JP2003168687A - 目合わせパターンおよびその製造方法 - Google Patents

目合わせパターンおよびその製造方法

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JP2003168687A JP2001366099A JP2001366099A JP2003168687A JP 2003168687 A JP2003168687 A JP 2003168687A JP 2001366099 A JP2001366099 A JP 2001366099A JP 2001366099 A JP2001366099 A JP 2001366099A JP 2003168687 A JP2003168687 A JP 2003168687A
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film
hole
alignment pattern
insulating film
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Chieri Teramoto
知恵理 寺本
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NEC Electronics Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 新たな工程を付加することなく、CMPによ
る平坦化を行った場合でも、スキャンにより段差を確実
に検出して容易にピークを読み取ることができる目合わ
せパターン及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板18上のBPSG膜20に
開けられた目合わせ用ホール12の上端エッジと、目合
わせ用ホール12に埋設されたタングステンプラグ14
表面との間に形成される傾斜面の平面形状からなり、ア
ルミニウム膜15の配線パターニングに用いられる目合
わせパターンであって、目合わせ用ホール12の深さ
を、BPSG膜20の膜厚より深く形成した。目合わせ
用ホール12を、シリコン基板18に形成したフィール
ド酸化膜13の内部に入り込ませ或いは貫通させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、目合わせパター
ンおよびその製造方法に関し、特に、金属配線膜の配線
パターニングにおける目合わせに際し、目ズレの度合い
を確認するための測定に用いられる目合わせパターンお
よびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体製造工程において、次工程
で形成されるパターンを、基板上の既存パターンに対し
位置ズレすることなく形成するために、既存パターンと
の相対的な位置調整(アライメント)を行う際に用いら
れる目合わせパターンが知られている。
【0003】このような目合わせパターンとして、例え
ば、矩形状枠形のボックスマークを用いる場合、ボック
スマークを覆うレジストに形成されるボックスマークに
対応した段差を読み取り、その段差間距離を比較するこ
とにより、目合わせパターンのズレがどの位あるのかを
確認している。
【0004】このボックスマークは、層間絶縁膜に開け
られた矩形開口を有する目合わせ用ホールに金属プラグ
を埋設することで得られる、層間絶縁膜表面と目合わせ
用ホール内の金属プラグ表面との間の傾斜面によって形
成される。
【0005】ボックスマーク用のコンタクトホールが形
成されると、金属プラグを埋め込んだ後、エッチバック
により表面が平坦化され、平坦化された表面に配線が形
成される。エッチバック後、コンタクトホールは段差を
有することになり、配線形成後も段差の存在を十分読み
取ることができる。
【0006】ところで、最近の平坦化技術の進歩によ
り、CMP(chemical mechanical
polishing)による平坦化、及びアルミニウ
ムスパッタ温度の高温化等が普及して、より平坦性が向
上している。このため、エッチバックの代わりにCMP
を用いて、コンタクトホールに金属プラグを埋め込んだ
後の表面の平坦化が行われている。
【0007】図8は、従来の目合わせパターン形成方法
を概略的に示す工程断面図である。図8に示すように、
シリコン基板(Si−sub)1の上にTiSi膜2を
形成し、その上に、層間絶縁膜としてのBPSG(bo
ron phospho silicate glas
s)膜3を形成する。
【0008】ウェーハを分割するスクライブ線は、従
来、拡散層で形成されており、その領域にコンタクトホ
ールを形成する。このとき、内部回路で使用するコンタ
クトホール4(径≦0.5μm)を形成すると同時に、
目合わせ領域に、アライメントで使用するための目合わ
せ用ホール5(径≧15μm)も形成する((a)参
照)。
【0009】形成されたホール4,5にタングステンプ
ラグ(W−Plug)6を埋設した後、W−CMPによ
り表面を平坦化する。W−CMPによる平坦化後、目合
わせ用ホール5は約50nmの段差dを有することにな
る。この段差d部分、即ち、目合わせ用ホール5の周辺
傾斜部が、目合わせパターンとしてのボックスマークと
なる。その後、スパッタにより、平坦化された表面に第
1アルミニウム配線(1Al)用のアルミニウム膜7を
成膜する((b)参照)。
【0010】図9は、従来の目合わせパターンを示し、
(a)は目合わせパターンが形成された半導体装置の断
面図、(b)は(a)の平面図、(c)は読み取られた
段差データの説明図である。
【0011】図9に示すように、アルミニウム膜7が成
膜された後、フォトレジスト8を形成してパターニング
を行う((a)参照)。このとき、フォトレジスト8の
上から、目合わせ用ホール5のボックスマーク9を検出
して目合わせを行うため、ボックスマーク9の対向辺を
横切るようにスキャンする((b)参照)。スキャンし
た結果、スキャン方向(図中、矢印参照)に従い段差検
出部分がピーク波形となって観測される((c)参
照)。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、W−C
MPによる表面平坦化の場合、目合わせ測定用の径の大
きな目合わせ用ホール5であっても段差が少なくなっ
て、アルミニウム膜7を成膜した後にそのコンタクトエ
ッジを検出することが困難になってしまう。
【0013】これは、W−CMPによって、平坦化に際
してのプラグロス(Plug−loss)が少なくなり
全面がより完全に平坦化されてしまうこととなり、段差
が低減されるためである。つまり、W−CMPによる表
面平坦化の場合、スキャンしたときのボックスマーク9
における段差(図中、A点,D点参照)が少ないため、
波形が幅広(ブロード)になってシャープな波形が得ら
れなくなり、ピークの読み取りが難しくなる。
【0014】従って、ボックスマーク9における段差
と、フォトレジスト8における段差(図中、B点,C点
参照)の距離(A点−B点,C点−D点)を比較して目
合わせのズレを測定する場合、誤差が大きくなって精度
の低下が避けられなくなる。
【0015】また、コンタクトエッジを検出し易いよう
に、シリコン基板1に溝を形成して目合わせパターンで
あるボックスマーク9を深くすることも考えられるが、
この場合、半導体装置の製造工程において、溝を形成す
るための新たな工程を付加する必要がある。
【0016】この発明の目的は、新たな工程を付加する
ことなく、CMPによる平坦化を行った場合でも、スキ
ャンにより段差を確実に検出して容易にピークを読み取
ることができる目合わせパターンおよびその製造方法を
提供することである。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明に係る目合わせパターンは、基板上の絶縁
膜に開けられた目合わせ用ホールの上端エッジと、前記
目合わせ用ホールに埋設された金属プラグ表面との間に
形成される傾斜面の平面形状からなり、金属配線膜の配
線パターニングに用いられる目合わせパターンであっ
て、前記目合わせ用ホールの深さを、前記絶縁膜の膜厚
より深く形成したことを特徴としている。
【0018】上記構成を有することにより、金属配線膜
の配線パターニングに用いられる目合わせパターンは、
基板上の絶縁膜に開けられた目合わせ用ホールの上端エ
ッジと、その深さを絶縁膜の膜厚より深く形成した目合
わせ用ホールに埋設された金属プラグ表面との間に形成
される傾斜面の平面形状からなる。これにより、新たな
工程を付加することなく、CMPによる平坦化を行った
場合でも、スキャンにより段差を確実に検出して容易に
ピークを読み取ることができる。
【0019】また、この発明に係る目合わせパターンの
製造方法により、上記目合わせパターンを製造すること
ができる。
【0020】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
【0021】図1は、この発明の一実施の形態に係る目
合わせパターンを示し、(a)は目合わせパターンが形
成された半導体装置の断面図、(b)は(a)の平面
図、(c)は読み取られた段差データの説明図である。
【0022】図1に示すように、半導体装置10は、内
部回路で使用するコンタクトホール11とアライメント
で使用する目合わせ用ホール12を有し、目合わせ用ホ
ール12は、素子分離領域を形成するフィールド酸化膜
(SiO2 )13の中に入り込んで、コンタクトホール
11より深く形成されている((a)参照)。
【0023】両ホール11,12には、タングステンプ
ラグ(W−Plug)14が埋設され、更に、両ホール
11,12を覆って、第1アルミニウム配線(1Al)
用のアルミニウム膜15が成膜されている。タングステ
ンプラグ14が埋設された目合わせ用ホール12の上端
エッジと、タングステンプラグ14の表面の間は、目合
わせ用ホール12の内周に沿う傾斜面によって連続す
る。この傾斜面の平面形状が矩形状枠体からなるボック
スマーク16を形成している。
【0024】ボックスマーク16は、マスクパターンと
レジストパターンとの相対的な位置調整(アライメン
ト)を行う際に用いられる目合わせパターンとして機能
する。このボックスマーク16を検出するため、目ズレ
測定装置により、アルミニウム膜15の上に形成された
フォトレジスト17の上から、ボックスマーク16の対
向辺を横切るようにスキャンする((b)参照)。スキ
ャンした結果、スキャン方向(図中、矢印参照)に従っ
て、ボックスマーク16によって得られる段差検出部分
がピーク波形となって観測される((c)参照)。
【0025】図2は、図1(a)の半導体装置の製造工
程を示す工程断面図(その1)であり、図3は、図1
(a)の半導体装置の製造工程を示す工程断面図(その
2)である。
【0026】図2に示すように、先ず、シリコン基板
(Si−sub)18の上に、拡散層の抵抗を少なくす
るための導電性膜であるTiSi膜19を形成し、その
上に、層間絶縁膜としてのBPSG(boron ph
ospho silicateglass)膜20を形
成する。層間絶縁膜としては、BPSGの他、PSG
(phospho silicate glass)を
用いても良い。
【0027】このとき、シリコン基板18上の目合わせ
用ホール12形成部分には、TiSi膜19の代わり
に、フィールド酸化膜13が形成される。つまり、素子
分離領域の形成工程において、目合わせマーク形成領域
にも、フィールド酸化膜13を形成しておく。
【0028】フィールド酸化膜13は、ボックスマーク
16となる目合わせ用ホール12がフィールド酸化膜1
3の平面内に位置するように、目合わせ用ホール12の
内径より広い平面積を有している。また、フィールド酸
化膜13は、通常よりも厚い、例えば300nmの厚み
を有するように形成されており、TiSi膜19の上方
より下方が厚く、即ち、シリコン基板18側に深くなる
方が望ましい。
【0029】ウェーハを分割するスクライブ線は、従
来、拡散層で形成されており、その領域に、エッチング
により、配線接続のために内部回路で使用するコンタク
トホール11(径≦0.5μm)を形成する。同時に、
目合わせ領域、即ち、フィールド酸化膜13形成部分
に、目合わせ用ホール12(径≧15μm)も形成する
(図2(a)参照)。
【0030】目合わせ用ホール12は、通常、約40μ
mの内径を有し、その深さを、フィールド酸化膜13の
膜厚より深く、即ち、BPSG膜20とフィールド酸化
膜13を貫通するように形成されている。なお、目合わ
せ用ホール12は、フィールド酸化膜13の内部に入り
込むが貫通せず、フィールド酸化膜13の底面或いは底
面近傍に留まるように形成しても良い。
【0031】次に、W−CVD(chemical v
apor deposition)による、BPSG膜
20全面のタングステン成長を行い、両ホール11,1
2にタングステンプラグ14を埋設する。目合わせ用ホ
ール12に埋め込まれたタングステンプラグ14は、フ
ィールド酸化膜13を貫通している(図2(b)参
照)。
【0032】次に、W−CMP(chemical m
echanical polishing)によるウェ
ーハ研磨を行ってBPSG膜20上のタングステンを除
去し、表面を平坦化する。このとき、目合わせ用ホール
12は、従来に比べて深くなり、開口における口径と深
さのアスペクト比が大きくなっているため、プラグロス
(Plug−loss)が大きくなる。プラグロスと
は、プラグが埋設された後に平坦化されたホール表面
と、ホール周辺の絶縁化膜表面との段差をいう。
【0033】従って、目合わせ用ホール12周囲のBP
SG膜20表面と、目合わせ用ホール12内部のタング
ステンプラグ14表面との間には、従来の段差dに比べ
てより大きな段差dが形成される。この段差dは、約2
00nm以上(図2(c)参照)となり、従来の段差d
が約50nm(図8(b)参照)であったのと比べ、ほ
ぼ4倍以上となり、目合わせ用ホール12のエッジを強
調して示すことができる。
【0034】次に、W−CMP後の平坦化された表面全
域に、スパッタにより、アルミニウムを堆積し第1アル
ミニウム配線用のアルミニウム膜15を成膜する。目合
わせ用ホール12に位置するアルミニウム膜15は、段
差dにより、その表面が、目合わせ用ホール12周囲の
BPSG膜20表面より明確に落ち込んだ状態になる
(図3(d)参照)。
【0035】次に、アルミニウム膜15の上に配線パタ
ーニングのためのフォトレジスト17を形成する。この
とき、フォトレジスト17は、段差dにより、目合わせ
用ホール12対応部分と目合わせ用ホール12周囲のB
PSG膜20対応部分との間で、大きな段差の第1段差
部17aを有することになる。この第1段差部17a
は、アルミニウム膜15の段差部分に対応して2段階の
傾斜から形成される。
【0036】更に、フォトレジスト17は、第1段差部
17aに続いて、目合わせ用ホール12内でアルミニウ
ム膜15を露出させる十分な段差の第2段差部17bを
有する(図1(a)参照)。
【0037】次に、配線パターニング用のマスクに対
し、目合わせ用ホール12に形成されたボックスマーク
16の目合わせを行う。この目合わせのために、目ズレ
測定装置により、フォトレジスト17の上から、ボック
スマーク16の対向辺を横切るように、スキャンする
(図1(b)参照)。
【0038】スキャンした結果、スキャン方向(図中、
矢印参照)に従い段差検出部が4つのピーク波形となっ
て観測される(図1(c)参照)。この観測された波形
を基に、目合わせのズレを調整する。なお、ピーク波形
は、段差を光学的に検出しているときの強度を示す。
【0039】このとき、段差検出部であるボックスマー
ク16は、大きな段差によって形成されており、フォト
レジスト17は、ボックスマーク16に対応する第1段
差部17aと、それに続く、配線形成パターンに対応す
る第2段差部17bを有するので、ピークを容易に読み
取ることができる。
【0040】即ち、目合わせ用ホール12は、アルミニ
ウム膜15上に形成されるフォトレジスト17に、フォ
トレジスト17の上から光学的検出を行った際に検出さ
れる検出部分が鋭いピーク波形となって観測されるよう
な、段差を形成する。
【0041】従って、スキャンしたときのボックスマー
ク16の段差(図中、A点,D点参照)が明瞭であるこ
とから、波形が狭くなってシャープな波形が得られ、ピ
ークが読み取り易くなる。このため、目合わせ用ホール
12における、ボックスマーク16の段差とフォトレジ
スト17の段差(図中、B点,C点参照)との距離(A
点−B点,C点−D点)を比較して目合わせのズレを測
定する際に、誤差が小さくなり目合わせの精度を向上さ
せることができる。
【0042】ここで、A点−B点の距離とC点−D点の
距離が等しければ、位置ズレが無いことになり、距離が
等しくなければ、位置ズレを起こしていることになる。
このズレ量には許容範囲がある。
【0043】この目合わせ用ホール12に形成されたボ
ックスマーク16における目合わせにおいて、ズレが生
じた場合は、目合わせ時のフォトレジスト17を除去し
た後、再びフォトレジスト17によるパターンを形成
し、再度、目合わせを行う。以後、目合わせのズレが無
くなるまで、レジストパターンの形成と目合わせを繰り
返す。
【0044】次に、目合わせのズレが無くなり、目合わ
せが終了すると、エッチングを行って第1アルミニウム
配線(1Al)21を形成し、その後、フォトレジスト
17を除去する(図3(e)参照)。
【0045】上述したように、この半導体装置10にあ
っては、目合わせ用ホール12周囲のBPSG膜20表
面と、目合わせ用ホール12内部のタングステンプラグ
14表面との間に、従来の段差dに比べてより大きな段
差dが形成されることとなる。
【0046】つまり、この発明に係る段差dは、従来の
段差dに比較して少なくとも2倍以上、上記例では4倍
以上となるため、光学的に段差を読み取って目合わせ時
の目ズレを測定する際に誤って認識してしまうのを防止
することができ、目合わせ精度の向上を図ることができ
る。
【0047】また、この半導体装置10にあっては、素
子分離領域の形成工程において、目合わせマーク形成領
域である目合わせ用ホール12形成部分にもフィールド
酸化膜13を形成しているが、このフィールド酸化膜1
3は、ロコス(localoxidation of
silicon:LOCOS)或いはリセスロコス(r
ecessed LOCOS)、又はトレンチ(tre
nch)により形成される。
【0048】図4は、ロコスによる素子分離領域形成方
法を概略的に説明する工程断面図である。図4に示すよ
うに、ロコスにより素子分離領域を形成する場合、先
ず、シリコン基板18上に、SiO2 膜22を形成した
後SiN膜23を堆積し、その後、窒化膜エッチングに
より素子分離領域のSiN膜23とSiO2 膜22を除
去する((a)参照)。
【0049】次に、素子分離領域に、熱酸化により厚い
SiO2 膜からなるフィールド酸化膜13を形成し
((b)参照)、その後、素子分離領域以外のSiN膜
23とSiO2 膜22を除去することにより、上半部
(高さhが約300〜400nm)をシリコン基板18
から突出させ残りをシリコン基板18内部に入り込ませ
たフィールド酸化膜13からなる素子分離領域を形成す
る((c)参照)。
【0050】図5は、リセスロコスによる素子分離領域
形成方法を概略的に説明する工程断面図である。図5に
示すように、リセスロコスにより素子分離領域を形成す
る場合、先ず、シリコン基板18上に、SiO2 膜22
を形成した後SiN膜23を堆積し、その後、窒化膜/
Si膜エッチングにより、素子分離領域のSiN膜23
とSiO2 膜22を除去し、更に、シリコン基板18も
僅かに除去する((a)参照)。
【0051】次に、SiN膜23とSiO2 膜22を除
去した部分に、熱酸化により厚いSiO2 膜からなるフ
ィールド酸化膜13を形成し((b)参照)、その後、
フィールド酸化膜13形成部分以外のSiN膜23とS
iO2 膜22を除去することにより、一部(高さh≦1
00nm)をシリコン基板18から突出させ大部分をシ
リコン基板18内部に入り込ませたフィールド酸化膜1
3からなる素子分離領域を形成する((c)参照)。
【0052】図6は、トレンチによる素子分離領域形成
方法を概略的に説明する工程断面図である。図6に示す
ように、トレンチにより素子分離領域を形成する場合、
先ず、シリコン基板18上に、SiO2 膜22を形成し
た後SiN膜23を堆積し、その後、窒化膜/Si膜エ
ッチングにより、素子分離領域のSiN膜23とSiO
2 膜22を除去し、更に、シリコン基板18も除去し
て、シリコン基板18内部に入り込んだ溝(トレンチ)
Tを形成する((a)参照)。
【0053】次に、SiN膜23とSiO2 膜22を除
去した部分に、酸化膜成長により溝Tを埋め込むように
SiO2 膜からなるフィールド酸化膜13を形成し
((b)参照)、その後、トレンチCMPによりフィー
ルド酸化膜13を削って溝表面を平坦化し((c)参
照)、更に、素子分離領域以外のSiN膜23とSiO
2 膜22を除去することにより、ほぼ全体をシリコン基
板18内部に入り込ませたフィールド酸化膜13からな
る素子分離領域を形成する((d)参照)。
【0054】これらロコス或いはリセスロコス又はトレ
ンチの何れかによってフィールド酸化膜13を形成する
が、フィールド酸化膜13の界面がシリコン基板18の
表面とほぼ同じにできるリセスロコス又はトレンチによ
り素子分離を行うことが望ましい。
【0055】図7は、図1(a)の半導体装置の他の製
造工程を示す工程断面図である。この例においては、ス
パッタによりアルミニウムを堆積し第1アルミニウム配
線用のアルミニウム膜15を成膜した後、リフローによ
ってアルミニウム膜15の表面を平坦化している。
【0056】図7に示すように、目合わせマーク形成領
域のフィールド酸化膜13形成部分に、目合わせ用ホー
ル12(径≧15μm)を形成した(図2(a)参照)
後、高温アルミニウムスパッタにより、BPSG膜(或
いはPSG膜)20全面にアルミニウムを堆積し第1ア
ルミニウム配線用のアルミニウム膜15を成膜する。こ
れにより、目合わせ用ホール12に埋め込まれたアルミ
ニウム膜15は、フィールド酸化膜13を貫通して、両
ホール11,12にアルミニウム膜15が埋め込まれる
ことになる。
【0057】アルミニウム膜15の成膜後、リフローに
よって、BPSG膜20及び目合わせ用ホール12に形
成されたアルミニウム膜15の表面を平坦化する
((a)参照)。
【0058】従って、目合わせ用ホール12周囲のBP
SG膜20上のアルミニウム膜15表面と、目合わせ用
ホール12内部のアルミニウム膜15表面との間には、
従来の段差dに比べてより大きな段差dが形成される。
即ち、目合わせ用ホール12の上端エッジには、アルミ
ニウム膜15が目合わせ用ホール12の上端エッジによ
り形成する傾斜面の平面形状からなり、アルミニウム膜
15の配線パターニングに用いられる、目合わせパター
ンが形成される。
【0059】次に、リフローにより平坦化されたアルミ
ニウム膜15の上にフォトレジスト17を形成する。こ
のとき、フォトレジスト17は、段差dにより、目合わ
せ用ホール12対応部分と目合わせ用ホール12周囲の
BPSG膜20対応部分との間で、大きな段差の第1段
差部17aを有することになる。
【0060】更に、フォトレジスト17は、第1段差部
17aに続いて、目合わせ用ホール12内でアルミニウ
ム膜15を露出させる十分な段差の第2段差部17bを
有する((b)参照)。
【0061】次に、フォトレジスト17により目合わせ
用ホール12に形成された段差部分における目合わせを
行い、観測された波形を基に目合わせのズレを調整す
る。このとき、フォトレジスト17は、十分な段差の第
1段差部17aと第2段差部17bを有するので、波形
のピークを容易に読み取ることができる。このため、目
合わせのズレを測定する際に、誤差が小さくなり目合わ
せの精度を向上させることができる。
【0062】次に、目合わせのズレが無くなり、目合わ
せが終了すると、エッチングを行って第1アルミニウム
配線(1Al)21を形成し、その後、フォトレジスト
17を除去する((c)参照)。
【0063】従って、リフローによってアルミニウム膜
15の表面を平坦化する場合、当然、エッジが読み難く
なるが、そうした場合でも、目合わせ用ホール12のア
ルミニウム膜15は、元々十分な段差を有しているの
で、波形のピークを確実、且つ、容易に読み出すことが
できる。
【0064】上述したように、半導体装置10の素子分
離領域を作る工程において、目合わせ領域にもロコス、
リセスロコス或いはトレンチによりフィールド酸化膜1
3を形成し、層間絶縁膜であるBPSG膜(又はPSG
膜)20を形成した後、コンタクトホール11を形成す
ると同時に、目合わせ領域にも目合わせ用ホール12を
形成する。
【0065】このとき、フィールド酸化膜13があるた
め、コンタクトホール11より径が広く、また、コンタ
クトホール11より深い(シリコン基板18まで突き抜
けても良い)目合わせ用ホール12を形成することがで
きる。
【0066】その後、タングステンプラグ14を形成
し、CMP研磨して平坦化するが、目合わせ領域では、
目合わせ用ホール12の深さが深いので平坦化されず段
差が形成される。
【0067】配線用金属であるアルミニウム膜15の成
膜後、フォトレジスト17を形成してパターニングし金
属(アルミニウム)配線を形成するが、このとき、目合
わせ用ホール12とレジストパターンの目合わせを行
う。目合わせに際しては、目合わせ用ホール12のエッ
ジと、それより内側に形成されたフォトレジスト17の
エッジの間隔を測定することで、目合わせのズレを検出
することができる。
【0068】このように、CMPによる平坦化を行った
場合でも、また、リフローによる平坦化を行った場合で
も、スキャンにより段差を確実に検出し容易にピークを
読み取って、目合わせのズレを確実、且つ、容易に検出
することができる。このため、エッチングして作り込ん
でしまうとそこは修正不可能となるので、スキャンによ
り段差を確実に検出できない場合に生じていた、目合わ
せのズレによる不良品の発生を防止することができ、歩
留まりの低下を防止することができる。
【0069】コンタクトホール11より深い目合わせ用
ホール12を形成するためのフィールド酸化膜13は、
半導体装置の製造工程で通常必要な素子分離領域形成工
程で形成することができるので、フィールド酸化膜13
を形成するために工程が増加することがない。
【0070】また、目合わせ領域を、完成したチップの
分離領域に形成すれば、目合わせ領域を形成したことに
よってウェーハの歩留まりが低下することも無い。
【0071】即ち、従来、コンタクトホールのエッチン
グは拡散層でストップするが、この発明のように、コン
タクトホール(目合わせ用ホール12)の下にフィール
ド酸化膜13領域を形成することで、このコンタクトホ
ールは他のコンタクトホールよりエッチングが進み、ア
スペクト比の大きい開口領域が形成される。
【0072】よって、目合わせ用ホール12のように、
本来のコンタクトホール11より径が大きくより深いホ
ールでは、タングステンプラグ14の埋設が十分に行わ
れず、プラグロスが大きくなるため、目合わせ用ホール
12のエッジの検出が容易になり、目合わせのズレを読
み間違うことなく確実に読み取ることができる。
【0073】このように、この発明によれば、基板上の
層間絶縁膜に開けられた目合わせ用ホールの上端エッジ
と、目合わせ用ホールに埋設された金属プラグ表面との
間に形成される傾斜面の平面形状からなり、或いは、基
板上の層間絶縁膜に開けられた目合わせ用ホール及び層
間絶縁膜に成膜された金属配線膜が目合わせ用ホールの
上端エッジにより形成する傾斜面の平面形状からなり、
金属配線膜の配線パターニングに用いられる目合わせパ
ターンであって、目合わせ用ホールの深さを、層間絶縁
膜の膜厚より深く形成したことを特徴としている。
【0074】即ち、目合わせ用ホールは、金属プラグの
CMPによる平坦化に際し上端エッジが明確になるよう
に、平坦化後のホール表面と絶縁膜表面との段差である
プラグロスが大きくなる、アスペクト比を有する開口を
備えている。
【0075】これにより、コンタクトホール11と共に
形成される目合わせ用ホール12が、従来に比べて深く
なり開口のアスペクト比が大きくなるため、層間絶縁膜
(BPSG膜20)上に設けられた金属配線膜(アルミ
ニウム膜15)の目合わせ用ホール12のエッジ部分に
形成される段差が強調され、従来に比べより急峻になり
明確となる。
【0076】従って、新たな工程を付加することなく、
CMPによる平坦化を行った場合でも、スキャンにより
段差を確実に検出して容易にピークを読み取ることがで
きる。
【0077】なお、上記実施の形態において、目合わせ
用のマークは、ボックスマーク16に限らず、例えば、
丸形でもコの字形でも良く、X軸とY軸の両方向からの
ズレを確認することができるものであれば良い。
【0078】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、金属配線膜の配線パターニングに用いられる目合わ
せパターンは、基板上の絶縁膜に開けられた目合わせ用
ホールの上端エッジと、その深さを絶縁膜の膜厚より深
く形成した目合わせ用ホールに埋設された金属プラグ表
面との間に形成される傾斜面の平面形状からなるので、
新たな工程を付加することなく、CMPによる平坦化を
行った場合でも、スキャンにより段差を確実に検出して
容易にピークを読み取ることができる。
【0079】また、この発明に係る目合わせパターンの
製造方法により、上記目合わせパターンを製造すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態に係る目合わせパター
ンを示し、(a)は目合わせパターンが形成された半導
体装置の断面図、(b)は(a)の平面図、(c)は読
み取られた段差データの説明図である。
【図2】図1(a)の半導体装置の製造工程を示す工程
断面図(その1)である。
【図3】図1(a)の半導体装置の製造工程を示す工程
断面図(その2)である。
【図4】ロコスによる素子分離領域形成方法を概略的に
説明する工程断面図である。
【図5】リセスロコスによる素子分離領域形成方法を概
略的に説明する工程断面図である。
【図6】トレンチによる素子分離領域形成方法を概略的
に説明する工程断面図である。
【図7】図1(a)の半導体装置の他の製造工程を示す
工程断面図である。
【図8】従来の目合わせパターン形成方法を概略的に示
す工程断面図である。
【図9】従来の目合わせパターンを示し、(a)は目合
わせパターンが形成された半導体装置の断面図、(b)
は(a)の平面図、(c)は読み取られた段差データの
説明図である。
【符号の説明】
10 半導体装置 11 コンタクトホール 12 目合わせ用ホール 13 フィールド酸化膜 14 タングステンプラグ 15 アルミニウム膜 16 ボックスマーク 17 フォトレジスト 17a 第1段差部 17b 第2段差部 18 シリコン基板 19 TiSi膜 20 BPSG膜 21 第1アルミニウム配線 22 SiO2 膜 23 SiN膜 d 段差
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H095 BA01 BB02 BE03 BE09 BE10 5F033 HH08 JJ19 KK01 KK27 PP06 PP15 PP18 QQ01 QQ09 QQ37 QQ48 QQ73 QQ75 RR14 RR15 5F046 AA20 EA04 EA12 EA15 EA18 EA22 EA24 EB01 EB05 FA04

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上の絶縁膜に開けられた目合わせ用ホ
    ールの上端エッジと、前記目合わせ用ホールに埋設され
    た金属プラグ表面との間に形成される傾斜面の平面形状
    からなり、金属配線膜の配線パターニングに用いられる
    目合わせパターンであって、 前記目合わせ用ホールの深さを、前記絶縁膜の膜厚より
    深く形成したことを特徴とする目合わせパターン。
  2. 【請求項2】前記目合わせ用ホールは、前記金属プラグ
    のCMP(chemical mechanical
    polishing)による平坦化に際し前記上端エッ
    ジが明確になるように、平坦化後のホール表面と絶縁膜
    表面との段差であるプラグロスが大きくなる、アスペク
    ト比を有する開口を備えることを特徴とする請求項1に
    記載の目合わせパターン。
  3. 【請求項3】前記目合わせ用ホール内の金属プラグは、
    CMPによる平坦化後、前記絶縁膜表面との間に200
    nm以上の段差を有することを特徴とする請求項2に記
    載の目合わせパターン。
  4. 【請求項4】基板上の絶縁膜に開けられた目合わせ用ホ
    ール及び前記絶縁膜に成膜された金属配線膜が前記目合
    わせ用ホールの上端エッジにより形成する傾斜面の平面
    形状からなり、前記金属配線膜の配線パターニングに用
    いられる目合わせパターンであって、 前記目合わせ用ホールの深さを、前記絶縁膜の膜厚より
    深く形成したことを特徴とする目合わせパターン。
  5. 【請求項5】前記金属配線膜は、高温アルミニウムスパ
    ッタ後、リフローによる平坦化を経て形成されることを
    特徴とする請求項4に記載の目合わせパターン。
  6. 【請求項6】前記目合わせ用ホールは、前記金属配線膜
    上に形成されるレジストに、前記レジストの上から光学
    的検出を行った際に検出される検出部分が鋭いピーク波
    形となって観測されるような、段差を形成することを特
    徴とする請求項1から5のいずれかに記載の目合わせパ
    ターン。
  7. 【請求項7】前記目合わせ用ホールを、前記基板に形成
    した酸化膜の内部に入り込ませ或いは貫通させて形成し
    たことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の
    目合わせパターン。
  8. 【請求項8】前記酸化膜は、素子分離領域を形成するフ
    ィールド酸化膜であることを特徴とする請求項7に記載
    の目合わせパターン。
  9. 【請求項9】前記絶縁膜は、BPSG(boron p
    hospho silicateglass)膜或いは
    PSG膜であることを特徴とする請求項1から8のいず
    れかに記載の目合わせパターン。
  10. 【請求項10】基板上の絶縁膜に開けられた目合わせ用
    ホールの上端エッジと、前記目合わせ用ホールに埋設さ
    れた金属プラグ表面との間に形成される傾斜面の平面形
    状からなり、金属配線膜の配線パターニングに用いられ
    る目合わせパターンの製造方法であって、 前記目合わせ用ホールを、前記基板に形成した酸化膜の
    内部に入り込ませ或いは貫通させることにより、前記目
    合わせ用ホールの深さを前記絶縁膜の膜厚より深く形成
    することを特徴とする目合わせパターンの製造方法。
  11. 【請求項11】前記目合わせ用ホールの開口を、前記金
    属プラグのCMPによる平坦化に際し前記上端エッジが
    明確になるように、平坦化後のホール表面と絶縁膜表面
    との段差であるプラグロスが大きくなる、アスペクト比
    を有するように形成することを特徴とする請求項10に
    記載の目合わせパターンの製造方法。
  12. 【請求項12】前記金属プラグのCMPを行って、前記
    目合わせ用ホール内の金属プラグを、前記絶縁膜表面と
    の間に200nm以上の段差を有するように平坦化する
    ことを特徴とする請求項11に記載の目合わせパターン
    の製造方法。
  13. 【請求項13】基板上の絶縁膜に開けられた目合わせ用
    ホール及び前記絶縁膜に成膜された金属配線膜が前記目
    合わせ用ホールの上端エッジにより形成する傾斜面の平
    面形状からなり、前記金属配線膜の配線パターニングに
    用いられる目合わせパターンの製造方法であって、 前記目合わせ用ホールを、前記基板に形成した酸化膜の
    内部に入り込ませ或いは貫通させることにより、前記目
    合わせ用ホールの深さを前記絶縁膜の膜厚より深く形成
    することを特徴とする目合わせパターンの製造方法。
  14. 【請求項14】前記金属配線膜を、高温アルミニウムス
    パッタ後、リフローによる平坦化を経て形成することを
    特徴とする請求項13に記載の目合わせパターンの製造
    方法。
  15. 【請求項15】前記金属配線膜上に形成したレジストの
    上から光学的検出を行った際に検出部分が鋭いピーク波
    形となって観測されるような段差を有するように、前記
    目合わせ用ホールを形成することを特徴とする請求項1
    0から14のいずれかに記載の目合わせパターンの製造
    方法。
  16. 【請求項16】前記目合わせ用ホールは、前記絶縁膜に
    配線接続用のコンタクトホールを形成する際に、目合わ
    せ領域に形成されることを特徴とする請求項10から1
    5のいずれかに記載の目合わせパターンの製造方法。
  17. 【請求項17】前記酸化膜は、ロコス(local o
    xidation of silicon:LOCO
    S)或いはリセスロコス(recessed LOCO
    S)、又はトレンチ(trench)により形成される
    フィールド酸化膜であることを特徴とする請求項10か
    ら16のいずれかに記載の目合わせパターンの製造方
    法。
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