KR960002855A - 강유전체 메모리장치 - Google Patents

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아끼라 요시다
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Abstract

강유전체 메모리장치는 산소를 함유한 유전체 재료의 채널층과, 이 채널층내에 확정된 채널영역에 걸친 채널층상에 형성된 소스 및 드레인전극과, 적어도 채널영역을 덮도록 채널영역을 덮도록 채널층상에 형성된 강유전체 메모리층과, 이 강유전체 메모리창에 형성되어 거기에 전계를 인가하는 기입제어전극을 포함한다.

Description

강유전체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 강유전체 메모리장치의 구성도.
제2도는 제1도의 메모리장치에 사용되는 강유전체의 히스테리시스곡선을 나타낸 도면.

Claims (16)

  1. 강유전체 분극의 형태로 정보를 저장하는 강유전체 메모리장치로서, 캐리어를 통하게 하는 산소를 함유한 유전체 재료의 채널층과; 상기 채널층상에 형성되어 상기 채널층에 캐리어를 주입하는 소스전극과; 상기 채널 층상에 상기 소스전극과 분리되어 형성되어 상기 채널층으로부터 캐리어를 수집하는 드레인전극과; 상기 소스전극과 상기 드레인 전극은 캐리어의 통로로서 양 전극간에 걸친 채널영역을 확정하고, 그곳을 통해 캐리어가통과하는 상기 채널영역과; 상기 채널영역의 근방에 형성되어 적어도 상기 채널영역을 덮는 강유전체 메모리층과, 상기 강유전체 메모리층에 형성되어 상기 강유전체 메모리층에 전계를 인가하는 기입 제어전극을 구비한 강유전체 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 채널층은 페로브스카이트구조 및 스피넬구조중의 어느 하나로 된 강유전체 메모리장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 채널층은 SrTiO3으로 된 강유전체 메모리장치
  4. 제1항에 있어서, 상기 기입제어수단은 상기 강유전체 메모리층과 접촉하는 제1제어전극과 상기 채널층과 접촉하는 제2제어전극을 포함한 강유전체 메모리장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 및 제2제어전극은 상기 강유전체 메모리층 및 상기 채널층과 각가 숏키접촉을 이루는 강유전체 메모리장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 강유전체 메모리층은 증가된 캐리어 밀도의 도전영역과상기 제1제어전극으로서 작용하는 도전영역을 포함한 강유전체 메모리장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 채널층은 증가된 캐리어 밀도의 도전영역을 포함하며, 상기 도전영역은 상기 제2제어전극으로서 작용하는 강유전체 메모리 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 강유전체 메모리장치는 상기 채널층으로서 유전체 재료의 기판을 포함하며, 상기기판은 그 상부 주면상에 상기 소스전극, 상기 드레인전극 및 강유전체 메모리층을 탑재하고, 또 상기 강유전체 메모리층은 상기 강유전체 메모리층상에 게이트전극으로서 형성된 제1제어전극과 상기 기판의 하부 주면에 형성된 제2제어전극을 포함한 강유전체 메모리장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 강유전체 메모리장치는 상기 강유전체층으로서 강유전체 재료를 포함하며, 상기 기판은 스 상부 주면상에 채널층을 탑재하고, 상기 채널층은 그 상부 주면상에 상기 소스 및 드레인전극을 탑재하며, 또 상기 기입제어수단은 상기 채널층의 상부 주면상에 게이트전극으로 형성된 제1제어전극과 상기기판의 하부 주면상에 형성된 제2전극을 포함한 강유전체 메모리장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 강유전체 메모리장치는 상부 및 하부 주면을 갖는 절연가판을 포함하며, 상기 기판은 상기 상부 주면상에 채널층을 탑재하고, 상기 채널층의 상부 주면상에 상기 채널영역에 대응하여상기 강유전체 메모리층이 형성되며, 상기 채널층은 또한 그 상부 주면상에 상기 소스 및 드레인 영역을 탑재하며, 또 상기 기입제어수단은 상기 강유전체 메모리층상에 형성된 제1기입제어전극과 상기 도전층의 상기 하부 주면상에 형성된 제2기입제어전극을 구비한 강유전체 메모리장치.
  11. 제1항에 잇어서, 사기 강유전체 메모리장치는 그 위에 도전층을 탑재한 절연기판을 포함하며, 상기 도전층은 그 상부저면상에 상기 채널층을 탑재하고, 상기 채널층은 그 위에 강유전체 메모리층을 탑재하며, 또 상기 기입제어수단은 상기 강유전체 메모리층상에 형성된 제1기입제어전극과 상기 도전층의 상기 상부 주면상에 형성된 제2기입제어전극을 구비한 강유전체 메모리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 도전층은 금속으로 된 강유전체 메모리장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 도전층은 그 위에 상기 채널층과 동일한 성분을 갖는 유전체층으로 되며, 상기 유전체층은 금속의 도프된 전율을 갖도록 도프되는 강유전체 메모리장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 강유전체 메모리장치는 그 위에 도전층을 탑재한 절연기판을 포함하며, 상기 도전층은 상기 강유전체 메모리층이 형성된 상부 주면을 가지며, 상기 강유전체 메모리층은 그 위에 상기 채널층을 탑재하고, 상기 채널층은 그 위에 상기 소스 및 드레인 전극을 탑재하며, 또 상기 기입제어수단은 상기 채널층상에 상기 채널영역에 대응하여 형성된 제1제어전극과 상기 도전층의 상기 상부 주면상에 형성된 제2제어전극을 구비한 강유전체 메모리장치.
  15. 제14항에 있어서 상기 도전층은 금속으로 된 강유전체 메모리 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 도전층은 강유전체 채널층과 동일한 성분을 갖는 강유전체층으로 되며, 상기 강유전체층은 금속의 도전율을 갖도록 도프된 강유전체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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