KR970053931A - 캐패시터 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 캐패시터 제조 방법을 이용하면 층간 절연막과 전하저장 전극용 폴리실리콘과의 접촉면을 제대로 활용하지 않아 반도체 소자의 고집적화에 따른 충분한 캐패시턴스를 확보하지 못했다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
게이트 전극 상부의 양단에 더미 폴리실리콘이 돌출부를 형성하여 단차를 가지도록 함으로써 상기 더미 폴리실리콘의 단차를 따라 전하 저장 전극을 형성하여 캐패시턴스를 증가시킬 수 있는 캐패시터 제조 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 캐패시터를 제조하는데 주로 이용됨.
※ 선택도 : 제2C도
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 한 실시예에 따른 캐패시터 제조 방법을 도시하는 공정도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 캐패시터를 제조하는 방법에 있어서, 소자 분리막이 형성된 반도체 기판 상에 게이트 전극, 측벽 스페이서를 차례로 형성하고, 제1층간 절연막, 단차 형성을 위한 더미 폴리실리콘을 차례로 증착하는 단계와, 소정의 사진 식각 공정을 이용하여 상기 게이트 전극 상부의 양단에 상기 더미 폴리실리콘이 잔류하여 돌출부를 형성하도록 상기 더미 폴리실리콘을 식각하는 단계 및 전체 구조 상에 제2층간 절연막을 형성하고 소정의 사진 식각 공정을 수행하여 캐패시터가 형성된 부분에 콘택홀을 형성하고, 전하 저장 전극용 폴리실리콘, 유전체막 및 플레이트 전극용 폴리실리콘을 차례로 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 캐패시터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047095A KR970053931A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 캐패시터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047095A KR970053931A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 캐패시터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053931A true KR970053931A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66593635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950047095A KR970053931A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 캐패시터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053931A (ko) |
-
1995
- 1995-12-06 KR KR1019950047095A patent/KR970053931A/ko not_active Application Discontinuation
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