KR970023729A - 캐패시터의 전하저장 전극 및 그 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 및 그 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 16M DRAM제조에 이용되는 핀 구조 또는 실린더 구조의 캐패시터는 용량을 증가시키기 위하여 반도체 기판에 접촉하는 면적을 늘려야 하므로 단위 웨이퍼당 생산되는 소자의 수가 줄어든다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
핀 구조와 실린더 구조의 캐패시터를 복합하므로써 캐패시터가 반도체 기판 상에 점유하는 면적은 증가시키지 않고 전하용량을 높일 수 있는 캐패시터의 전하저장 전극을 제조하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 캐패시터의 전하저장 전극을 형성하는데 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1A도 내지 제 1F도는 본 발명의 반도체 소자의 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법에 따른 공정도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 캐패시터의 전하저장 전극을 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판에 소자 분리막, 모스 트랜지스터, 층간절연막 및 캐패시터를 형성하기 위한 콘택홀이 형성된 구조 상에 제 1 폴리실리콘 전하저장 전극을 형성하는 단계와, 제 1 오존-인유리막을 형성하고 상기 콘택홀 상부의 일부가 오픈된 제 1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 1 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 제 1 오존-인유리막을 식각하고 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계와, 전하저장 전극용 제 2 폴리실리콘막과 제 2 오존-인유리막을 차례로 형성하는 단계와, 상기 제 2 폴리실리콘층을 정의하기 위한 제 2 포토레지스트 패턴을 형성하고 이를 식각 베리어로 이용하여 상기 제 2 오존-인유리막과 제 2 폴리실리콘을 식각한 후 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계와, 상기 제 2 오존-인유리막과 제 2 폴리실리콘의 측벽에 스페이서를 형성하기 위한 제 3 폴리실리콘을 증착하는 단계와, 블랭킷 식각을 실시하여 측벽 스페이서를 형성하는 단계 및 습식식각을 실시하여 상기 제 2 및 제 1 오존-인유리막을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법.
- 반도체 소자의 캐패시터의 전하저장 전극에 있어서 반도체 기판에 소자 분리막, 모스 트랜지스터, 층간절연막 및 캐패시터를 형성하기 위한 콘택홀이 형성된 구조 상에 중심부만이 연결된 상층과 하층으로 이루어진 핀 구조의 제 1 전하저장 전극과, 상기 제 1 전하저장 전극의 상층의 측벽보다 소정의 길이만큼 더 긴 높이를 가진 측벽 스페이서로 이루어진 실린더 구조의 제 2 전하저장 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 캐패시터의 전하저장 전극.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036972A KR970023729A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 캐패시터의 전하저장 전극 및 그 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019950036972A KR970023729A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 캐패시터의 전하저장 전극 및 그 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023729A true KR970023729A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950036972A KR970023729A (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 캐패시터의 전하저장 전극 및 그 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023729A (ko) |
-
1995
- 1995-10-25 KR KR1019950036972A patent/KR970023729A/ko not_active Application Discontinuation
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