KR960042903A - 슬릿을 구비하는 반도체 칩 - Google Patents
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Abstract
슬릿을 구비하는 반도체 장치에 관해 기재되어 있다.
반도체기판의 주변 가장자리를 따라 형성된 금속도전막 및 금속도전막에 형성된, 팁(tip)의 모서리가 라운드된 슬릿을포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 슬릿 팁에 가해지는 스트레스의 집중을 방지할 수 있으며, 금속층과 패시베이션막 사이의 접착력을 높여줄 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4A도는 본 발명의 제1실시예에 따른 슬릿을 구비하는 반도체 칩의 평면도이고, 제4B도는 상기 제4A도의 일부를 확대하여 도시한 평면도이다, 제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 슬릿을 구비하는 반도체 칩의 평면도이다, 제6A도 및 제6B도는 종래의 슬릿과 본 발명에 따른 슬릿을 비교하여 도시한 입체도이다.
Claims (8)
- 반도체기판의 주변 가장자리를 따라 형성된 금속도전막; 및 상기 금속도전막에 형성된, 팁(tip)의 모서리가 라운드(round)된 슬릿을 포함하는 것을 특징으로 하는 슬릿을 구비하는 반도체 칩.
- 제1항에 있어서, 상기 슬릿은 상기 금속도전막의 중심부를 따라 연속적으로 형성되는 것을 특징으로 하는슬릿을 구비하는 반도체 칩.
- 제1항에 있어서, 상기 슬릿은 그 팁부분이 볼 모양인 것을 특징으로 하는 슬릿을 구비하는 반도체 칩.
- 제3항에 있어서, 상기 슬릿 팁부분의 볼의 직경이 슬릿의 폭보다 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 슬릿을 구비하는 반도체 칩.
- 제1항에 있어서, 상기 금속도전막의 단부는 반도체기판의 적어도 하나의 모서리에 위치하는 것을 특징으로하는 슬릿을 구비하는 반도체 칩.
- 제1항에 있어서, 상기 금속도전막은 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 슬릿을 구비하는 반도체칩.
- 제1항에 있어서, 상기 금속도전막 상에 상기 슬릿을 채우는 형태로 패시베이션막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 슬릿을 구비하는 반도체 칩.
- 제7항에 있어서, 상기 패시베이션막은 BPSG, PSG, 실리콘 산화막 또는 실리콘 나이트라이드 중 적어도 어느 한 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 슬릿을 구비하는 반도체 칩.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950012315A KR0151045B1 (ko) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 슬릿을 구비하는 반도체 칩 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950012315A KR0151045B1 (ko) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 슬릿을 구비하는 반도체 칩 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960042903A true KR960042903A (ko) | 1996-12-21 |
KR0151045B1 KR0151045B1 (ko) | 1998-12-01 |
Family
ID=19414744
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950012315A KR0151045B1 (ko) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 슬릿을 구비하는 반도체 칩 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0151045B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100670693B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-05-17 KR KR1019950012315A patent/KR0151045B1/ko not_active IP Right Cessation
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Publication number | Publication date |
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KR0151045B1 (ko) | 1998-12-01 |
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