KR960002590A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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KR960002590A
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 종래 기술에서 노광 및 현상공정을 이용한 감광막패턴 형성공정시 상기 감광막패턴의 손상을 방지하기 위하여, 감광막 상부에 보호막을 증착하고 노광 및 현상공정을 실시함으로써 균일한 감광막패턴을 형성하여 반도체소자의 신뢰성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 기술이다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2B도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체소자의 제조공정을 도시한 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체소자의 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부물질층을 형성하고 그 상부에 감광막과 보호막을 순차적으로 도포하는 공정과, 노광후 현상공정을 실시하여 상기 보호막을 제거하고 감광막패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 폴리비닐아세테이트로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보호막의 두께는 λ/4n(n:굴절률, λ:파장)으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 폴리비닐아세테이트는 평균분자량이 1000-10000인 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보호막은 스핀코팅 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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