KR970053797A - 공핍층을 이용한 인덕터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 공핍층을 이용한 인덕터에 관한 것으로서, 제1도전형의 반도체기판과, 상기 반도체기판에 핑거형태로 다수개가 형성되어 상기 반도체기판과 접합되는 부분에 공핍 영역을 형성하는 제2도전형의 웰 영역과, 상기 반도체기판에 형성된 제1절연막과, 상기 제1절연막의 상부에 형성되며 일측 끝단과 타측 끝단이 외부와 전기적으로 연결되는 도선 패턴과 연결된 나선형의 인덕터와, 상기 제1절연막과 인덕터의 상부에 형성된 제2절연막을 포함한다.
따라서, 하부에 형성되는 공핍 영역에 의해 실리콘 기판의 전기전도도를 감소시켜 품질 계수를 증가시킬뿐만 아니라, 인덕터와 실리콘 기판 사이의 기생 캐패시턴스를 감소시켜 인덕터의 자기 공명 주파수를 높여보다 고주파에서 사용할 수 있으며, 또한 웰 영역의 바이어스를 능동적으로 바꿀 수 있으므로 실리콘 기판의 유효 전도도를 변화시킬 수 있고, 이에 의하여 인덕터의 품질 계수를 조절할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 공핍층을 이용한 인덕터의 평면도,
제4도는 제3도를 b-b선으로 자른 단면도.
Claims (5)
- 제1도전형의 반도체기판과, 상기 반도체기판에 핑거 형태로 다수개가 형성되어상기 반도체기판과 접합되는 부분에 공핍 영역을 형성하는 제2도전형의 웰 영역과, 상기 반도체기판에 형성된 제1절연막과, 상기 제1절연막의 상부에 형성되며 일측 끝단과 타측 끝단이외부와 전기적으로 연결되는 도선 패턴과 연결된 나선형의 인덕터와, 상기 제1절연막과 인덕터의 상부에 형성된 제2절연막을 포함하는 공핍층을 이용한 인덕터.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체기판이 실리콘으로 이루어지는 공핍층을 이용한 인덕터.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형이 N형이고, 제2도전형이 P형인 공핍층을 이용한 인덕터.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형이 P형이고, 제2도전형이 N형이 공핍층을 이용한 인덕터.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판과 상기 웰 영역에 역 방향의 바이어스가 인가되는 공핍 영역을 이용한 인덕터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950053605A KR970053797A (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 공핍층을 이용한 인덕터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950053605A KR970053797A (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 공핍층을 이용한 인덕터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053797A true KR970053797A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66646717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950053605A KR970053797A (ko) | 1995-12-21 | 1995-12-21 | 공핍층을 이용한 인덕터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053797A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334041B1 (ko) * | 1998-03-11 | 2002-09-25 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체기판상에형성되는인덕턴스소자 |
-
1995
- 1995-12-21 KR KR1019950053605A patent/KR970053797A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334041B1 (ko) * | 1998-03-11 | 2002-09-25 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체기판상에형성되는인덕턴스소자 |
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