI2。在形成於第2基板81]]32之最上面 之第2配向膜0RI2之下層，全面形成有未圖示之相對電 極，在該相對電極之下層形成有彩色濾光片cf及遮光膜 BM。遮光膜BM，配置於成為薄膜電晶體TFT之區域之奶 堤SD-BNK區域、遮蓋閘極佈線队之位置、及遮蓋形成電 谷佈線CL之閘極堤G-BNK之位置。 本貫施例中，亦在像素電極形成區域内具有電容佈線 CL。藉由由該電容佈線CL之上層遮蓋形成電容佈線cL2 閘極堤G-BNK之部分，分離像素之顯示區域八尺。液晶 之光閘效應在顯示區域AR内有效。本實施例不形成用於 形成像素電極PX之堤，而利用SE^SD_BNK形成像素電極 px，故不需要像素電極用堤之形成製程。並且，將像素電 極PX連接於汲極8〇2之連接電極JED，係藉由喷墨之滴下 塗佈。 圖6係按順序說明用於製造本發明之實施例2之第丨基板 之製程之1像素之平面圖。依次參照圖5及圖6之（a)(b)…說 明該製程。首先，初期洗淨以玻璃板為宜之第i基板咖 内表面後’塗佈閘極堤用之感光性樹脂膜，圖案化成閉極 佈線、閘極、及電容佈線之配置形狀後形成閘極堤g_ BNK。進行使閘極堤G_BNK之表面及外側成為疏液性之疏 液處理、及使閘極堤G_BNK之内側成為親液性之親液處 115365.doc -15- 200807124 理。 在閘極堤G-ΒΝΚ之内側（溝）藉由喷墨喷嘴塗佈以銀溶液 為宜之導電性墨水，焙燒後，开)成閘極佈線GL、閘極 〇Τ、及電容佈線CT。覆蓋包含閘極佈線GL、閘極GT、電 容佈線GT、及位於此等之兩側之閘極堤g_bnk之第丨基板 SUB1内表面，蒸鍍氮化矽SiN後，形成閘極絕緣膜⑺。在 閘極絕緣膜GI上，依次蒸鍍非晶矽半導體膜（a-Si)S、n+矽 • 半導體膜（n+Si)nS，使非晶矽半導體膜S及n+矽半導體膜 nS以光學程序形成島狀。n+矽半導體膜nS，與非晶矽半導 體膜S相比較極薄，成為與源/汲極之接點層。 將n+矽半導體膜ns分離為源極側與汲極側。分離部分之 間成為通道。覆蓋露出該通道部分之非晶矽半導體膜s， 埋入保護膜PF。在閘極絕緣膜GI上形成源極/汲極堤SD_ BNK。該源極/汲極堤SD_BNK，以與閘極堤g_bnk同樣之， 方法形成。此外，該源極/汲極堤SD-BNK，形成於藉由配 • 置於薄膜電晶體TFT上方之第2基板内表面上具有之遮光膜 所遮蓋之位置。在源極/汲極堤SD-BNK上藉由喷墨塗佈導 電性墨水’培燒後形成源極SD1、汲極SD2。汲極SD2，係 成為具有與下層構造相仿之階差者。 其次，利用汲極SD2側之源極/沒極堤SD-BNK及閘極佈 線用之堤G-ΒΝΚ，在顯示區域中藉由噴墨塗佈以IT〇為宜 之透明導電粒子溶液，焙燒後成為像素電極ρχ。在像素電 極ΡΧ與〉及極SD2之間滴下與像素電極ρχ相同之導電性墨 水’培燒後，成為連接電極JED。並且，圖6之（h)顯示形 115365.doc -16- 200807124 上之遮光膜（黑色矩陣）BM之圖 成於第2基板SUB2内表面 案。 依照實施例2,除了實施例！之效果以外，由於不需要用 於形成像素電極PX之堤，故可以低成本得到高亮度且顏色 再現性良好之液晶顯示裝置。 [實施例3] 圖7係說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施例3之液晶 顯示面板之第1基板（薄膜電晶體基板）之丨像素之圖，圖7(a) 係顯示平面圖’圖7(b)係顯示沿圖7(a)之a_a，線之剖面。 圖8係顯示向圖7(b)所#之第以板貼合作為相對基板之第2 基板，並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示面板之丨像素 之剖面模式圖。圖8中’為了避免說明之煩雜，亦省略第2 基板上所具有之相對電極之圖示。圖9係按順序說明用於 製造實施例3之第1基板之製程之丨像素之平面圖。 圖7中，包含形成於以玻璃為宜之第1基板sum上之複 數之閘極佈線GL、及交又於該閉極佈線之複數之源極佈 線SL，在由2根閘極佈線GL及2根源極佈線儿所包圍之區 域（像素區域）形成丨像素。關於源極及沒極，此處亦作為源 極佈線SL進行說明。i像素係由薄膜電晶體tft及像素ρχ 所構成。 本實施例中，亦在橫穿源極電極形成區域内之大約中央 部分、與閘極佈線並行之方向配置有電容佈線CL。薄膜電 晶體TFT配置於閘極佈線（}1^與源極佈線8[之交叉部附近。 該薄膜電晶體TFT，包含從閘極佈線延伸之閘極GT、半導 115365.doc -17- 200807124 體膜SI、源極SD1、及汲極SD2。半導體膜SI在矽之上層 積層n+矽之接點層，除去該接點層之中央部分，形成有通 道。在該通道部分填充有保護膜PF。 在圖7(b)中，在第}基板suBl上形成有閘極堤G4NK， 其係閘極佈線GL、閘極GT、及電容佈線CL之形成用堤。 5玄開極堤G-BNK僅配置於薄膜電晶體TFT之區域内、電容 佈線CL之形成部分、及閘極佈線gl之形成部分。並且， 由以ITO為宜之透明導電膜所製成之像素電極ρχ，藉由分 離圖案SPP連接於薄膜電晶體TFT之汲極SD2。 薄膜電晶體TFT之閘極GT，在藉由形成於薄膜電晶形成 區域之閘極堤G-BNK所形成之溝内，藉由喷墨塗佈以銀 (Ag)溶液為宜之導電性墨水，焙燒後形成。此外，電容佈 線CL ’藉由形成於像素區域之閘極堤G-BNK所形成。並 且’閘極佈線GL，藉由形成於像素區域外之閘極堤G_ BNK所形成。在其上形成閘極絕緣膜GI。源極SD丨及汲極 SD2藉由設置於閘極絕緣膜^之仍堤仍^^^所形成。如 後所述，此等之閘極堤G-BNK之上方，處於藉由在第2基 板上具有之遮光膜（黑色矩陣）所遮蓋之位置。 圖8係顯示向圖7(b)所示之第丨基板貼合作為相對基板之 第2基板，並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示面板之i像 素之剖面模式圖。圖8亦與圖1、圖4同樣，為了避免說明 之繁雜’省略第2基板上具有之相對電極之圖示。在第1基 板SUB1之最上面形成有第1配向膜〇RI1，在第2基板SIJB2 之最上面形成有第2配向膜〇Ri2。在2基板SUB2之最上面 115365.doc -18 - 200807124 所形成之第2配向膜0RI2之下層，全面形成有未圖示之相 對電極，在該相對電極之下層形成有彩色濾光片CF及遮光 膜BM。遮光膜BM，配置於成為薄膜電晶體TFTi區域之 SDi疋SD-BNK區域、遮盍閘極佈線之位置、及遮蓋形成 電容佈線CL之閘極堤g_bnk之位置。 本實施例中，亦在像素電極形成區域内具有電容佈線 CL。以該電容佈線CL之上層，遮蓋形成電容佈線cL之閘 _ 木疋G BNKi 分，分離像素之顯示區域ar。液晶之 光閘效應在顯示區域AR内有效。本實施例，亦、未形成用 於形成像素電極PX之堤，而利用SD堤SD_BNK形成像素電 極PX，故不需要像素電極用堤之形成製程。並且，將像素 電極PX藉由分離圖案spp連接於汲極8]〇2。分離圖案用 圖1 0進行說明。 圖9係按順序3兒明用於製造本發明之實施例3之第1基板 之製程之1像素之平面圖。依次參照圖8及圖9之（a)(b)…說 • 明該製程。首先，初期洗淨以玻璃板為宜之P基板剛 内表面後，塗佈閘極堤用之感光性樹脂膜，圖案化為間極 佈線閘極、及電容佈線之配置形狀後形成閘極堤G_ BNK進订使閘極堤⑽仳之表面及外側疏液性之疏液處 理、及使閘極堤G.BNK之㈣親液性之親液處理。 為且之V電性墨水’培燒後，形成閘極佈線GL、間極 GT及電谷佈線CT。覆蓋包含閘極佈線队、閘極仍、電 谷佈線GT、及位於此等之兩側之間極堤㈣服之第工基板 115365.doc -19- 200807124 内表面，蒸鑛氮化;5夕後，形成閘極絕緣膜gi。在 閘極絕緣膜GI上，依次蒸鍍非晶矽半導體膜（a-Si)S、n+矽 半導體膜（n+Si)nS，使非晶矽半導體膜S及n+矽半導體膜 nS以光學程序形成島狀。n+矽半導體膜沾，與非晶矽半導 體膜S相比較極薄，成為與源/汲極之接點層。 將n+石夕半‘體膜分離為源極側與沒極側。分離部分之 間成為通道。覆蓋露出該通道部分之非晶矽半導體膜§ 後，埋入保護膜PF。在閘極絕緣膜⑴上形成設置用於在像 素電極形成側形成分離圖案SPP之溝圖案之源極/汲極堤 SD BNK。该源極/汲極堤SD_BNK，以與閘極堤同 樣之方法形成。此外，該源植/沒極堤，形成於藉 由配置於薄膜電晶體”丁上方之第2基板内表面上具有之遮 光膜所遮蓋之位置。 在源極/汲極堤SD-BNK内藉由噴墨塗佈導電性墨水，焙 燒後形成源極SD1、沒極SD2。：；：及極SD2，係成為具有與下 層構造相仿之階差者。但是，汲極SD2中限制導電性墨水 之塗佈量’使其與以後塗佈之像素電極用之導電性墨水重 疊後成為焙燒之膜厚與源極SD1之厚度相等。 其次，利用汲極802側之源極/汲極堤SD-BNK及閘極佈 線用之堤G-BNK，在顯示區域内藉由喷墨塗佈混合有以 ITO為宜之透明導電粒子之導電性墨水溶液，焙燒後成為 像素電極PX。此時，像素電極ρχ用之導電性墨水溶液， 在用於形成分離圖案SPP之溝圖案中，流向汲極SD2之上 層，與該汲極SD2以2層構造或混合構造連接。並且，圖9 115365.doc -20- 200807124 之⑻顯示形成於第2基板SUB2之内表面上之遮光膜（黑色 矩陣）BM之圖案。 圖10係說明本發明實施例3之分離圖案形成之圖。本實 施例中，如圖10⑷所示，汲極SD2側之源極/沒極堤SD_ BNK具有用於形成分離圖案spp之細溝形狀。在該源極/沒 極堤SD-BNK内，塗佈源極/汲極用之導電性墨水。此時， 如圖10(b)所示，塗佈之導電性墨水流向形成分離圖案卿 之細溝形狀’並塗佈於該細溝形狀之大部分。塗佈膜較源 極SD1更薄。 然後，如圖10⑷所示’在像素區域側塗佈像素電極用之 ‘電]生墨水。導電性墨水流向形成分離圖案之細溝形 狀，重疊於源極SD1用之墨水上，或與源極SD1用之墨水 混合成為與源極SD1用之墨水膜同等之墨水膜。將其焙 一燒’可得到如圖7(b)所示之連接像素電極及汲極⑽之構 造。 圖11係圖10所示之分離圖案SPP部分之其他構造例之說 明圖。圖11中’在圖10(c)之分離圖案spp部分，藉由喷墨 形成有與前述實施例2相同之連接電極JED。藉此，可以提 高在分離圖案SPP部分之電性連接之可靠性。 依照實施例3，除了實施例！之效果以外，與實施例二同 樣，不需要用於形成像素電極ρχ之堤，故可以低成本得到 高亮度且顏色再現性良好之液晶顯示裝置。 [實施例4] 圖12係說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施例4之液 115365.doc •21 - 200807124 晶顯示面板之第1基板（薄膜電晶體基板）之丨像素之圖，圖 12(a)係顯不平面圖，圖12(b)係顯示沿圖12(勾之八_八，線之 剖面圖。圖13係顯示向圖12(b)所示之第1基板貼合作為相 對基板之第2基板，並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示 面板之1像素之剖面之模式圖。圖13中’為了避免說明之 繁雜，亦省略第2基板上具有之相對電極之圖丨。圖⑷系 按順序說明用於製造實施例4之第丨基板之製程之丨像素之
平面圖。. μ 實施例4之構造與前述實施例3大致相同，藉由分離圖案 spp來連接像素電極ΡΧ與沒極SD2。與實施例3不同之部 分’在於如圖12與圖13之剖面、及於圖14⑷所示，在保護 膜PF蝕刻加工前形成源極堤SD_BNK，以該源極堤 BNK作為遮罩蝕刻保護膜PF。 即使依照實施例4’亦可與實施例3同樣，不需要用於形 成像素電極PX之堤’故可以低成本得到高亮度且顏色再現 性良好之液晶顯示裝置。 [實施例5] 圖15係說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施例5之液 晶顯示面板之第1基板（薄膜電晶體基板）之^素之圖，圖 15⑷係顯示平面圖，圖15(b)係顯示沿圖15⑷之A-A，線: 剖面圖。圖16係顯示向圖⑽)所示之第❻板貼合作為相 對基板之D基板，並在兩基板之間封人液晶之液晶顯示 面板之1像素之剖面之模式圖。圖16中，為了避免說明之 繁雜’亦省略了第2基板上具有之相對電極之圖示。圖17 I15365.doc -22- 200807124 係按順序說明用於製造貫施例5之第1基板之製程之1像素 之平面圖。 實施例5，其特徵在於在第1基板SUB 1之内表面上直接 形成像素電極PX。此外，實施例5藉由第1連接電極JED J 來連接薄膜電晶體之汲極SD2與像素電極ρχ，且藉由第2 連接電極JED2連接被電容佈線CL分斷之像素電極間，亦 係其特徵。此等第1連接電極JED1及第2連接電極JED2， 亦係藉由噴墨之滴下塗佈後形成。 如圖15、圖16及圖17所示，在第1基板SUB1之内表面形 成閘極堤G-BNK，其係閘極佈線GL、閘極GT、及電容佈 線CL之形成用堤。閘極堤G-BNK全部形成於藉由第2基板 SUB2側具有之遮光膜BM所遮蓋之位置。使用該閘極堤g_ BNK ’藉由喷墨塗佈’焙燒後形成閘極、電容佈線 CL、及閘極佈線gl。
其次，利用該閘極堤G-BNK，藉由喷墨在顯示區域AR 内塗佈像素電極用之導電性墨水，焙燒後，形成像素電極 PX。然後，瘵鑛氮化矽SiN成膜閘極絕緣膜GI，並進行留 存覆蓋閘極GT之薄膜電晶體TFT之形成部分及覆蓋電容佈 線CL之上層部分之圖案化，使顯示區域之像素電極1>又露 出。形成矽膜及矽膜，藉由光學程序及蝕刻，形成矽膜 及n+矽膜之島。加工n +矽膜形成通道，覆蓋該通道部分後 填充保護膜。 ^閘極絕緣膜GI上覆蓋矽膜及n+矽膜之島，在薄膜電晶 體區域之源極佈線SL、源極SD1、及汲極叩2之形成部 115365.doc -23- 200807124 刀，形成源極堤SD-BNK。在由該源極堤SD-BNK所包圍之 内側，藉由喷墨塗佈導電性墨水，焙燒後，形成源極佈線 SL、源極SD1、及汲極8〇2。
如圖15、圖16及圖17(g)所示，使汲極SD2與像素電極PX 以橋接之方式藉由喷墨塗佈導電性墨水，形成電性連接兩 者之連接電極JED1。此外，在電容佈線CL之上方，亦藉 由喷墨塗佈導電性墨水，形成電性連接被電容佈線所分 :之像素電極之間之連接電極勘2。形成連接電極漏2 時’宜使喷墨之墨水滴，如圖17(g)所示沿電容佈線 複數滴順次重疊地塗佈。此外，作為形成連接電極了顧及 連接電極JED2之導電性墨水，宜使用肖形成像素電極ρχ 同樣之分散有ΙΤΟ等透明導電性粒子之溶液。 依照實施例5 ’在像素電極ρχ之下層，由於既無閉極紹 彖膜’亦無i疋形成用之樹脂層，故透光率提高，且亦鉦因 _墨形成之佈線及電極所產生之著色，故可得到高赛 7顏色再現性良好之液晶顯示裝置。再者，藉由簡化類 程，可以以低成本提供液晶顯示裝置。 [實施例6] 曰=係說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施例6之液 /面板之第1基板(薄膜電晶體基板⑷像素之圖，圖 8(a)係顯示平面圖’圖ls(b)係顯示沿圖18⑷之Α·Α，線之 =圖。圖_按順序說明用於製造實施例6之第i基板之 I矛王之1像素之平面圖。 圖18中，包含形成於以玻璃為宜之第1基板SUB1上之補 115365.doc •24- 200807124 數之閘極佈線GL、及交叉於該閘極佈線之複數之源極佈 線SL，在由2根閘極佈線GL& 2根源極佈線乩所包圍之區 域（像素區域）形成1像素。關於源極及汲極，此處亦作為源 極佈線SL進行δ兒明。}像素係由薄膜電晶體了打及像素電 極PX所構成。 本貝靶例中，亦在橫跨源極電極形成區域内之大約中央 部分、與閘極佈線並行之方向配置有電容佈線CL。薄膜電 _ 曰曰曰體丁打配置於閘極佈線GL與源極佈線SL之交叉部附近。 乂薄膜電日日體TFT係由從閘極佈線延伸之閘極、半導體 膜SI源極SD1、及汲極SD2所構成。半導體膜SI在矽之 曰積層n+石夕之接點層，除去該接點層之中央部分，形成 通道。在該通道部分填充有保護膜pF。 圖18(b)中，在第i基板SUB1上形成有閘極堤^^^^，其 係閘極佈線GL、閘極GT、及電容佈線之形成用堤。該 閘極堤G-BNK僅配置於薄膜電晶體叮丁之區域内、電容佈 _ 線以之形成部分、及閘極佈線队之形成部分。並且，藉 由以ITO為宜之透明導電膜所製成之像素電極，藉由分 離圖案SPP連接於薄膜電晶體TFT之汲極SD2。 溥膜電晶體TFT之閘極GT，在藉由形成於薄膜電晶形成 區域之閑極堤G_BNK所形成之溝内，藉由噴墨塗佈以銀 (Ag)溶液為宜之導電性墨水，焙燒後形成。此外，電容佈 線CL ’藉由形成於像素區域之閘極堤g_b]S[k所形成。並 t 且’閑極佈線GL，藉由形成於像素區域外之閘極堤G- BNK所形成。在其上形成閘極絕緣膜GI。如後述之圖19(c) 115365.doc -25- 200807124 所示，源極SD1及汲極SD2，藉由設置於閘極絕緣膜⑴之 SD堤SD-BNK所形成。如後所述，此等之閘極堤G_BNKi 上方，處於藉由在第2基板具有之遮光膜（黑色矩陣）所遮蓋 之位置。 與第2基板SUB2之位置關係與說明前述實施例3之圖8同 樣，第2基板SUB2之遮光膜BM，配置於成為薄膜電晶體 TFT之區域之SD媞SD_BNK區域、遮蓋閘極佈線〇[之位 置、及遮蓋形成電容佈線CL之閘極堤G_bnk之位置。 本實施例中，亦在像素電極形成區域内具有電容佈線 CL。藉由該電容佈線〇1^之上層、遮蓋形成電容佈線之 閘極堤G-BNK之部分，分離像素之顯示區域AR。液晶 之光閉效應在顯示區域AR内有效。本實施例，亦未形成 用於形成像素電極px之堤，而利用SD堤SD_BNK形成像素 電極PX，故不需要像素電極用堤之形成製程。並且，將像 素電極PX藉由分離圖案SPP連接於汲極犯2。分離圖案 SPP，與圖1 〇中之說明相同。 本實施例，其特徵在於藉由半曝光一併進行矽膜s&n+ 矽膜nS之蝕刻加工之同時，源極堤sd_bnk亦半曝光，一 併加工覆蓋通道部之保護膜及閘極絕緣膜，藉此大幅度地 削減了製程數量。圖19係按順序說明用於製造本發明之實 施例6之第丨基板之製程之丨像素之平面圖。此外，圖劝及 圖21，係說明本發明之實施例6之特徵之要部製程圖；圖 20係石夕膜S及n+石夕膜叙钱刻加工之說明圖；_係繼圖 2〇之覆蓋祕堤及通道部之保護膜及閘極絕賴之钱刻加 115365.doc -26 - 200807124 工之說明圖。 圖20中’（a)行顯示製程，（b)行顯示對應於⑷行製程之 第1基板之薄膜電晶體區域之剖面。首先，在 板議1之氮切卿)之閘極絕緣膜GI上形切（非晶石夕. a_Si)之膜心+梦膜nS。在形成之梦膜S及心膜Ns上塗 佈光阻劑。對該光阻劑使用半曝光遮罩，島狀矽半導體膜 部分全曝光’對通道部實施半曝光，顯影，留存所需要之 光阻劑RG。 ，光阻劑崎為遮罩，對㈣SAn烤膜ns實施钱刻。 將精由半曝光圖案化之光阻劑RG作為姓刻遮罩進行钱刻 之結果’留下成為薄膜電晶體之主動層之島狀半導體膜: 且通道部上層之n+石夕膜nS被除去。剝離光阻劑RG後形成 露出通道CH之島狀半導體膜。 圖21中’（a)行顯示製程，⑻行顯示對應於⑷行製程之 第工基板之薄膜電晶體區域（TFT部）之剖面，⑷行同樣顯示 閉極端子部等之閘極絕緣膜開口部之剖面。在圖2〇之擊程 之後’覆蓋包含該島.狀半導體膜之閉極絕緣膜，形成保護 膜打。在保護膜PFJl塗佈亦成為源極堤之光阻劑RG。 對該光阻劑RG實施半曝I該半曝光係使用下述之曝 先遮罩’其使直至除去閘極絕緣膜之閘極端子部等之閘極 絕緣膜之開口部成為全曝光，成為源極堤犯_職之部分 及通道CH之部分成為無曝光，間極絕緣膜〇ι之剩餘部分 成為半曝光。並且，此處’使用藉由顯影而溶解除去曝光 部分之負型光阻劑。 115365.doc -27· 200807124 半曝光後，顯影光阻劑RG，並實施蝕刻後，薄膜電晶
體區域（TFT部）中，在成為源極堤SD-ΒΝΚ部分及通道cH 部分留有保護膜PF，在閘極絕緣膜之開口部，除去保護膜 PF及直至其下層之閘極絕緣膜⑴。將其焙燒後形成源極堤 SD-BNK。並且’在通道CH之保護膜卯上亦留有與源極堤 SD-BNK相同之絕緣膜。 然後，用於形成源極堤SD_BNK之源極、源極電極、汲 極電極、及像素電極之部分進行親液處理，其他部分進行 疏液處理後，藉由喷墨之塗佈及焙燒，形成各佈線、各電 極0 依照實施例6,除了實施例3之效果以外，可以更低成本 獲得高亮度且顏色再現性良好之液晶顯示裝置。 圖22係說明圖4、圖15、圖16等之連接電極部分之詳細 剖面圖。圖4、圖15、圖16等之中，連接電極jed係如圖: 22(a)所示。亦即，像素電極ρχ與汲極SD2，係藉由噴墨塗 佈之導電性膜所構成之連接電極JED進行電性連接。圖 22(a)中，顯示該連接電極JED，係從像素電極]?又跨越閘極 絕緣膜GI與源極堤SD_BNK^階差進行連接，會被認為該 跨越困難且連接不充分。但是，實際上，該連接部分如圖 22(b)所不，連接電極JED之大小係足以吸收前述之階差大 小，故不會產生跨越階差部分之連接不充分等不良。 以上主要對第1基板側之構成進行說明。但是，在與第2 基板之對位產生偏移之情形，自遮光膜區域露出堤，有影 響開口率及對比度之可能性。以下，對抑制由於堤與遮光 115365.doc -28· 200807124 膜之對位偏移而對顯示品質產生影響之構成進行說明。此 處，以電容佈線CL及遮光膜BM為例進行說明。 圖23係說明遮光膜之一般性設計例之圖。如圖23(a)所 示，在第1基板SUB1上形成有寬度為WL之電容佈線CL， 在第2基板SUB2上形成有寬度為WB之遮光膜BM及彩色濾 光片CF。遮光膜BM之寬度WB，作為對位裕度，形成為其 兩側分別只比電容佈線CL寬d裕度。亦即，遮光膜BM之寬 度WB与[電容佈線CL之寬度WL+裕度dx2]。並且，若對位 偏移最大為2d，則如圖23(b)所示，電容佈線CL不會從遮 光膜BM偏移而露出於顯示區域。 圖24係說明藉由本發明之源極堤所形成之電容佈線及遮 光膜之設計例之圖。如圖24(a)所示，在第1基板SUB1上形 成有藉由一對閘極堤G-BNK所形成之寬度為WL之電容佈 線CL。在第2基板SUB2上形成有寬度為WB之遮光膜BM及 彩色濾光片CF。遮光膜BM之寬度為WB，作為對位裕度， 形成為其兩側分別只比電容佈線CL寬d裕度。並且，閘極 堤G-BNK之寬度D，設定為與對位裕度d大致相同值。 亦即，遮光膜BM之寬度WB与[電容佈線CL之寬度WL+ 裕度d〇D)x2]。並且，若對位偏移最大為2d〇2D)，則如 圖24(b)所示，即使位於電容佈線CL之兩側之閘極堤G-BNK中之一者從遮光膜BM偏移，露出於顯示區域，因閘 極堤G-BNK為透光性，故開口率亦不降低。 圖25係說明圖24所示之電容佈線及遮光膜之其他之設計 例之圖。該設計例中，除了使閘極堤G-BNK成為光吸收性 115365.doc -29- 200807124 (光性）或低遮光性之點外’與圖2 4之設計相同。該例 中，由於閘極堤G-BNK為遮光性，故雖開口率有少許降 低，但對比度提高。 圖26，係說明本發明之藉由閘極堤所形成之電容佈線及 遮光膜之另一設計例之圖。該設計例中，如圖26(a)所示， 在第1基板SUB1上形成有藉由一對閘極堤G_BNK所形成之 見度為WL之電容佈線CL。在第2基板SUB2上形成有寬度 為WJB之遮光膜8“及彩色濾光片CF。遮光膜BM之寬度 WB，作為對位裕度，形成為其兩側分別只比電容佈線cl 見d裕度加上閘極堤(3_；81^尺之寬度D之值。並且，閘極堤 G-BNK之寬度D，設定為與對位裕度d大約相同值。 亦即，遮光膜BM之寬度WB与[電容佈線CL之寬度WL + 裕度dx2+閘極堤匕BNK之寬度Dx2]、（d〜D)。並且，若對 位偏移最大為2d(与2D)，則如圖26(b)所示，即使位於電容 佈線CL之兩側之閘極堤G_BNK中之一者從遮光膜謂偏移 而露出於顯示區域，因閘極堤請K為透光性，故開口率 亦不降低。 亚且，圖25所㉟明之光吸收性（遮光性）或低遮光性之閑 極堤〇·ΒΝΚ^亦適用於前述之各實施例及遮光膜之設計 ]…此外，刚述之連接電極既可係與像素電極相同之導電 材料’亦可係與源’汲極材料相同之材料、或其他之導電 〖生材料：设置於薄膜電晶體上層之保護膜並非限定於氮化 石夕可係有機絕緣膜，亦可與堤兼用。 【圖式簡單說明】 115365.doc * 30 - 200807124 圖1⑷、（b)係說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施例 1之液晶顯示面板之第1基板(薄膜電晶體基板⑷像素之 圖。 圖2係顯示向圖⑽所示之第1基板貼合作為相對基板之 第2基板’並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示面板之蹯 素之剖面之模式圖。 圖3(a)-(h)係按順序說明用於製造本發明之實施例丨之第
1基板之製程之1像素之平面圖。 圖4(a) ' (b)係、說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施例 2之液晶顯示面板之第!基板(薄膜電晶體基板…像素之 斤圖5係顯示向圖4(b)所示之第1基板貼合作為相對基板之 第2基板’並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示面板之1像 素之剖面之模式圖。 圖6(a)-(h)係按順序說明用於製造本發明之實施例2之第 1基板之製程之1像素之平面圖。 圖7(a)、(b)係說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施例 3之液晶顯示面板之第1基板（薄膜電晶體基板）之丨像素之 —圖8係顯示向圖7(b)所示之第1基板貼合作為相對基板之 第2基板，並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示面板之^象 素之剖面之模式圖。 圖9(a) (h)係按順序說明用於製造本發明之實施例3之第 1基板之製程之1像素之平面圖。 115365.doc -31- 200807124 圖1 ( ) (c)係說明本發明之實施例3之分離圖案形成之 圖。 圖11係圖1 〇所干八 尸坏不之分離圖案SPP部分之其他構造例之說 明圖。 圖1 () (b)係說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施 例4之液晶顯示面板之第1基板（薄膜電晶體基板）之！像素之 圖。 /
5 13係㉝不向圖12(b)所示之第1基板貼合作為相對基板 之第2基板’並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示面板之i 像素之剖面之模式圖。 圖14(aHh)係按順序說明用於製造實施例4之第i基板之 製程之1像素之平面圖。 圖15(a)、（b)係說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施 例5之液日日顯不面之楚1盆j-c： / ^ 板之弟1基板（薄膜電晶體基板）之1像素之 圖。 、 圖16係顯示向圖15(b)所示之第1基板貼合相對作為基板 之第2基板’並在兩基板之間封入液晶之液晶顯示面板之i 像素之剖面之模式圖。 圖17⑷-W係按順序說明用於製造實施例5之第i基板之 製程之1像素之平面圖。 圖18⑷、(b)係說明構成本發明之液晶顯示裝置之實施 例6之液晶顯示面板之第i基板（薄膜電晶體基板）之磷 圖。 ’、 圖1 9(a)-(f)係按順序說明用於製造本發明之實施例6之第 H5365.doc -32 - 200807124 1基板之製程之1像素之平面圖。 S 20(a) (b)係說明本發明之實絲 n+矽膜nS之餘列力 >、 1之特徵之矽膜S及 棘习加工之說明圖。 Θ 21 (a) (c)係繼說明本 芸调描i曰b、s、> 錢苑例6之圖20，説明覆 ’、。疋、I部保護膜及閘極絕緣膜等< 明圖。 豕胰寺之蝕刻加工之說 圖22(a)、（b)係說明圖4、圖15、 之 之詳細之剖面圖。 α16專之連接電極部分 圖23⑷、（b)係說明遮光膜之_般性設計例之圖。 圖24(a)、（b)係說明本發明之藉 u ^ 閘桎徒所形成之電容 怖線及‘光膜之設計例之圖。 圖25(a)、（b)係說明圖24所示 电4佈線及遮光膜之JL 他之設計例之圖。 /、 圖26(a)、（b)係說明本發明之藉由閘極堤所形成之電容 佈線及遮光膜之另一設計例之圖。 圖27係模式說明利用喷墨方式形成於第i基板之内表面 之構造之一例之剖面圖。 圖28係說明使用堤之佈線等之形成製程之圖。 【主要元件符號說明】
SUB1 SUB2 GL GT GI 第1基板（薄膜電晶體基板） 第2基板（彩色濾光片基板） 閘極佈線 閘極 閘極絕緣膜 115365.doc -33 - 200807124
nS
S
RG
G-BNK
SD-BNK
P-BNK SD1 SD2 PX n+矽膜 矽膜 光阻劑 閘極堤 源極堤 像素堤 源極 汲極 像素電極
115365.doc -34-

Claims (1)

  1. 200807124 十、申請專利範圍： 曰曰 l 一種液晶顯示裝置，其特徵在於其係使用下述液晶顯示 面板而構成者，該液晶顯示面板包含：於矩陣排列之複 數之：個像素形成有薄膜電晶體之第【基板；形成有在 對應财述像素所形成之複數色之彩色濾光片與彩色減光 片，間所形成之遮光膜及相對電極之第2基板；且在前 述弟1基板與前述第2基板之貼合間隙封入有液 且在前述第1基板上，包含： :極佈線’其係部分形成前述薄膜電晶體之閉極而 施加掃描信號者； 閘極絕緣膜，其係覆蓋前述閘極佈線而成膜者； 半導體層，其係於前述間極絕緣膜上形成為島狀之 構成前述薄膜電晶體之主動層者； ::及汲極’其係個別連接於前述間極絕緣膜上及 則述+導體層者； 者；^料佈線，其係部分形成前述源極，供給顯示信號 像素電極，其係連接於前述汲極者； 前述閉極佈線及閘極、前述源極及汲極 夸雷托 Μα &則述像 京電極，係使以絕緣性膜之堤狀體 黑泠妆4 @ 〇固< ^域内經噴 墨塗佈之導電性溶液予以培燒而形成；且 、 前述絕緣性膜之堤狀體，僅配置於在前述 上具有前述遮光膜之區域内。 土板 2.如請求項1之液晶顯示裝置，其中 115365.doc 200807124 則述像素電極，在鄰接前述遮光膜之各區域内， =藉由前述源極及汲極上層之各堤狀體所包圍之區 1 2述像素電極與前述汲極，藉由設置於前述閘 膑上之堤狀體所分離；且 巴，、表 丨述汲極與月述像素電極，藉由接觸孔連接。 3·如請求項1之液晶顯示裝置，其中 =像素電極’與前述源極及沒極同層，且源極及沒 =猎由形成於前述間極絕緣膜上之堤狀體所分離；且 黑=像素電極及前述祕，藉由橋接此兩電極之經喷 土土佈之導電性連接電極所連接。 、 4·如请求項1之液晶顯示裝置，其中 、'迷像素電極，與前述源極及汲極同層；且 前述像素電極與前述汲極，具有連接此 分離圖案。 电位之綠狀 5 ·如明求項3之液晶顯示裝置，其中 在前述線狀分離圖案上，又以橋接前述像素電極盘前 述沒極之經喷墨塗佈之導電性連接電極所連接。 6·如請求項1之液晶顯示裝置，其中 引述像素電極，與前述源極及沒極同層，在前述源極 貝1之堤狀體下層及前述半導體層之通道部之堤狀體下層 具有保護膜；且 曰 則述像素電極及前述汲極，具有連接該 分離圖案。 〈綠狀 115365.doc 200807124 7.如請求項6之液晶顯示裝置，其中 在前述線狀分離圖案上，又以橋接前述像素電極與 前 電極 述沒極之方式，藉由哈 由贺墨塗佈及焙燒所形成 進行連接。 按 8 ·如明求項1之液晶顯示裝置，其中 具有與前述閘極佈 電谷佈線之堤狀體 分離為第1像素電 在形成有前述像素電極之區域内 線同層之電容佈線；
    w述像素電極’藉由用於形成前述 及配置於該堤狀體上之間極絕緣膜， 極及第2像素電極； 前述第1像素電極及配置於前述間極絕緣膜上層之前 逑源極’以橋接兩電極之間之方式，藉由噴墨塗佈及培 燒所形成之第1連接電極進行連接； 前述第2像素電極及前述第W素電極，以橋接兩像辛 電極之間之方式’藉由噴墨塗佈及培燒所形成之第2連 接電極進行連接。 9·如請求項8之液晶顯示裝置，其中 前述電容佈線，配置於與前述閘極佈線並行之方向。 10.如請求項8之液晶顯示裝置，其中 在將形成於前述第2基板之遮光膜之寬度設定為wb， 配置於前述第1基板之前述電容佈線之寬度設定為WL， 忒$光膜與電谷佈線之在覓度方向兩側之對位裕度分別 設定為d時，WB与WL+2d。 Π ·如請求項8之液晶顯示裝置，其中 115365.doc 200807124 在將形成於前述第2基板之遮光膜之寬度設定為WB， 配置於前述第1基板之前述電容佈線之寬度設定為WL， 該遮光膜與電容佈線之在寬度方向兩側之對位裕度分別 設定為d，用於形成前述電容佈線之前述堤狀體之寬度 設定為 D 時，WB = WL+2D、D = d。 12. 如請求項11之液晶顯示裝置，其中 用於形成前述電容佈線之前述堤狀體，具有與前述遮 ^ 光膜相同之透光率。 13. 如請求項8之液晶顯示裝置，其中 在將形成於前述第2基板之遮光膜之寬度定設為WB， 配置於前述第1基板之前述電容佈線之寬度設定為WL， 該遮光膜與電容佈線之在寬度方向兩側之對位裕度分別 設定為d，用於形成前述電容佈線之前述堤狀體之寬度 設定為D時，WB与WL+2D+2d。 II 5365.doc
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