KR910013461A - 다층배선시 콘택트부 형성방법 - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 2
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명에 따른 다층배선시 콘택트부 형성방법을 도시한 공정순서도.
Claims (3)
- 반도체기판상에 다층배선을 형성시 상부 배선층을 반도체기판과 콘택하는 방법에 있어서, 상기 반도체기판 상에 전도층과 제1절연층을 차례로 형성하고, 이 제1절연층상에 하부 배선층을 형성한 후 제2절연층을 침적하는 제1공정과; 상기 제1절연층의 일부분을 노출하기 위하여, 상기 하부 배선층과 제2절연층에 개구를 형성하는 제2공정과; 상기 제2공정에서 형성된 개구를 통하여 상기 제1절연층을 식각함으로써 콘택트부를 형성하는 제3공정과; 상기 개구 형성시 노출된 하부 배선층을 절연시키는 제4공정과; 그리고 상기 제4공정 이후 상부 배선층을 형성하는 제5공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층배선시 콘택트부 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2공정의 개구 형성시 상기 하부 배선층은, 사용되는 포토레지스트 패턴의 치수보다 크게 과도식각(over etching)됨을 특징으로 하는 다층배선시 콘택트부 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4공정은 제3공정에서 사용되는 포토레지스트 패턴을 제거한 다음 고온 열처리를 통하여 상기 제2절연층을 흘러내리게 함으로써, 하부 배선층을 절연시키는 것을 특징으로 하는 다층배선시 콘택트부 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890019141A KR920010124B1 (ko) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 다층배선시 콘택트부 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890019141A KR920010124B1 (ko) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 다층배선시 콘택트부 형성방법 |
Publications (2)
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| KR910013461A true KR910013461A (ko) | 1991-08-08 |
| KR920010124B1 KR920010124B1 (ko) | 1992-11-16 |
Family
ID=19293313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890019141A KR920010124B1 (ko) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 다층배선시 콘택트부 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR920010124B1 (ko) |
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1989
- 1989-12-21 KR KR1019890019141A patent/KR920010124B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR920010124B1 (ko) | 1992-11-16 |
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