JPH01289161A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野１ この発明は半導体装置、とくに詳しくは集積回路を構成
する電極構造に関するものである。

〔従来の技術〕

第２図は、半導体集積回路装置における一電極構造例で
ある。

図において１はＰ型Ｓｉ基板（以下基板という）２はＳ
　ｉ　Ｏを膜、３はＮ０拡散層、４はＮ′″不純物の導
入されたポリシリコン（以下Ｎ９ポリシリコンという）
である、この構造ではＮ′″ポリシリコン４とＮ０拡散
層３とが５ｉＯ−膜２の開口部において、半導体基板表
面で接触している。

［発明が解決しようとする課Ｈ］ 上記第２図の従来例の構造における問題点としては下記
（１）のような事項が指摘される。

（１）プロセスの微細化（高集積化）に供い、絶縁膜２
の開口部の面積が縮少化されることが要求される。しか
しながら、開口部の面積の縮小化により、Ｎ９ポリシリ
コン４とＮｏ拡散層３の接触面積が縮少され、その分、
接触抵抗が増大してしまう、一般に、プロセスの微細化
とともに、集積回路の高速性も要求されるため、接触抵
抗増大は、集積回路の高速性に対して大きな障害となっ
てしまう。

この発明は上記の様な問題点を解決するもので上記の様
な、開口部の縮小化に供う、Ｎ゛ポリシリコン４Ｎ・拡
散層３間の接触抵抗増大を防ぎ開口部の縮小化と、接触
抵抗の低抵抗化を実現する半導体装置を提供することを
目的とするものである。

［課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置は、半導体基板上に形成され
た絶縁物の一部取り除かれた開口部上に半導体を主成分
とする被膜が形成され、前記被膜と前記半導体基板とが
前記開口部で接触する電極構造において、少なくとも前
記開口部の半導体基板に溝が形成されているものである
。

［作　用］ この発明においては、半導体を主成分とする被膜と半導
体基板が接触する絶縁物開口部の半導体基板内に溝が形
成されている。従って、前記被膜と前記半導体基板は、
半導体基板表面で接触するのみならず、半導体基板内に
形成された溝の側壁でも接触するため、その分接触抵抗
を低減することが可能となる６例λば、１　ｇ　ｍ　’
の開口部の場合で且つ０．５μｍの溝を形成した場合、
溝を形成しない場合に比べて、約３倍の接触面積がとれ
、従って接触抵抗を約１／３に低減することができる。

【実　施　例１ 第１図は、この発明の一実施例を示す断面構造図である
１図において、５を除く１〜４は第２図の従来例の説明
において用いたものと同一符号であり、その構成もほぼ
同様であるので説明は省略する。

図において、５は絶！！１１２の開口部における半導体
基板ｌ内に形成された溝であり、この溝内にＮ９ポリシ
リコン４が埋め込まれ、そこからＮ型不純物が基板内に
拡散されＮ゛拡散層３が形成されている。

上記の様な構成においては、Ｎ°ポリシリコン４とＮ°
拡散層３間の接触は、溝底面のみで行なわれるばかりで
な（、溝側面でも行なわれるため、低抵抗な接触抵抗が
得られている。

［発明の効果］ この発明は以上説明したとおり、半導体基板上に形成さ
れた絶縁膜の一部取り除かれた開口部上に半導体を主成
分とする被膜が形成され、前記被膜と半導体基板が前記
開口部で接触する場合、前記半導体基板に溝が形成され
ているため、溝底面のみで接触されるばかりでなく、溝
側壁においても接触され、接触抵抗の低減を図ることが
できたに の発明により、プロセスの微細化を行っても上記領域の
接触抵抗を低く抑＾ることができ、集積回路の高速性を
失うことなく、プロセスの微細化を可能なものとするこ
とができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の一実施例を示す半導体装置の構造
断面図、第２図は従来の半導体装置の構造断面図。 ｌ・・・Ｐ型Ｓｉ基板 ２・・・Ｓ　ｉ　Ｏｚ　Ｉｌ！ ３・・・Ｎ０拡散層 ４・・・Ｎ１不純物の導入されたポリシリコン５・・・
半導体基板内に設けられた情 態上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　一半導体基板上に絶縁物が形成され、前記絶縁物の取
   り除かれた開口部が一部存在し、少なくとも前記開口上
   に半導体を主成分とする被膜が形成され、前記被膜と前
   記半導体基板とが接触した構造を有する半導体装置にお
   いて、少なくとも前記開口部の半導体基板に溝が形成さ
   れて成ることを特徴とする半導体装置。