KR19990055422A - 실리콘 기판에서의 인덕터 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 기판을 이용한 인덕터에 관한 것으로서, 인덕터가 위치하고 있는 실리콘 기판상에 트랜치를 배열하고, 배열된 트랜치 내부에 불순물이 도핑(Doping)되지 않은 다결정 폴리실리콘을 채워서 인덕터의 충실도(Quality factor)를 향상시키기 위한 인덕터 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 고주파 집적회로(MMIC)를 설계하는 경우에는 디바이스 및 회로간에 임피던스 정합을 위하여 인덕터의 사용이 필수적이다. 인덕터의 특성은 인덕턴스의 값 뿐만 아니라 충실도에 의해 좌우된다. 그런데 충실도는 인덕터가 집적되는 기판의 종류 및 특성에 따라 크게 달라지게 된다. 실리콘 기판에 인덕터를 집적하는 이른바 집적형 인덕터는 능동소자인 실리콘 MMIC와 동일 칩 상에 제작되어 지는데, 표준 능동소자를 제작하기 위한 실리콘 기판은 일반적으로 저항값이 낮기 때문에 그에 따른 에너지 손실을 가져오게 되며, 기판의 저항치가 낮을수록 인덕터의 충실도는 떨어지게 되어 고주파 회로의 성능을 저하시키는 한 원인이 된다.
따라서, 본 발명은 저저항 실리콘 기판상에 특정한 형태로 배열된 골이 깊은 트랜치를 형성하고, 그 속에 불순물이 도핑되지 않은 다결정 실리콘을 채워서 기판의 저항성분을 크게 함과 동시에, 인덕터와 실리콘 기판과의 기생 캐퍼시턴스를 줄임으로서 충실도를 향상시킬 수 있는 인덕터 장치 및 그 제조 방법을 제시한다.
Description
본 발명은 실리콘 기판을 이용한 인덕터에 관한 것으로서, 인덕터가 위치하고 있는 실리콘 기판상에 트랜치를 배열하고, 배열된 트랜치 내부에 불순물이 도핑(Doping)되지 않은 다결정 폴리실리콘을 채워서 인덕터의 충실도(Quality factor)를 향상시키기 위한 인덕터 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 모놀리식 마이크로파 집적회로(Monolithic Microwave IC: 이하MMIC라 함) 설계에서 임피던스 정합을 위해서는 특별히 인덕터가 요구되는데, 이때 인덕터의 특성은 인덕터의 값의 크기뿐만 아니라 충실도(Quality Factor)에 의해서 인덕터의 특성을 결정되어진다. 최근 기판에 인덕터를 집적하는 이른바 집적형 인덕터의 구현이 가능해짐에 따라 능동소자인 트랜지스터와, 수동소자인 인덕터가 동일 칩에 집적되는 실리콘 MMIC 제작이 가능하게 되었다. 그런데 이러한 집적형 인덕터를 구현함에 있어서, 가장 어려운 문제는 인덕터의 특성이 인덕터가 위치하는 실리콘 기판의 특성에 따라 크게 달라진다는 것이다.
여기서, 도시된 도 1 및 도 3을 참조하여 종래의 실리콘 기판을 이용한 인턱터 장치 및 그 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 1(a) 및 도 1(b)는 종래 실리콘 기판상에 MMIC를 제작하기 위한 인덕터 장치의 평면도 및 단면도를 나타낸 것이다.
상기의 인덕터 장치를 제조하기 위해, 실리콘 기판(3)상에 제 1 절연막(5)을 형성하고, 상기 제 1 절연막(5)상의 선택된 부분에 인덕터의 1 차 금속선(2)을 형성하고, 상기 1 차 금속선(2) 상에 제 2 절연막(6)을 형성하고, 상기 제 2 절연막(6)을 관통하여 선택된 부분에서 1 차 금속선(2)과 2 차 금속선(1)이 연결되도록 하고 있다. 인덕터의 충실도(Quality Factor)는 인덕터의 금속선과 실리콘 기판간의 캐퍼시턴스와 실리콘 기판의 저항값에 의해서 크게 영향을 받게 된다.
도 3은 종래의 인덕터의 등가회로를 나타낸 것으로서, 인덕터의 2 차 금속선(1)과 실리콘 기판(3)간의 절연막(6 및 5)에 의한 캐퍼시턴스는 Cox로, 실리콘 기판(3)의 저항은 Rsi로 표시된다. 인덕터의 충실도가 커지기 위해서는 Cox가 작아야 되고, 반면에 Rsi는 가능한 커야한다. 따라서 지금까지는 절연막을 매우 두껍게 하거나, 고저항의 실리콘 기판을 사용하여 왔는데, 절연막의 두께를 수㎛∼10㎛로 높이게 되면 능동소자를 동일 칩에 집적시키는데 어려움이 생기게 된다. 또한, 높은 저항값을 갖는 실리콘 기판을 사용할 경우, 능동소자의 집적이 어려워질 뿐만 아니라 공정비용의 증가로 인하여 경제성이 떨어지는 단점이 있다.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하고, 인덕터, 본딩패드 및 고주파신호 배선 하단의 트랜치 기판 내부에 다결정 실리콘의 매립을 용이하게 하는 제조 방법을 제공하므로서, 바이폴라 트랜지스터, MOS 트랜지스터 등의 능동소자와 인덕터 등의 수동소자를 실리콘 기판에 동시에 집적시켜서 실리콘 MMIC의 특성 및 경제성 개선에 기여하는데 그 목적이 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명인 인덕터 장치는 인덕터 금속선의 하단 부분에 위치한 실리콘 기판에 배열된 2개 이상의 트랜치와, 상기의 트랜치를 둘러싸고 있는 절연막과, 상기의 절연막으로 둘러싸여 있는 상기 트랜치 내부에 채워진 불순물이 도핑되지 않은 다결정 실리콘 영역과, 상기의 다결정 실리콘 상부 및 기판 전면에 증착된 절연막과, 상기의 절연막 상부의 선택된 부분에 형성된 인덕터의 제 1 금속선과, 상기의 제 1 금속선 및 기판 전면에 증착된 절연막과, 상기의 절연막의 선택된 부분을 관통하고, 제 1 금속선 상부의 선택된 부분에 형성된 비아홀과, 상기의 비아홀을 매립하여 상기 제 1 금속선과 연결하며, 기판 전면에 배열되는 제 2 금속선을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
본 발명인 인턱터 장치의 제조 방법은 실리콘 기판상에 제 1 절연막을 형성한 후, 상기 실리콘 기판 내의 선택된 부분에 마스크를 이용한 식각을 통해 2개 이상의 트랜치가 형성된 트랜치 기판을 형성한 후, 상기 트랜치 기판이 노출되도록 제 1 절연막을 제거하는 단계와, 상기 트랜치 기판에 산화 공정을 실시하여 제 2 절연막을 형성하는 단계와, 상기 트랜치 기판의 전체 구조상에 불순물이 도핑되지 않은 다결정 실리콘을 증착한 후, 화학적 및 기계적 연마법에 의해서 상기 제 2 절연막 표면까지 상기 다결정 실리콘을 연마하는 단계와, 상기 다결정 실리콘이 매립된 트랜치 기판상에 제 3 절연막 및 금속을 순차적으로 증착한 후, 마스크를 이용한 식각을 통해 제 1 금속선을 형성하는 단계와, 상기 제 1 금속선 상부에 제 4 절연막을 증착하고, 상기 제 4 절연막의 선택된 부분에 마스크를 이용한 식각을 통해 비아홀을 형성한 후, 금속을 증착한 다음에 마스크를 이용한 식각을 통해 제 2 금속선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
도 1(a)는 종래의 실리콘 기판을 이용한 인덕터의 평면도.
도 1(b)는 종래의 실리콘 기판을 이용한 인덕터의 단면도.
도 2(a)는 본 발명에 따른 실리콘 기판에서의 인덕터의 평면도.
도 2(b)는 본 발명에 따른 실리콘 기판에서의 인덕터의 단면도.
도 3은 종래의 실리콘 기판을 이용한 인덕터의 등가회로.
도 4는 본 발명에 따른 실리콘 기판에서의 인덕터의 등가회로.
도 5(a) 내지 도 5(e)는 본 발명에 따른 제 1 실시예의 인덕터 제조 방법을 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 제 2 실시예의 인덕터를 도시한 평면도.
도 7은 본 발명에 따른 제 3 실시예의 인덕터를 도시한 평면도.
도 8은 본 발명에 따른 제 4 실시예의 인덕터를 도시한 평면도.
도 9는 본 발명을 이용한 Pad 및 고주파 신호배선을 도시한 평면도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호 설명〉
1 및 11 : 2 차 금속 2 및 12 : 1 차 금속
3 및 13 : 반도체 기판 4 및 14 :비아홀
5 및 19 : 제 1 절연막 6 및 18 : 제 2 절연막
15 : 제 3 절연막 16 : 제 4 절연막
17 : 트랜치 20 : 다결정 실리콘
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 2(a) 및 도 2(b)는 각각 본 발명에 따른 인덕터의 평면도 및 단면도이다. 인덕터는 실리콘 기판(13) 내부에 배열된 트랜치(17)와 트랜치(17) 사이의 벽을 산화공정으로 완전히 산화시켜 형성된 제 2 절연막(18)과, 상기 트랜치(17) 내부에 채워진 불순물이 도핑(Doping)되지 않은 다결정 실리콘(20)과, 상기 전체 구조상에 형성된 제 3 절연막(15)과, 상기 제 3 절연막(15)의 선택된 부분에 형성된 인덕터의 1 차 금속선(12)과, 상기 전체 구조상의 선택된 부분에 형성된 제 4 절연막(16)과, 상기 1 차 금속선(12) 상부의 선택된 부분에 형성된 Via홀(14)과, 상기 제 4 절연막(16) 및 상기 Via홀(14)의 선택된 부분에 형성된 제 2 차 금속선(11)과, 상기 Via홀(14)을 통해 인덕터의 2 차 금속선(11)과 연결하도록 구성된다.
특히, 도 2(b)에서 트랜치(17)와 트랜치(17) 사이의 간격을 좁게 하여 그 사이의 실리콘을 쉽게 산화시킬 수 있도록 한다. 그리고 트랜치의 깊이를 깊게 하고, 대신 폭은 좁게 하여 트랜치 폭의 약 1/2에 해당하는 두께의 다결정 실리콘의 증착만으로도 트랜치를 채울 수 있도록 하므로서 공정을 쉽게 한 것이 특징이다. 또한 도 2(a)는 인덕터 금속선의 하부에 배열된 트랜치가 폭보다 길이가 길고, 그 트랜치 길이가 인덕터의 전체의 크기보다 긴 형태의 특징을 갖고 있다.
도 4는 본 발명에 따른 인덕터 장치의 등가회로를 나타낸 것이다.
인덕터의 2차 금속선(11)과 다결정 실리콘(20)간의 절연막(16 및 15)에 의한 캐퍼시턴스를 Cox1으로, 다결정 실리콘(20)과 실리콘 기판(13)간의 절연막(18)에 의한 캐퍼시턴스를 Cox2로 표시한다. 다결정 실리콘 내부에서 전자(Electron)와 전공(Hole)의 공핍층(Depletion layer)에 의한 캐퍼시턴스를 Cpoly로, 다결정 실리콘의 저항을 Rpoly로, 실리콘 기판의 저항값을 Rsi로 나타낸다. 도시된 도 4에서 트랜치(17)를 채운 물질은 불순물이 도핑(Doping)되지 않은 수㎛∼수십㎛ 정도 두께의 다결정 실리콘(20)이기 때문에 Cpoly 값은 작아지는 반면에, Rpoly 값은 커지게 된다. 또한 트랜치(17)와 트랜치(17)간의 실리콘이 절연막으로 산화되어 결과적으로 인덕터의 충실도(Quality factor)는 향상되어진다.
이와 같이 본 발명의 기술은 바이폴라 트랜지스터 및 MOS 트랜지스터 등의 표준 능동소자의 제작이 가능한, 저항값이 낮은 기판을 사용하면서도 높은 값의 충실도를 갖는 인덕터를 동일 칩에 집적할 수 있기 때문에, 고주파 성능이 좋고 경제성이 높은 실리콘 MMIC 구현에 매우 적절한 응용기술이 된다.
상술한 실리콘 기판상에서의 인덕터는 실리콘 기판에 트랜치가 형성된 상태의 기판(이하 트랜치 기판이라 함)과, 상기 트랜치 기판의 트랜치 내부에 다결정 실리콘으로 매립한 영역과, 상기 트랜치 기판의 트랜치 내부에 다결정 실리콘으로 매립한 후 그 상부에 절연막과 금속선으로 이루어진 인덕터 금속선 부분으로 구성된다.
도 5(a) 내지 도 5(e)는 본 발명에 따른 제 1 실시예의 인덕터의 제조 방법을 나타낸 단면도이다.
도 5(a)는 트랜치 기판을 제조하기 위한 것으로서, 실리콘 기판(13)상에 소정의 제 1 절연막(19)을 형성한 후, 트랜치(17)가 형성되도록 제 1 절연막(19) 및 실리콘 기판(13)을 수㎛∼수십㎛ 정도 식각한 후 상기 트랜치 기판(13)이 노출된 상태를 나타낸 단면도이다. 여기서 트랜치(17)는 트랜치와 트랜치 간의 간격이 트랜치 길이에 비해 좁은 형태로 배열되어 형성된다. 그리고 트랜치의 폭에 비해서 깊이가 깊은 형태로 배열되어 형성된다. 또한 인덕터 금속성 하부에 배열된 트랜치 폭에 비해 트랜치의 길이가 길고, 상기 길이가 상부의 제 1 및 제 2 금속선으로 이루어진 인덕터의 평면길이 보다 긴 형태로 배열되어 형성될 수 있다.
도 5(b)는 도시된 도 5(a)의 표시된 트랜치(17)와 트랜치(17)간의 실리콘 벽(d1)을 전부 산화시켜서 0.5㎛∼2㎛ 정도의 d2 두께로 산화된 제 2 절연막(18)을 형성한 상태를 나타낸 단면도이다. 이때 트랜치벽의 양쪽에서 실리콘이 산화되기 때문에 짧은 시간 내에 산화공정을 수행할 수 있다.
도 5(c) 및 도 5(d)는 트랜치 기판의 트랜치 내부에 다결정 실리콘으로 매립하기 위한 것으로서, 상기 트랜치 기판에 있는 트랜치의 깊이가 다결정 실리콘으로 전부 채워질 수 있도록, 불순물이 도핑(Doping)되지 않은 다결정 실리콘(20)을 증착한 후, 화학적 및 기계적 연마법(Chemical & Mechanical Polish)에 의해서 제 2 절연막(18) 표면까지 다결정 실리콘을 깎아낸 상태를 나타낸 단면도이다.
도 5(e)는 인덕터의 금속선 부분을 제조하기 위한 것으로서, 상기 트랜치 기판 내부에 다결정 실리콘(20)을 매립한 영역 상에 0.2㎛∼1㎛ 정도의 제 3 절연막(15)을 증착하고, 금속을 0.5㎛∼1㎛ 정도의 두께로 증착한 후, 마스크를 이용한 식각을 통해 제 1 금속선(12)을 형성한다. 상기 제 1 금속선(12) 상부에 제 4 절연막(16)을 0.5㎛∼2㎛ 정도로 증착한 다음에 마스크를 이용한 식각을 통해 Via홀(14)을 형성한 후, 금속(11)을 0.5㎛∼5㎛ 정도의 두께로 증착한 다음에 마스크를 이용한 식각을 통해 제 2 금속선(11)을 형성한다. 이 때, 제 2 금속선은 나사 형태로 형성되며, 금속선을 3층 이상으로 형성할 수 있다.
도 6은 본 발명에 따른 제 2 실시예의 인덕터를 나타낸 것으로서, 금속선 하부에 배열된 트랜치가 가로 및 세로의 길이가 비슷한 형태 및 원형 형태로 구성된 것을 나타낸 평면도이다. 본 실시예의 제조 방법은 상술한 제 1 실시예와 동일한 방법으로 실시된다.
도 7은 본 발명에 따른 제 3 실시예의 인덕터를 나타낸 것으로서, 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치가 인덕터의 금속선과 직교하는 형태로 구성된 것을 나타낸 평면도이다. 본 실시예의 제조 방법은 상술한 제 1 실시예와 동일한 방법으로 실시된다.
도 8은 본 발명에 따른 제 4 실시예의 인덕터를 나타낸 것으로서, 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치가 직사각형 형태로 구성된 것을 나타낸 평면도다. 본 실시예의 제조 방법은 상술한 제 1 실시예와 동일한 방법으로 실시된다.
도 9는 고주파 집적회로의 본딩패드(Bonding Pad) 및 내부회로의 고주파 신호배선 제작시에 본 발명에 따른 트랜치 공정을 적용한 것을 나타낸 평면도로서, 본딩패드 및 고주파 신호배선과 실리콘 기판과의 기생캐퍼시턴스를 줄일 수 있어 고주파 동작특성 개선과 전력소모를 감소시키는 특징을 갖고 있으며, 본 제조 방법은 상술한 제 1 실시예와 동일한 방법으로 실시된다.
이와 같이, 본 발명은 실리콘 기판과 인덕터의 금속선 사이에 존재하는 기생 캐퍼시턴스와 저항값을 물리적으로 변환시켜 인덕터의 성능을 높여서, 결과적으로 인덕터의 충실도(Quality factor)를 개선하므로서, 인덕터, 캐퍼시턴스 및 능동소자가 동일 칩에 집적되는 GHz급의 생산성이 높은 실리콘 MMIC를 설계 및 제작할 수 있는 장치 및 제조 방법을 제공하고 있다.
또한, 본 발명으로 인하여 본딩패드 및 고주파 신호배선과 실리콘 기판 간의 기생 캐퍼시턴스를 줄여서 고주파 디지털 및 아날로그 집적회로의 동작속도 개선과 전력소모를 줄이는데 기여할 수 있게 된다.
그리고, 본 발명은 고주파 디바이스에서 사용하는 본딩패드 및 고주파신호 배선을 제작시 고주파 동작 특성을 향상시킴과 동시에 고주파 동작에서 전력소모를 줄일 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 인덕터가 집적되는 부분만을 국부적으로 공정상 용이하게 기판의 저항값을 높여서 이른바 집적형 인덕터의 구현이 가능해지게 되고, 능동소자인 트랜지스터와 수동소자인 인덕터가 동일 칩에 집적되는 실리콘 MMIC 제작이 가능하게 된다. 결과적으로 상기와 같이 제작하여 바이폴라 트랜지스터, MOS 트랜지스터 등의 능동소자와 인덕터등의 수동소자를 기판의 저항값을 달리하므로서 능동소자와 수동소자와의 집적형 고주파 회로를 무리 없이 제작할 수 있기 때문에 실리콘 MMIC의 특성 및 경제성 개선에 탁월한 효과를 기대할 수 있다.
Claims (26)
- 인덕터 금속선의 하단 부분에 위치한 실리콘 기판에 배열된 2개 이상의 트랜치와,상기의 트랜치를 둘러싸고 있는 절연막과,상기의 절연막으로 둘러싸여 있는 상기 트랜치 내부에 채워진 불순물이 도핑 되지 않은 다결정 실리콘 영역과,상기의 다결정 실리콘 상부 및 기판 전면에 증착된 절연막과,상기의 절연막 상부의 선택된 부분에 형성된 인덕터의 제 1 금속선과,상기의 제 1 금속선 및 기판 전면에 증착된 절연막과,상기의 절연막의 선택된 부분을 관통하고, 제 1 금속선 상부의 선택된 부분에 형성된 비아홀과,상기의 비아홀을 매립하여 상기 제 1 금속선과 연결하며, 기판 전면에 배열되는 제 2 금속선을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치와 트랜치 간의 간격이 트랜치 길이에 비해 좁은 형태로 배열된 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치의 폭에 비해서 깊이가 깊은 형태로 배열된 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치와 트랜치 사이의 벽이 절연막 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속성 하부에 배열된 트랜치 폭에 비해 트랜치의 길이가 길고, 상기 길이가 상부의 제 1 및 제 2 금속선으로 이루어진 인덕터의 평면길이 보다 긴 형태로 배열된 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치의 가로 및 세로의 길이가 비슷한 형태 및 원형 형태의 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 부분이 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치와 직교하는 형태의 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치가 직사각형 형태의 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 제 1 항 내지 제 7 항에 있어서, 상기 트랜치가 형성된 트랜치 기판은 본딩패드 및 고주파 신호 연결 배선에 이용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속선은 나사 형태의 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 금속선은 3층 이상의 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치.
- 실리콘 기판상에 제 1 절연막을 형성한 후, 상기 실리콘 기판 내의 선택된 부분에 마스크를 이용한 식각을 통해 둘 이상의 트랜치가 형성된 트랜치 기판을 형성한 후, 상기 트랜치 기판이 노출되도록 제 1 절연막을 제거하는 단계와,상기 트랜치 기판에 산화 공정을 실시하여 제 2 절연막을 형성하는 단계와,상기 트랜치 기판의 전체 구조상에 불순물이 도핑되지 않은 다결정 실리콘을 증착한 후, 화학적 및 기계적 연마법에 의해서 상기 제 2 절연막 표면까지 상기 다결정 실리콘을 연마하는 단계와,상기 다결정 실리콘이 매립된 트랜치 기판상에 제 3 절연막 및 금속을 순차적으로 증착한 후, 마스크를 이용한 식각을 통해 제 1 금속선을 형성하는 단계와,상기 제 1 금속선 상부에 제 4 절연막을 증착하고, 상기 제 4 절연막의 선택된 부분에 마스크를 이용한 식각을 통해 비아홀을 형성한 후, 금속을 증착한 다음에 마스크를 이용한 식각을 통해 제 2 금속선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치와 트랜치 간의 간격이 트랜치 길이에 비해 좁은 형태로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치의 폭에 비해서 깊이가 깊은 형태로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치와 트랜치 사이의 모든 실리콘 벽이 산화 공정을 통해 절연막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속성 하부에 배열된 트랜치 폭에 비해 트랜치의 길이가 길고, 상기 길이가 상부의 제 1 및 제 2 금속선으로 이루어진 인덕터의 평면길이 보다 긴 형태로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치의 가로 및 세로의 길이가 비슷한 형태 및 원형 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 부분이 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치와 직교하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치가 직사각형 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항 내지 제 19 항에 있어서, 상기 트랜치가 형성된 트랜치 기판은 본딩패드 및 고주파 신호 연결 배선 하단의 실리콘 기판에 이용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 금속선은 나사 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 금속선은 3층 이상의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 및 제 4 절연막은 0.5 내지 2㎛ 정도로 산화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 3 절연막은 0.2 내지 1㎛ 정도로 산화되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 1 금속선은 0.5 내지 1㎛ 정도로 증착되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 금속선은 0.5 내지 5㎛ 정도로 증착되는 것을특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법.
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