JPH08139184A - 半導体装置の金属配線接触部形成方法およびその構造 - Google Patents
半導体装置の金属配線接触部形成方法およびその構造Info
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- JPH08139184A JPH08139184A JP7197656A JP19765695A JPH08139184A JP H08139184 A JPH08139184 A JP H08139184A JP 7197656 A JP7197656 A JP 7197656A JP 19765695 A JP19765695 A JP 19765695A JP H08139184 A JPH08139184 A JP H08139184A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】金属配線膜と半導体基板の接触部との接触面積
を広くして接触抵抗を減らし、電気的特性を改善する。 【解決手段】ハイドープドジャンクション２２が形成さ
れた半導体基板２１上に絶縁膜２３を形成し、金属配線
膜２６を接続する半導体基板２１の接触部が露出するよ
うにコンタクト孔２５を形成した後、全面に、コンタク
ト孔２５内において上記接触部と接触するように多結晶
シリコン膜を形成し、ハイドープドジャンクション２２
の不純物イオンと同種類の不純物イオンを注入し、コン
タクト孔２５の底面より狭い範囲に導電性突出部２７−
１が残るようにホトエッチングして、金属配線膜２６
が、導電性突出部２７−１が形成されている部分以外の
接触部と導電性突出部２７−１の表面とに接触できるよ
うにすることにより、金属配線膜２６と接触部との接触
面積を拡大する。
を広くして接触抵抗を減らし、電気的特性を改善する。 【解決手段】ハイドープドジャンクション２２が形成さ
れた半導体基板２１上に絶縁膜２３を形成し、金属配線
膜２６を接続する半導体基板２１の接触部が露出するよ
うにコンタクト孔２５を形成した後、全面に、コンタク
ト孔２５内において上記接触部と接触するように多結晶
シリコン膜を形成し、ハイドープドジャンクション２２
の不純物イオンと同種類の不純物イオンを注入し、コン
タクト孔２５の底面より狭い範囲に導電性突出部２７−
１が残るようにホトエッチングして、金属配線膜２６
が、導電性突出部２７−１が形成されている部分以外の
接触部と導電性突出部２７−１の表面とに接触できるよ
うにすることにより、金属配線膜２６と接触部との接触
面積を拡大する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の金属配
線接触部形成方法およびその構造に関し、特に金属配線
膜と半導体基板の接触部との接触抵抗を減少した半導体
装置の金属配線接触部形成方法およびその構造に関す
る。
線接触部形成方法およびその構造に関し、特に金属配線
膜と半導体基板の接触部との接触抵抗を減少した半導体
装置の金属配線接触部形成方法およびその構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程においては、半導
体素子内部および半導体素子間の電気的接続のためにメ
タライゼーション（metallization）工程を実施する必
要があるが、これはサブミクロン寸法の複雑な集積回路
における歩留と信頼度に大きな影響を及ぼす工程であ
る。
体素子内部および半導体素子間の電気的接続のためにメ
タライゼーション（metallization）工程を実施する必
要があるが、これはサブミクロン寸法の複雑な集積回路
における歩留と信頼度に大きな影響を及ぼす工程であ
る。
【０００３】従来の半導体装置の金属配線接触部形成方
法は、以下の工程から成る。
法は、以下の工程から成る。
【０００４】すなわち、ハイドープドジャンクション
（high doped junction）が形成された半導体基板上に
絶縁膜を形成する。次いで、該絶縁膜をホトエッチング
して金属配線膜を接続する基板の接触部が露出するよう
にコンタクト孔を形成する。次いで、該コンタクト孔の
底面において金属配線膜と半導体基板の接触部とが接触
するように金属配線接触部を形成する。
（high doped junction）が形成された半導体基板上に
絶縁膜を形成する。次いで、該絶縁膜をホトエッチング
して金属配線膜を接続する基板の接触部が露出するよう
にコンタクト孔を形成する。次いで、該コンタクト孔の
底面において金属配線膜と半導体基板の接触部とが接触
するように金属配線接触部を形成する。
【０００５】図４のＡ〜Ｃは、従来の半導体装置の金属
配線接触部形成方法を示す部分断面図である。以下、こ
れらの添付図面を参照して、従来の半導体装置の金属配
線接触部形成方法を説明する。
配線接触部形成方法を示す部分断面図である。以下、こ
れらの添付図面を参照して、従来の半導体装置の金属配
線接触部形成方法を説明する。
【０００６】まず、図４Ａに示すように、ハイドープド
ジャンクション１２が形成された半導体基板１１上に絶
縁膜１３を形成する。
ジャンクション１２が形成された半導体基板１１上に絶
縁膜１３を形成する。
【０００７】次いで、全面にホトレジストを塗布して、
ホトレジスト膜１４を形成した後、マスク工程によって
接触部を定める。
ホトレジスト膜１４を形成した後、マスク工程によって
接触部を定める。
【０００８】次に、図４Ｂに示すように、ホトレジスト
膜１４をマスクとして使用して、後に金属配線膜１６
（図４Ｃ参照）を接続する半導体基板１１の接触部が露
出するように絶縁膜１３をエッチングして、コンタクト
孔１５を形成する。
膜１４をマスクとして使用して、後に金属配線膜１６
（図４Ｃ参照）を接続する半導体基板１１の接触部が露
出するように絶縁膜１３をエッチングして、コンタクト
孔１５を形成する。
【０００９】次に、ホトレジスト膜１４を除去した後、
図４Ｃに示すように、全面に、金属配線膜１６を、コン
タクト孔１５内の半導体基板１１の接触部に接触するよ
うに、スパッタリング方法によって蒸着する。
図４Ｃに示すように、全面に、金属配線膜１６を、コン
タクト孔１５内の半導体基板１１の接触部に接触するよ
うに、スパッタリング方法によって蒸着する。
【００１０】その後、金属配線膜１６にマスク工程及び
エッチング工程を施して、金属配線パターンを形成す
る。
エッチング工程を施して、金属配線パターンを形成す
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術においては、サブミクロンデザインルール（sub-
micron design rule）に支配される半導体装置のコンタ
クト孔のサイズは極めて小さいので、金属配線膜と半導
体基板との接触面積が極めて小さく、その結果、接触抵
抗が増加するという問題がある。
来技術においては、サブミクロンデザインルール（sub-
micron design rule）に支配される半導体装置のコンタ
クト孔のサイズは極めて小さいので、金属配線膜と半導
体基板との接触面積が極めて小さく、その結果、接触抵
抗が増加するという問題がある。
【００１２】本発明の目的は、上記問題点を解決して、
金属配線膜と半導体基板の接触部との接触面積を広くし
て接触抵抗を減少することにより、半導体装置の電気的
特性を改善することが可能な、半導体装置の金属配線接
触部形成方法およびその構造を提供することにある。
金属配線膜と半導体基板の接触部との接触面積を広くし
て接触抵抗を減少することにより、半導体装置の電気的
特性を改善することが可能な、半導体装置の金属配線接
触部形成方法およびその構造を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
は、（１）ハイドープドジャンクションが形成された半
導体基板上に絶縁膜を形成し、上記絶縁膜をホトエッチ
ングして、後に金属配線膜を接続する上記半導体基板の
接触部が露出するようにコンタクト孔を形成する工程
と、（２）上記工程を経た上記半導体基板の全面に、上
記コンタクト孔内において上記接触部と接触するよう
に、導電膜を形成する工程と、（３）上記コンタクト孔
内の上記コンタクト孔の底面より狭い範囲に導電性突出
部が残るように上記導電膜をホトエッチングして、後に
形成する金属配線膜が上記導電性突出部が形成されてい
る部分以外の上記接触部と上記導電性突出部の表面とに
接触できるようにする工程とを含んでなることを特徴と
する。
に、本願発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
は、（１）ハイドープドジャンクションが形成された半
導体基板上に絶縁膜を形成し、上記絶縁膜をホトエッチ
ングして、後に金属配線膜を接続する上記半導体基板の
接触部が露出するようにコンタクト孔を形成する工程
と、（２）上記工程を経た上記半導体基板の全面に、上
記コンタクト孔内において上記接触部と接触するよう
に、導電膜を形成する工程と、（３）上記コンタクト孔
内の上記コンタクト孔の底面より狭い範囲に導電性突出
部が残るように上記導電膜をホトエッチングして、後に
形成する金属配線膜が上記導電性突出部が形成されてい
る部分以外の上記接触部と上記導電性突出部の表面とに
接触できるようにする工程とを含んでなることを特徴と
する。
【００１４】この場合、上記（２）工程における上記導
電膜は多結晶シリコン膜であることを特徴とする。
電膜は多結晶シリコン膜であることを特徴とする。
【００１５】またこの場合、上記多結晶シリコン膜は、
上記半導体基板の上記ハイドープドジャンクションの不
純物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングした多
結晶シリコン膜であることを特徴とする。
上記半導体基板の上記ハイドープドジャンクションの不
純物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングした多
結晶シリコン膜であることを特徴とする。
【００１６】またこの場合、上記（３）工程における上
記導電性突出部は、上記コンタクト孔の底面の中心部分
に棒状に形成することを特徴とする。
記導電性突出部は、上記コンタクト孔の底面の中心部分
に棒状に形成することを特徴とする。
【００１７】またこの場合、上記（３）工程後に、金属
膜を全面に形成して、金属配線膜を形成することを特徴
とする。
膜を全面に形成して、金属配線膜を形成することを特徴
とする。
【００１８】本願発明の半導体装置の金属配線接触部の
構造は、金属配線膜を接続するハイドープドジャンクシ
ョンが形成された半導体基板と、上記半導体基板上に形
成され、上記半導体基板の上記ハイドープドジャンクシ
ョン上の接触部にコンタクト孔を設けた絶縁膜と、上記
コンタクト孔内において上記半導体基板の上記ハイドー
プドジャンクション上の上記接触部と接触し、上記コン
タクト孔内の上記コンタクト孔の底面より狭い範囲に突
出して形成された導電性突出部とを含んでなることを特
徴とする。
構造は、金属配線膜を接続するハイドープドジャンクシ
ョンが形成された半導体基板と、上記半導体基板上に形
成され、上記半導体基板の上記ハイドープドジャンクシ
ョン上の接触部にコンタクト孔を設けた絶縁膜と、上記
コンタクト孔内において上記半導体基板の上記ハイドー
プドジャンクション上の上記接触部と接触し、上記コン
タクト孔内の上記コンタクト孔の底面より狭い範囲に突
出して形成された導電性突出部とを含んでなることを特
徴とする。
【００１９】この場合、上記導電性突出部は多結晶シリ
コンからなることを特徴とする。
コンからなることを特徴とする。
【００２０】またこの場合、上記多結晶シリコンは上記
半導体基板の上記ハイドープドジャンクションの不純物
イオンと同種類の不純物イオンをドーピングした多結晶
シリコンであることを特徴とする。
半導体基板の上記ハイドープドジャンクションの不純物
イオンと同種類の不純物イオンをドーピングした多結晶
シリコンであることを特徴とする。
【００２１】またこの場合、上記導電性突出部は上記コ
ンタクト孔の底面の中心部分に位置し、棒状であること
を特徴とする。
ンタクト孔の底面の中心部分に位置し、棒状であること
を特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付図面を参照して説明する。
付図面を参照して説明する。
【００２３】本発明の半導体装置の金属配線接触部形成
方法の１実施形態においては、先ず、図１Ａに示すよう
に、ハイドープドジャンクション２２が形成された半導
体基板２１上に絶縁膜２３を形成し、図１Ｂに示すよう
に、絶縁膜２２にホトエッチングを施して、後に金属配
線膜２６（図３Ｇ参照）を接続する半導体基板２１の接
触部が露出するようにコンタクト孔２５を形成する。
方法の１実施形態においては、先ず、図１Ａに示すよう
に、ハイドープドジャンクション２２が形成された半導
体基板２１上に絶縁膜２３を形成し、図１Ｂに示すよう
に、絶縁膜２２にホトエッチングを施して、後に金属配
線膜２６（図３Ｇ参照）を接続する半導体基板２１の接
触部が露出するようにコンタクト孔２５を形成する。
【００２４】次に、図１Ｃに示すように、上記工程を経
た上記半導体基板の全面に、コンタクト孔２５内におい
て上記接触部と接触するように、多結晶シリコン膜２７
を形成した後、図２Ｄに示すように、多結晶シリコン膜
２７に、ハイドープドジャンクション２２の不純物イオ
ンと同種類の不純物イオン２９を注入する。
た上記半導体基板の全面に、コンタクト孔２５内におい
て上記接触部と接触するように、多結晶シリコン膜２７
を形成した後、図２Ｄに示すように、多結晶シリコン膜
２７に、ハイドープドジャンクション２２の不純物イオ
ンと同種類の不純物イオン２９を注入する。
【００２５】次に、図２Ｅ及び図３Ｆに示すように、コ
ンタクト孔２５内のコンタクト孔２５の底面より狭い範
囲に導電性突出部２７−１が残るように導電膜２７をホ
トエッチングして、後に形成する金属配線膜２６（図３
Ｇ参照）が導電性突出部２７−１が形成されている部分
以外の接触部と導電性突出部２７−１の表面とに接触で
きるようにする。
ンタクト孔２５内のコンタクト孔２５の底面より狭い範
囲に導電性突出部２７−１が残るように導電膜２７をホ
トエッチングして、後に形成する金属配線膜２６（図３
Ｇ参照）が導電性突出部２７−１が形成されている部分
以外の接触部と導電性突出部２７−１の表面とに接触で
きるようにする。
【００２６】なお、導電性突出部２７−１は、コンタク
ト孔２５の底面の中心部分に棒状に形成するとよい。
ト孔２５の底面の中心部分に棒状に形成するとよい。
【００２７】上記の工程の後、図３Ｇに示すように、金
属膜を全面に形成して、金属配線膜２６を形成する。
属膜を全面に形成して、金属配線膜２６を形成する。
【００２８】本発明の半導体装置の金属配線接触部の構
造の１実施形態である金属配線接触部の構造は、図３Ｇ
に示すように、金属配線膜２６が接続されるハイドープ
ドジャンクション２２が形成された半導体基板２１と、
半導体基板２１上に形成され、ハイドープドジャンクシ
ョン２２上の接触部にコンタクト孔２５を設けた絶縁膜
２３と、コンタクト孔２５の底面の中心部に形成され、
ハイドープドジャンクション２２上の接触部と接触し、
コンタクト孔２５の底面より狭い範囲に突出して形成さ
れ、ハイドープドジャンクション２２の不純物イオンと
同種類の不純物イオンをドーピングした多結晶シリコン
からなる棒状の導電性突出部２７−１とからなり、金属
配線膜２６は、導電性突出部２７−１が形成されている
部分以外の接触部と導電性突出部２７−１の表面とに接
触して形成することができる。
造の１実施形態である金属配線接触部の構造は、図３Ｇ
に示すように、金属配線膜２６が接続されるハイドープ
ドジャンクション２２が形成された半導体基板２１と、
半導体基板２１上に形成され、ハイドープドジャンクシ
ョン２２上の接触部にコンタクト孔２５を設けた絶縁膜
２３と、コンタクト孔２５の底面の中心部に形成され、
ハイドープドジャンクション２２上の接触部と接触し、
コンタクト孔２５の底面より狭い範囲に突出して形成さ
れ、ハイドープドジャンクション２２の不純物イオンと
同種類の不純物イオンをドーピングした多結晶シリコン
からなる棒状の導電性突出部２７−１とからなり、金属
配線膜２６は、導電性突出部２７−１が形成されている
部分以外の接触部と導電性突出部２７−１の表面とに接
触して形成することができる。
【００２９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００３０】図１〜３は、本発明の半導体装置の金属配
線接触部形成方法およびその構造を示す部分断面図であ
る。
線接触部形成方法およびその構造を示す部分断面図であ
る。
【００３１】まず、図１Ａに示すように、ハイドープド
ジャンクション２２が形成された半導体基板２１上に絶
縁膜２３を形成する。
ジャンクション２２が形成された半導体基板２１上に絶
縁膜２３を形成する。
【００３２】次いで、全面にホトレジストを塗布してホ
トレジスト膜２４を形成した後、マスク工程によって金
属配線の接触部位を定める。
トレジスト膜２４を形成した後、マスク工程によって金
属配線の接触部位を定める。
【００３３】次に、図１Ｂに示すように、ホトレジスト
膜２４をマスクとして使用し、絶縁膜２３をエッチング
してコンタクト孔２５を形成して、後に金属配線を接続
する基板の接触部が露出するようにする。
膜２４をマスクとして使用し、絶縁膜２３をエッチング
してコンタクト孔２５を形成して、後に金属配線を接続
する基板の接触部が露出するようにする。
【００３４】次に、図１Ｃに示すように、コンタクト孔
２５が形成された半導体基板２１の全面に多結晶シリコ
ン膜２７を蒸着する。
２５が形成された半導体基板２１の全面に多結晶シリコ
ン膜２７を蒸着する。
【００３５】次に、図２Ｄに示すように、多結晶シリコ
ン膜２７に、ハイドープドジャンクション２２に注入さ
れた不純物イオンと同種類の不純物イオン２９を注入す
る。すなわち、ハイドープドジャンクション２２がｎ+
型である場合にはｎ+イオンを注入し、ｐ+型である場合
にはとｐ+イオンを注入する。
ン膜２７に、ハイドープドジャンクション２２に注入さ
れた不純物イオンと同種類の不純物イオン２９を注入す
る。すなわち、ハイドープドジャンクション２２がｎ+
型である場合にはｎ+イオンを注入し、ｐ+型である場合
にはとｐ+イオンを注入する。
【００３６】次に、図２Ｅに示すように、多結晶シリコ
ン膜２７上にホトレジストを塗布してホトレジスト膜２
８を形成し、マスク工程によって、後に導電性突出部２
７−１（図３Ｆ参照）を形成する領域を定め、ホトレジ
スト膜２８の、コンタクト孔の底面より狭い範囲の部分
のみをコンタクト孔領域内に残して、その他の部分を除
去する。
ン膜２７上にホトレジストを塗布してホトレジスト膜２
８を形成し、マスク工程によって、後に導電性突出部２
７−１（図３Ｆ参照）を形成する領域を定め、ホトレジ
スト膜２８の、コンタクト孔の底面より狭い範囲の部分
のみをコンタクト孔領域内に残して、その他の部分を除
去する。
【００３７】次に、図３Ｆに示すように、残存するホト
レジスト膜２８をマスクとして使用して多結晶シリコン
膜２７をエッチングして、コンタクト孔２５内で半導体
基板２１の接触部と接触する導電性突出部２７−１を形
成する。
レジスト膜２８をマスクとして使用して多結晶シリコン
膜２７をエッチングして、コンタクト孔２５内で半導体
基板２１の接触部と接触する導電性突出部２７−１を形
成する。
【００３８】ここで、コンタクト孔２５内に半導体基板
２１の接触部と接触して形成された導電性突出部２７−
１は棒状に形成し、コンタクト孔２５の中心部分に位置
するように設け、後に形成する金属配線膜２６（図３Ｇ
参照）がコンタクト孔の残りの部分に充填できるように
する。その結果、金属配線膜２６は、導電性突出部２７
−１を形成した領域以外の基板接触部と導電性突出部２
７−１の全表面との双方に接触可能となるので、接触面
積が拡大できる。
２１の接触部と接触して形成された導電性突出部２７−
１は棒状に形成し、コンタクト孔２５の中心部分に位置
するように設け、後に形成する金属配線膜２６（図３Ｇ
参照）がコンタクト孔の残りの部分に充填できるように
する。その結果、金属配線膜２６は、導電性突出部２７
−１を形成した領域以外の基板接触部と導電性突出部２
７−１の全表面との双方に接触可能となるので、接触面
積が拡大できる。
【００３９】次に、図３Ｇに示すように、全面に、金属
配線膜２６を、コンタクト孔２５内を充填し、導電性突
出部２７−１を形成した領域以外の半導体基板２１の接
触部と接触し、かつ、導電性突出部２７−１の全表面と
接触するように、スパッタリングによって蒸着する。
配線膜２６を、コンタクト孔２５内を充填し、導電性突
出部２７−１を形成した領域以外の半導体基板２１の接
触部と接触し、かつ、導電性突出部２７−１の全表面と
接触するように、スパッタリングによって蒸着する。
【００４０】以後の工程は、従来技術と同様に実施す
る。すなわち、マスク工程とエッチング工程とを施し
て、金属配線パターンを形成する。
る。すなわち、マスク工程とエッチング工程とを施し
て、金属配線パターンを形成する。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の金属配線接触部形成方法によって作成した金属配線
接触部においては、コンタクト孔の底面の中心部分にお
いて半導体基板の接触部と接触し、コンタクト孔内のコ
ンタクト孔の底面より狭い範囲に設けた棒状の導電性突
出部を形成するため、金属配線膜はコンタクト孔の内部
に充填されて、導電性突出部の全表面と、導電性突出部
を形成した領域以外の基板の接触部とに接触するので、
導電性突出部の側面積分だけ接触面積が広くなる。ま
た、導電性突出部は多結晶シリコンで形成し、半導体基
板のハイドープドジャンクションの不純物イオンと同種
類の不純物イオンでドーピングするので、接触抵抗を最
小限にすることが可能である。従って、特に、電気的特
性が良好な、サブミクロン寸法の半導体装置に適した金
属配線接触部を得ることが可能となる。
置の金属配線接触部形成方法によって作成した金属配線
接触部においては、コンタクト孔の底面の中心部分にお
いて半導体基板の接触部と接触し、コンタクト孔内のコ
ンタクト孔の底面より狭い範囲に設けた棒状の導電性突
出部を形成するため、金属配線膜はコンタクト孔の内部
に充填されて、導電性突出部の全表面と、導電性突出部
を形成した領域以外の基板の接触部とに接触するので、
導電性突出部の側面積分だけ接触面積が広くなる。ま
た、導電性突出部は多結晶シリコンで形成し、半導体基
板のハイドープドジャンクションの不純物イオンと同種
類の不純物イオンでドーピングするので、接触抵抗を最
小限にすることが可能である。従って、特に、電気的特
性が良好な、サブミクロン寸法の半導体装置に適した金
属配線接触部を得ることが可能となる。
【図１】本発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
およびその構造を示す部分断面図である。
およびその構造を示す部分断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
およびその構造を示す部分断面図である。
およびその構造を示す部分断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の金属配線接触部形成方法
およびその構造を示す部分断面図である。
およびその構造を示す部分断面図である。
【図４】従来の半導体装置の金属配線接触部形成方法お
よびその構造を示す部分断面図である。
よびその構造を示す部分断面図である。
１１、２１…半導体基板、 １２、２２…ハイドープドジャンクション、 １３、２３…絶縁膜、 １４、２４、２８…ホトレジスト膜、 １５、２５…コンタクト孔、 １６、２６…金属配線膜、 ２７…多結晶シリコン膜、 ２７−１…導電性突出部、 ２９…不純物イオン
Claims (9)
- 【請求項１】半導体装置の金属配線接触部形成方法にお
いて、（１）ハイドープドジャンクションが形成された
半導体基板上に絶縁膜を形成し、上記絶縁膜をホトエッ
チングして、後に金属配線膜を接続する上記半導体基板
の接触部が露出するようにコンタクト孔を形成する工程
と、（２）上記工程を経た上記半導体基板の全面に、上
記コンタクト孔内において上記接触部と接触するよう
に、導電膜を形成する工程と、（３）上記コンタクト孔
内の上記コンタクト孔の底面より狭い範囲に導電性突出
部が残るように上記導電膜をホトエッチングして、後に
形成する金属配線膜が上記導電性突出部が形成されてい
る部分以外の上記接触部と上記導電性突出部の表面とに
接触できるようにする工程とを含んでなることを特徴と
する半導体装置の金属配線接触部形成方法。 - 【請求項２】請求項１に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記（２）工程における上記
導電膜は多結晶シリコン膜であることを特徴とする半導
体装置の金属配線接触部形成方法。 - 【請求項３】請求項２に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記多結晶シリコン膜は、上
記半導体基板の上記ハイドープドジャンクションの不純
物イオンと同種類の不純物イオンをドーピングした多結
晶シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の金属
配線接触部形成方法。 - 【請求項４】請求項１に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記（３）工程における上記
導電性突出部は、上記コンタクト孔の底面の中心部分に
棒状に形成することを特徴とする半導体装置の金属配線
接触部形成方法。 - 【請求項５】請求項１に記載する半導体装置の金属配線
接触部形成方法において、上記（３）工程後に、金属膜
を全面に形成して、金属配線膜を形成することを特徴と
する半導体装置の金属配線接触部形成方法。 - 【請求項６】半導体装置の金属配線接触部の構造におい
て、 金属配線膜を接続するハイドープドジャンクションが形
成された半導体基板と、 上記半導体基板上に形成され、上記半導体基板の上記ハ
イドープドジャンクション上の接触部にコンタクト孔を
設けた絶縁膜と、 上記コンタクト孔内において上記半導体基板の上記ハイ
ドープドジャンクション上の上記接触部と接触し、上記
コンタクト孔内の上記コンタクト孔の底面より狭い範囲
に突出して形成された導電性突出部とを含んでなること
を特徴とする半導体装置の金属配線接触部の構造。 - 【請求項７】請求項６に記載する半導体装置の金属配線
接触部の構造において、上記導電性突出部は多結晶シリ
コンからなることを特徴とする半導体装置の金属配線接
触部の構造。 - 【請求項８】請求項７に記載する半導体装置の金属配線
接触部の構造において、上記多結晶シリコンは上記半導
体基板の上記ハイドープドジャンクションの不純物イオ
ンと同種類の不純物イオンをドーピングした多結晶シリ
コンであることを特徴とする半導体装置の金属配線接触
部の構造。 - 【請求項９】請求項６に記載する半導体装置の金属配線
接触部の構造において、上記導電性突出部は上記コンタ
クト孔の底面の中心部分に位置し、棒状であることを特
徴とする半導体装置の金属配線接触部の構造。
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- 1998-09-30 US US09/163,570 patent/US6034435A/en not_active Expired - Lifetime
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