JP3510939B2 - 半導体装置の金属配線接触部形成方法 - Google Patents
半導体装置の金属配線接触部形成方法Info
- Publication number
- JP3510939B2 JP3510939B2 JP19765695A JP19765695A JP3510939B2 JP 3510939 B2 JP3510939 B2 JP 3510939B2 JP 19765695 A JP19765695 A JP 19765695A JP 19765695 A JP19765695 A JP 19765695A JP 3510939 B2 JP3510939 B2 JP 3510939B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal wiring
- contact portion
- film
- forming
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の金属配
線接触部形成方法に関し、特に金属配線膜と半導体基板
の接触部との接触抵抗を減少した半導体装置の金属配線
接触部形成方法に関する。
線接触部形成方法に関し、特に金属配線膜と半導体基板
の接触部との接触抵抗を減少した半導体装置の金属配線
接触部形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体素子内部および半導体素子間の電気的接続のためにメ
タライゼーション（metallization）工程を実施する必
要があるが、これはサブミクロン寸法の複雑な集積回路
における歩留と信頼度に大きな影響を及ぼす工程であ
る。
体素子内部および半導体素子間の電気的接続のためにメ
タライゼーション（metallization）工程を実施する必
要があるが、これはサブミクロン寸法の複雑な集積回路
における歩留と信頼度に大きな影響を及ぼす工程であ
る。
【０００３】従来の半導体装置の金属配線接触部形成方
法は、以下の工程から成る。
法は、以下の工程から成る。
【０００４】すなわち、ハイドープドジャンクション
（high doped junction）が形成された半導体基板上に
絶縁膜を形成する。次いで、該絶縁膜をホトエッチング
して金属配線膜を接続する基板の接触部が露出するよう
にコンタクト孔を形成する。次いで、該コンタクト孔の
底面において金属配線膜と半導体基板の接触部とが接触
するように金属配線接触部を形成する。
（high doped junction）が形成された半導体基板上に
絶縁膜を形成する。次いで、該絶縁膜をホトエッチング
して金属配線膜を接続する基板の接触部が露出するよう
にコンタクト孔を形成する。次いで、該コンタクト孔の
底面において金属配線膜と半導体基板の接触部とが接触
するように金属配線接触部を形成する。
【０００５】図４のＡ〜Ｃは、従来の半導体装置の金属
配線接触部形成方法を示す部分断面図である。以下、こ
れらの添付図面を参照して、従来の半導体装置の金属配
線接触部形成方法を説明する。
配線接触部形成方法を示す部分断面図である。以下、こ
れらの添付図面を参照して、従来の半導体装置の金属配
線接触部形成方法を説明する。
【０００６】まず、図４Ａに示すように、ハイドープド
ジャンクション１２が形成された半導体基板１１上に絶
縁膜１３を形成する。
ジャンクション１２が形成された半導体基板１１上に絶
縁膜１３を形成する。
【０００７】次いで、全面にホトレジストを塗布して、
ホトレジスト膜１４を形成した後、マスク工程によって
接触部を定める。
ホトレジスト膜１４を形成した後、マスク工程によって
接触部を定める。
【０００８】次に、図４Ｂに示すように、ホトレジスト
膜１４をマスクとして使用して、後に金属配線膜１６
（図４Ｃ参照）を接続する半導体基板１１の接触部が露
出するように絶縁膜１３をエッチングして、コンタクト
孔１５を形成する。
膜１４をマスクとして使用して、後に金属配線膜１６
（図４Ｃ参照）を接続する半導体基板１１の接触部が露
出するように絶縁膜１３をエッチングして、コンタクト
孔１５を形成する。
【０００９】次に、ホトレジスト膜１４を除去した後、
図４Ｃに示すように、全面に、金属配線膜１６を、コン
タクト孔１５内の半導体基板１１の接触部に接触するよ
うに、スパッタリング方法によって蒸着する。
図４Ｃに示すように、全面に、金属配線膜１６を、コン
タクト孔１５内の半導体基板１１の接触部に接触するよ
うに、スパッタリング方法によって蒸着する。
【００１０】その後、金属配線膜１６にマスク工程及び
エッチング工程を施して、金属配線パターンを形成す
る。
エッチング工程を施して、金属配線パターンを形成す
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、サブミクロンデザインルール（sub-
micron design rule）に支配される半導体装置のコンタ
クト孔のサイズは極めて小さいので、金属配線膜と半導
体基板との接触面積が極めて小さく、その結果、接触抵
抗が増加するという問題がある。
来技術においては、サブミクロンデザインルール（sub-
micron design rule）に支配される半導体装置のコンタ
クト孔のサイズは極めて小さいので、金属配線膜と半導
体基板との接触面積が極めて小さく、その結果、接触抵
抗が増加するという問題がある。
【００１２】本発明の目的は、上記問題点を解決して、
金属配線膜と半導体基板の接触部との接触面積を広くし
て接触抵抗を減少することにより、半導体装置の電気的
特性を改善することが可能な、半導体装置の金属配線接
触部形成方法を提供することにある。
金属配線膜と半導体基板の接触部との接触面積を広くし
て接触抵抗を減少することにより、半導体装置の電気的
特性を改善することが可能な、半導体装置の金属配線接
触部形成方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
は、（１）ハイドープドジャンクションが形成された半
導体基板上に絶縁膜を形成し、上記絶縁膜をホトエッチ
ングして、後に金属配線膜を接続する上記半導体基板の
接触部が露出するようにコンタクト孔を形成する工程
と、（２）上記工程を経た上記半導体基板の全面に、上
記コンタクト孔内において上記接触部と接触するよう
に、導電膜を形成する工程と、（３）上記コンタクト孔
内の上記コンタクト孔の底面より狭い範囲に導電性突出
部が残るように上記導電膜をホトエッチングして、後に
形成する金属配線膜が上記導電性突出部が形成されてい
る部分以外の上記接触部と上記導電性突出部の表面とに
接触できるようにする工程とを含んでなることを特徴と
する。
に、本願発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
は、（１）ハイドープドジャンクションが形成された半
導体基板上に絶縁膜を形成し、上記絶縁膜をホトエッチ
ングして、後に金属配線膜を接続する上記半導体基板の
接触部が露出するようにコンタクト孔を形成する工程
と、（２）上記工程を経た上記半導体基板の全面に、上
記コンタクト孔内において上記接触部と接触するよう
に、導電膜を形成する工程と、（３）上記コンタクト孔
内の上記コンタクト孔の底面より狭い範囲に導電性突出
部が残るように上記導電膜をホトエッチングして、後に
形成する金属配線膜が上記導電性突出部が形成されてい
る部分以外の上記接触部と上記導電性突出部の表面とに
接触できるようにする工程とを含んでなることを特徴と
する。
【００１４】この場合、上記（２）工程における上記導
電膜は多結晶シリコン膜であることを特徴とする。
電膜は多結晶シリコン膜であることを特徴とする。
【００１５】またこの場合、上記多結晶シリコン膜は、
上記半導体基板の上記ハイドープドジャンクションの不
純物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングした多
結晶シリコン膜であることを特徴とする。
上記半導体基板の上記ハイドープドジャンクションの不
純物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングした多
結晶シリコン膜であることを特徴とする。
【００１６】またこの場合、上記（３）工程における上
記導電性突出部は、上記コンタクト孔の底面の中心部分
に棒状に形成することを特徴とする。
記導電性突出部は、上記コンタクト孔の底面の中心部分
に棒状に形成することを特徴とする。
【００１７】またこの場合、上記（３）工程後に、金属
膜を全面に形成して、金属配線膜を形成することを特徴
とする。
膜を全面に形成して、金属配線膜を形成することを特徴
とする。
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付図面を参照して説明する。
付図面を参照して説明する。
【００２３】本発明の半導体装置の金属配線接触部形成
方法の１実施形態においては、先ず、図１Ａに示すよう
に、ハイドープドジャンクション２２が形成された半導
体基板２１上に絶縁膜２３を形成し、図１Ｂに示すよう
に、絶縁膜２２にホトエッチングを施して、後に金属配
線膜２６（図３Ｇ参照）を接続する半導体基板２１の接
触部が露出するようにコンタクト孔２５を形成する。
方法の１実施形態においては、先ず、図１Ａに示すよう
に、ハイドープドジャンクション２２が形成された半導
体基板２１上に絶縁膜２３を形成し、図１Ｂに示すよう
に、絶縁膜２２にホトエッチングを施して、後に金属配
線膜２６（図３Ｇ参照）を接続する半導体基板２１の接
触部が露出するようにコンタクト孔２５を形成する。
【００２４】次に、図１Ｃに示すように、上記工程を経
た上記半導体基板の全面に、コンタクト孔２５内におい
て上記接触部と接触するように、多結晶シリコン膜２７
を形成した後、図２Ｄに示すように、多結晶シリコン膜
２７に、ハイドープドジャンクション２２の不純物イオ
ンと同種類の不純物イオン２９を注入する。
た上記半導体基板の全面に、コンタクト孔２５内におい
て上記接触部と接触するように、多結晶シリコン膜２７
を形成した後、図２Ｄに示すように、多結晶シリコン膜
２７に、ハイドープドジャンクション２２の不純物イオ
ンと同種類の不純物イオン２９を注入する。
【００２５】次に、図２Ｅ及び図３Ｆに示すように、コ
ンタクト孔２５内のコンタクト孔２５の底面より狭い範
囲に導電性突出部２７−１が残るように導電膜２７をホ
トエッチングして、後に形成する金属配線膜２６（図３
Ｇ参照）が導電性突出部２７−１が形成されている部分
以外の接触部と導電性突出部２７−１の表面とに接触で
きるようにする。
ンタクト孔２５内のコンタクト孔２５の底面より狭い範
囲に導電性突出部２７−１が残るように導電膜２７をホ
トエッチングして、後に形成する金属配線膜２６（図３
Ｇ参照）が導電性突出部２７−１が形成されている部分
以外の接触部と導電性突出部２７−１の表面とに接触で
きるようにする。
【００２６】なお、導電性突出部２７−１は、コンタク
ト孔２５の底面の中心部分に棒状に形成するとよい。
ト孔２５の底面の中心部分に棒状に形成するとよい。
【００２７】上記の工程の後、図３Ｇに示すように、金
属膜を全面に形成して、金属配線膜２６を形成する。
属膜を全面に形成して、金属配線膜２６を形成する。
【００２８】本発明の半導体装置の金属配線接触部形成
方法の１実施の形態によって製作された金属配線接触部
の構造は、図３Ｇに示すように、金属配線膜２６が接続
されるハイドープドジャンクション２２が形成された半
導体基板２１と、半導体基板２１上に形成され、ハイド
ープドジャンクション２２上の接触部にコンタクト孔２
５を設けた絶縁膜２３と、コンタクト孔２５の底面の中
心部に形成され、ハイドープドジャンクション２２上の
接触部と接触し、コンタクト孔２５の底面より狭い範囲
に突出して形成され、ハイドープドジャンクション２２
の不純物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングし
た多結晶シリコンからなる棒状の導電性突出部２７−１
とからなり、金属配線膜２６は、導電性突出部２７−１
が形成されている部分以外の接触部と導電性突出部２７
−１の表面とに接触して形成することができる。
方法の１実施の形態によって製作された金属配線接触部
の構造は、図３Ｇに示すように、金属配線膜２６が接続
されるハイドープドジャンクション２２が形成された半
導体基板２１と、半導体基板２１上に形成され、ハイド
ープドジャンクション２２上の接触部にコンタクト孔２
５を設けた絶縁膜２３と、コンタクト孔２５の底面の中
心部に形成され、ハイドープドジャンクション２２上の
接触部と接触し、コンタクト孔２５の底面より狭い範囲
に突出して形成され、ハイドープドジャンクション２２
の不純物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングし
た多結晶シリコンからなる棒状の導電性突出部２７−１
とからなり、金属配線膜２６は、導電性突出部２７−１
が形成されている部分以外の接触部と導電性突出部２７
−１の表面とに接触して形成することができる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００３０】図１〜３は、本発明の半導体装置の金属配
線接触部形成方法を示す部分断面図である。
線接触部形成方法を示す部分断面図である。
【００３１】まず、図１Ａに示すように、ハイドープド
ジャンクション２２が形成された半導体基板２１上に絶
縁膜２３を形成する。
ジャンクション２２が形成された半導体基板２１上に絶
縁膜２３を形成する。
【００３２】次いで、全面にホトレジストを塗布してホ
トレジスト膜２４を形成した後、マスク工程によって金
属配線の接触部位を定める。
トレジスト膜２４を形成した後、マスク工程によって金
属配線の接触部位を定める。
【００３３】次に、図１Ｂに示すように、ホトレジスト
膜２４をマスクとして使用し、絶縁膜２３をエッチング
してコンタクト孔２５を形成して、後に金属配線を接続
する基板の接触部が露出するようにする。
膜２４をマスクとして使用し、絶縁膜２３をエッチング
してコンタクト孔２５を形成して、後に金属配線を接続
する基板の接触部が露出するようにする。
【００３４】次に、図１Ｃに示すように、コンタクト孔
２５が形成された半導体基板２１の全面に多結晶シリコ
ン膜２７を蒸着する。
２５が形成された半導体基板２１の全面に多結晶シリコ
ン膜２７を蒸着する。
【００３５】次に、図２Ｄに示すように、多結晶シリコ
ン膜２７に、ハイドープドジャンクション２２に注入さ
れた不純物イオンと同種類の不純物イオン２９を注入す
る。すなわち、ハイドープドジャンクション２２がｎ+
型である場合にはｎ+イオンを注入し、ｐ+型である場合
にはとｐ+イオンを注入する。
ン膜２７に、ハイドープドジャンクション２２に注入さ
れた不純物イオンと同種類の不純物イオン２９を注入す
る。すなわち、ハイドープドジャンクション２２がｎ+
型である場合にはｎ+イオンを注入し、ｐ+型である場合
にはとｐ+イオンを注入する。
【００３６】次に、図２Ｅに示すように、多結晶シリコ
ン膜２７上にホトレジストを塗布してホトレジスト膜２
８を形成し、マスク工程によって、後に導電性突出部２
７−１（図３Ｆ参照）を形成する領域を定め、ホトレジ
スト膜２８の、コンタクト孔の底面より狭い範囲の部分
のみをコンタクト孔領域内に残して、その他の部分を除
去する。
ン膜２７上にホトレジストを塗布してホトレジスト膜２
８を形成し、マスク工程によって、後に導電性突出部２
７−１（図３Ｆ参照）を形成する領域を定め、ホトレジ
スト膜２８の、コンタクト孔の底面より狭い範囲の部分
のみをコンタクト孔領域内に残して、その他の部分を除
去する。
【００３７】次に、図３Ｆに示すように、残存するホト
レジスト膜２８をマスクとして使用して多結晶シリコン
膜２７をエッチングして、コンタクト孔２５内で半導体
基板２１の接触部と接触する導電性突出部２７−１を形
成する。
レジスト膜２８をマスクとして使用して多結晶シリコン
膜２７をエッチングして、コンタクト孔２５内で半導体
基板２１の接触部と接触する導電性突出部２７−１を形
成する。
【００３８】ここで、コンタクト孔２５内に半導体基板
２１の接触部と接触して形成された導電性突出部２７−
１は棒状に形成し、コンタクト孔２５の中心部分に位置
するように設け、後に形成する金属配線膜２６（図３Ｇ
参照）がコンタクト孔の残りの部分に充填できるように
する。その結果、金属配線膜２６は、導電性突出部２７
−１を形成した領域以外の基板接触部と導電性突出部２
７−１の全表面との双方に接触可能となるので、接触面
積が拡大できる。
２１の接触部と接触して形成された導電性突出部２７−
１は棒状に形成し、コンタクト孔２５の中心部分に位置
するように設け、後に形成する金属配線膜２６（図３Ｇ
参照）がコンタクト孔の残りの部分に充填できるように
する。その結果、金属配線膜２６は、導電性突出部２７
−１を形成した領域以外の基板接触部と導電性突出部２
７−１の全表面との双方に接触可能となるので、接触面
積が拡大できる。
【００３９】次に、図３Ｇに示すように、全面に、金属
配線膜２６を、コンタクト孔２５内を充填し、導電性突
出部２７−１を形成した領域以外の半導体基板２１の接
触部と接触し、かつ、導電性突出部２７−１の全表面と
接触するように、スパッタリングによって蒸着する。
配線膜２６を、コンタクト孔２５内を充填し、導電性突
出部２７−１を形成した領域以外の半導体基板２１の接
触部と接触し、かつ、導電性突出部２７−１の全表面と
接触するように、スパッタリングによって蒸着する。
【００４０】以後の工程は、従来技術と同様に実施す
る。すなわち、マスク工程とエッチング工程とを施し
て、金属配線パターンを形成する。
る。すなわち、マスク工程とエッチング工程とを施し
て、金属配線パターンを形成する。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の金属配線接触部形成方法によって作成した金属配線
接触部においては、コンタクト孔の底面の中心部分にお
いて半導体基板の接触部と接触し、コンタクト孔内のコ
ンタクト孔の底面より狭い範囲に設けた棒状の導電性突
出部を形成するため、金属配線膜はコンタクト孔の内部
に充填されて、導電性突出部の全表面と、導電性突出部
を形成した領域以外の基板の接触部とに接触するので、
導電性突出部の側面積分だけ接触面積が広くなる。ま
た、導電性突出部は多結晶シリコンで形成し、半導体基
板のハイドープドジャンクションの不純物イオンと同種
類の不純物イオンでドーピングするので、接触抵抗を最
小限にすることが可能である。従って、特に、電気的特
性が良好な、サブミクロン寸法の半導体装置に適した金
属配線接触部を得ることが可能となる。
置の金属配線接触部形成方法によって作成した金属配線
接触部においては、コンタクト孔の底面の中心部分にお
いて半導体基板の接触部と接触し、コンタクト孔内のコ
ンタクト孔の底面より狭い範囲に設けた棒状の導電性突
出部を形成するため、金属配線膜はコンタクト孔の内部
に充填されて、導電性突出部の全表面と、導電性突出部
を形成した領域以外の基板の接触部とに接触するので、
導電性突出部の側面積分だけ接触面積が広くなる。ま
た、導電性突出部は多結晶シリコンで形成し、半導体基
板のハイドープドジャンクションの不純物イオンと同種
類の不純物イオンでドーピングするので、接触抵抗を最
小限にすることが可能である。従って、特に、電気的特
性が良好な、サブミクロン寸法の半導体装置に適した金
属配線接触部を得ることが可能となる。
【図１】本発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図４】従来の半導体装置の金属配線接触部形成方法を
示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
１１、２１…半導体基板、
１２、２２…ハイドープドジャンクション、
１３、２３…絶縁膜、
１４、２４、２８…ホトレジスト膜、
１５、２５…コンタクト孔、
１６、２６…金属配線膜、
２７…多結晶シリコン膜、
２７−１…導電性突出部、
２９…不純物イオン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/768
Claims (5)
- 【請求項１】半導体装置の金属配線接触部形成方法にお
いて、 （１）ハイドープドジャンクションが形成された半導体
基板上に絶縁膜を形成し、上記絶縁膜をホトエッチング
して、後に金属配線膜を接続する上記半導体基板の接触
部が露出するようにコンタクト孔を形成する工程と、 （２）上記工程を経た上記半導体基板の全面に、上記コ
ンタクト孔内において上記接触部と接触するように、導
電膜を形成する工程と、 （３）上記コンタクト孔内の上記コンタクト孔の底面よ
り狭い範囲に導電性突出部が残るように上記導電膜をホ
トエッチングして、後に形成する金属配線膜が上記導電
性突出部が形成されている部分以外の上記接触部と上記
導電性突出部の表面とに接触できるようにする工程とを
含んでなることを特徴とする半導体装置の金属配線接触
部形成方法。 - 【請求項２】請求項１に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記（２）工程における上記
導電膜は多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導
体装置の金属配線接触部形成方法。 - 【請求項３】請求項２に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記多結晶シリコン膜は、上
記半導体基板の上記ハイドープドジャンクションの不純
物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングした多結
晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の金属
配線接触部形成方法。 - 【請求項４】請求項１に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記（３）工程における上記
導電性突出部は、上記コンタクト孔の底面の中心部分に
棒状に形成することを特徴とする半導体装置の金属配線
接触部形成方法。 - 【請求項５】請求項１に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記（３）工程後に、金属膜
を全面に形成して、金属配線膜を形成することを特徴と
する半導体装置の金属配線接触部形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940027615A KR0171069B1 (ko) | 1994-10-27 | 1994-10-27 | 반도체 장치의 접촉부 형성방법 |
| KR1994-27615 | 1994-10-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139184A JPH08139184A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3510939B2 true JP3510939B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=19396102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19765695A Expired - Fee Related JP3510939B2 (ja) | 1994-10-27 | 1995-08-02 | 半導体装置の金属配線接触部形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5858872A (ja) |
| JP (1) | JP3510939B2 (ja) |
| KR (1) | KR0171069B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6046098A (en) * | 1998-02-23 | 2000-04-04 | Micron Technology, Inc. | Process of forming metal silicide interconnects |
| JP4209178B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2009-01-14 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品実装構造及びその製造方法 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5842227A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP0211318B1 (de) * | 1985-07-29 | 1989-09-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum selektiven Auffüllen von in Isolationsschichten geätzten Kontaktlöchern mit metallisch leitenden Materialien bei der Herstellung von höchstintegrierten Halbleiterschaltungen sowie eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| JPS62102559A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及び製造方法 |
| US5084413A (en) * | 1986-04-15 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for filling contact hole |
| JPH0611080B2 (ja) * | 1987-02-20 | 1994-02-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63269547A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US4898841A (en) * | 1988-06-16 | 1990-02-06 | Northern Telecom Limited | Method of filling contact holes for semiconductor devices and contact structures made by that method |
| JPH0324737A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-01 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5191397A (en) * | 1989-09-07 | 1993-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | SOI semiconductor device with a wiring electrode contacts a buried conductor and an impurity region |
| US5243220A (en) * | 1990-03-23 | 1993-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having miniaturized contact electrode and wiring structure |
| US5288664A (en) * | 1990-07-11 | 1994-02-22 | Fujitsu Ltd. | Method of forming wiring of semiconductor device |
| KR960001601B1 (ko) * | 1992-01-23 | 1996-02-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 접촉구 매몰방법 및 구조 |
| US5187119A (en) * | 1991-02-11 | 1993-02-16 | The Boeing Company | Multichip module and integrated circuit substrates having planarized patterned surfaces |
| US5472900A (en) * | 1991-12-31 | 1995-12-05 | Intel Corporation | Capacitor fabricated on a substrate containing electronic circuitry |
| US5300813A (en) * | 1992-02-26 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias |
| JPH05283362A (ja) * | 1992-04-03 | 1993-10-29 | Sony Corp | 多層配線の形成方法 |
| US5310626A (en) * | 1993-03-01 | 1994-05-10 | Motorola, Inc. | Method for forming a patterned layer using dielectric materials as a light-sensitive material |
| US5514622A (en) * | 1994-08-29 | 1996-05-07 | Cypress Semiconductor Corporation | Method for the formation of interconnects and landing pads having a thin, conductive film underlying the plug or an associated contact of via hole |
| KR0138305B1 (ko) * | 1994-11-30 | 1998-06-01 | 김광호 | 반도체소자 배선형성방법 |
-
1994
- 1994-10-27 KR KR1019940027615A patent/KR0171069B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1995
- 1995-08-02 JP JP19765695A patent/JP3510939B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-08-04 US US08/511,361 patent/US5858872A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-09-30 US US09/163,570 patent/US6034435A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5858872A (en) | 1999-01-12 |
| JPH08139184A (ja) | 1996-05-31 |
| KR0171069B1 (ko) | 1999-03-30 |
| US6034435A (en) | 2000-03-07 |
| KR960015733A (ko) | 1996-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03179763A (ja) | アンチヒューズ構造とそれを形成する方法 | |
| JPH05267478A (ja) | 内部接続導体の形成方法 | |
| JPH06216125A (ja) | 高集積半導体素子のコンタクトホール形成方法 | |
| JP2530097B2 (ja) | 半導体素子のコンタクト製造方法 | |
| JP3510939B2 (ja) | 半導体装置の金属配線接触部形成方法 | |
| US6262442B1 (en) | Zener diode and RC network combination semiconductor device for use in integrated circuits | |
| KR19980020482A (ko) | 반도체 장치의 배선구조 및 방법 | |
| JP3079513B2 (ja) | 半導体素子の金属配線形成方法 | |
| EP0302647A1 (en) | Aluminum plug using insulating sidewall space | |
| KR100345067B1 (ko) | 반도체소자의제조방법 | |
| KR0137850B1 (ko) | 반도체장치의 금속배선시 콘택부 형성방법 및 구조 | |
| KR100214279B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| US4693783A (en) | Method of producing interconnections in a semiconductor integrated circuit structure | |
| KR0165354B1 (ko) | 반도체 장치의 접촉장 형성 방법 | |
| JP3318766B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0140726B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| JP2876674B2 (ja) | Ｍｏｓ半導体装置の製造方法 | |
| JPH0562972A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH05218209A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100204910B1 (ko) | 반도체장치의 배선들의 접촉 방법 | |
| KR100252883B1 (ko) | 반도체소자의 콘택홀 매립방법 | |
| JP2863216B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100212157B1 (ko) | 바이폴라 트랜지스터 제조방법 | |
| JPS5982760A (ja) | 相補型半導体集積回路装置 | |
| KR19990029284A (ko) | 바이어를 형성하는 자기 정렬식 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040105 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |