KR950009945A - 반도체 소자의 금속막 식각방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속막 식각방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 금속막 식각방법에 관한 것으로, 특히 금속막 식각시 측벽이 식각되어 언더 컷 현상(undercuting)이 발생되는 것을 방지하기 위한 측벽 불활성화(Passication) 가스로 HFC(Hydrogen Fluoro Carbon)화합물을 사용함으로써 종래의 금속막 식각비 비등방성 식각을 유도하기 위하여 사용중인, 규제가스 CFC 관련 물질을 대체할 수 있어 오존층 파괴를 방지하는 효과를 얻을 수 있다.

Description

반도체 소자의 금속막 식각방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 금속막 식각방법에 있어서, 금속막 식각시 측벽이 식각되어 언더 컷 현상(undercuting)이 발생되는 것을 방지하기 위한 측벽 불활성화(passivation) 가스로 HCFC 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속막 식각방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 HCFC화합물은 CHF2Cl, CF3CHCl2, CF3CHFCl, CF2ClCH3중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속막 식각방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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