KR960026161A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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Abstract

반도체 소자 제조공정 중 금속배선과 반도체 기판과의 전기적 연결을 위한 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀 형성부위에 가상 패턴을 형성하여 단차를 완화시킨 후에 콘택 식각공정을 실시함으로써 균일한 콘택홀을 형성할 수 있으며, 이로 따라 반도체 소자의 제조 수율 및 신뢰성 향상을 기할 수 있다.

Description

반도체 소자의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 콘택홀 형성시의 배치도, 제4C도는 제3도에 따른 콘택홀 형성광정을 나타낸 B-B´선을 따른 공정 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체 소자 제조공정 중 금속배선과 반도체 기판과의 전기적 연결을 위한 콘택홀 형성방법에 있어서, 콘택홀 형성부위에 가상패턴을 형성하여 단차를 완화시킨 후에 콘택 식각공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가상패턴은 전하저장전극 형성단계에서 전하저장전극용 전도막과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가상패턴은 반도체 기판에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 형성하고 상기 게이트 전극 측벽에 소정의 산화막 스페이서를 형성하고, 그 상부에 제1절연막을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 전하저장전극요 전도막을 형성한 후 식각하여 소정의 패턴으로 형성하되, 이후 콘택홀이 형성될 부위에 상기 전도막이 소정정도 잔류하도록 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전도막 형성 후 전체구조 상부에 유전체막을 형성하고, 소정 패턴의 플레이트 전극을 형성한 후에 제2절연막, 제3절연막을 차례로 형성하는 단계; 상기 제3 및 제2절연막, 유전체막, 콘택홀 부위의 상기 전도막, 제1절연막을 차례로 선택 식각하여 콘택홀 형성 부위의 상기 실리콘 기판을 노출시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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