KR920010820A - 반도체 소자의 접속장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 소자의 접속장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 반도체 접속장치를 형성하기 위해 주요마스크층을 배열한 평면도, 제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 제조과정을 나타내는 단면도.

Claims (10)

  1. 반도체 소자의 접속장치에 있어서, 제1도전층 배선들이 다수개 형성되고, 상기 제1도전층 배선 상부의 제2절연충, 제2절연층의 일정부분을 통하여 제1도전층 배선의 소정상부가 노출되어 콘택홀이 형성되되 상기 제2절연층과 제1절연층 사이에 상기 제1도전층 배선의 일측상부와 겹쳐있는 식각정지층에 의해 콘택홀의 면적이 축소되어 형성되고, 제2도전층이 상기 콘택홀을 통하여 제1도전층 배선에 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식각정지층은 도전체인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도전체는 실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 식각정지층은 소정의 제1도전층 배선과 일부 겹치고 그 이웃하는 제1도전층 배선과는 겹치지 않도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1도전층 배선들이 다수개 형성된 것을 형성가능한 최소선폭으로 제1도전층을 형성하고 제1도전층 배선들의 간격은 최소선폭 간격인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치.
  6. 제1항에 있어서, 제1절연층 상부에 식각정지층을 형성한후 그 상부에 제2절연층을 형성하지 않고 바로 콘택홀을 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치.
  7. 반도체 소자의 접속장치 제조방법에 있어서, 제1도전층 배선들을 소정의 물질 상부에 형성한다음, 전체적으로 제1절연층에 형성하는 단계와, 상기 제1절연층 상부에 식각정지층을 형성한다음 식각정지층 마스크를 사용하여 상기 제1도전층 배선일측 상부면과 일부 겹치도록 식각정지층을 형성하는 단계와, 상기 식각정지층을 포함하는 전체구조 부에 제2절연층을 형성한다음 상기 제1도전층 배선 상부에서 일측면으로 이동시켜 배열된 콘택마스크를 사용하여 상기 식각정지층의 일측면과 제1도전층 배선 중앙일부가 이노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 전체적으로 제2도전층을 형성하여 상기 콘택홀을 통하여 노출된 제1도전층 배선에 접속하는 단계로 이루어지는 반도체 소자의 접속장치 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 도전층 배선을 다수개 형성하되 형성가능한 최소선폭 간격으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 식각정지층은 소정의 제1도전층 배선과 일부분이 겹치고 그이웃하는 1도전층 배선과는 겹치지 않도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 식각정지층은 실리콘막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 접속장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900018854A 1990-11-21 1990-11-21 반도체 소자의 접속장치 및 그 제조방법 KR930007752B1 (ko)

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