KR980006561A - 반도체소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고, 상기 하부절연층 상부에 콘택홀을 형성하기 위한 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 반도체기판의 불순물 접합영역을 노출시키는 콘택홀 형성방법에 있어서, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 하부절연층을 식각하여 콘택홀을 형성하되, 상기 불순물 접합영역에 식각공정으로 인한 손상된 영역을 형성하고, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 손상된 영역을 O2/CI2가스와 CF4/SF6가스를 이용해 플라즈마 처리한 다음, 상기 감광막패턴을 제거하고, 상기 반도체기판을 불산용액으로 일정시간 제1세척한 다음, 상기 반도체기판을 H2O, H2O2및 NH4OH 용액을 혼합하여 제2세척함으로써 상기 손상된 영역에 일정한 단차를 형성하여 표면적을 증가시키고, 그로 인하여 콘택홀의 콘택공정을 용이하게 실시하며 소자의 전기적 특성을 향상시켜 반도체소자의 특성, 신뢰성 및 수율을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 콘택홀 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체기판 상부에 하부절연층를 형성하고, 상기 하부절연층 상부에 콘택홀을 형성하기 위한 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 감광막 패턴을 마스크로하여 상기 반도체기판의 불순물 접합영역을 노출시키는 콘택홀 형성방법에 있어서, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 하부절연층을 식각하여 콘택홀을 형성하되, 상기 불순물 접합영역에 식각공정으로 인한 손상된 영역을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 손상된 영역을 O2/CI2가스와 CF4/SF6가스를 이용해 플라즈마 처리하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 반도체기판을 불산용액으로 일정시간 제1세척하는 공정과, 상기 반도체기판을 H2O, H2O2및 NH4OH 용액을 혼합하여 제2세척함으로써 상기 손상된 영역에 일정한 단차를 형성하여 표면적을 증가시키는 공정을 포함하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1세척공정은 50∼80분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2세척공정은 H2O, H2O2및 NH4OH 가스가 4:1:3의 비율로 혼합된 용액을 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 손상된 영역의 단차는 10∼900Å 정도로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초 출원된 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023807A KR980006561A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023807A KR980006561A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980006561A true KR980006561A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023807A KR980006561A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980006561A (ko) |
-
1996
- 1996-06-26 KR KR1019960023807A patent/KR980006561A/ko not_active Application Discontinuation
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