KR960039358A - 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960039358A KR960039358A KR1019950008134A KR19950008134A KR960039358A KR 960039358 A KR960039358 A KR 960039358A KR 1019950008134 A KR1019950008134 A KR 1019950008134A KR 19950008134 A KR19950008134 A KR 19950008134A KR 960039358 A KR960039358 A KR 960039358A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- storage electrode
- semiconductor device
- capacitor
- photoresist pattern
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것으로, 저장전극마스크를 이용한 식각공정과 도전체, 유전체의 증착공정을 이용하여 콘택홀을 형성하지 않고 반도체기판에 접속되는 제1도전층을 형성하고 상기 제1도전층의 일측에 접속되는 제2도전층으로 형성되는 캐패시터를 형성하는 동시에 표면적을 증가시킴으로써 고집적화에 충분한 정전용량을 확보하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (5)
- 반도체소자의 캐패시터 정전용량을 증가시키고 셀부와 주변회로부의 단차를 완화시키기 위하여 캐패시터의 하부에 언더컷을 형성하여 상기 저장전극의 표면적을 증가시키는 반도체소자의 캐패시터 형성방법에 있어서, 불순물 접합영역에 콘택홀을 통하여 접속되는 저장전극을 셀부에 형성하는 공정과, 별도의 마스크를 허용하여 주변회로부에만 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴과 저장전극을 마스크로하여 상기 저장전극의 하부에 형성된 하부절연층을 일정두께 등방성식각함으로써 언더컷을 형성하여 상기 저장전극의 표면적을 증가시키는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 상기 저장전극 표면에 유전체막을 형성하는 공정과, 전체표면 상부에 플레이트전극을 형성하는 공정과, 상기 별도의 마스크를 이용하여 상기 주변회로부에 형성된 상기 플레이트전극을 식각하는 공정과, 전체표면상부를 평탄화시킬 수 있는 절연막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 별도의 마스크는 상기 셀부 크기로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 언더컷은 상기 저장전극과 감광막패턴의 하부에 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플레이트전극은 다결정실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막은 SOG 또는 BPSG와 같이 유동성이 잘되는 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008134A KR960039358A (ko) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008134A KR960039358A (ko) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039358A true KR960039358A (ko) | 1996-11-25 |
Family
ID=66553383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950008134A KR960039358A (ko) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960039358A (ko) |
-
1995
- 1995-04-07 KR KR1019950008134A patent/KR960039358A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950021083A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR960006030A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970072325A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR960039358A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR970052336A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR100322882B1 (ko) | 3전극 구조의 안티퓨즈 및 그 통합 메모리로직 반도체 소자 제조방법 | |
| KR950026042A (ko) | 적층 캐패시터 제조방법 | |
| KR100227632B1 (ko) | 캐패시터 구조 및 그 제조방법 | |
| KR950009922A (ko) | 반도체소자의 콘택구조 및 그 제조방법 | |
| KR970053515A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR970030485A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR20040002221A (ko) | 반도체소자의 저장전극 및 그 제조방법 | |
| KR970054136A (ko) | 디램 셀 캐패시터 제조방법 | |
| KR960002827A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR900017086A (ko) | 2중 적층 캐패시터 구조를 갖는 반도체 기억장치 및 그 제조방법 | |
| KR960026847A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960043176A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
| KR980006321A (ko) | 디램 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR970003966A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR20040002247A (ko) | 반도체소자의 저장전극 형성방법 | |
| KR970072417A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR980005483A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 | |
| KR960043201A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR970018532A (ko) | 반도체장치의 soi 캐패시터와 그 제조방법 | |
| KR960036065A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |