KR19980025707A - 캐패시터 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 캐패시터에 관한 것이다. 기판, 기판 위에 형성되어 있는 에피층, 에피층 내에 형성되어 있는 매몰층, 에피층 내에 형성되어 있는 P+인 제1 도전형 확산 영역, 에피층에 형성되어 있으며 제1 도전형 확산 영역과 접하고 있는 n+인 제2 도전형 확산 영역, 제2 도전형 확산 영역 위에 형성되어 있으며, 제1 및 제2 컨택홀을 가지고 있는 절연층, 절연층의 제1 컨택홀을 통하여 상기 제1 도전형 확산 영역과 연결되어 있는 제1 금속막과 상기 절연막의 제2 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 확산 영역과 연결되어 있는 제2 금속막 그리고 캐패시터의 한 전극이 되는 제3 금속막으로 이루어진다. 제1 도전형 확산 영역과 제2 도전형 확산 영역 사이의 접합면에서 접합 캐패시터가 형성된다.
Description
본 발명은 캐패시터에 관한 것으로서, 특히, 용량의 크기를 조절하기 쉬운 캐패시터에 관한 것이다.
일반적으로 캐패시터는 제1 도전 기판과 제2 도전 기판 그리고 그 사이에 유전체로 이루어져 있다.
캐패시터의 용량은 캐패시터의 면적에 비례하고 두 기판 사이 즉, 제1 도전 기판과 제2 도전 기판 사이의 거리에 반비례한다.
도1은 종래의 캐패시터의 단면도이고, 도2는 도1의 평면도이다.
도1 및 도2에 도시한 바와 같이, 종래의 일반적인 캐패시터는
기판(10), 기판(10) 위에 형성되어 있는 에피층(30), 에피층(30) 내에 형성되어 있는 매몰층(20), 에피층(30) 내에 형성되어 있는 P+인 제1 도전형 확산 영역(40), 에피층(30)에 형성되어 있으며 제1 도전형 확산 영역(40)과 접하고 있는 n+인 제2 도전형 확산 영역(50), 제2 도전형 확산 영역(50) 위에 형성되어 있으며, 제1 컨택홀을 가지고 있는 절연층(60), 절연층(60)의 제1 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 확산 영역(50)과 연결되어 있는 제1 금속막(71)과 캐패시터의 한 전극이 되는 제3 금속막(70)으로 이루어진다.
그러나 이러한 구조를 가진 종래의 일반적인 캐패시터는 필요에 따른 캐패시터의 용량을 조절하기 위하여 캐패시티터의 한 전극인 기판(10)과 다른 전극인 제3 금속막(70) 사이의 거리를 짧게 하는 것에 한계가 있다.
그러므로 본 발명은 필요에 따른 캐패시터 용량의 크기를 형성하기 쉬운 캐패시터를 제공하는데 있다.
도1은 종래의 캐패시터의 단면도이고,
도2는 도1의 평면도이고,
도3은 본 발명의 실시예에 따른 캐패시터의 단면도이고,
도4는 도3의 평면도이다.
이러한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 캐패시터는,
기판,
상기 기판 위에 형성되어 있는 에피층
상기 에피층 내에 형성되어 있는 매몰층,
상기 에피층 내에 형성되어 있는 제1 도전형 확산 영역,
상기 에피층에 형성되어 있으며 상기 제1 도전형 확산 영역과 접하고 있는 제2 도전형 확산 영역,
상기 제2 도전형 확산 영역 위에 형성되어 있으며, 제1 및 제2 컨택홀을 가지고 있는 절연층,
상기 절연층의 제1 컨택홀을 통하여 상기 제1 도전형 확산 영역과 연결되어 있는 제1 금속막과 상기 절연막의 제2 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 확산 영역과 연결되어 있는 제2 금속막으로 이루어진다.
여기서, 제1 도전형 확산 영역과 제2 도전형 확산 영역 사이의 접합면에서 접합 캐패시터가 형성된다.
그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 캐패시터의 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명한다.
도3은 본 발명의 실시예에 따른 캐패시터의 단면도이고, 도4는 도3의 평면도이다.
도3 및 도4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 캐패시터는, 기판(10), 기판(10) 위에 형성되어 있는 에피층(30), 에피층(30) 내에 형성되어 있는 매몰층(20), 에피층(30) 내에 형성되어 있는 P+ 반도체인 형 확산 영역(40), 에피층(30)에 형성되어 있으며 제1 도전형 확산 영역(40)과 접하고 있는 n+ 반도체인 제2 도전형 확산 영역(50), 제2 도전형 확산 영역(50) 위에 형성되어 있으며, 제1 및 제2 컨택홀을 가지고 있는 절연층(60), 절연층(60)의 제1 컨택홀을 통하여 상기 제1 도전형 확산 영역(40)과 연결되어 있는 제1 금속막(71)과 상기 절연막의 제2 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 확산 영역(50)과 연결되어 있는 제2 금속막(72) 그리고 캐패시터의 한 전극이 되는 제3 금속막(70)으로 이루어진다.
이와 같이, 제1 도전형 확산 영역(40)과 제2 도전형 확산 영역(50) 사이의 접합면에서 접합 캐패시터가 형성되어. 기판(10)과 제3 금속막(70) 사이에서 형성되는 캐패시터와 더불어 필요한 크기의 캐패시터를 형성할 수 있다.
그러므로 캐패시터의 두 전극 사이의 거리를 크게 좁히지 않고도 필요한 용량의 캐패시터를 형성할 수 있는 효과가 있다
Claims (5)
- 기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 에피층상기 에피층 내에 형성되어 있는 매몰층,상기 에피층 내에 형성되어 있는 제1 도전형 확산 영역,상기 에피층에 형성되어 있으며 상기 제1 도전형 확산 영역과 접하고 있는 제2 도전형 확산 영역,상기 제2 도전형 확산 영역 위에 형성되어 있으며, 제1 및 제2 컨택홀을 가지고 있는 절연층,상기 절연층의 제1 컨택홀을 통하여 상기 제1 도전형 확산 영역과 연결되어 있는 제1 금속막과 상기 절연막의 제2 컨택홀을 통하여 상기 제2 도전형 확산 영역과 연결되어 있는 제2 금속막을 포함하는 캐패시터.
- 제1항에서, 상기 제1 도전형 물질은 n형 반도체인 캐패시터.
- 제1항에서, 상기 제1 도전형 물질은 고농도인 캐패시터.
- 제1항에서, 상기 제2 도전형 물질은 p형 반도체인 캐패시터
- 제1항에서, 상기 제2 도전형 물질은 고농도인 캐패시터.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960043945A KR19980025707A (ko) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 캐패시터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960043945A KR19980025707A (ko) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 캐패시터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980025707A true KR19980025707A (ko) | 1998-07-15 |
Family
ID=66326007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960043945A KR19980025707A (ko) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 캐패시터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980025707A (ko) |
-
1996
- 1996-10-04 KR KR1019960043945A patent/KR19980025707A/ko not_active Application Discontinuation
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