KR960026826A - 전하저장전극 형성 방법 - Google Patents

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KR960026826A
KR960026826A KR1019940035729A KR19940035729A KR960026826A KR 960026826 A KR960026826 A KR 960026826A KR 1019940035729 A KR1019940035729 A KR 1019940035729A KR 19940035729 A KR19940035729 A KR 19940035729A KR 960026826 A KR960026826 A KR 960026826A
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KR1019940035729A
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Inventor
엄금용
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 비도핑 및 도핑된 산화막의 식각선택비를 이용하고 비도핑 및 도핑된 비정질실리콘막간의 식각선택비를 이용하여 내부는 핀형으로 형성되며 외벽은 실린더형으로 형성되는 전하저장전극을 형성하는 것으로, 전하저장전극의 유효표면적을 증대시켜 고집적화로 인해 제한된 면적에서 충분한 캐패시터 용량을 확보하는 효과가 있다.

Description

전하저장전극 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 일실시예에 따른 전하저장전극 형성 공정도.

Claims (2)

  1. 반도체 기억소자의 전하저장전극 형성방법에 있어서; 전하저장전극이 콘택될 예정된 부위에 비도핑된 비정질실리콘막을 콘택시키는 단계; 상기 비도핑된 비정질실리콘막상에 도핑된 절연막과 비도핑된 절연막을 순차적으로 적어도 한번 이상 반복하여 형성하는 단계; 상기 비도핑된 절연막상에 반구형 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 마스크 및 식각공정으로 상기 반구형 폴리실리콘막, 도핑된 산화막 도핑되지 않은 산화막을 패터닝하는 단계; 상기 반구형 폴리실리콘막을 전면식각하여 노출된 비도핑 및 도핑된 절연막을 식각하되 도핑된 절연막이 도핑되지 않은 절연막보다 더 빨리 식각되는 식각선택비를 갖는 식각용액으로 식각하는 단계; 전체구조상부에 도핑된 비정질 실리콘막을 형성한 후 도핑되지 않은 산화막 표면이 노출될 때까지 스페이서 식각하는 단계; 상기 비도핑 및 도핑된 산화막을 완전히 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하저장전극 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서; 상기 비도핑 및 도핑된 산화막을 완전히 제거하는 단계 이후에 열처리 공정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전하저장전극 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990021106A (ko) * 1997-08-30 1999-03-25 김영환 반도체소자의 캐패시터 형성방법
KR20010078014A (ko) * 2000-01-26 2001-08-20 니시가키 코지 축전 커패시터 하부 전극 형성 방법
KR200493410Y1 (ko) 2020-05-27 2021-03-26 권순철 핸드 그라인더의 커플러 구조
KR20220107819A (ko) 2021-01-26 2022-08-02 이혜원 핸드 그라인더용 커플러
KR20220111885A (ko) 2021-02-03 2022-08-10 이혜원 핸드 그라인더용 커플러
KR20220129254A (ko) 2021-03-16 2022-09-23 이혜원 그라인더용 커플러 조립체
KR20220130990A (ko) 2021-03-19 2022-09-27 이혜원 그라인더용 커플러 조립체

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