KR950007104A - 반도체 소자의 실린더형 캐패시터 제조 방법 - Google Patents

반도체 소자의 실린더형 캐패시터 제조 방법 Download PDF

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KR950007104A
KR950007104A KR1019930015824A KR930015824A KR950007104A KR 950007104 A KR950007104 A KR 950007104A KR 1019930015824 A KR1019930015824 A KR 1019930015824A KR 930015824 A KR930015824 A KR 930015824A KR 950007104 A KR950007104 A KR 950007104A
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polysilicon
oxide film
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KR1019930015824A
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신철호
신찬수
김상용
안용국
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 기판(1)상에 제1폴리실리콘(2)을 콘택(contact)시키는 단계, 상기 제1폴리실리콘(2) 상부에 소정의 형태로 산화막(3)을 형성하는 단계, 웨이퍼 전체구조 상부에 제2폴리실리콘(4)을 증착하는 단계, 상기 제1및 제2폴리실리콘(2, 4)을 블랭킷(blancket) 식각하여 상기 산화막(3) 측벽에 스페이서(5)을 형성하는 단계, 상기 산화막(3)을 제거하는 단계, 웨이퍼 전체구조 상부에 ONO막(6)을 증착하는 단계로 이루어지는 반도체 소자의 실린더형 캐패시터 제조방법에 있어서, 상기 산화막(3)을 제거하는 단계는 HF가스와 증기(vapor)를 이용하여 건식식각 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실린더형 캐패시터 제조 방법에 관한 것으로, HF 가스 및 증기를 이용하여 산화막을 완전 제거 하므로써 웨이퍼 표면에 불순물 및 결함의 발생을 억제하여 반도체 소자의 신뢰성 및 수율을 향상 시키는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 실린더형 캐패시터 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 실린더형 캐패시터 제조 공정도.

Claims (1)

  1. 반도체 기판(1)상에 제1폴리실리콘(2)을 콘택(contact)시키는 단계, 상기 제1폴리실리콘(2) 상부에 소정의 형태로 산화막(3)을 형성하는 단계, 웨이퍼 전체구조 상부에 제2폴리실리콘(4)을 증착하는 단계, 상기 제1및 제2폴리실리콘(2, 4)을 블랭킷(blancket) 식각하여 상기 산화막(3) 측벽에 스페이서(5)을 형성하는 단계, 상기 산화막(3)을 제거하는 단계, 웨이퍼 전체구조 상부에 ONO막(6)을 증착하는 단계로 이루어지는 반도체 소자의 실린더형 캐패시터 제조방법에 있어서; 상기 산화막(3)을 제거하는 단계는 HF가스와 증기(vapor)를 이용하여 건식식각 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실린더형 캐패시터 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하 것임.
KR1019930015824A 1993-08-16 1993-08-16 반도체 소자의 실린더형 캐패시터 제조 방법 KR950007104A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100275637B1 (ko) * 1996-06-24 2000-12-15 가네꼬 히사시 반도체 디바이스 및 제조 방법

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