JPH04179127A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置、特に導電性サイドウオールを有
するＭＩＳ型半導体装置に関するものである。

〔従来の技術〕

第８図は導電性サイドウオールを有する従来のＭＩＳ型
トランジスタの断面図である。図において、１はゲート
電極、２は導電性サイドウオール、３は絶縁膜、７はゲ
ート絶縁膜、９は半導体基板、１０は低濃度拡散層、１
１は高濃度拡散層である。

第７図は第８図の周辺部を含めて示したものて、６は配
線、５は拡散層と配線とのコンタクト、８は分離絶縁膜
、１２は層間絶縁膜である。

第５図は第７図の半導体装置を」二から見た図であり、
第５図のＹ−Ｙ′断面図が第７図である。

第５図において４はゲート電極１と配線６との間のコン
タクトである。

第６図は第５図のｘ−ｘ　’断面図である。

次に動作について説明する。

第５図、第６図、第７図、第８図に見られるように、導
電性サイドウオール２はゲート絶縁膜７によって低濃度
拡散層１０と高濃度拡散層１１から絶縁され、分離絶縁
膜８によって半導体基板９から絶縁され、絶縁膜３によ
ってチーｌ−電極１から絶縁され、層間絶縁膜１２によ
って配線６から絶縁されていて、フローティング状態に
ある。

また、導電性サイドウオール２とゲート電極１との間の
絶縁膜３を除去することによって、ゲート電極１の側壁
て導電性サイドウオールとの電気的接続をはかる手法か
あるか、絶縁膜３は自然酸化膜であり、完全に除去した
状態で導電性サイドウオール２を形成することはプロセ
ス上極めて困難である。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
導電性サイドウオールとゲート電極とは電気的に接続さ
れておらず、導電性サイドウオールはフローティングで
あって、導電性サイドウオール電極を有するＭＩＳ型半
導体装置の動作は不安定であった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、導電性サイドウオールにゲート電極とは同じ
電圧を安定して印加することによって、動作の安定した
高性能ＭＩＳ型電界効果）・ランジスタを得ることを目
的とする。

〔課題を解決するだめの手段） この発明に係る導電性サイドウオールを有するＭＩＳ型
半導体装置は、導電性サイドウオールとデー１−電極と
をコンタクトホールに埋め込まれた配線によって電気的
に接続したものである。

〔作用〕

この発明における導電性サイドウオールを有するＭＩＳ
型半導体装置は、導電性サイドウオールとデーｌ−電極
をデーｌ−電極と配線とのコンタクト部分で電気的に接
続したから、導電性サイドウオールにゲート電極と同じ
電圧か印加され、安定した動作を行なうことかできる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図においてｌはゲート電極、２は導電性サイドウオ
ール、３は絶縁膜、４はゲート電極と配線層とのコンタ
クト、６は配線である。

第２図は第１図のｘ−ｘ　’断面図である。第２図にお
いて７はゲート絶縁膜、８は分離絶縁膜、９は半導体基
板である。

第３図は第１図のＹ−Ｙ　’断面図である。

第４図は第３図のＭＩＳ型トランジスタ部分の拡大図で
ある。第４図において１０は低濃度拡散層、１１は高濃
度拡散層である。

本実施例においては、ゲート電極ｌと配線６とのコンタ
クト４を、第１図に示すように該コンタクト部分にゲー
ト電極１と導電性サイドウオール２か露出するような位
置に故意にずらせることによって、導電性サイドウオー
ル２とゲート電極ｌとをコンタクト４に埋め込まれた配
線６によって電気的に接続したものであり、導電性サイ
ドウオール２にはゲート電極１と同じ電圧か印加される
。

これによりＭＩＳ型トランジスタの動作は安定したもの
となる。

なお、上記実施例ては、コンタクトをずらして導電性サ
イドウオールとケート電極とをコンタクトホールに埋め
込まれた配線によって電気的に接続したものについて述
べたか、第９図に示す本発明の他の実施例のように、ゲ
ート電極層のコンタクト部分の形状をくし型とすること
によって、コンタクト部分にゲート電極１と導電性サイ
ドウオール２か露出するようにして、導電性サイドウオ
ールとゲート電極とをコンタクトホールに埋め込まれた
配線によって電気的に接続してもよい。

また、第１０図に示す本発明のさらに他の実施例のよう
に、コンタクトをずらすとともにゲート電極層のコンタ
クト部分の形状をくし型としてもよく、この場合、コン
タク）・部に露出する導電性サイドウオールの面積が広
がるため、より確実に電気的接続を得ることかできる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば導電性サイドウオール
とゲート電極をゲート電極と配線とのコンタクト部分て
電気的に接続したので、動作の安定した高性能ＭＩＳ型
トランジスタを得ることができる効果かある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例によるＭｒＳ型半導体装置
を上から見た図、第２図は第１図のＸ−Ｘ′断面図、第
３図は第１図のｙ−ｙ’断面図、第４図は第３図の部分
拡大図、第５図は従来の導電性サイドウオールを有する
ＭｒＳ型半導体装置を上から見た図、第６図は第５図の
Ｘ−Ｘ　’断面図、第７図は第５図のＹ−Ｙ　’断面図
、第８図は第７図の部分拡大図、第９図は本発明の他の
実施例を示す図、第１０図は本発明のさらに他の実施例
を示す図である。 図において、Ｉはゲート電極、２は導電性ザイドウォー
ル、３は絶縁膜、４はゲート配線との間のコンタクト、
５は拡散層と配線との間のコンタク）・、６は配線、７
はゲート絶縁膜、８は分離絶縁膜、９は半導体基板、１
０は低濃度拡散層、１１は高濃度拡散層、１２は層間絶
縁膜である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ゲート電極側壁に絶縁膜を介して設けられた導電
   性サイドウォールを有するＭＩＳ型電界効果トランジス
   タ半導体装置において、 上記導電性サイドウォールとゲート電極とはゲート電極
   と配線とのコンタクト部分で電気的に接続されているこ
   とを特徴とする半導体装置。