KR960043124A - 층간 절연막에 형성된 기체 절연층을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

층간 절연막에 형성된 기체 절연층을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

하부 실리콘 산화물층(15a), 상부 실리콘 산화물층(15b) 및 하부 실리콘 산화물층과 상부 실리콘 산화물층 사이에 갭(15c)을 채우는 공기층에 의해서 층간 절연 구조(15)가 형성되고, 상기 공기층은 층간 절연구조를 가로지르는 기생용량이 크게 감소되도록 유효한 비유전율을 감소시킨다.

Description

층간 절연막에 형성된 기체 절연층을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 기체 절연층을 갖는 반도체 장치의 구조를 도시하는 단면도.

Claims (11)

  1. 제1도전층(13,33,37a/37b) 및 제2도전층(17a/17b,37a/37b,40)과 상기 제1도전층과 제2도전층과 함께 기생 용량을 형성하도록 상기 제1도전층 및 제2도전층 사이에 제공된 층간 절연막(15,35,38)을 포함하는 반도체 장치에 있어서, 상기 층간 절연막이, 제1절연층(15a,35b,38b), 갭(15c,35c,38c)을 형성하기 위해서 상기 제1 절연층으로부터 떨어져 있는 제2절연층(15b,35b,38b), 및 상기 갭을 채우는 기체 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서,상기 기체 절연층이 공기로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1도전층 및 제2도전층이 상기 층간 절연막의 제2절연층에 결합된 신호 배선(17a/17b,37a/37b) 및 게이트 전극(13,33)으로서 작용하고, 제1도전층은 반도체층과 게이트층 사이의 게이트 절연막(12,32) 및 실리콘 기판(10,30)에 형성된 소스 및 드레인(10a/10b,30a/30b)을 통과하고, 상기 제2절연층이 상기 소스 및 드레인 영역에 의해서 상기 신호 배선을 통해 지지될 수 있도록 상기 소스 및 드레인 영역과의 접촉을 유지하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1도전층 및 제2도전층이 상기 층간 절연막 상에 연장되는 하부 배선층(37a/37b) 및 상부 배선층(40)으로서 작용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제3절연층(38b), 또다른 갭(38c)를 형성하기 위해서 상기 제3절연층으로부터 떨어진 제4절연층(38b) 및 또다른 갭을 채우는 또다른 기체 절연층을 포함하여, 상기 층간 절연막(35) 상의 상기 제2도전층(37a/37b) 상에 형성된 또다른 층간 절연막(38); 및 상기 제2도전층(37a)과 함께 상기 또다른 층간 절연막(38)에 형성되고, 제4절연층(38b)을 지지하도록 상기 제4절연층에 결합된 또다른 접점홀(39)을 통해서 접촉을 유지하는 제3전도층(40)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제6항에 있어서, 상기 기체 절연층 및 상기 또다른 기체 절연층이 공기로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제1도전층(13,33,37a/37b) 및 제2도전층(17a/17b,37a/37b,40) 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, a) 상기 제1도전층 및 상기 제2도전층 중 어느 하나위에 제1절연 재료로 된 제1층(15a,35a,38a)을 형성하는 단계와, b) 상기 제1층 위에 한 재료로되 제2층(18,41)을 형성하는 단계와, c) 상기 제2층 위에 제2절연재료로된 제3층(15b,35b,38c)을 형성하는 단계 및 d) 상기 제1 및 제2절연재료와 기체 절연층이 상기 제1층과 상기 제3층 사이의 갭(15c,35c,38c) 사이를 채울 수 있도록 하고 상기 제1층, 상기 기체 절연층 및 상기 제3층은 조합하여 상기 층간 절연막을 형성하는 재료 사이에 선택도를 갖는 에칭제를 사용하여 상기 제2층을 선택적으로 에칭 시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연 재료가 내재적으로 도핑되지 않는 실리콘 산화물 및 실리콘질화물로 이루어진 그룹으로부터 선택되고, 상기 재료는 붕소-인 실리게이트 글래스, 인-실리게이트 글래스 및 붕소-실리게이트 글래스로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서 ,상기 제3층이 상기 단계 c)와 단계 d) 사이의 제1전도층 및 제2전도층의 다른것에 의해 지지될 수 있도록 상기 제3층 상의 제1전도층 및 제2전도층의 다른 것(17a,37a/37b,40)을 형성하는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제10항에 있어서, 상기 단계 d)가 d-1) 상기 제2층의 일부가 상기 배출구에 노출될 수 있도록 상기 제1전도층 및 상기 제2전도층의 상기 다른 것으로 덮이지 않은 제3층에 적어도 하나의 배출구(15d~15f,38d/38e)를 형성하는 단계, 및 d-2) 상기 제2층을 선택적으로 제거하기 위해서 상기 적어도 하나의 배출구를 통해성 상기 제2층(18,41)을 상기 에칭제에 노출시키는 단계를 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연 재료 및 상기 재료가 각각 내재적으로 도핑되지 않은 실리콘 산화물 및 붕소-인 실리게이트이고, 상기 에칭제는 불화수소임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960016071A 1995-05-11 1996-05-10 층간 절연막에 형성된 기체절연층을 갖는 반도체장치및그제조방법 KR100231669B1 (ko)

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