KR970067551A - 반도체 장치의 패턴형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기 비반사막을 F*를 포함하지 않은 가스 즉, Br, CI, I 등을 포함하는 가스를 이용하여 식각함으로써, 비반사막의 식각율을 향상시키고 포토 레지스트막의 패턴의 변화를 방지할 수 있는 반도체 장치의 패턴 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 기판상에 소정의 패턴을 형성하는 반도체 장치의 패턴 형성방법에 있어서, 가판상에 하부막을 형성하는 공정과, 하부막상에 유기 비반사막을 형성하는 공정과, 유기 비반사막상에 포토 레지스트막의 패턴을 형성하는 공정과, 포토 레지스트막의 패턴을 마스크로 하여 Br, CI, I 등이 포함된 가스중 하나를 이용하여 유기 비반사막을 식각하는 공정과, 포토 레지스트막의 패턴을 마스크로 하여 하부막을 식각하여 소정의 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 (A)와 (B)는 발명의 실시예에 따른 하부막으로 산화막이 사용되고 반응가스로 Br, CI, I 등과 같은 가스를 이용한 콘택홀 형성공정도.
Claims (3)
- 기판(41)상에 하부막(42)을 형성하는 공정과, 하부막(42)상에 유기 비반사막(43)을 형성하는 공정과, 유기 비반사막(43)상에 포트레지스트막(44)의 패턴을 형성하는 공정과, 포토 레지스트막(44)의 패턴을 마스크로 하여 Br, C1, I 등이 포함된 가스 중 하나를 이용하여 유기 비반사막(43)을 식각하는 공정과, 포토 레지스트막(44)의 패턴을 마스크로 하여 하부막(42)을 식각하여 소정의 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 미세패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 유기반사막을 식각하는 공정에 있어서, Br을 포함하는 가스는 HBr이고, C1을 포함하는 가스는 CC14또는 BC13중 하나이며, I를 포함하는 가스는 HI인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴형성방법.
- 제1항에 있어서, 하부막(42)은 산화막 또는 질화막중 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960005775A KR970067551A (ko) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | 반도체 장치의 패턴형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960005775A KR970067551A (ko) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | 반도체 장치의 패턴형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970067551A true KR970067551A (ko) | 1997-10-13 |
Family
ID=66222454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960005775A KR970067551A (ko) | 1996-03-06 | 1996-03-06 | 반도체 장치의 패턴형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970067551A (ko) |
-
1996
- 1996-03-06 KR KR1019960005775A patent/KR970067551A/ko not_active Application Discontinuation
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