JP3510939B2 - 半導体装置の金属配線接触部形成方法 - Google Patents
半導体装置の金属配線接触部形成方法Info
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Description
線接触部形成方法に関し、特に金属配線膜と半導体基板
の接触部との接触抵抗を減少した半導体装置の金属配線
接触部形成方法に関する。
体素子内部および半導体素子間の電気的接続のためにメ
タライゼーション(metallization)工程を実施する必
要があるが、これはサブミクロン寸法の複雑な集積回路
における歩留と信頼度に大きな影響を及ぼす工程であ
る。
法は、以下の工程から成る。
(high doped junction)が形成された半導体基板上に
絶縁膜を形成する。次いで、該絶縁膜をホトエッチング
して金属配線膜を接続する基板の接触部が露出するよう
にコンタクト孔を形成する。次いで、該コンタクト孔の
底面において金属配線膜と半導体基板の接触部とが接触
するように金属配線接触部を形成する。
配線接触部形成方法を示す部分断面図である。以下、こ
れらの添付図面を参照して、従来の半導体装置の金属配
線接触部形成方法を説明する。
ジャンクション12が形成された半導体基板11上に絶
縁膜13を形成する。
ホトレジスト膜14を形成した後、マスク工程によって
接触部を定める。
膜14をマスクとして使用して、後に金属配線膜16
(図4C参照)を接続する半導体基板11の接触部が露
出するように絶縁膜13をエッチングして、コンタクト
孔15を形成する。
図4Cに示すように、全面に、金属配線膜16を、コン
タクト孔15内の半導体基板11の接触部に接触するよ
うに、スパッタリング方法によって蒸着する。
エッチング工程を施して、金属配線パターンを形成す
る。
来技術においては、サブミクロンデザインルール(sub-
micron design rule)に支配される半導体装置のコンタ
クト孔のサイズは極めて小さいので、金属配線膜と半導
体基板との接触面積が極めて小さく、その結果、接触抵
抗が増加するという問題がある。
金属配線膜と半導体基板の接触部との接触面積を広くし
て接触抵抗を減少することにより、半導体装置の電気的
特性を改善することが可能な、半導体装置の金属配線接
触部形成方法を提供することにある。
に、本願発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
は、(1)ハイドープドジャンクションが形成された半
導体基板上に絶縁膜を形成し、上記絶縁膜をホトエッチ
ングして、後に金属配線膜を接続する上記半導体基板の
接触部が露出するようにコンタクト孔を形成する工程
と、(2)上記工程を経た上記半導体基板の全面に、上
記コンタクト孔内において上記接触部と接触するよう
に、導電膜を形成する工程と、(3)上記コンタクト孔
内の上記コンタクト孔の底面より狭い範囲に導電性突出
部が残るように上記導電膜をホトエッチングして、後に
形成する金属配線膜が上記導電性突出部が形成されてい
る部分以外の上記接触部と上記導電性突出部の表面とに
接触できるようにする工程とを含んでなることを特徴と
する。
電膜は多結晶シリコン膜であることを特徴とする。
上記半導体基板の上記ハイドープドジャンクションの不
純物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングした多
結晶シリコン膜であることを特徴とする。
記導電性突出部は、上記コンタクト孔の底面の中心部分
に棒状に形成することを特徴とする。
膜を全面に形成して、金属配線膜を形成することを特徴
とする。
付図面を参照して説明する。
方法の1実施形態においては、先ず、図1Aに示すよう
に、ハイドープドジャンクション22が形成された半導
体基板21上に絶縁膜23を形成し、図1Bに示すよう
に、絶縁膜22にホトエッチングを施して、後に金属配
線膜26(図3G参照)を接続する半導体基板21の接
触部が露出するようにコンタクト孔25を形成する。
た上記半導体基板の全面に、コンタクト孔25内におい
て上記接触部と接触するように、多結晶シリコン膜27
を形成した後、図2Dに示すように、多結晶シリコン膜
27に、ハイドープドジャンクション22の不純物イオ
ンと同種類の不純物イオン29を注入する。
ンタクト孔25内のコンタクト孔25の底面より狭い範
囲に導電性突出部27−1が残るように導電膜27をホ
トエッチングして、後に形成する金属配線膜26(図3
G参照)が導電性突出部27−1が形成されている部分
以外の接触部と導電性突出部27−1の表面とに接触で
きるようにする。
ト孔25の底面の中心部分に棒状に形成するとよい。
属膜を全面に形成して、金属配線膜26を形成する。
方法の1実施の形態によって製作された金属配線接触部
の構造は、図3Gに示すように、金属配線膜26が接続
されるハイドープドジャンクション22が形成された半
導体基板21と、半導体基板21上に形成され、ハイド
ープドジャンクション22上の接触部にコンタクト孔2
5を設けた絶縁膜23と、コンタクト孔25の底面の中
心部に形成され、ハイドープドジャンクション22上の
接触部と接触し、コンタクト孔25の底面より狭い範囲
に突出して形成され、ハイドープドジャンクション22
の不純物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングし
た多結晶シリコンからなる棒状の導電性突出部27−1
とからなり、金属配線膜26は、導電性突出部27−1
が形成されている部分以外の接触部と導電性突出部27
−1の表面とに接触して形成することができる。
て詳細に説明する。
線接触部形成方法を示す部分断面図である。
ジャンクション22が形成された半導体基板21上に絶
縁膜23を形成する。
トレジスト膜24を形成した後、マスク工程によって金
属配線の接触部位を定める。
膜24をマスクとして使用し、絶縁膜23をエッチング
してコンタクト孔25を形成して、後に金属配線を接続
する基板の接触部が露出するようにする。
25が形成された半導体基板21の全面に多結晶シリコ
ン膜27を蒸着する。
ン膜27に、ハイドープドジャンクション22に注入さ
れた不純物イオンと同種類の不純物イオン29を注入す
る。すなわち、ハイドープドジャンクション22がn+
型である場合にはn+イオンを注入し、p+型である場合
にはとp+イオンを注入する。
ン膜27上にホトレジストを塗布してホトレジスト膜2
8を形成し、マスク工程によって、後に導電性突出部2
7−1(図3F参照)を形成する領域を定め、ホトレジ
スト膜28の、コンタクト孔の底面より狭い範囲の部分
のみをコンタクト孔領域内に残して、その他の部分を除
去する。
レジスト膜28をマスクとして使用して多結晶シリコン
膜27をエッチングして、コンタクト孔25内で半導体
基板21の接触部と接触する導電性突出部27−1を形
成する。
21の接触部と接触して形成された導電性突出部27−
1は棒状に形成し、コンタクト孔25の中心部分に位置
するように設け、後に形成する金属配線膜26(図3G
参照)がコンタクト孔の残りの部分に充填できるように
する。その結果、金属配線膜26は、導電性突出部27
−1を形成した領域以外の基板接触部と導電性突出部2
7−1の全表面との双方に接触可能となるので、接触面
積が拡大できる。
配線膜26を、コンタクト孔25内を充填し、導電性突
出部27−1を形成した領域以外の半導体基板21の接
触部と接触し、かつ、導電性突出部27−1の全表面と
接触するように、スパッタリングによって蒸着する。
る。すなわち、マスク工程とエッチング工程とを施し
て、金属配線パターンを形成する。
置の金属配線接触部形成方法によって作成した金属配線
接触部においては、コンタクト孔の底面の中心部分にお
いて半導体基板の接触部と接触し、コンタクト孔内のコ
ンタクト孔の底面より狭い範囲に設けた棒状の導電性突
出部を形成するため、金属配線膜はコンタクト孔の内部
に充填されて、導電性突出部の全表面と、導電性突出部
を形成した領域以外の基板の接触部とに接触するので、
導電性突出部の側面積分だけ接触面積が広くなる。ま
た、導電性突出部は多結晶シリコンで形成し、半導体基
板のハイドープドジャンクションの不純物イオンと同種
類の不純物イオンでドーピングするので、接触抵抗を最
小限にすることが可能である。従って、特に、電気的特
性が良好な、サブミクロン寸法の半導体装置に適した金
属配線接触部を得ることが可能となる。
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
示す部分断面図である。
Claims (5)
- 【請求項1】半導体装置の金属配線接触部形成方法にお
いて、 (1)ハイドープドジャンクションが形成された半導体
基板上に絶縁膜を形成し、上記絶縁膜をホトエッチング
して、後に金属配線膜を接続する上記半導体基板の接触
部が露出するようにコンタクト孔を形成する工程と、 (2)上記工程を経た上記半導体基板の全面に、上記コ
ンタクト孔内において上記接触部と接触するように、導
電膜を形成する工程と、 (3)上記コンタクト孔内の上記コンタクト孔の底面よ
り狭い範囲に導電性突出部が残るように上記導電膜をホ
トエッチングして、後に形成する金属配線膜が上記導電
性突出部が形成されている部分以外の上記接触部と上記
導電性突出部の表面とに接触できるようにする工程とを
含んでなることを特徴とする半導体装置の金属配線接触
部形成方法。 - 【請求項2】請求項1に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記(2)工程における上記
導電膜は多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導
体装置の金属配線接触部形成方法。 - 【請求項3】請求項2に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記多結晶シリコン膜は、上
記半導体基板の上記ハイドープドジャンクションの不純
物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングした多結
晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の金属
配線接触部形成方法。 - 【請求項4】請求項1に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記(3)工程における上記
導電性突出部は、上記コンタクト孔の底面の中心部分に
棒状に形成することを特徴とする半導体装置の金属配線
接触部形成方法。 - 【請求項5】請求項1に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記(3)工程後に、金属膜
を全面に形成して、金属配線膜を形成することを特徴と
する半導体装置の金属配線接触部形成方法。
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US5243220A (en) * | 1990-03-23 | 1993-09-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having miniaturized contact electrode and wiring structure |
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US5472900A (en) * | 1991-12-31 | 1995-12-05 | Intel Corporation | Capacitor fabricated on a substrate containing electronic circuitry |
US5300813A (en) * | 1992-02-26 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias |
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US5514622A (en) * | 1994-08-29 | 1996-05-07 | Cypress Semiconductor Corporation | Method for the formation of interconnects and landing pads having a thin, conductive film underlying the plug or an associated contact of via hole |
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