KR980006232A - 굴곡형 커패시터의 제조 방법 - Google Patents

굴곡형 커패시터의 제조 방법 Download PDF

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KR980006232A
KR980006232A KR1019960026241A KR19960026241A KR980006232A KR 980006232 A KR980006232 A KR 980006232A KR 1019960026241 A KR1019960026241 A KR 1019960026241A KR 19960026241 A KR19960026241 A KR 19960026241A KR 980006232 A KR980006232 A KR 980006232A
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oxide film
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정연태
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자에 있어서 반도체 칩의 크기는 일정하게 유지하면서 커패시터의 용량을 증가시키기 위한 굴곡형 커패시터의 제조 방법에 관한 것으로서, 필드 산화막을 부분적으로 식각하여 액티브 영역을 형성함으로써, 종래의 평탄면으로 형성된 커패시터가 굴곡을 이룬 형상을 갖게 함으로써, 커패시터가 반도체 칩 내에서 차지하는 면적은 동일하나 실질적인 커패시터의 면적은 증가하게 되어 커패시턴스가 증가하고, 또한 커패시터가 반도체 칩 내에서 차지하는 면적을 줄이면서 실질적인 커패시터의 면적을 줄지 않도록 하여 일정한 커패시터를 유지하면서 칩 크기를 줄일 수 있는 굴곡형 커패시터의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

굴곡형 커패시터의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제4b도는 본 발명의 실시예에 따른 굴곡형 커패시터의 제조 과정을 공정 흐름에 따라 나타낸 평면도 및 단면도.

Claims (3)

  1. 실리콘 기판 상부에 필드 산화막이 형성되는 단계와; 상기 필드 산화막 상부에 제1 다결정 실리콘층이 형성되는 단계와; 상기 제1 다결정 실리콘층 상부에 유전층이 형성되는 단계와; 상기 유전층 상부에 제2 다결정 실리콘층이 형성되는 단계; 를 포함하는 커패시터의 제조 방법에 있어서, 상기 실리콘 상부에 형성된 필드 산화막이 부분적으로 식각되어 액티브 영역이 형성되며, 커패시터가 굴곡을 이루는 것을 특징으로 하는 굴곡형 커패시터의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전층이 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 굴곡형 커패시터의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유전층이 산화막과 절화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 굴곡형 커패시터의 제조 방법.
KR1019960026241A 1996-06-29 1996-06-29 굴곡형 커패시터의 제조 방법 KR980006232A (ko)

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