KR970003504A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970003504A KR970003504A KR1019950018542A KR19950018542A KR970003504A KR 970003504 A KR970003504 A KR 970003504A KR 1019950018542 A KR1019950018542 A KR 1019950018542A KR 19950018542 A KR19950018542 A KR 19950018542A KR 970003504 A KR970003504 A KR 970003504A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- contact hole
- semiconductor device
- silicon substrate
- forming
- etching
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 습식식각시 산화체의 측면확산으로 인한 인접하는 콘택홀간의 접속을 방지하기 위하여 플라즈마(Plasma)를 이용한 건식식각(Dry Etch)으로 콘택홀(Contact Hole) 내부의 단차를 감소시키므로써 금속의 층덮힘특성 및 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 제2D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 접합부가 형성된 실리콘기판상에 절연층이 형성된 상태에서 상기 접합부와 상부에 형성될 도전층과의 접속을 위한 콘택홀을 형성하기 위하여 상기 절연층상에 감광막을 도포하고, 콘택 마스크를 이용하여 상기 감광막을 패터닝하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판을 소정 각도 경사지게 위치시키고 소정의 속도로 상기 실리콘기판을 회전시키면서 플라즈마를 이용한 건식식각으로 노출된 부분의 절연층을 1차 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 실리콘기판을 수평으로 위치시키고 플라즈마를 이용한 건식식각으로 상기 접합부가 노출되도록 상기 절연층을 2차 식각하여 콘택홀을 형성한 후 상기 감광막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 식각공정시 상기 실리콘기판은 상기 플라즈마의 방향과 25 내지 30°의 경사각을 갖도록 위치하며, 8 내지 12RPM의 속도로 회전되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1 또는 제2항에 있어서, 상기 1차 식각공정은 10 내지 20초 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950018542A KR970003504A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950018542A KR970003504A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003504A true KR970003504A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950018542A KR970003504A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003504A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100769142B1 (ko) * | 2006-11-07 | 2007-10-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 형성방법 |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018542A patent/KR970003504A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100769142B1 (ko) * | 2006-11-07 | 2007-10-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 형성방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940016734A (ko) | 고집적 반도체 소자의 접속장치 및 그 제조방법 | |
| KR970067640A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
| KR970003504A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970052439A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR980005592A (ko) | 자기 정렬 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR0172261B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
| KR100244293B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| KR0137980B1 (ko) | 텅스텐 플러그 제조방법 | |
| KR0137433B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR100244404B1 (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR100372657B1 (ko) | 반도체소자의콘택형성방법 | |
| KR960008563B1 (ko) | 더블 스페이서를 이용한 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성방법 | |
| KR100209279B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR0148326B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100224778B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR970077457A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR970053509A (ko) | 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 | |
| KR950015587A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960012324A (ko) | 반도체소자의 게이트전극 콘택 및 그 제조방법 | |
| KR970077518A (ko) | 반도체 소자의 접촉부 제조 공정 | |
| KR970008404A (ko) | 반도체 소자의 금속층간절연막 형성방법 | |
| KR960002759A (ko) | 반도체 소자의 다중 금속배선 형성방법 | |
| KR980005511A (ko) | 콘택홀 형성 방법 | |
| KR970003507A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR970077521A (ko) | 반도체소자의 금속배선구조 및 이의 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |