KR960043170A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로써, 특히 반도체 기판의 소오스 및 드레인영역에 실리사이드를 형성시켜 반도체 기판상에서의 스파이크 현상을 방지하고 배선과 소자간의 접촉 면저항을 줄여 배선의 단사 피복성을 향상시키도록한 반도체 소자 제조방법에 관한 것이다. 상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 반도체 소자 제조방법은 활성영역과 격리영역으로 구분된 반도체기판의 활성영역에 게이트전극을 형성한는 제1공정과, 상기 게이트전극에 측벽을 형성하여 상기 게이트전극 양측 소오드 및 드레인영역에 도전형 불순물 영역을 형성하는 제2공정과, 상기 게이트전극과 상기 도전형 불순물영역 상부에 실리사이드와 캡게이트를 형성하는 제3공정과, 상기 실리사이드와 캡게이트 상부에 콘택홀을 형성하여 금속배선을 형성하는 제4공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(E)도 및 제2(F)도 본 발명의 반도체 소자 제조방법에 대한 공정도.
Claims (2)
- 활성영역과 격리영역으로 구분된 반도체기판의 활성영역에 게이트전극을 형성하는 제1공정과, 상기 게이트전극에 측벽을 형성하여 상기 게이트전극 양측 소오스 및 드레인영역에 도전형 불순물 영역을 형성하는 제2공정과, 상기 게이트전극과 상기 도전형 불순물영역 상부에 실리사이드와 캡게이트를 형성하는 제3공정과, 상기 실리사이드와 캡게이트 상부에 콘택홀을 형성하여 금속배선을 형성하는 제4공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 절연막이 형성된 반도체기판에 콘택홀을 형성하는 제1공정과, 상기 콘택홀에 실리사이드를 형성하며 상기 절연막 가장자리와 상기 실리사이드 상부에 금속배선을 형성하는 제2공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950012898A KR960043170A (ko) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 반도체 소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950012898A KR960043170A (ko) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 반도체 소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960043170A true KR960043170A (ko) | 1996-12-23 |
Family
ID=66525720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950012898A KR960043170A (ko) | 1995-05-23 | 1995-05-23 | 반도체 소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960043170A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100477811B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조방법 |
-
1995
- 1995-05-23 KR KR1019950012898A patent/KR960043170A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100477811B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2005-06-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조방법 |
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