KR980005482A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 제1금속배선을 형성하고 상기 제1금속배선을 노출시키는 콘택홀이 형성된 층간절연막을 형성한 다음, 상기 콘택홀의 저부에 노출된 제1금속배선 상부에 형성되는 산화막을 제거하고 상기 제1금속배선에 접속되는 제2금속배선을 형성하여 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 상기 산화막을 현상용액을 이용하여 제거하는 동시에 상기 제1금속배선을 소정두께 식각하여 제1금속배선의 손상을 억제함으로써 반도체소자의 특성, 신뢰성 및 수율을 향상시키며 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 본 발명의 실시예에 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (2)
- 반도체기판 상부에 제1금속배선을 형성하고 상기 제1금속배선을 노출시키는 콘택홀이 형성된 층간절연막을 형성한 다음, 상기 콘택홀의 저부에 노출된 제1금속배선 상부에 형성되는 산화막을 제거하고 상기 제1금속배선에 접속되는 제2금속배선을 형성하여 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 상기 산화막을 현상용액을 이용하여 제거하는 동시에 상기 제1금속배선을 소정두께 식각하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각된 제1금속배선은 300~500Å 정도이 두께로 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023230A KR980005482A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023230A KR980005482A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005482A true KR980005482A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023230A KR980005482A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005482A (ko) |
-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023230A patent/KR980005482A/ko not_active Application Discontinuation
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