KR970030922A - 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조방법 - Google Patents

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KR970030922A
KR970030922A KR1019950042296A KR19950042296A KR970030922A KR 970030922 A KR970030922 A KR 970030922A KR 1019950042296 A KR1019950042296 A KR 1019950042296A KR 19950042296 A KR19950042296 A KR 19950042296A KR 970030922 A KR970030922 A KR 970030922A
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KR
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gate electrode
forming
gate insulating
gate
insulating layer
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KR1019950042296A
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Inventor
우재용
Original Assignee
김주용
현대전자산업주식회사
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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 게이트 전극의 스텝커버리지를 개선하여 게이트 전극과, 소오스, 드레인 전극간의 전기적 단락을 방지할 수 있는 액정 표시장치의 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 유리 기판상에 제1게이트 절연막을 형성하고, 게이트 전극 예정 영역을 식각하여 홀을 형성하는 단계; 상기 홀 영역에 게이트 전극 형성용 금속막을 매립하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 제1게이트 절연막 및 게이트 전극 상부에 제2게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 제2게이트 절연막 상부에 비정질 반도체층, 에칭 스톱퍼, 도핑된 반도체층, 및 소오스 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 이에 따르면, 게이트 전극을 우선 게이트 절연막을 형성하고, 소정 부분 식각한 다음, 매립하는 형태로 게이트 전극을 형성하므로써, 게이트 전극에 의한 표면 단차 가소시킬 수 있고, 이로 인해 게이트 전극 상부의 충분한 절연 영역을 확보할 수 있어, 게이트 전극과 소오스, 드레인 전극간의 전기적인 단락 문제를 해결할 수 있다.

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3(a)도-제3(c)는 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조 방법을 보인 요부 단면도.

Claims (5)

  1. 투명성 절연 기판상에 제1게이트 절연막을 소정 두께로 형성하는 단계; 상기 제1게이트 절연막 중 게이트 전극 예정 영역부분을 식각하여 일정 크기의 홀을 형성하는 단계; 상기 홀 영역에 게이트 전극 형성용 금속막을 매립하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 제1게이트 절연막 및 게이트 전극 상부에 제2게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제2게이트 절연막 상부에 비정질 반도체층, 에칭 스톱퍼, 도핑된 반도체층 및 소오스 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1게이트 절연막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1게이트 절연막의 두께는 2000 내지 3000Å인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극 형성용 금속막은 알루미늄, 크롬, 탄탈륨 중 선택되는 하나의 막인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상기 유리 기판상에 홀이 형성된 구조물 상부에 게이트 전극 형성용 금속막을 형성하는 단계; 상기 홀 이외의 제1게이트 절연막 상부에 잔존하는 금속막을 제거하여 홀 영역을 금속막으로 매립하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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